JPS6296681A - シリコン含有アルミニウム合金に異種金属を被覆する方法 - Google Patents

シリコン含有アルミニウム合金に異種金属を被覆する方法

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JPS6296681A
JPS6296681A JP2416585A JP2416585A JPS6296681A JP S6296681 A JPS6296681 A JP S6296681A JP 2416585 A JP2416585 A JP 2416585A JP 2416585 A JP2416585 A JP 2416585A JP S6296681 A JPS6296681 A JP S6296681A
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silicon
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aluminum alloy
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JP2416585A
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Mitsuharu Edakawa
枝川 光治
Toshihito Kobayashi
俊仁 小林
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Aichi Steel Corp
Original Assignee
Aichi Steel Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は金属に異種金属を被覆する方法に関し、置換反
応と拡散反応とより成る乾式の異種金属被覆をシリコン
含有アルミニウム合金に容易に施す方法を提供するもの
である。
(従来の技術) 従来、金属に異種金属を被覆する方法として、例えばア
ルミニウムおよびアルミニウム合金母材の表面に塩化第
1銅を接触させ、加熱によって塩化第1銅を還元して該
母材表面にアルミニウムと銅の相互拡散層と銅被覆層を
得る方法が公知である。
その内容は、特公昭59−7786号によくまとめられ
ており、ハロゲン化金属を供給する方法によって、ガス
法、浸漬法、散布法および塗布法に大別される。
(発明が解決しようとする問題点) 前記異種金属被覆法の原理は、次式で例示される置換反
応によってハロゲン化金属を還元し、AI+ 3 Cu
C1−”  AlCl、  + 3 Cu  −−−−
−(11しかるのちアルミニウム原子と還元析出した異
種金属原子((l)式では銅)の相互拡散により、厚さ
数μmの異種金属層とアルミニウム母材とを拡散層を介
して強固に接合するものである。
強固な接合の条件としては、合金および金属間化合物よ
り成る拡散層が均一かつ薄くなければならない。
シリコン含有アルミニウム合金を母材とする場合は、従
来、fl1式の反応と同時に、次の置換反応が進行して
、 Si + 4 CuCl−”  5iC1,+ Cu 
  −−−−−(21異種金属被覆が可能であると考え
られていた。
しかしながら、シリコン合有量が5%を越えるようなア
ルミニウム合金を従来法で処理すると、Al2CuとA
 1.4Cu、より成る拡散層は不均一となり、該合金
表面が部分的に露出した被覆外観を呈することが判明し
た。
形成することに起因し、アルミニウムの酸化物がハロゲ
ン化金属の高温接触によって分解、除去できるのに対し
て、シリコン酸化物は除去できないためである。
さらに、前記拡散反応は母材の深さ方向に進行すると同
時に、析出した異種金属の母材表面での拡散を含んでい
る。仮に411式の反応が被処理面全域で起こらなくて
も、析出した異種金属は表面拡散によってひろがろうと
する。
しかし、シリコンは拡散反応に関与せず、高濃度のシリ
コンの存在は表面拡散にとっても有害となる。
第2図は、12%のシリコンを含むアルミダイカスト(
ADC−12)の面分析結果であり、白く見えるシリコ
ンおよびシリコン化合物が不均一に分布しているのが明
瞭である。即ち、銅の被覆を例にとれば、シリコン含有
アルミニウム合金母材に(1)式の反応を起こすべく塩
化第1銅を接触させて加熱しても、シリコン化合物上で
は反応が不均一となり、また原子伏シリコンの存在する
部分では強固な酸化物が障害となって反応は起こらない
。そして、析出した銅の表面拡散もシリコンによって阻
害されてしまう。
一般に前記異種金属層は電気めっき、無電解めっき等の
湿式めっきのめっき中間層として利用される。アルミニ
ウム上に密着力の高いめっき皮膜が要求される場合や高
温に耐えるめっきが要求される場合には絶好の中間層と
いえる。
しかしながら、前述のごとく、前記母材表面が1部露出
してしまうような被覆では、めっき中間層としての機能
が半減してしまい、異種金属被覆処理の意味がなくなっ
てしまう。
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は、前記従来法の問題点を除去するために、
シリコン含有アルミニウム合金母材をフッ素イオンを含
む溶液に浸漬することによって該母材表面のシリコン濃
度を低下させ、しかるのち従来法の異種金属被覆を行な
う方法を発明した。
該母材表面のシリコンを除去すれば、前記(11式の反
応が起こる面積が広くなるため、不均一な拡散層の生地
を回避でき、かつ析出する異種金属の表面拡散に対する
障害も軽減される。
即ち、本発明の要旨とするところは、シリコンを含有す
るアルミニウム合金母材をフッ素イオンを含む溶液に浸
漬する第1工程と、該合金母材に被覆すべき金属のハロ
ゲン化物を接触させ、該合金母材に融点未満で、かつア
ルミニウムとハロゲン化金属との間に置換反応が生ずる
温度以上に加熱する第2工程とより成る、シリコン含有
アルミニウム合金に異種金属を被覆する方法である。
前記第1工程のねらいは、フッ素イオンのシリコン選択
溶解作用を利用して、前記合金母材表面のシリコン濃度
を低下させ、シリコン酸化物による置換反応の妨害を軽
減し、かつ異種金属の表面拡散を容易ならしめることに
