JPS6291993A - フラツトデイスプレイ - Google Patents
フラツトデイスプレイInfo
- Publication number
- JPS6291993A JPS6291993A JP60231107A JP23110785A JPS6291993A JP S6291993 A JPS6291993 A JP S6291993A JP 60231107 A JP60231107 A JP 60231107A JP 23110785 A JP23110785 A JP 23110785A JP S6291993 A JPS6291993 A JP S6291993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- flat display
- transistors
- pixel
- display
- Prior art date
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- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は液晶表示装置等のフラットディスプレイに係シ
、特に各表示素子にアクティブ素子を付設したアクティ
ブ・マトリックス方式のフラットディスプレイに関する
ものである。
、特に各表示素子にアクティブ素子を付設したアクティ
ブ・マトリックス方式のフラットディスプレイに関する
ものである。
近年、この樵のディスプレイの研究が盛んなことは、例
えば日経エレクトロニクス1984年9月10日号の第
211頁に記載されている通シである0 このようなディスプレイでは、マトリックス状に駆動配
線と信号配線とが配列され、それによって各配線で囲ま
れた各領域に配置した各表示素子を個々のアクティブ素
子によ)スイッチング駆動させる構成を有しておシ、ア
クティブ素子のスイッチオンのとき、表示素子に画像情
報が表示され、スイッチオフのとき、その情報が保持さ
れる。
えば日経エレクトロニクス1984年9月10日号の第
211頁に記載されている通シである0 このようなディスプレイでは、マトリックス状に駆動配
線と信号配線とが配列され、それによって各配線で囲ま
れた各領域に配置した各表示素子を個々のアクティブ素
子によ)スイッチング駆動させる構成を有しておシ、ア
クティブ素子のスイッチオンのとき、表示素子に画像情
報が表示され、スイッチオフのとき、その情報が保持さ
れる。
しかしながら、このように構成されるフラットディスプ
レイは、1個の表示素子に対して1個の薄膜トランジス
タを有しているので、薄膜トランジスタのオン電流が不
足すると、表示素子の表示画像上に黒点不良を発生し、
またオフ電流が大であると、白点不良を発生させていた
。
レイは、1個の表示素子に対して1個の薄膜トランジス
タを有しているので、薄膜トランジスタのオン電流が不
足すると、表示素子の表示画像上に黒点不良を発生し、
またオフ電流が大であると、白点不良を発生させていた
。
また、特開1@5B−171860号公報に示されてい
るようにアクティブ素子としてポリシリコンを活性層と
する薄膜トランジスタにおいては、粒界のリーク電流を
防止するため、複数個のトランジスタを、そのゲートを
共通にして直列接続しているが、リダンダンシを目的と
したものではないので、そのうちの1個のトランジスタ
のオフ電流が大となると、白点不良となる欠点があった
。
るようにアクティブ素子としてポリシリコンを活性層と
する薄膜トランジスタにおいては、粒界のリーク電流を
防止するため、複数個のトランジスタを、そのゲートを
共通にして直列接続しているが、リダンダンシを目的と
したものではないので、そのうちの1個のトランジスタ
のオフ電流が大となると、白点不良となる欠点があった
。
本発明の目的は、薄膜トランジスタのオン電流の不足に
起因する黒点不良の発生を防止し、画素欠陥の発生を防
止することが可能なフラットディスプレイを提供するこ
とにある0 本発明の他の目的は、薄膜トランジスタのオフ電流の大
に起因する白点不良の発生を防止し、画素欠陥の発生を
防止することが可能なフラットディスプレイを提供する
ことにある0 〔発明の概要〕 本発明の一実施例によれば、1個の表示素子に対して複
数個の薄膜トランジスタを接続することにより、アクテ
ィブ素子回路に冗長性をもたせたフラットディスプレイ
が提供される。
起因する黒点不良の発生を防止し、画素欠陥の発生を防
止することが可能なフラットディスプレイを提供するこ
とにある0 本発明の他の目的は、薄膜トランジスタのオフ電流の大
に起因する白点不良の発生を防止し、画素欠陥の発生を
防止することが可能なフラットディスプレイを提供する
ことにある0 〔発明の概要〕 本発明の一実施例によれば、1個の表示素子に対して複
数個の薄膜トランジスタを接続することにより、アクテ
ィブ素子回路に冗長性をもたせたフラットディスプレイ
が提供される。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図はアクティブマトリックス方式のフラットディス
プレイを示す回路構成図である。同図において、1は駆
動配線、2は信号配線、3はアクティブ素子としての薄
膜トランジスタ(以下トランジスタと称する)、4は例
えば液晶表示素子あるいはEL(エレクトロ・ルミネッ
センス)等の表示素子であシ、1個のトランジスタ3と
表示素子4とで一画素5を構成している。
プレイを示す回路構成図である。同図において、1は駆
動配線、2は信号配線、3はアクティブ素子としての薄
膜トランジスタ(以下トランジスタと称する)、4は例
えば液晶表示素子あるいはEL(エレクトロ・ルミネッ
センス)等の表示素子であシ、1個のトランジスタ3と
表示素子4とで一画素5を構成している。
本発明によるフラットディスプレイは、第2図に示すよ
うに個々の画素5′が駆動配#1.信号配線2と表示素
