JPS6290576A - Voltage detection circuit - Google Patents
Voltage detection circuitInfo
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- JPS6290576A JPS6290576A JP15152985A JP15152985A JPS6290576A JP S6290576 A JPS6290576 A JP S6290576A JP 15152985 A JP15152985 A JP 15152985A JP 15152985 A JP15152985 A JP 15152985A JP S6290576 A JPS6290576 A JP S6290576A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧検出回路に関するものであり、特に検出電
圧の温度係数の小さな過電圧検出回路に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a voltage detection circuit, and particularly to an overvoltage detection circuit whose detected voltage has a small temperature coefficient.
第２図に従来の過電圧検出回路を示す。この従来の構成
は、電圧検出端子１からツェナーダイオードをｎ個（得
ようとする過電圧検出電圧によって接続数が異なる。）
シリーズに接続し、ｎ個目のツェナーダイオードのカソ
ードは、抵抗Ｒ＋１００を介して接地されている。前記
ｎ個目のツェナーダイオードのカソードと前記抵抗Ｒ１
００の交点は、ＮＰＮ）ランジスタＱ１のベースに接続
され、このトランジスタのエミッタは接地され、コレク
タは抵抗Ｒ４を介して定電圧源３に接続されている。FIG. 2 shows a conventional overvoltage detection circuit. In this conventional configuration, n Zener diodes are connected to the voltage detection terminal 1 (the number of connections varies depending on the overvoltage detection voltage to be obtained).
They are connected in series, and the cathode of the n-th Zener diode is grounded via a resistor R+100. the cathode of the n-th Zener diode and the resistor R1;
The intersection point of 00 is connected to the base of an NPN transistor Q1, the emitter of which is grounded, and the collector connected to the constant voltage source 3 via a resistor R4.
トランジスタＱ１のコレクタと抵抗Ｒ４の交点から出力
端子２を有する構成となっている。The configuration has an output terminal 2 from the intersection of the collector of the transistor Q1 and the resistor R4.
従来の過電圧検出回路の動作は、電圧検出端子ｌの電圧
が上昇して行き、トランジスタＱ１が動作し出力端子２
がロウレベルとなる事により、過電圧を検出する。出力
端子電圧がロウレベルとなる電圧（以下ｖＳとする。）
は次式で示される。The operation of the conventional overvoltage detection circuit is that the voltage at the voltage detection terminal 1 increases, the transistor Q1 operates, and the output terminal 2
An overvoltage is detected when the voltage becomes low level. Voltage at which the output terminal voltage becomes low level (hereinafter referred to as vS)
is expressed by the following equation.
Ｖ８＝ＶＺＤｘｎ＋ＶＢＥＱ１ ・−・・−（ｔ１式
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来の過電圧検出回路は、ＶＳは（１）式で表
わされる為、高いＶＳを得る為にはツェナーダイオード
の個数が増えてしまうという欠点があった。V8=VZDxn+VBEQ1 ・−・・−(t1 formula [problem to be solved by the invention]) In the conventional overvoltage detection circuit described above, VS is expressed by formula (1), so in order to obtain a high VS, a Zener diode is used. There was a drawback that the number of items increased.
また、ＶＳの温度係数（以下ΔＶ８／ΔＴとする。）は
次式の様になる。Further, the temperature coefficient of VS (hereinafter referred to as ΔV8/ΔT) is expressed by the following equation.
ΔＶ８／ΔＴ−＝＝ΔＶＺＤ／ΔＴｘｎ＋ＡＶＢＥＱ１
／ΔＴ・・・・・・（２）式
従って高いｖＳを得ようとするとその分だけΔ■Ｓ／Δ
Ｔが大きくなり、Δ■Ｓ／ΔＴに対する設計の自由度が
ないという欠点があった。ΔV8/ΔT-==ΔVZD/ΔTxn+AVBEQ1
/ΔT・・・・・・Equation (2) Therefore, if you try to obtain a high vS, Δ■S/Δ
There is a drawback that T becomes large and there is no degree of freedom in designing Δ■S/ΔT.
