JPS6293896A - 薄層エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
薄層エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS6293896A JPS6293896A JP60233951A JP23395185A JPS6293896A JP S6293896 A JPS6293896 A JP S6293896A JP 60233951 A JP60233951 A JP 60233951A JP 23395185 A JP23395185 A JP 23395185A JP S6293896 A JPS6293896 A JP S6293896A
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- Japan
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- film
- plasma
- insulating film
- sin
- insulating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以下薄
膜ＥＬ素子という）に関する。さらに詳しくは二重絶縁
構造簿１ｆ！ＱＥＬ素子の第２絶縁膜の改良に関する。
膜ＥＬ素子という）に関する。さらに詳しくは二重絶縁
構造簿１ｆ！ＱＥＬ素子の第２絶縁膜の改良に関する。
（ロ）従来の技術
基板上に透明電極、第１絶縁膜、Ｅ Ｌ発光層、第２絶
縁模および背面電極をこの順に備えてなるいわゆる二重
絶縁構造の簿膜Ｆ１−素子において、第２絶縁膜として
は絶縁耐圧、誘電率、ブを光特性の観点からシリコンナ
イトライド（Ｓｉ Ｎ）またはシリコンオキシナイトラ
イド（Ｓｉ ＯＮ＞とアルミナ（△１２０３）等の金属
酸化膜との複合膜が用いられている。この複合膜の一部
であるＳＩＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜はりアクティブスパ
ッタリング法やプラズマ−ＣＶＤ法（以下ｐ−ＣＶ Ｄ
法という）を用いて形成されている。
縁模および背面電極をこの順に備えてなるいわゆる二重
絶縁構造の簿膜Ｆ１−素子において、第２絶縁膜として
は絶縁耐圧、誘電率、ブを光特性の観点からシリコンナ
イトライド（Ｓｉ Ｎ）またはシリコンオキシナイトラ
イド（Ｓｉ ＯＮ＞とアルミナ（△１２０３）等の金属
酸化膜との複合膜が用いられている。この複合膜の一部
であるＳＩＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜はりアクティブスパ
ッタリング法やプラズマ−ＣＶＤ法（以下ｐ−ＣＶ Ｄ
法という）を用いて形成されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上記したりアクティブスパッタリング法を用いて形成し
たＳｉＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜については、■ スパッ
タ時の２次電子の入射によりＥＬ発光層であるＺｎＳ膜
がダメージを受け、発光特性が変化しやずい、 ■ スパッタレートが低く、高真空を必要とするため、
装茸コストが高く、生産性が低い、■ 膜の緻密性が不
充分で耐湿性が低く、７ｎＳ膜とＳｉＮ膜の界面への湿
気浸透のため、駆動により居間剥離が生じる、 等の問題点があった。
たＳｉＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜については、■ スパッ
タ時の２次電子の入射によりＥＬ発光層であるＺｎＳ膜
がダメージを受け、発光特性が変化しやずい、 ■ スパッタレートが低く、高真空を必要とするため、
装茸コストが高く、生産性が低い、■ 膜の緻密性が不
充分で耐湿性が低く、７ｎＳ膜とＳｉＮ膜の界面への湿
気浸透のため、駆動により居間剥離が生じる、 等の問題点があった。
また通常の平行平板の電極構造の［）−ＣＶＤ法による
ＳｉＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜は、ｌ！密性は良好で、耐
湿性は向上するが、 ■ 電極の形状、間隔及びガス圧等によりプラズマが影
響を受けるため、均一な膜分布が（ｑにくい、 ■ プラズマ中の荷電粒子の入射によるプラズマ損傷に
より、ＺｎＳ膜がダメージを受け、輝度が低下する、 等の問題点があった。
ＳｉＮ膜またはＳｉ ＯＮ膜は、ｌ！密性は良好で、耐
湿性は向上するが、 ■ 電極の形状、間隔及びガス圧等によりプラズマが影
響を受けるため、均一な膜分布が（ｑにくい、 ■ プラズマ中の荷電粒子の入射によるプラズマ損傷に
より、ＺｎＳ膜がダメージを受け、輝度が低下する、 等の問題点があった。
この発明は、上記の従来の薄膜ＥＬ索子の第２絶縁膜形
成に起因する問題点を解決すべくなされたものであって
、第２絶縁膜のＳｉＮ膜または５ｉＯＮ膜を、弱電用プ
ラズマを用いるＣＶＤ法（以下ｗ−ｐｃｖｏ法という）
で形成することにより・耐湿性・輝度特性、耐圧特性に
すく゛れ、量産にも適した簿膜ＥＬ素子を提供すること
を目的とするものである。
成に起因する問題点を解決すべくなされたものであって
、第２絶縁膜のＳｉＮ膜または５ｉＯＮ膜を、弱電用プ
ラズマを用いるＣＶＤ法（以下ｗ−ｐｃｖｏ法という）
で形成することにより・耐湿性・輝度特性、耐圧特性に
すく゛れ、量産にも適した簿膜ＥＬ素子を提供すること
を目的とするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段および作用かくして
この発明によれば基板上に透明電極、第１絶縁膜、ｒレ
フ１〜ロルミネツセンス光尤層、第２絶縁膜および背面
電極をこの順に備えてなる二重絶縁構造の薄膜エレクト
ロルミネッセンス素子において、上記第２絶縁膜が、ｗ
−ｐＣＶＤ法により形成されたシリコンナイトライドま
たはシリコンオキシナイトライド模からなることを特徴
とする簿膜エレクトロルミネッセンス素子が提供される
。
この発明によれば基板上に透明電極、第１絶縁膜、ｒレ
フ１〜ロルミネツセンス光尤層、第２絶縁膜および背面
電極をこの順に備えてなる二重絶縁構造の薄膜エレクト
ロルミネッセンス素子において、上記第２絶縁膜が、ｗ
−ｐＣＶＤ法により形成されたシリコンナイトライドま
たはシリコンオキシナイトライド模からなることを特徴
とする簿膜エレクトロルミネッセンス素子が提供される
。
さらに他の観点によればこの発明は、基板上に透明電極
、第１絶縁膜、ＥＬＬ光層、第２絶縁膜および背面電極
をこの順で形成する薄膜［Ｌ索子のｌｌＩ造方法におい
て、 ＥＬＬ光層上に、Ｗ−１）ＣＶＤ法によりシリコンナイ
トライドまたはシリコンオキシナイ１−ライド膜を形成
しかつ必要に応じて金属酸化物をＶ４層して第２絶縁膜
を形成することを特徴とする簿膜ＥＬ素子の製造方法を
も提供するものである。
、第１絶縁膜、ＥＬＬ光層、第２絶縁膜および背面電極
をこの順で形成する薄膜［Ｌ索子のｌｌＩ造方法におい
て、 ＥＬＬ光層上に、Ｗ−１）ＣＶＤ法によりシリコンナイ
トライドまたはシリコンオキシナイ１−ライド膜を形成
しかつ必要に応じて金属酸化物をＶ４層して第２絶縁膜
を形成することを特徴とする簿膜ＥＬ素子の製造方法を
も提供するものである。
この発明で用いるｗ−ｐＣＶＤ法とは、強電場でプラズ
マを生成する領域と膜堆積領域を分離し、強電場で生成
したプラズマを膜堆積領域まで均一に拡がらせ、弱電用
プラズマを形成しこの弱電用プラズマを用いてＳｉ Ｎ
Ｈを形成することをいう。
マを生成する領域と膜堆積領域を分離し、強電場で生成
したプラズマを膜堆積領域まで均一に拡がらせ、弱電用
プラズマを形成しこの弱電用プラズマを用いてＳｉ Ｎ
Ｈを形成することをいう。
かかる方法を実施する弱電用プラズマ発生装置としては
、いわゆるＱ ｒａｄｉｅｎｔ−Ｆ １ｅｌｄ Ｐ
Ｉａｓｍａを生起しつるプラズマ発生装置が適用でき、
より具体的には平板状のカソード電極に比して電極面積
の小さな７ノード電極を対向もしくは側面設置させて所
定のガス雰囲気下で放電しうるよう構成されたちのく侵
