JPS6297155A - 光熱磁気記録膜の製造方法 - Google Patents
光熱磁気記録膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6297155A JPS6297155A JP23683285A JP23683285A JPS6297155A JP S6297155 A JPS6297155 A JP S6297155A JP 23683285 A JP23683285 A JP 23683285A JP 23683285 A JP23683285 A JP 23683285A JP S6297155 A JPS6297155 A JP S6297155A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- rare earth
- sputtering
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光熱磁気記録膜の製造方法、より詳細には表面
欠点が少なく付着力が強くかつ磁気特性および磁気光学
特性が優れた光熱磁気記録膜の製造方法に関する。
欠点が少なく付着力が強くかつ磁気特性および磁気光学
特性が優れた光熱磁気記録膜の製造方法に関する。
近年、光熱磁気記録材料としてＢｉ置換希土類鉄ガーネ
ット等の酸化物光磁気膜が注目されている。
ット等の酸化物光磁気膜が注目されている。
通常、これらの酸化物光磁気膜は真空容器内において蒸
着法又はスパッタ法によりガラス基板等の基板上に形成
される。この際、上記基板は真空容器内に設置される以
前圧、通常純水、有機溶剤、アルカリもしくは酸性溶液
、および洗剤等の洗浄溶液で洗浄されている。
着法又はスパッタ法によりガラス基板等の基板上に形成
される。この際、上記基板は真空容器内に設置される以
前圧、通常純水、有機溶剤、アルカリもしくは酸性溶液
、および洗剤等の洗浄溶液で洗浄されている。
しかしながら、上記従来の洗浄のみを行なった基板上に
Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットの形成成分の膜をスパッタ
リング法により形成させると、該被膜と基板との付着力
が十分得られないために該被膜のはく離もしくはひび割
れ等が生じるという問題点があった。
Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットの形成成分の膜をスパッタ
リング法により形成させると、該被膜と基板との付着力
が十分得られないために該被膜のはく離もしくはひび割
れ等が生じるという問題点があった。
特に上記被膜のはく離、ひび割れは基板と被膜との熱膨
張率差をある程度以上に保たねばならない場合（熱膨張
率差に基づく応力を利用して垂直磁化膜を得るような場
合）または耐熱温度等の制限によって基板の熱膨張率を
被膜の熱膨張率と一致させることができないような場合
に顕著となった。
張率差をある程度以上に保たねばならない場合（熱膨張
率差に基づく応力を利用して垂直磁化膜を得るような場
合）または耐熱温度等の制限によって基板の熱膨張率を
被膜の熱膨張率と一致させることができないような場合
に顕著となった。
このような被膜のは＜ｍあるいはひび割れは、この被膜
を光磁気膜として使用しようとした際信号ピット形成不
能地点や局部的な磁気特性の変化などを生じる問題とな
った。また信号再生の場合に雑音発生の問題点となった
。またはく離を生じた被膜は機械的強度が低く耐久性に
おとる問題点もあった。
を光磁気膜として使用しようとした際信号ピット形成不
能地点や局部的な磁気特性の変化などを生じる問題とな
った。また信号再生の場合に雑音発生の問題点となった
。またはく離を生じた被膜は機械的強度が低く耐久性に
おとる問題点もあった。
又熱膨張率差を小さくしてはく離あるいはひび割れを防
止すると、光磁気膜の垂直異方性が低下し、保磁力の減
少等、磁気特性および磁気光学特性が低下する問題とな
った。