本発明は電圧検出端子から第１の抵抗と第２の抵抗を介
して接地された前記第１の抵抗と第２の抵抗の交点にツ
ェナーダイオードのアノードが接続され、前記ツェナー
ダイオードのカソードは第３の抵抗を介して接地されて
いる。前記ツェナーダイオードのカソードと第３の抵抗
の交点からトランジスタのベースが接続され、前記トラ
ンジスタのエミッタは接地され、前記トランジスタのコ
レクタは第４の抵抗を介して定電圧源３に接続さｔＬ、
前Ｅ）ランジスタのコレクタと前記第４の抵抗の交点に
出力端子２を有する構成となっている。In the present invention, the anode of a Zener diode is connected to the intersection of the first resistor and the second resistor which are grounded from the voltage detection terminal via the first resistor and the second resistor, and the cathode of the Zener diode is connected to the It is grounded through resistor 3. The base of the transistor is connected to the intersection of the cathode of the Zener diode and the third resistor, the emitter of the transistor is grounded, and the collector of the transistor is connected to the constant voltage source 3 via the fourth resistor tL,
E) An output terminal 2 is provided at the intersection of the collector of the transistor and the fourth resistor.
以下、本発明について図面により詳述する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例であり、ｌは電圧検出端子、
几ｌ、凡２ 、Ｒ，３ｔＲ４は抵抗、ＺＤｔはツェナー
ダイオード、ＱｌはＮＰＮ）ランジスタである。また、
２は出力端子、３は定電圧源、４は接地端子である。次
に本発明の実施例と従来の過電圧検出回路の溝成上の違
いを述べる。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, l is a voltage detection terminal,
R4 is a resistor, ZDt is a Zener diode, and Ql is an NPN transistor. Also,
2 is an output terminal, 3 is a constant voltage source, and 4 is a ground terminal. Next, differences in groove formation between the embodiment of the present invention and the conventional overvoltage detection circuit will be described.
トランジスタＱｌｌ、ｌ抗几４及び出力端子２から成る
出力回路部の構成は、どちらも同一の構成であるが、本
発明では、電圧検出端子１は抵抗Ｒ１抵抗Ｒ２を介して
接地され、抵抗Ｒ１と抵抗凡２の交点はツェナーダイオ
ードＺＤＩのアノードに接続され、ツェナーダイオード
ＺＤＩのカソードは抵抗Ｒ３を介して接地され、ツェナ
ーダイオードＺＤＩのカソードと抵抗Ｒ＋３の交点がト
ランジスタＱｌのベースに接続されている。これに対し
て、従来の過電圧検出回路では電圧検出端子ｌからツェ
ナーダイオードＺＤ１００からツェナーダイオードＺＤ
ｎまでをシリーズに接続し、ツェナーダイオードＺＤｎ
のアノードは抵抗３１００を介して接地され、ツェナー
ダイオードＺＤｎのアノードと抵抗Ｒ１００の交点から
トランジスタＱｌのベースへ接続されるという構成とな
っている。The configuration of the output circuit section consisting of the transistors Qll, l resistor 4, and output terminal 2 is the same, but in the present invention, the voltage detection terminal 1 is grounded via the resistor R1 and the resistor R2. The intersection of the Zener diode ZDI and the resistor R2 is connected to the anode of the Zener diode ZDI, the cathode of the Zener diode ZDI is grounded via the resistor R3, and the intersection of the cathode of the Zener diode ZDI and the resistor R+3 is connected to the base of the transistor Ql. . On the other hand, in the conventional overvoltage detection circuit, from the voltage detection terminal l to the Zener diode ZD100 to the Zener diode ZD
Connect up to n in series, Zener diode ZDn
The anode of is grounded via a resistor 3100, and the intersection of the anode of the Zener diode ZDn and the resistor R100 is connected to the base of the transistor Ql.
次に本発明の実施例の動作について述べる。電圧検出端
子ｌの電圧が上昇して行き、抵抗几ｌと抵抗Ｒ２の交点
の電圧が、ツェナーダイオードＺＤＩのツェナー電圧と
トランジスタＱ１のベースエミッタ間゛１圧以上になっ
た時にトランジスタＱ１は導通し、出力端子２がロウレ
ベルになる事により過電圧を検出する。Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described. The voltage at the voltage detection terminal 1 increases, and when the voltage at the intersection of the resistor 1 and the resistor R2 becomes more than 1 voltage between the Zener voltage of the Zener diode ZDI and the base-emitter of the transistor Q1, the transistor Q1 becomes conductive. , an overvoltage is detected when the output terminal 2 becomes low level.