達する第３図参照）が好適に用いられる。この際、カソ
ードとアノード電極の対向間隙はプラズマ発生領域とな
り強電場となるが、このプラズマがカソード電極の非対
向面（対向配置の場合）又は表面付近に拡散して弱電用
プラズマ領域を形成し、全体として強電場と弱電用とが
分離されたプラズマが得られるが、この発明においては
このうちの弱電用プラズマ領域に被堆積物が配置される なお、かかる弱電用プラズマ発生装置は、例えば弱電用
プラズマＣＶＤ装置くプラズマ・フィジックス社製、米
国）の名称のものが挙げられる。
、いわゆるＱ ｒａｄｉｅｎｔ−Ｆ １ｅｌｄ Ｐ
Ｉａｓｍａを生起しつるプラズマ発生装置が適用でき、
より具体的には平板状のカソード電極に比して電極面積
の小さな７ノード電極を対向もしくは側面設置させて所
定のガス雰囲気下で放電しうるよう構成されたちのく侵
達する第３図参照）が好適に用いられる。この際、カソ
ードとアノード電極の対向間隙はプラズマ発生領域とな
り強電場となるが、このプラズマがカソード電極の非対
向面（対向配置の場合）又は表面付近に拡散して弱電用
プラズマ領域を形成し、全体として強電場と弱電用とが
分離されたプラズマが得られるが、この発明においては
このうちの弱電用プラズマ領域に被堆積物が配置される なお、かかる弱電用プラズマ発生装置は、例えば弱電用
プラズマＣＶＤ装置くプラズマ・フィジックス社製、米
国）の名称のものが挙げられる。
従来の平行平板電極によるｐ−ＣＶ Ｄ法〈第４図参照
）と比較してこのｗ−ｐｃｖｏ法では膜堆積領域のプラ
ズマ中には、高エネルギーの荷電粒子が存在しない。従
ってＺｎ５ｗ面への高エネルギー荷電粒子の入射による
ダメージはなく、プラズマ損傷が起こらない。
）と比較してこのｗ−ｐｃｖｏ法では膜堆積領域のプラ
ズマ中には、高エネルギーの荷電粒子が存在しない。従
ってＺｎ５ｗ面への高エネルギー荷電粒子の入射による
ダメージはなく、プラズマ損傷が起こらない。
また、ｗ−ｐｃｖｏ法ではプラズマ生成領域と膜堆積領
域を分離しているので、ｐ−ＣＶＤ法と異なり、ガス［
１や電極間隔や形状による影響を・うけないため、大面
積での均一な処理が可能となる。
域を分離しているので、ｐ−ＣＶＤ法と異なり、ガス［
１や電極間隔や形状による影響を・うけないため、大面
積での均一な処理が可能となる。
ざらにｗ−ｐＣＶＤ法は、装置内への膜付着が少なく、
スパークも起こらないため、ピンホールが少なく、緻密
な膜が形成される。
スパークも起こらないため、ピンホールが少なく、緻密
な膜が形成される。
この発明は通常の方法、材料により、基板１−に透明電
極、第１絶縁膜、Ｅ１発光層をこの順に形成後、ＥＬ光
先光層上かかるＷ−［ｌＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜また
はＳｉ ＯＮ膜を形成することを特徴とする。ＳｉＮ膜
を形成するためには反応ガスとして５ＩＨｚとＮ Ｈ３
またはＮ２用い、５１ｏＮ膜を形成するためには反応ガ
スとしてＳｉＨ４どＮＨ３またはＮ２および０２または
Ｎ２０を用いるのが適切である。形成の反応条件として
はガス圧０．１〜２ｔｏｒｒで周波数２０〜２００ＫＨ
ｚテあるのが適切である。形成プる膜厚は１０００〜３
０００人が適当である。
極、第１絶縁膜、Ｅ１発光層をこの順に形成後、ＥＬ光
先光層上かかるＷ−［ｌＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜また
はＳｉ ＯＮ膜を形成することを特徴とする。ＳｉＮ膜
を形成するためには反応ガスとして５ＩＨｚとＮ Ｈ３
またはＮ２用い、５１ｏＮ膜を形成するためには反応ガ
スとしてＳｉＨ４どＮＨ３またはＮ２および０２または
Ｎ２０を用いるのが適切である。形成の反応条件として
はガス圧０．１〜２ｔｏｒｒで周波数２０〜２００ＫＨ
ｚテあるのが適切である。形成プる膜厚は１０００〜３
０００人が適当である。
従来技術の薄膜ＥＬ索子では、このＳｉＮ膜やＳｉ Ｏ
Ｎ膜上にさらにＡＮ２０３等の金属酸化膜を積層し、異
種の材料すなわち異なった結晶構造を積み重ねることに