ある。
フッ素イオンの供給源は、フッ化水素酸、フッ化カリウ
ム、フン化ナトリウム等のフン化物、フッ素と他のハロ
ゲンとの化合物、フッ素と酸素属元素との化合物、さら
にホウフッ化カリウムやホウフン化ナトリウム等に代表
される多くの金属および非金属元素を中心元素とするフ
ルオロ錯塩等である。
また、シリコン溶解の際に、スマットが残るため、スマ
ット除去を目的として硝酸等を混入するのが好ましく、
前記第1工程後、超音波洗浄等により、物理的、機械的
にスマットを除去することも可能である。さらに、シリ
コン選択溶解のために、酢酸等を混合することも効果的
である。
本発明は、第2工程である異種金属被覆工程の前に、前
記合金母材をフッ素イオンを含む溶液に浸漬することを
特徴としており、第2工程の内容に限定されることなく
、広く付加変更を成し得るものである。
例えば、ハロゲン化金属は、塩化第1銅の他、塩化第2
銅、塩化錫、塩化亜鉛、塩化ニッケル、ヨウ化錫、臭化
銅等を含むものであり、ハロゲン化金属の供給方法や反
応残渣の除去方法等の付加変更も本願特許請求の範囲に
包含されるものである。
(作用・効果) 本発明により、従来、適正な異種金属被覆が困難であっ
たADC−12、ADC−10、A−390等のダイカ
スト製品や鍛造品であるA 4032 FD等に異種金
属被覆が容易に行え、また前記第1工程を部分的に行う
ことにより、シリコン濃度の高いプレージングシートの
部分異種金属被覆が可能となった。
前記アルミニウムダイカスト(ADC−12)を本願特
許請求の第1工程後に面分析した結果が第1図であり、
第1工程前に比べてシリコン濃度が115に減少すると
ともに、検出されるシリコンおよびシリコン化合物が均
一に分布していることが明らかである。
本発明によって表面処理されたシリコン含有アルミニウ
ム合金は、該合金母材表面が露出せず、密着の良い異種
金属層を有し、必要に応じて、はんだ、ニッケル、銅、
錫、銀等およびこれらを組みあわせた表面処理を付加す
ることが可能となる該合金母材に限らず、アルミニウム
合金はめっき。
しにくい金属の代表とされており、本発明によって、@
着の良い所望のめっき層を与えることが容易となった。
(実施例) 次に本発明の実施例を紹介する。
材質ADC−12、板厚3鶴×幅30鶴×長さ55龍の
アルミニウムダイカストを硝酸40%、フッ化水素酸8
%の水溶液中に30秒浸漬し、水洗、乾燥後、該ダイカ
ストの1部IQm X IQtmの面積に、ワセリンを
バインダーとして塩化第1銅を塗布し、該ダイカストか
ら400離れたところに設置した11.6watt/c
II!赤外線ランプによって90秒加熱した。
加熱処理後、該ダイカストを水冷し、反応残渣を除去し
た結果、10w X 10mの1部表面が完全に銅で覆
われたアルミニウムダイカスト製品を得た。
このとき得られた被覆層厚さは、アルミニウムと銅の相
互拡散層が約3μm、銅被覆層が約4μmである。
本実施例の供試材であるアルミダイカストの面分析結果
を第2図に、第1工程であるフッ素イオン含有溶液処理
後の面分析結果を第1図にそれぞれ示す。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の説明図であり、前記第1工程の作用を表
す。第1図は第1工程後、第2図は第1工程前のE、P
、M、Aによるシリコンの分析結果である。 ζ31 図 (σ臂l覧 A z 図 手続補正書(方式) 昭和61年11月25日 1、事件の表示  昭和60年特許願第24165号2
、発明の名称 シリコン含有アルミニウム合金に異種金属を被覆する方
法 3、補正をする者 譬茹ジ臂株式会社 代表者  炎7台 −8↓ □・7) 4、不受理処分の日付 昭和61年9月10日(発送日 同年9月26日付)5
、補正の対象 図面の簡単な説明の欄 6、補正の内容 別紙 図面は、本発明の金属組織を表す写真にして、第1図は
、前記第1工程後、第2図は第1工程前のE、P、M五
によるシリコンの分析結果である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコンを含有するアルミニウム合金をフッ素イオンを
    含む溶液に浸漬する第1工程と、該合金母材に被覆すべ
    き金属のハロゲン化物(以下、ハロゲン化金属という)
    を接触させ、該合金母材の融点未満で、かつアルミニウ
    ムとハロゲン化金属との間に置換反応が生ずる温度以上
    に加熱する第2工程とより成る、シリコン含有アルミニ
    ウム合金に異種金属を被覆する方法。
JP2416585A 1985-02-09 1985-02-09 シリコン含有アルミニウム合金に異種金属を被覆する方法 Granted JPS6296681A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091961B2 (en) 1993-06-29 2006-08-15 Ditzik Richard J Desktop device with adjustable flat screen display
US7712711B2 (en) 2004-06-15 2010-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
US8047487B2 (en) 2004-05-04 2011-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus having adjustable supporting unit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49106931A (ja) * 1973-02-17 1974-10-11
JPS5431744A (en) * 1977-08-15 1979-03-08 Minolta Camera Co Ltd Temperature rise preventing device for original base in electrophotographic copier

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