止すると、光磁気膜の垂直異方性が低下し、保磁力の減
少等、磁気特性および磁気光学特性が低下する問題とな
った。
上記従来の問題点を解決するために、本発明は、ガラス
基板表面をイオン化したガス又は活性化したガスにより
基板表面をスパックリングした後Ｂｉ置換希土類鉄ガー
ネットの形成成分の膜を形成させている。
基板表面をイオン化したガス又は活性化したガスにより
基板表面をスパックリングした後Ｂｉ置換希土類鉄ガー
ネットの形成成分の膜を形成させている。
軸
上記ガラス基輯表面のスパッタリングとしてはＡｒ、０
２１Ｎ２等の／Ｘ１０−３〜／Ｘ１Ｏ−ＩＴＯｒｒ好ま
しくは／×１０−２〜！；×１０−２ Ｔｏｒｒの雰囲
気Ｋ、０．／〜ｊ、ＯＷ／ｄ好ましくは／、０〜３ＶＪ
／ｃｒ／ｌの高周波電力を印加して高周波プラズマを発
生させイオン化したＡｒ、０２ｙＮ２等のガスイオンを
加速させて基板表面に衝突させる方法が好まれる。
２１Ｎ２等の／Ｘ１０−３〜／Ｘ１Ｏ−ＩＴＯｒｒ好ま
しくは／×１０−２〜！；×１０−２ Ｔｏｒｒの雰囲
気Ｋ、０．／〜ｊ、ＯＷ／ｄ好ましくは／、０〜３ＶＪ
／ｃｒ／ｌの高周波電力を印加して高周波プラズマを発
生させイオン化したＡｒ、０２ｙＮ２等のガスイオンを
加速させて基板表面に衝突させる方法が好まれる。
上記スパッタリングは１分間以上行なわれることが好ま
しく又６０分以内であることが好ましい。
しく又６０分以内であることが好ましい。
これは１分間未満であると基板表面の汚染物等の除去が
不完全になりやすく本発明の効果が顕著になりにくく又
６０分より長くスパッタリングしても効果に差がなくな
り生産性が低下するためである。
不完全になりやすく本発明の効果が顕著になりにくく又
６０分より長くスパッタリングしても効果に差がなくな
り生産性が低下するためである。
本発明の効果は基板と酸化物膜の熱膨張率差が３０〜７
０Ｘ１０−７１ｃと比較的大きくはく離やひび割れがお
きやすい場合において顕著である。
０Ｘ１０−７１ｃと比較的大きくはく離やひび割れがお
きやすい場合において顕著である。
本発明に使用する基板としてはソーダーライムガラス、
アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス等任意の
ガラス基板が使用できる。
アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス等任意の
ガラス基板が使用できる。
又基板上に形成されるＢｉ置換希土類鉄ガーネットの形
成成分の被膜は結品質の被膜であっても非晶質の被膜で
あってもかまわない。非晶質の被形は該被膜形成後に例
えばＳＯＯ〜７００″Ｃの熱処理を行なうことにより多
結晶質の膜とすることができる。
成成分の被膜は結品質の被膜であっても非晶質の被膜で
あってもかまわない。非晶質の被形は該被膜形成後に例
えばＳＯＯ〜７００″Ｃの熱処理を行なうことにより多
結晶質の膜とすることができる。
上記Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットの形成成分の被膜組成
としては、Ｂｉ■Ｒｅ＠Ｆｅ◎Ｍ＠０１２ （Ｒｅは希
土類元素、ＭはＦｅと置換可能な元素、例えばＡｌ ３
” ＊Ｇａ”＋Ｃｕ２”＋Ｇｅ４＋、（３ｕ”＋１＋等
３価イオン又は３価と等価なイオンの組合せ）で表わし
た時へ５≦［株］≦１．ざざ、２．３藏姶刊回≦３．！
；、０．！；≦回≦八４／、Ｌｊ’≦Ｇ擢≦ｓ、ｓのも
のが光熱磁気記録として磁気特性磁気光学特性、および
熱的特性が良好なので好ましい。
としては、Ｂｉ■Ｒｅ＠Ｆｅ◎Ｍ＠０１２ （Ｒｅは希
土類元素、ＭはＦｅと置換可能な元素、例えばＡｌ ３
” ＊Ｇａ”＋Ｃｕ２”＋Ｇｅ４＋、（３ｕ”＋１＋等
３価イオン又は３価と等価なイオンの組合せ）で表わし
た時へ５≦［株］≦１．ざざ、２．３藏姶刊回≦３．！
；、０．！；≦回≦八４／、Ｌｊ’≦Ｇ擢≦ｓ、ｓのも
のが光熱磁気記録として磁気特性磁気光学特性、および
熱的特性が良好なので好ましい。