よって絶縁膜の膜質の向上が図られているが、この発明
の絶縁膜であるＳｉＮ膜やＳｉ ＯＮ膜は優れた絶縁膜
特性を持つので、金属酸化膜を積層せずに用いてもよい
。しかしながら膜質の向上をさらに図るために通常の材
料、方法を用いて金属酸化膜を形成してもよい。
Ｎ膜上にさらにＡＮ２０３等の金属酸化膜を積層し、異
種の材料すなわち異なった結晶構造を積み重ねることに
よって絶縁膜の膜質の向上が図られているが、この発明
の絶縁膜であるＳｉＮ膜やＳｉ ＯＮ膜は優れた絶縁膜
特性を持つので、金属酸化膜を積層せずに用いてもよい
。しかしながら膜質の向上をさらに図るために通常の材
料、方法を用いて金属酸化膜を形成してもよい。
なお、この発明の薄膜ＥＬｆＡ子の基板としては、例え
ば高品質の硼硅酸ガラスやソーダライムガラスにＡＱ２
０３イオンバリヤ層をコーティングした基板が用いられ
る。
ば高品質の硼硅酸ガラスやソーダライムガラスにＡＱ２
０３イオンバリヤ層をコーティングした基板が用いられ
る。
また、透明電極としてはＩｆＯ摸などが好ましく、上記
基板上に電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティングなどの物理的方法またはスプ
レー法、ＣＶＤ法などの化学的方法で形成づ゛ることが
できる。
基板上に電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティングなどの物理的方法またはスプ
レー法、ＣＶＤ法などの化学的方法で形成づ゛ることが
できる。
第１絶縁膜の材料としては非晶質酸化物や窒化物〈△Ω
ｚ０３．ｓ！０２．￥２０ａ、Ｔ！０２゜Ｈｒ ０２
、Ｓ！ ３ Ｎ４ 、Ｔａ ２０５など）またＬＸ強誘
電体（Ｂａ ’ｒｉ ｏ３．Ｐｂ Ｔｌ Ｏ：ｔなど）
が用いられる。これらの材料を用いて第１絶縁膜を形成
する。これは一種類の絶縁膜でもよいが特性が向上する
ので、二重の絶縁膜を複合化することが望ましく例えば
Ｓ！０２膜上にＳｉＮ膜が積層されたもの等があげられ
る。また絶縁膜の複合化を進めたＡＬＥ法によるＴＴＯ
膜などを用いるのも適している。
ｚ０３．ｓ！０２．￥２０ａ、Ｔ！０２゜Ｈｒ ０２
、Ｓ！ ３ Ｎ４ 、Ｔａ ２０５など）またＬＸ強誘
電体（Ｂａ ’ｒｉ ｏ３．Ｐｂ Ｔｌ Ｏ：ｔなど）
が用いられる。これらの材料を用いて第１絶縁膜を形成
する。これは一種類の絶縁膜でもよいが特性が向上する
ので、二重の絶縁膜を複合化することが望ましく例えば
Ｓ！０２膜上にＳｉＮ膜が積層されたもの等があげられ
る。また絶縁膜の複合化を進めたＡＬＥ法によるＴＴＯ
膜などを用いるのも適している。
ＥＬ発光層は発光母体と活性物質からなり、該母体材料
には、電界により励起され、電子なだれが起こりやすく
、十分電界のかかることのできる絶縁性をもち、発光層
！１ｆｉＩに十分耐え得る絶縁耐圧、誘電体特性をもつ
こと等が必要であり、材料としては例えばＺｎ Ｓ、Ｚ
ｎ Ｓｅ 、Ｃｄ Ｓ、Ｃａ Ｓ。
には、電界により励起され、電子なだれが起こりやすく
、十分電界のかかることのできる絶縁性をもち、発光層
！１ｆｉＩに十分耐え得る絶縁耐圧、誘電体特性をもつ
こと等が必要であり、材料としては例えばＺｎ Ｓ、Ｚ
ｎ Ｓｅ 、Ｃｄ Ｓ、Ｃａ Ｓ。
ＳｒＳ等が適している。活性物資としては発光センタと
なる物質で母体結晶と結合力の弱いすなわち孤立性の高
いものが適しており、Ｍｎ 、 ｏｙ 。
なる物質で母体結晶と結合力の弱いすなわち孤立性の高
いものが適しており、Ｍｎ 、 ｏｙ 。
王ｍなどが使用される。該活性物質の上記発光母体への
添加はは、たとえばＭｎの場合０．５ｗｔ％稈度が輝度
が高くなるので適当である。上記した第１絶縁膜上へ電
子ビームやスパッタリング、原子層エピタキシー法など
を用いて、ＥＬ発光層を積層することができる。
添加はは、たとえばＭｎの場合０．５ｗｔ％稈度が輝度
が高くなるので適当である。上記した第１絶縁膜上へ電
子ビームやスパッタリング、原子層エピタキシー法など
を用いて、ＥＬ発光層を積層することができる。
次いで、ＥＬ発光層上に、この発明の特徴とするｗ−ｐ
ＣＶＤ法による第２絶縁膜が、先に詳述した方法、材料
