JPS6294927A - チエツク用ブランクス - Google Patents

チエツク用ブランクス

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Publication number
JPS6294927A
JPS6294927A JP23564885A JP23564885A JPS6294927A JP S6294927 A JPS6294927 A JP S6294927A JP 23564885 A JP23564885 A JP 23564885A JP 23564885 A JP23564885 A JP 23564885A JP S6294927 A JPS6294927 A JP S6294927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
electron beam
checking
film layer
blanks
Prior art date
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Pending
Application number
JP23564885A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Aoyanagi
孝 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトマスク製造用電子ビーム露光装置の座標系
チェックに用いるチェック用ブランクスに関する。
〔従来の技術〕
従来、チェック用ブランクスとして、通常のIC用ホト
マスク・ブランクス、又は透明基板と金属クロム薄膜の
間に酸化インノユウム等の透明導電膜を有するIC用導
電膜付きホトマスク・ブランクスが使用されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した通常のIC用ホトマスク基板をチェック用ブラ
ンクスとして使用する場合、チェック用のパターンとし
て、レジスト像が用いられる。しかし、レジスト像は電
子ビームに対して耐久性に乏しい。又、レノストノ4タ
ーンは機械的、化学的にも耐久性が乏しいだめ、レノス
ト・やターンが形成された基板は洗浄することが困難で
ある。又、一般にレノスト像は電子ビームで測定した時
に2次電子放出のコントラストが悪く、正確な測定がで
きない。
この問題を解決するために従来レノスト像をマスクとし
てホトマスクブランクスの金属薄膜をエツチングし、金
属薄膜の・ぞターンをチェック用のパターンとして用い
ていた。しかし、通常のホトマスクブランクスの基板は
石英等の電気的絶縁物であるため、電子ビームによる測
定ではチャージアップと言われる帯電現象が起き、測定
ができない。
このため、一般に透明基板と金属薄膜の間に酸化インノ
ユウム等の透明導電膜を有する導電膜付ホトマスクブラ
ンクスが用いられている。しかし、一般にこれらの透明
導電膜は化学的1機械的に耐久性に乏しい。
上述した通り従来技術ではチェック用マスクの耐久性が
乏しいため、恒久的に使用することができないという欠
点がある。
本発明は前記問題点を解消するもので、耐久性全向上さ
せたチェック用ブランクスを提供するものである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明のチェック用ブランクスは透明基板上に。
へ〇ヲ主成分とする薄膜層と、金属クロムを主成分とす
る薄膜層と、酸化クロムを主成分とする薄膜層との積層
膜を設けたことを特徴とするものである。
〔実施例〕
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図において、本発明に係るチェック用ブランクスは
透明石英基板1の一生平面上に真空蒸着法によりAll
薄膜層2を500〜1000 Hの厚さで形成し、該薄
膜上にスパッタ蒸着法により金属クロム膜3を800〜
1000 Xの厚さで形成し、さらにス・ンッタ蒸着法
により酸化クロム層4を100〜300又の厚さで形成
したものである。
本発明のチェック用ブランクスは第2図に示すように電
子線レジスト5を塗布し、所望のチェックパターンを電
子ビーム6で露光を行ない、ひきつづき現像処理を行な
うことによりレジスト・ぐターンを形成する。
このレノスト・平ターンをマスクとしてクロムエツチン
グ液でエツチングを行なった後、レジストieターンを
剥離する。結果として、第3図に示すようにAu薄膜層
2上に金属クロム薄膜層3及び酸化クロム薄膜層4から
なるチェック用・やターン7を形成する。すなわち、チ
ェック用・ぐターンの形成を金属クロム薄膜層3及び酸
化クロム薄)膜層4にて行ない、導電膜としてAu層2
を用いる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、化学的2機械的に
耐久性に富んだ電子ビーム露光装置の座標系チェックに
用いるチェック用マスクを作ることができ、したがって
、同一チェックマスクの繰返し測定が可能となり、電子
ビーム露光装置の長時間にわたる座標系の変化を調べる
ことができるようになる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のチェック用ブランクスの縦断面図、第
2図は本発明のブランクスにレジストを塗布した時の縦
断面図、第3図は本発明のブランクスにチェック用・ぐ
ターンを形成した時の縦断面図である。 ■・・・透明石英基板、2・・・Au薄膜層、3・・・
金属クロム薄膜層、4・・・酸化クロム薄膜層、5・・
・電子線レジスト膜、6・・・電子ビーム、7・・・チ
ェック用パターン。 ・′ンシ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明基板上に、Auを主成分とする薄膜層と、金
    属クロムを主成分とする薄膜層と、酸化クロムを主成分
    とする薄膜層との積層膜を設けたことを特徴とするチェ
    ック用ブランクス。
JP23564885A 1985-10-22 1985-10-22 チエツク用ブランクス Pending JPS6294927A (ja)

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JP (1) JPS6294927A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353924A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 Matsushita Electronics Corp 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353924A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 Matsushita Electronics Corp 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク

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