子4との間に第1のトランジスタ3aおよび第2のトラ
ンジスタ 3bを並列接続して構成されている。
うに個々の画素5′が駆動配#1.信号配線2と表示素
子4との間に第1のトランジスタ3aおよび第2のトラ
ンジスタ 3bを並列接続して構成されている。
このような構成によれば、表示素子4をスイッチング駆
動する第1のトランジスタ3&もしくは第2のトランジ
スタ3bの一方が、オン電流が小となる欠陥が発生して
も、残る他方がオン電流を供給するので、黒点不良を発
生させることはなくなる。
動する第1のトランジスタ3&もしくは第2のトランジ
スタ3bの一方が、オン電流が小となる欠陥が発生して
も、残る他方がオン電流を供給するので、黒点不良を発
生させることはなくなる。
ここで、黒点不良となる確率を計算すると、今、画素数
が100OX100O個のフラットディスプレイには通
常10個程度の黒点不良があシ、良品とはならない。こ
こで、前述したようにトランジスタを並列接続した構成
とすると、オン電流が小となる欠陥トランジスタの数は
20個であシ、これらが同一の画素面に集まる確率が、
画素が黒点となる確率を与える。
が100OX100O個のフラットディスプレイには通
常10個程度の黒点不良があシ、良品とはならない。こ
こで、前述したようにトランジスタを並列接続した構成
とすると、オン電流が小となる欠陥トランジスタの数は
20個であシ、これらが同一の画素面に集まる確率が、
画素が黒点となる確率を与える。
20(個)x19÷(2xlO)=1.9xlO″″4
すなわち、黒点画素に関する歩留シは約99.98%と
計算され、極めて有効である。
すなわち、黒点画素に関する歩留シは約99.98%と
計算され、極めて有効である。
第3図は第2図で説明したトランジスタが並列接続され
た具体例を示す平面構成図であシ、前述の図と同一符号
は同一部分を示す。同図において、駆動配線1と信号配
線2とが交差する2辺に、例えばアモルファスシリコン
を活性層5m、5bとしソース電極7m、7bが接続さ
れたトランジスタ3m、3bがそれぞれ形成され、ソー
ス電極7m、7bは表示素子の画素電極8に並列接続さ
れて形成される。
た具体例を示す平面構成図であシ、前述の図と同一符号
は同一部分を示す。同図において、駆動配線1と信号配
線2とが交差する2辺に、例えばアモルファスシリコン
を活性層5m、5bとしソース電極7m、7bが接続さ
れたトランジスタ3m、3bがそれぞれ形成され、ソー
ス電極7m、7bは表示素子の画素電極8に並列接続さ
れて形成される。
第4図は本発明の他の実施例を示す回路構成図である。
同図において、フラットディスプレイは、個々の画素5
′が第1のトランジスタ3aと第2のトランジスタ3b
とが直列接続して構成されている0 このような構成によれば、第1のトランジスタ3aもし
くは第2のトランジスタ3bのオフを流が大となる不良
を発生しても直列接続された他のトランジスタがオフ%
性を保障するので、白点画素の発生を防止することがで
きる。
′が第1のトランジスタ3aと第2のトランジスタ3b
とが直列接続して構成されている0 このような構成によれば、第1のトランジスタ3aもし
くは第2のトランジスタ3bのオフを流が大となる不良
を発生しても直列接続された他のトランジスタがオフ%
性を保障するので、白点画素の発生を防止することがで
きる。
第5図は第4図で説明したトランジスタが直列接続され
た具体例を示す平面構成図であシ、同図において、信号
配線2と画素電極8との間に、アモルファスシリコンを
活性層5m、5bとした第1のトランジスタ3aと第2
のトランジスタ3bとが直列接続されて形成される。
た具体例を示す平面構成図であシ、同図において、信号
配線2と画素電極8との間に、アモルファスシリコンを
活性層5m、5bとした第1のトランジスタ3aと第2
のトランジスタ3bとが直列接続されて形成される。
第6図は本発明のさらに他の実施例を示す回路構成図で
ある。同図において、フラットディスプレイは、個々の
画素5′が第1のトランジスタ3&および第2のトラン
ジスタ3bが直列接続され、さらに第3のトランジスタ
3cおよび第4のトランジスタ3dが並列接続されて構
成されている。
ある。同図において、フラットディスプレイは、個々の
画素5′が第1のトランジスタ3&および第2のトラン
ジスタ3bが直列接続され、さらに第3のトランジスタ
3cおよび第4のトランジスタ3dが並列接続されて構
成されている。
すなわち、4個のトランジスタ3息、3b、3(!、3
dが直並列接続されて構成されている。
dが直並列接続されて構成されている。
このような構成によれば、直列接続された第1のトラン
ジスタ3mおよび第2のトランジスタ訃によシ白点不鼻
の発生を防止でき、並列接続された第3のトランジスタ
3Cおよび第4のトランジスタ 3dによシ黒点不良の
発生を防止できる。すなわち、白点および黒点不良の発
生を同時に防止することができる。
ジスタ3mおよび第2のトランジスタ訃によシ白点不鼻
の発生を防止でき、並列接続された第3のトランジスタ
3Cおよび第4のトランジスタ 3dによシ黒点不良の
発生を防止できる。すなわち、白点および黒点不良の発
生を同時に防止することができる。
第7図は第6図で説明したトランジスタが直並列接続さ
れた具体例を示す平面構成図であシ、同図において、駆
動配線1と信号配線2とが交差する2辺に、2組のトラ
ンジスタ3m、3bおよび3c、3d が中間電極9m
、9bによ多接続され、画素電極8に直並列接続されて
形成される。
れた具体例を示す平面構成図であシ、同図において、駆
動配線1と信号配線2とが交差する2辺に、2組のトラ
ンジスタ3m、3bおよび3c、3d が中間電極9m
、9bによ多接続され、画素電極8に直並列接続されて
形成される。
なお、前述した実施例においては、アクティブ素子にア
モルファスシリコンを活性層とする薄膜トランジスタを
用いた場合について説明したが、ポリシリコンを活性層