等により形成される。
ＣＶＤ法による第２絶縁膜が、先に詳述した方法、材料
等により形成される。
この後第２絶縁膜上に、通常の材料、方法を用いて背面
電極、必要に応じてシールガラスを用いたオイルシール
等を作製することによりこの発明の二重構造薄膜Ｅ１−
素子が得られる。
電極、必要に応じてシールガラスを用いたオイルシール
等を作製することによりこの発明の二重構造薄膜Ｅ１−
素子が得られる。
（ホ）実施例
以下この発明を実施例を用いて説明するが、この発明は
これにより限定されるものではない。
これにより限定されるものではない。
ガラス基板（１）上に透明層ｆｆ１（［ＴＯ）＋２）を
ストライブ状に形成した。次にスパッタリング法でＳ！
０２膜（３）次いでＳｉＮ膜（４）をΦ畳形成した。
ストライブ状に形成した。次にスパッタリング法でＳ！
０２膜（３）次いでＳｉＮ膜（４）をΦ畳形成した。
膜厚ハＳ ｉ ０２ ２００〜８００Ａ、Ｓ ｉ Ｎ
１０００〜３０００人であった。次に発光層（５）をＺ
ｎ５Ｊ４ｎ焼結ベレツトを用いて電子ビーム蒸着により
６０００〜８０００人程度形成し５００〜６５０℃で真
空アニールした。
１０００〜３０００人であった。次に発光層（５）をＺ
ｎ５Ｊ４ｎ焼結ベレツトを用いて電子ビーム蒸着により
６０００〜８０００人程度形成し５００〜６５０℃で真
空アニールした。
従来は、この十にスパッタリング法又はｐ−ＣＶ Ｄ法
でＳｉＮ膜やＳｉ ＯＮ膜を形成していたが、この発明
では弱電用プラズマを用いたデポジション法（ｗ−ｐＣ
ＶＤ法＞Ｔ”ＳｉＮ膜（６） ヲ形成シタ。
でＳｉＮ膜やＳｉ ＯＮ膜を形成していたが、この発明
では弱電用プラズマを用いたデポジション法（ｗ−ｐＣ
ＶＤ法＞Ｔ”ＳｉＮ膜（６） ヲ形成シタ。
第３図にこの時用いた訃−ｐ ＣＶＤ法の装置の概略図
を示した。
を示した。
反応ガスとしては３ｉＨｔとＮＨ３を用い、ガス圧は１
，０ｔｏｒｒ、周波数は５０）１ ｚであり形成したＳ
ｉＮ膜の膜厚は２０００人であった。ＳｉＮ膜（６）を
形成後、ΔΩ等よりなる背面電極（刀をストライブ状に
形成し薄膜ＥＬ索子としたく第１図参照）。
，０ｔｏｒｒ、周波数は５０）１ ｚであり形成したＳ
ｉＮ膜の膜厚は２０００人であった。ＳｉＮ膜（６）を
形成後、ΔΩ等よりなる背面電極（刀をストライブ状に
形成し薄膜ＥＬ索子としたく第１図参照）。
この簿膜ＥＬ素子は、従来の構造の薄膜Ｅ［−素子（第
２図参照）のようにＳｉＮ膜上にＡ ０２０３等の金ｒ
ｉＡ酸化膜を形成しなくとも優れた耐湿性、耐圧性を有
し、さらに輝度特性も良好であった （へ）発明の効果 この発明の薄膜ＥＬ索子は上記したように■ スパッタ
リング法で形成した５ｉＮＩｌ！やＳｉ ０Ｎｊ５１と
比べて膜が緻密であるから耐湿性及び耐圧性が向上し、
また、Δｇ２０３等の金属酸化膜をさらに形成して複合
膜としなくとも十分に実用性がある、 ■ スパッタリングや平行平板電極のρ−ＣＶＤ法にお
ける２次電子や荷電粒子の入射によるＥＬ発光膜のダメ
ージがなく、輝度特性が向上する、■ 電極の形状、間
隔及びガス圧等によりプラズマが影響を受けるというこ
とがないので条件設定が簡便でしかも大面積で均一な処
理が可能でありｍ産性が向上１−る、 等の効果を有する。
２図参照）のようにＳｉＮ膜上にＡ ０２０３等の金ｒ
ｉＡ酸化膜を形成しなくとも優れた耐湿性、耐圧性を有
し、さらに輝度特性も良好であった （へ）発明の効果 この発明の薄膜ＥＬ索子は上記したように■ スパッタ
リング法で形成した５ｉＮＩｌ！やＳｉ ０Ｎｊ５１と
比べて膜が緻密であるから耐湿性及び耐圧性が向上し、
また、Δｇ２０３等の金属酸化膜をさらに形成して複合
膜としなくとも十分に実用性がある、 ■ スパッタリングや平行平板電極のρ−ＣＶＤ法にお
ける２次電子や荷電粒子の入射によるＥＬ発光膜のダメ
ージがなく、輝度特性が向上する、■ 電極の形状、間
隔及びガス圧等によりプラズマが影響を受けるというこ
とがないので条件設定が簡便でしかも大面積で均一な処
理が可能でありｍ産性が向上１−る、 等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の薄膜Ｅｌ−素子の構造を例示するＭ