本発明では、酸化物層形成前にスパッタリングを行なっ
て基板表面に付着した通常の洗浄操作でる。そのため基
板の構成原子と酸化物膜の構成原子とが直接結合しやす
くなり付着力が増加し、はぐりあるいはひび割れが生じ
にくくなる。そのため熱膨張率の差の大きな基板と被膜
との組合せで磁気特性および磁気光学特性のすぐれた光
熱磁気記録媒体を構成できる。
て基板表面に付着した通常の洗浄操作でる。そのため基
板の構成原子と酸化物膜の構成原子とが直接結合しやす
くなり付着力が増加し、はぐりあるいはひび割れが生じ
にくくなる。そのため熱膨張率の差の大きな基板と被膜
との組合せで磁気特性および磁気光学特性のすぐれた光
熱磁気記録媒体を構成できる。
実施例−７
以下に本発明に係る光磁気記録膜の製造方法を（ｙ ｖ
Ｂｉ） ３ （ｙｅ ＩＡＪ） ５０１２で表わされ
るＢｉ置換希土類鉄ガーネットの薄膜の製造に適用した
一実施例に基づき説明する。
Ｂｉ） ３ （ｙｅ ＩＡＪ） ５０１２で表わされ
るＢｉ置換希土類鉄ガーネットの薄膜の製造に適用した
一実施例に基づき説明する。
熱膨張係数が！；０Ｘ１０−７７”Ｃのガラス基板／を
洗剤、有機溶剤、純水および超音波洗浄器を用いて洗浄
処理した後第１図に示すような高周波スパッタリング装
置λ内のステンレス製電極板（試料台）３上に載置した
。電極板３上方の対向電極板ｌにはＢｉ２．ｏＹｘ、ｏ
Ｆｅ３．ａＡｌｌ、２０ｘ２で表わされる円盤状の多結
晶ガーネット焼結体（ターゲット）５が取りつけられて
いる。又電極板３の内部には加熱ヒーター６が設けられ
ている。
洗剤、有機溶剤、純水および超音波洗浄器を用いて洗浄
処理した後第１図に示すような高周波スパッタリング装
置λ内のステンレス製電極板（試料台）３上に載置した
。電極板３上方の対向電極板ｌにはＢｉ２．ｏＹｘ、ｏ
Ｆｅ３．ａＡｌｌ、２０ｘ２で表わされる円盤状の多結
晶ガーネット焼結体（ターゲット）５が取りつけられて
いる。又電極板３の内部には加熱ヒーター６が設けられ
ている。
加熱ヒーター６を用いてガラス基板ｌをり００℃に加熱
した後スパッタリング装置２内を一旦Ｓ×７０−６ ’
ｌ”ｏｒｒに排気しその後Ａｒを約！Ｘ１０−３’Ｉ’
Ｑｒｒまで導入した。
した後スパッタリング装置２内を一旦Ｓ×７０−６ ’
ｌ”ｏｒｒに排気しその後Ａｒを約！Ｘ１０−３’Ｉ’
Ｑｒｒまで導入した。
真空度が安定した後、対向電極ダ側を接地させて電極３
対向電極ψ間に電極３側がｅ極となるようなｊＷ／Ｃｍ
”の高周波電力を印加した。電力印加により電極間にグ
ロー放電が生じ、このグロー放電で生じたＡｒ＋イオン
はガラス基板ｌの表面をスパッタリングしガラス表面を
エツチングした。同スパッタリングを３０分間行なった
後、高周波電力印加を停止した。その後、スパッタリン
グ装置λ内にＡｒおよび０２を９：ｌに混合した混合ガ
スを０．０３Ｔｏｒｒになるまで導入した。
対向電極ψ間に電極３側がｅ極となるようなｊＷ／Ｃｍ
”の高周波電力を印加した。電力印加により電極間にグ
ロー放電が生じ、このグロー放電で生じたＡｒ＋イオン
はガラス基板ｌの表面をスパッタリングしガラス表面を
エツチングした。同スパッタリングを３０分間行なった
後、高周波電力印加を停止した。その後、スパッタリン
グ装置λ内にＡｒおよび０２を９：ｌに混合した混合ガ
スを０．０３Ｔｏｒｒになるまで導入した。
真空度が安定した後、電極３側を接地させて電極間に電
極３側が■極となるような３Ｗ／ａｍ’の高周波電力を
印加した。放電により生じたｌｒ＋イオンは焼結体（タ
ーゲット）Ｓをスパッタし、焼結体ｊから離脱したＢｉ
、Ｙ＋Ｆｅ、１等の原子はガラス基板ｌ上に飛着して非
晶質の酸化物膜７となった。
極３側が■極となるような３Ｗ／ａｍ’の高周波電力を
印加した。放電により生じたｌｒ＋イオンは焼結体（タ
ーゲット）Ｓをスパッタし、焼結体ｊから離脱したＢｉ
、Ｙ＋Ｆｅ、１等の原子はガラス基板ｌ上に飛着して非
晶質の酸化物膜７となった。
同スパッタリングを／ざ０分間行なった後高周波電力印
加を停止しガラス板ｌを取り出した。ガラス板ｌ上には
約１μｍ厚の非晶質酸化物膜７が形成されていた。
加を停止しガラス板ｌを取り出した。ガラス板ｌ上には
約１μｍ厚の非晶質酸化物膜７が形成されていた。
同非晶質酸化物膜７つきガラス板ｌをその後空気中で≦
７０°Ｃ３時間加熱し冷却させた。同加熱処理によって
非晶質酸化物膜７は結晶化してＢｉ置換希土類鉄ガーネ
ットの垂直磁化１）ｃ４ Ｊ’となった。
７０°Ｃ３時間加熱し冷却させた。同加熱処理によって
非晶質酸化物膜７は結晶化してＢｉ置換希土類鉄ガーネ
ットの垂直磁化１）ｃ４ Ｊ’となった。
基板上の酸化物膜にはく離やひび割れが発生する現象は
、基板の熱膨張率と酸化物膜の熱膨張率の差に原因する
。上記実施例において酸化物膜の熱膨張係数は約１００
ｘ１０−７／にであり基板との熱膨張率の差は約ｒｏｘ
ｉｏ−’ｌと比較的大きな値となっている。
、基板の熱膨張率と酸化物膜の熱膨張率の差に原因する
。上記実施例において酸化物膜の熱膨張係数は約１００
ｘ１０−７／にであり基板との熱膨張率の差は約ｒｏｘ
ｉｏ−’ｌと比較的大きな値となっている。
上記操作で作成したＢｉ置換希土類鉄ガーネット被膜ｇ
を光学顕微鏡で観察した結果、膜のはく離部分が認めら
れず又ひび割れも発生ンがかった。
を光学顕微鏡で観察した結果、膜のはく離部分が認めら
れず又ひび割れも発生ンがかった。
第３図に、上記実施例により作成したＢｉ置換希土類鉄
ガーネット被膜の光学ループの測定結果を示す。
ガーネット被膜の光学ループの測定結果を示す。
比較例１
実施例１で使用したガラス基板と同じガラス基板を用い
、ガラス基板のＡｒガススパッタリングを行なわなかっ
た以外は同様の操作を行ないガラス基板上ＫＢｉ置換希
土類鉄ガーネット被膜を作成した。
、ガラス基板のＡｒガススパッタリングを行なわなかっ
た以外は同様の操作を行ないガラス基板上ＫＢｉ置換希
土類鉄ガーネット被膜を作成した。
本比較例により作成した被膜にははく離およびひび割れ
部が多数みられた。又同被膜の光学ループを実施例同様
に測定した。その結果を第１図に示す。
部が多数みられた。又同被膜の光学ループを実施例同様
に測定した。その結果を第１図に示す。
実施例の光学ループとくらべると、実施例により得られ
た被膜が、７アラデ一回転の大きな、角型性の良い光磁
気膜であったことがわかる。
た被膜が、７アラデ一回転の大きな、角型性の良い光磁
気膜であったことがわかる。
比較例２
前記ガラス板を熱膨張係数７０×１０−７／℃のガラス
板に変えた以外は比較例／同様の操作でガラス基板上に
Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット膜を作成した。
板に変えた以外は比較例／同様の操作でガラス基板上に
Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット膜を作成した。
本比較例により作成した被膜は、基板と磁性膜との熱膨
張率差が小さいため実施例同様膜のはく離、ひび割れ等
が観察されなかった。しかしながら得られた被膜の光学
ループは第５図で示すように実施例とくらべて保磁力が
約３０００６小さなものであり、実施例により得られた
被膜が示す光磁気特性より劣ったものであった。
張率差が小さいため実施例同様膜のはく離、ひび割れ等
が観察されなかった。しかしながら得られた被膜の光学
ループは第５図で示すように実施例とくらべて保磁力が
約３０００６小さなものであり、実施例により得られた
被膜が示す光磁気特性より劣ったものであった。
すなわち本発明の方法によれば、光磁気膜として特性が
良く、かつまたはく離ひび割れのない被膜を作成するこ
とができる。
良く、かつまたはく離ひび割れのない被膜を作成するこ
とができる。
本発明によれば、基板表面なスパッタリングしているた
め基板表面の酸化物や炭化物のゴミがきれいに除去され
、はく離やひび割れが少なく、かつ膜と基板の熱膨張係
数差を効果的に利用した磁気特性、磁気光学特性のすぐ
れた光熱磁気記録膜を作成することができる。