出力端子２がロウレベルとなる電圧検出端子ｌの電圧（
以下■Ｓとする。）は次式で表わされる。The voltage at the voltage detection terminal l at which the output terminal 2 becomes low level (
Hereinafter referred to as ■S. ) is expressed by the following formula.
ｘＶＢＥＱＩ ・・・・・・（３）式ま
た、ｖＳの温度係数（以下ΔＶＳ／ΔＴとする。）は次
式の様になる。xVBEQI (3) The temperature coefficient of vS (hereinafter referred to as ΔVS/ΔT) is as shown in the following formula.
・・・・・・（４）式
したがって、本実施例によれば次のような効果が得られ
る。まず第１に、高い過電圧慣用電圧■Ｓを得ようとす
る場合は従来の過電圧検出回路では（１）式の如くツェ
ナーダイオードの数ｎをふやさなければならないが、本
発明においては（３）式の如く抵抗比１と抵抗比２及び
抵抗Ｒ１と抵抗比２の抵抗比によって自由に過電圧検出
電圧ＶＳを設定出来る。次にＶＳの温度係数ΔＶＳ／Δ
Ｔについても、従来の過電圧保護回路では、（２）式の
如く高い過電圧検出電圧■Ｓを得ようとすればするほど
、Δ■Ｓ／ΔＴも大きくなるが、本発明の実施例におい
ては、（４）式の如く抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１
と抵抗Ｒ３の抵抗比によってΔＶ８／ΔＴを任意に設定
する事が可能である。...Equation (4) Therefore, according to this embodiment, the following effects can be obtained. First of all, in order to obtain a high overvoltage common voltage S, in the conventional overvoltage detection circuit, the number n of Zener diodes must be increased as shown in equation (1), but in the present invention, the number n of Zener diodes must be increased as shown in equation (3). The overvoltage detection voltage VS can be freely set by the resistance ratio of the resistance ratio 1 and the resistance ratio 2 and the resistance ratio of the resistance R1 and the resistance ratio 2, as shown in FIG. Next, the temperature coefficient of VS ΔVS/Δ
Regarding T, in the conventional overvoltage protection circuit, the higher the overvoltage detection voltage S as shown in equation (2), the larger Δ■S/ΔT becomes. However, in the embodiment of the present invention, As shown in equation (4), resistance R1, resistance R2, and resistance R1
ΔV8/ΔT can be arbitrarily set by the resistance ratio of the resistor R3 and the resistor R3.
ココテ、ＶＳ＝３０Ｖ、ＶＺＤ：５．９Ｖ、ＶＢＥＱＩ
＝０．７Ｖ、 ΔＶＺＤ／ＡＴ＝２ｍＶ／”Ｏ，ΔＶＢ
ＥＱＩ／ΔＴ＝−２ｍＶ／”Ｑとした場合の従来の過電
圧検出回路と本発明の実施例についてΔＶ８／ΔＴを求
めてみる。Kokote, VS=30V, VZD:5.9V, VBEQI
=0.7V, ΔVZD/AT=2mV/”O, ΔVB
Let us calculate ΔV8/ΔT for the conventional overvoltage detection circuit and the embodiment of the present invention when EQI/ΔT=-2 mV/''Q.
まず従来の過電圧検出回路では、（１）式よりｎ＝（Ｖ
Ｓ−ＶＢＥＱＩ）／ＶＺＤ −−（５）式となる為
、ｖｓ＝３ｏｖとした場合のツェナーダイオードの個数
は５個必要となる。従って（２）式よりΔ■Ｓ／ΔＴは
、ΔｖＳ／ΔＴ＝８ｍｖ／℃となる。First, in the conventional overvoltage detection circuit, n=(V
S-VBEQI)/VZD -- Since the equation (5) is obtained, five Zener diodes are required when vs=3ov. Therefore, from equation (2), Δ■S/ΔT becomes ΔvS/ΔT=8 mv/°C.
次に本発明の実施例でのΔＶＳ／ΔＴｔ−求めてみル。Next, let's calculate ΔVS/ΔTt in the example of the present invention.
ココテ、ＶＳ、ＶＺＤ、ＶＢＥＱｌ、 ΔＶＺＤ／ΔＴ
。Kokote, VS, VZD, VBEQl, ΔVZD/ΔT
.
ΔＶＢＥ／ΔＴは前述の条件と同じである。また、几１
＝３１にΩ、Ｒ２：８．９にΩ、Ｒ３＝６２にΩとする
。ΔVBE/ΔT is the same as the above condition. Also, 几1
= 31, Ω for R2: 8.9, and Ω for R3 = 62.
（３）式に各定数を代入して計算するとｖ８＝ｚａ９Ｖ
となる。また、（４）式に各定数を代入して計算すると
ΔＶＳ／ΔＴ＝−１ｍＶ／’Ｏとなる。When calculating by substituting each constant into formula (3), v8=za9V
becomes. Further, when calculated by substituting each constant into equation (4), ΔVS/ΔT=−1 mV/′O.
以上述べた様に本発明においては、高い過電圧検出電圧
■Ｓを得ようとする場合でも抵抗Ｒ１，ル２゜几３の比
で自由に設定が可能であり、ΔＶＳ／Δ′ｒも小さくす
る事が可能である。As described above, in the present invention, even when trying to obtain a high overvoltage detection voltage S, it is possible to freely set the ratio of resistor R1 and R2゜3, and ΔVS/Δ'r can also be made small. things are possible.
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は従来
例を示す回路図である。
ｌ・・・・・・過電圧検出端子、２・・・・・・出力端
子、３・・・・・・安定化電圧源、４・・・・・・接地
端子、Ｒ１−Ｒ４・・・・・・抵抗、ｚＤｌ・・・・・
・ツェナーダイオード、Ｑｌ・・・・・・ＮＰＮ）ラン
ジスタ、 Ｒ＋１００．Ｒ４・・・・・・抵抗、ＺＤ
１００−ＺＤｎ・・・・・・ツェナーダイオード。
）料 １１）水ザ沖Ｈにｈｌｒうぢ鼾申づ茅２ＷＪ勘力
過電圧体４回路FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example. l... Overvoltage detection terminal, 2... Output terminal, 3... Stabilized voltage source, 4... Ground terminal, R1-R4... ...Resistance, zDl...
・Zener diode, Ql...NPN) transistor, R+100. R4...Resistance, ZD
100-ZDn... Zener diode. ) Fee 11) Mizuza Oki H hlr udy snoring report 2WJ Kanri overvoltage body 4 circuits
Claims (1)
および第２の抵抗、これら第１および第２の抵抗の交点
と前記電源の一端との間に直列接続された定電圧素子お
よび第３の抵抗ならびに前記定電圧素子および第３の抵
抗の接続点にベースが、前記電源の一端にエミッタが夫
々接続されたトランジスタを備える事を特徴とする電圧
検出回路。A first terminal connected in series between the voltage detection terminal and one end of the power supply.
and a second resistor, a constant voltage element and a third resistor connected in series between the intersection of the first and second resistors and one end of the power supply, and a connection point of the constant voltage element and the third resistor. A voltage detection circuit comprising a transistor having a base connected to one end of the power supply and an emitter connected to one end of the power supply.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15152985A JPS6290576A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Voltage detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15152985A JPS6290576A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Voltage detection circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290576A true JPS6290576A (en) | 1987-04-25 |
Family
ID=15520504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15152985A Pending JPS6290576A (en) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | Voltage detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290576A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8531215B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Voltage detector |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492291A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting circuit with temperature compensation of control voltage |
| JPS55127620A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Hitachi Ltd | Constant-current circuit |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15152985A patent/JPS6290576A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5492291A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting circuit with temperature compensation of control voltage |
| JPS55127620A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Hitachi Ltd | Constant-current circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8531215B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Voltage detector |
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