４成説明図、第２図は従来の、ｉり膜［Ｌ素子の構造を
例示する構成説明図、第３図はこの発明の素子の製造に
用いるＷ−ρＣＶＤ法の装置の概略図、第４図は平行平
板電極のｐ−ｃ ｖ ｏ法の装置の概略図である。 （１）・・・・・・ガラス基板、 （２）・・・・・・
透明電極、（３）・・・・・・Ｓ ｉ ０２膜、 （
４）・・・・・・ＳｉＮ膜、（５）・・・・・・発光層
、 （６）・・・・・・Ｗ−［１ＣＶＤ法によるＳｉＮ膜、
（刀・・・・・・背面電極、 （８）・・・・・・
駆動電源、（９）・・・・・・スパッタリング法による
ＳｉＮ膜、（１０）・・・・・・金属酸化膜、 ０１
）・・・・・・サセプター、［Ｆ］・・・・・・Ｎ極、
ＯＪ・・・・・・弱電場プラズマ、（１４）
・・・・・・強電場プラズマ、０５）・・・・・・プラ
ズマ。 第１図 第２図 第３図 第４図
４成説明図、第２図は従来の、ｉり膜［Ｌ素子の構造を
例示する構成説明図、第３図はこの発明の素子の製造に
用いるＷ−ρＣＶＤ法の装置の概略図、第４図は平行平
板電極のｐ−ｃ ｖ ｏ法の装置の概略図である。 （１）・・・・・・ガラス基板、 （２）・・・・・・
透明電極、（３）・・・・・・Ｓ ｉ ０２膜、 （
４）・・・・・・ＳｉＮ膜、（５）・・・・・・発光層
、 （６）・・・・・・Ｗ−［１ＣＶＤ法によるＳｉＮ膜、
（刀・・・・・・背面電極、 （８）・・・・・・
駆動電源、（９）・・・・・・スパッタリング法による
ＳｉＮ膜、（１０）・・・・・・金属酸化膜、 ０１
）・・・・・・サセプター、［Ｆ］・・・・・・Ｎ極、
ＯＪ・・・・・・弱電場プラズマ、（１４）
・・・・・・強電場プラズマ、０５）・・・・・・プラ
ズマ。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １．基板上に透明電極、第１絶縁膜、エレクトロルミネ
ッセンス発光層、第２絶縁膜および背面電極をこの順に
備えてなる二重絶縁構造の薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子において、 上記第２絶縁膜が、弱電場プラズマＣＶＤ法により形成
されたシリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイ
トライド膜からなることを特徴とする薄膜エレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233951A JPS6293896A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄層エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233951A JPS6293896A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄層エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293896A true JPS6293896A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16963177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60233951A Pending JPS6293896A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄層エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293896A (ja) |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60233951A patent/JPS6293896A/ja active Pending
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