とする薄膜トランジスタを用いても同様の効果が得られ
ることは勿論である0〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、表示素子の一画素
に複数個のスイッチングトランジスタを設けたことによ
シ、トランジスタの不良に起因する白点不良および黒点
不良等の画素欠陥を防止できるので、高品位の表示画像
が得られるなどの極めて優れた効果を有する。
モルファスシリコンを活性層とする薄膜トランジスタを
用いた場合について説明したが、ポリシリコンを活性層
とする薄膜トランジスタを用いても同様の効果が得られ
ることは勿論である0〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、表示素子の一画素
に複数個のスイッチングトランジスタを設けたことによ
シ、トランジスタの不良に起因する白点不良および黒点
不良等の画素欠陥を防止できるので、高品位の表示画像
が得られるなどの極めて優れた効果を有する。
第1図はアクティブ・マトリックス方式のフラットディ
スプレイを示す回路構成図、第2図、第3図は本発明に
よるフラットディスプレイの一実施例を示す要部回路図
、平面構成図、第4図、第5図は本発明の他の実施例を
示す要部回路図、平面構成図、第6図、第7図は本発明
のさらに他の実施例を示す要部回路図、平面構成図であ
る。 1・・―・駆動配線、2・・・・信号配線、3゜3m、
3b、3e、3d・・・・薄膜トランジスタ、4・・・
・表示素子、s 、 5’、 !/、 5’・・拳・画
素、13a、5b・・・・活性層、7m、7b・・・・
ソース電極、8・・・・画素電極、9m、9b・・・・
中間電極。
スプレイを示す回路構成図、第2図、第3図は本発明に
よるフラットディスプレイの一実施例を示す要部回路図
、平面構成図、第4図、第5図は本発明の他の実施例を
示す要部回路図、平面構成図、第6図、第7図は本発明
のさらに他の実施例を示す要部回路図、平面構成図であ
る。 1・・―・駆動配線、2・・・・信号配線、3゜3m、
3b、3e、3d・・・・薄膜トランジスタ、4・・・
・表示素子、s 、 5’、 !/、 5’・・拳・画
素、13a、5b・・・・活性層、7m、7b・・・・
ソース電極、8・・・・画素電極、9m、9b・・・・
中間電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マトリックス状に配列した駆動配線と信号配線とで
囲まれる各領域に表示素子およびスイッチングトランジ
スタを配置して各画素を構成したフラットディスプレイ
において、前記一画素に複数個のスイッチングトランジ
スタを設けたことを特徴とするフラットディスプレイ。 2、前記スイッチングトランジスタを並列接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフラットディ
スプレイ。 3、前記スイッチングトランジスタを直列接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフラットディ
スプレイ。 4、前記スイッチングトランジスタを直並列接続したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフラットデ
ィスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231107A JPH0834760B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | フラットディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231107A JPH0834760B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | フラットディスプレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6291993A true JPS6291993A (ja) | 1987-04-27 |
JPH0834760B2 JPH0834760B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16918407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60231107A Expired - Lifetime JPH0834760B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | フラットディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0834760B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH02108027A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
JPH03121421A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板 |
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US6885027B2 (en) | 1994-06-02 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
US6987876B2 (en) | 2000-12-15 | 2006-01-17 | Mitutoyo Corporation | System and methods for determining the settings of multiple light sources in a vision system |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