め基板表面の酸化物や炭化物のゴミがきれいに除去され
、はく離やひび割れが少なく、かつ膜と基板の熱膨張係
数差を効果的に利用した磁気特性、磁気光学特性のすぐ
れた光熱磁気記録膜を作成することができる。
第１図および第２図は本発明の実施例に使用したスパッ
タリング装置の概様な示す断面図、第３図ないし第５図
はおのおの実施例／、比較例１および比較例コにより得
られた被膜の光学ループを示す図である。
タリング装置の概様な示す断面図、第３図ないし第５図
はおのおの実施例／、比較例１および比較例コにより得
られた被膜の光学ループを示す図である。
Claims (3)
- （１）スパッタリング法を用いてガラス基板上にＢｉ置
換希土類鉄ガーネット膜を形成する光熱磁気記録膜の製
造方法において、ガラス基板表面をイオン化したガスま
たは活性化したガスによりスパッタリングした後該表面
上にＢｉ置換希土類鉄ガーネットの形成成分の膜をスパ
ッタリング法により形成させることを特徴とする光熱磁
気記録膜の製造方法。 - （２）ガラス基板とＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜の熱
膨張率差が３０〜７０×１０＾−＾７／℃である特許請
求の範囲第１項記載の光熱磁気記録膜の製造方法。 - （３）ガラス基板表面を、１×１０＾−＾３〜１×１０
＾−＾１ＴｏｒｒのＡｒ、Ｏ＿２、および／またはＮ＿
２のガスに０．１〜５．０Ｗ／ｃｍ＾２の高周波電力を
印加させてスパッタリングさせる特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光熱磁気記録膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683285A JPS6297155A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 光熱磁気記録膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683285A JPS6297155A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 光熱磁気記録膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297155A true JPS6297155A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17006441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23683285A Pending JPS6297155A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 光熱磁気記録膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188663A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の作製方法 |
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23683285A patent/JPS6297155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188663A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の作製方法 |
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
| US6190763B1 (en) | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
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