JPS6264097A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPS6264097A JPS6264097A JP60203675A JP20367585A JPS6264097A JP S6264097 A JPS6264097 A JP S6264097A JP 60203675 A JP60203675 A JP 60203675A JP 20367585 A JP20367585 A JP 20367585A JP S6264097 A JPS6264097 A JP S6264097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- thin film
- sin
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 81
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002889 sympathetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、交情電界の印加により発光する薄膜エレクト
ロルミネセンス素子（以下薄膜Ｅ Ｌ素子という）に関
する。
ロルミネセンス素子（以下薄膜Ｅ Ｌ素子という）に関
する。
（従来の技術）
従来の二重絶縁膜構造の薄膜ＥＬ素子の構造を第３図に
示す。
示す。
この薄膜ＥＬ素子の発光層ｅの−Ｖ面に設けられる第２
絶縁膜りとしては、絶縁耐圧、誘電率５発光特性の観点
からＳｉＮ膜ｆとＡρ２０３等の金属酸化膜ｇとが用い
られている。そして、ＳｉＮ膜ｒは、従来、リアクティ
ブスパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＩ）法によ
り形成されている。
絶縁膜りとしては、絶縁耐圧、誘電率５発光特性の観点
からＳｉＮ膜ｆとＡρ２０３等の金属酸化膜ｇとが用い
られている。そして、ＳｉＮ膜ｒは、従来、リアクティ
ブスパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＩ）法によ
り形成されている。
なお１図中、ａはガラス基板、ｂは透明電極、ＣはＳｉ
０ｇ膜、ｄはＳｉＮ膜、ｉは背面電極、ｊは駆動電源で
ある。
０ｇ膜、ｄはＳｉＮ膜、ｉは背面電極、ｊは駆動電源で
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ＳｉＮ膜ｆがリアクティブスパッタリン
グ法により形成されたものにあっては。
グ法により形成されたものにあっては。
耐湿性１発光効率およびコストの面で次のような問題が
あった。
あった。
すなわち、リアクティブスパッタリング法により形成さ
れたＳｉＮ膜ｆは１発光層ｅ Ｊｌの微小突沸や異物に
対するカバレージが悪いため、第２絶縁膜りを介して発
光層ｅと第２絶縁膜りの界面に外部から湿気が浸透し、
この湿気により駆動時に発光層ｅと第２絶縁膜りとの間
の層間剥離を生じるといった問題があった。また、スパ
ッタ時の２次電子の入射により発光層ｅがダメージを受
けるため２発光効率が十分でなく、さらに、スパンタレ
ートが〜２００人／ ｍ ｉ ｎ と低く、シがも〜１
ｏ−４Ｐａといった高真空を必要とするため、装置コス
トが高くなるといった問題があった。
れたＳｉＮ膜ｆは１発光層ｅ Ｊｌの微小突沸や異物に
対するカバレージが悪いため、第２絶縁膜りを介して発
光層ｅと第２絶縁膜りの界面に外部から湿気が浸透し、
この湿気により駆動時に発光層ｅと第２絶縁膜りとの間
の層間剥離を生じるといった問題があった。また、スパ
ッタ時の２次電子の入射により発光層ｅがダメージを受
けるため２発光効率が十分でなく、さらに、スパンタレ
ートが〜２００人／ ｍ ｉ ｎ と低く、シがも〜１
ｏ−４Ｐａといった高真空を必要とするため、装置コス
トが高くなるといった問題があった。
一方、プラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＮ膜ｆは
、カバレージが良好で、また成膜速度も〜６００人／
ｍ ｉ ｎと速いなど上記リアクティブスパッタリング
法にはない利点を有している。しかしその反面、ＳｉＮ
膜ｆが２通常、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ
，）、場合によってはこれに窒素（Ｎ２）を加えた混合
ガスを用いて形成されることから、膜中に５ｉ−Ｈ，Ｎ
−Ｈの結合が多く存在し、このため駆動により絶縁特性
が低下するといった問題があった。また、成膜時にプラ
ズマ中で生成する水素ラジカルと１発光層ｅを形成する
ＺｎＳとが反応して発光膜表面近傍のＳがＨ２Ｓとなっ
て奪われ、そのあとに空孔が形成されるため、輝度特性
が低下するといった問題があった。
、カバレージが良好で、また成膜速度も〜６００人／
ｍ ｉ ｎと速いなど上記リアクティブスパッタリング
法にはない利点を有している。しかしその反面、ＳｉＮ
膜ｆが２通常、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ
，）、場合によってはこれに窒素（Ｎ２）を加えた混合
ガスを用いて形成されることから、膜中に５ｉ−Ｈ，Ｎ
−Ｈの結合が多く存在し、このため駆動により絶縁特性
が低下するといった問題があった。また、成膜時にプラ
ズマ中で生成する水素ラジカルと１発光層ｅを形成する
ＺｎＳとが反応して発光膜表面近傍のＳがＨ２Ｓとなっ
て奪われ、そのあとに空孔が形成されるため、輝度特性
が低下するといった問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明の薄膜Ｆ、Ｌ素了は３発光層の上面に設けられた
第２絶縁膜を、下層が金属酸化膜、上層がプラズマＣＶ
ｒ）法により形成されたＳｉＮ膜の複合膜としたもので
ある。
第２絶縁膜を、下層が金属酸化膜、上層がプラズマＣＶ
ｒ）法により形成されたＳｉＮ膜の複合膜としたもので
ある。
（作用）
金属酸化膜により、ＳｉＮ膜形成時にプラズマ中で生成
する水素ラジカルが発光層のＺｎＳと反応することがな
く３発光層が水素ラジカルによりダメージを受けること
がない。また、金属酸化膜により、ＳｉＮ膜中の５ｉ−
Ｈ，Ｎ−１１が発光層に作用することがなく、絶縁特性
が低下することがない。さらに、金属酸化膜自体の輝度
特性の優れた点が生かされ、耐湿性の悪さはＳｉＮ膜に
よりカバーされる。
する水素ラジカルが発光層のＺｎＳと反応することがな
く３発光層が水素ラジカルによりダメージを受けること
がない。また、金属酸化膜により、ＳｉＮ膜中の５ｉ−
Ｈ，Ｎ−１１が発光層に作用することがなく、絶縁特性
が低下することがない。さらに、金属酸化膜自体の輝度
特性の優れた点が生かされ、耐湿性の悪さはＳｉＮ膜に
よりカバーされる。
（実施例）
以下１本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は９本発明に係る薄膜Ｅｌ、素子の構造を示し、
この薄膜Ｅｌ、素子は、ガラス基板１上に透明電極２が
設けられ、この透明電極２上に第１絶縁膜３が設けられ
ている。この第１絶縁膜３はＳｔＯ□膜４とＳｉＮ膜５
とからなる。そして、この第１絶縁膜３上に発光層６が
設けられ、この発光層６上に第２絶縁膜７が設けられて
いる。この第２絶縁膜７は、下層が金属酸化膜８．上層
がＳｉＮ膜９の複合膜となされている。金属酸化膜８と
しては９例えば、酸化イツトリウム（Ｙ ２０３ ）、
酸化アルミニウム（Ａｊ！ｚｏ３）、酸化タンタル（Ｔ
ａｘ（）＋）等が好適である。なお１図中、１０は背面
電極、１１は駆動電源である。
この薄膜Ｅｌ、素子は、ガラス基板１上に透明電極２が
設けられ、この透明電極２上に第１絶縁膜３が設けられ
ている。この第１絶縁膜３はＳｔＯ□膜４とＳｉＮ膜５
とからなる。そして、この第１絶縁膜３上に発光層６が
設けられ、この発光層６上に第２絶縁膜７が設けられて
いる。この第２絶縁膜７は、下層が金属酸化膜８．上層
がＳｉＮ膜９の複合膜となされている。金属酸化膜８と
しては９例えば、酸化イツトリウム（Ｙ ２０３ ）、
酸化アルミニウム（Ａｊ！ｚｏ３）、酸化タンタル（Ｔ
ａｘ（）＋）等が好適である。なお１図中、１０は背面
電極、１１は駆動電源である。
次に、上記のようになる薄膜ＥＬ素子の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
まず、ガラス基板１上に透明電極（ＩＴＯ等）２をスト
ライプ状に形成する。次に、スパッタリング、真空蒸着
等でＳｉｎ、膜４を２００〜８００人の厚みに形成し、
その上にスパッタリングによりＳｉＮ膜５を１０００〜
３０００人の厚みに形成する。続いて９発光層６をＺｎ
Ｓ−Ｍｎ焼結ペレットを用いて電子ビーム蒸着により６
０００〜８０００人の厚みに形成し、５００〜６００℃
で真空アニールする。そして、この発光層６上にＹ２Ｏ
３膜８を電子ビーム蒸着法により、基板温度１５０〜３
００℃、真空度１０−３〜１０−’Ｐａの成膜条件で形
成する。さらに、このＹ２Ｏ３膜８上にＳｉＮ膜９をプ
ラズマＣＶＤ法により５基板部度１５０〜３００℃、ガ
ス圧３０〜３００Ｐａの成膜条件で形成する。
ライプ状に形成する。次に、スパッタリング、真空蒸着
等でＳｉｎ、膜４を２００〜８００人の厚みに形成し、
その上にスパッタリングによりＳｉＮ膜５を１０００〜
３０００人の厚みに形成する。続いて９発光層６をＺｎ
Ｓ−Ｍｎ焼結ペレットを用いて電子ビーム蒸着により６
０００〜８０００人の厚みに形成し、５００〜６００℃
で真空アニールする。そして、この発光層６上にＹ２Ｏ
３膜８を電子ビーム蒸着法により、基板温度１５０〜３
００℃、真空度１０−３〜１０−’Ｐａの成膜条件で形
成する。さらに、このＹ２Ｏ３膜８上にＳｉＮ膜９をプ
ラズマＣＶＤ法により５基板部度１５０〜３００℃、ガ
ス圧３０〜３００Ｐａの成膜条件で形成する。
なお、金属酸化膜８の成膜方法は電子ビーム蒸着法の他
に、イオンブレーティング法、スパッタリング法等を用
いることもできる。また、ＳｉＮ膜９は１反応ガスとし
てシランとアンモニアの混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法の他に１反応ガスとしてシランと窒素の混合ガスを
用いたプラズマＣＶＤ法、或いはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズ
マＣＶＤ法により形成することも可能である。
に、イオンブレーティング法、スパッタリング法等を用
いることもできる。また、ＳｉＮ膜９は１反応ガスとし
てシランとアンモニアの混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法の他に１反応ガスとしてシランと窒素の混合ガスを
用いたプラズマＣＶＤ法、或いはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズ
マＣＶＤ法により形成することも可能である。
第２図は、上記の方法により得られた薄膜ＥＬ素子と従
来の薄膜ＥＬ素子との輝度−電圧特性の比較を示すもの
である。図中、（ａ）は本発明の薄膜Ｅ Ｌ素子の特性
曲線、（ｂ）は第２絶縁膜がプラズマＣＶＩ’）法によ
り形成されたＳｉＮ膜である従来の薄膜Ｅ Ｌ素子の特
性曲線、（Ｃ）は第２絶縁膜がスパッタリング法により
形成されたＳｉＮ＋Ａ！２０３膜である従来の薄膜ＥＬ
素子の特性曲線である。
来の薄膜ＥＬ素子との輝度−電圧特性の比較を示すもの
である。図中、（ａ）は本発明の薄膜Ｅ Ｌ素子の特性
曲線、（ｂ）は第２絶縁膜がプラズマＣＶＩ’）法によ
り形成されたＳｉＮ膜である従来の薄膜Ｅ Ｌ素子の特
性曲線、（Ｃ）は第２絶縁膜がスパッタリング法により
形成されたＳｉＮ＋Ａ！２０３膜である従来の薄膜ＥＬ
素子の特性曲線である。
この図からも明らかなように１本発明の薄膜Ｅ Ｌ素子
は従来のものよりも輝度特性が改善されている。
は従来のものよりも輝度特性が改善されている。
（発明の効果）
本発明の薄膜ＥＬ素子は、第２絶縁膜を、下層が金属酸
化膜、上層がプラズマＣＶＤ法により形成された窒化シ
リコン膜の複合膜としたものであるから、耐湿性に優れ
、従来のように発光層と第２絶縁膜の界面に外部から湿
気が浸入し、駆動により発光層と第２絶縁膜間の層間剥
離を生じるといったことがない。また、第２絶縁膜を複
合膜としたことにより、リアクティブスパッタリング法
による３ ｉ Ｎ＋Ａｌ２Ｏ５膜や、シランとアンモニ
アの混合ガスを用いるプラズマＣＶｒ）法によるＳｉＮ
膜だけで第２絶縁膜が構成された従来のものよりも輝度
特性が優れている。さらに、ＳｉＮ膜をプラズマ（：
Ｖ ｒ）法により形成するものであるから、成膜速度が
甲＜、量産に適し、コストの低減を図ることができる。
化膜、上層がプラズマＣＶＤ法により形成された窒化シ
リコン膜の複合膜としたものであるから、耐湿性に優れ
、従来のように発光層と第２絶縁膜の界面に外部から湿
気が浸入し、駆動により発光層と第２絶縁膜間の層間剥
離を生じるといったことがない。また、第２絶縁膜を複
合膜としたことにより、リアクティブスパッタリング法
による３ ｉ Ｎ＋Ａｌ２Ｏ５膜や、シランとアンモニ
アの混合ガスを用いるプラズマＣＶｒ）法によるＳｉＮ
膜だけで第２絶縁膜が構成された従来のものよりも輝度
特性が優れている。さらに、ＳｉＮ膜をプラズマ（：
Ｖ ｒ）法により形成するものであるから、成膜速度が
甲＜、量産に適し、コストの低減を図ることができる。
第１図は１本発明に係るηす膜Ｉ４． Ｉ、素子の構造
を示す断面図、第２図は本発明に係る薄膜Ｅ１．素子と
従来の薄膜［ε■５素子との輝度−電圧特性の比較を示
す輝度−電圧特性図、第３図は従来の薄膜ＥＩ７素子の
構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ｉ３明電極３・・・
第１絶縁膜 ４・・・ＳｉＯ□膜５・・・ＳｉＮ膜
６・・・発光層７・・・第２絶縁膜 ８・
・・金属酸化膜９・・・ＳｉＮ膜 １０・・・背面
電極１１・・・駆動電源 第１図 第２図 電 圧 （Ｖ〕
を示す断面図、第２図は本発明に係る薄膜Ｅ１．素子と
従来の薄膜［ε■５素子との輝度−電圧特性の比較を示
す輝度−電圧特性図、第３図は従来の薄膜ＥＩ７素子の
構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・ｉ３明電極３・・・
第１絶縁膜 ４・・・ＳｉＯ□膜５・・・ＳｉＮ膜
６・・・発光層７・・・第２絶縁膜 ８・
・・金属酸化膜９・・・ＳｉＮ膜 １０・・・背面
電極１１・・・駆動電源 第１図 第２図 電 圧 （Ｖ〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）発光層の下面に第１絶縁膜が，上面に第２絶縁膜が
それぞれ設けられてなる二重絶縁膜構造の薄膜エレクト
ロルミネセンス素子において， 前記第２絶縁膜を，下層が金属酸化膜，上層がプラズ
マＣＶＤ法により形成されたＳｉＮ膜の複合膜としたこ
とを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203675A JPS6264097A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203675A JPS6264097A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264097A true JPS6264097A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16477983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203675A Pending JPS6264097A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8897473B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-11-25 | Kyocera Corporation | Acoustic generator |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60203675A patent/JPS6264097A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8897473B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-11-25 | Kyocera Corporation | Acoustic generator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1999053727A1 (fr) | Dispositif electroluminescent organique | |
| JP5079967B2 (ja) | Ｏｌｅｄのような電子構造素子およびマイクロエレクトロニクス構造素子のためのプラズマ封入 | |
| US4880661A (en) | Method of manufacturing a thin-film electroluminescent display element | |
| WO2014020788A1 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JPS6264097A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
| KR19990038057A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| US7811678B2 (en) | Low process temperature thin film phosphor for electroluminescent displays | |
| KR20030064028A (ko) | 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2000077183A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH1092580A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP2985096B2 (ja) | Ｚｎ▲下２▼ＳｉＯ▲下４▼：Ｍｎ薄膜を発光層として用いる交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP3976892B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61237396A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH0355038B2 (ja) | ||
| JPS60100398A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| WO2002073708A2 (en) | Electroluminescent display device | |
| JPS62170189A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 | |
| CN109427693B (zh) | 封装薄膜、电子装置及其制备方法 | |
| JP3073057B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造法 | |
| JP2730931B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6293896A (ja) | 薄層エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS6147097A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH03236195A (ja) | ２重絶縁薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| JPH01149396A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0124359B2 (ja) |