JP2018159816A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60231107A patent/JPH0834760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
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US7450210B2 (en) | 1987-06-10 | 2008-11-11 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
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US5532850A (en) * | 1987-06-10 | 1996-07-02 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display with gate lines having two layers, the gate electrode connected to the wider layer only |
US7196762B2 (en) | 1987-06-10 | 2007-03-27 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
US5838399A (en) * | 1987-06-10 | 1998-11-17 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices with two layer gate lines, the first being the same level as gate electrodes. |
US6184963B1 (en) | 1987-06-10 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix LCD devices employing two superposed conductive films having different dimensions for the scanning signal lines |
US5528396A (en) * | 1987-06-10 | 1996-06-18 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices with a holding capacitance between the pixel electrode and a scanning signal line |
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JPS6450028A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nec Corp | Thin film transistor substrate |
JPH02108027A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
JPH03121421A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板 |
US5610738A (en) * | 1990-10-17 | 1997-03-11 | Hitachi, Ltd. | Method for making LCD device in which gate insulator of TFT is formed after the pixel electrode but before the video signal line |
US5671027A (en) * | 1990-10-17 | 1997-09-23 | Hitachi, Ltd. | LCD device with TFTs in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films and before the deposition of the silicon gate insulator |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7148506B2 (en) | 1994-06-02 | 2006-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
US6885027B2 (en) | 1994-06-02 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
US7459724B2 (en) | 1994-06-02 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and electrooptical device |
US6987876B2 (en) | 2000-12-15 | 2006-01-17 | Mitutoyo Corporation | System and methods for determining the settings of multiple light sources in a vision system |
JP2018159816A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0834760B2 (ja) | 1996-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |