JPH0642252Y2 - Constant voltage circuit - Google Patents
Constant voltage circuitInfo
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- JPH0642252Y2 JPH0642252Y2 JP1985088554U JP8855485U JPH0642252Y2 JP H0642252 Y2 JPH0642252 Y2 JP H0642252Y2 JP 1985088554 U JP1985088554 U JP 1985088554U JP 8855485 U JP8855485 U JP 8855485U JP H0642252 Y2 JPH0642252 Y2 JP H0642252Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は定電圧回路に関し、特に所謂バンドギャップレ
ギュレータ方法の定電圧回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial application] The present invention relates to a constant voltage circuit, and more particularly to a constant voltage circuit of a so-called bandgap regulator method.
従来のこの種の定電圧回路の一例を第５図に示す。コレ
クタとベースをショートしたpnp型トランジスタ４のエ
ミッタは高電位端１に接続され、同トランジスタのコレ
クタとベースの共通点は吸込電流源６を介して低電位端
３に接続されている。pnp型トランジスタ７のエミッタ
は高電位端１に、そのベースはpnp型トランジスタ４の
ベースとコレクタの交点にそれぞれ接続され、トランジ
スタ７のコレクタは定電圧出力端２に接続されている。
出力端２には抵抗9,11および14各々の一端も接続されて
いる。抵抗９の他端はnpn型トランジスタ10のコレクタ
とベースの共通点に接続され、トランジスタ10のエミッ
タは低電位端３に接続されている。抵抗11の他端はnpn
型トランジスタ12のコレクタに接続され、トランジスタ
12のベースは抵抗９とnpn型トランジスタ10の接続点
に、そのエミッタは抵抗13を介して低電位端３に夫々接
続されている。出力端２にはpnp型トランジスタ16のエ
ミッタも接続され、このトランジスタ16のコレクタは低
電位端３に、ベースは抵抗14の他端に夫々接続されてい
る。トランジスタ16のベースはnpn型トランジスタ15の
コレクタにも接続され、トランジスタ15のベースは抵抗
11とnpn型トランジスタ12のコレクタの接続点に、エミ
ッタは低電位端３に夫々接続されている。ここで、トラ
ンジスタ12のエミッタ面積は、トランジスタ10のエミッ
タ面積より大きく構成されている。An example of a conventional constant voltage circuit of this type is shown in FIG. The emitter of a pnp type transistor 4 whose collector and base are short-circuited is connected to the high potential end 1, and the common point of the collector and the base of the transistor is connected to the low potential end 3 via the sink current source 6. The emitter of the pnp-type transistor 7 is connected to the high potential terminal 1, its base is connected to the intersection of the base and collector of the pnp-type transistor 4, and the collector of the transistor 7 is connected to the constant voltage output terminal 2.
The output terminal 2 is also connected to one end of each of the resistors 9, 11 and 14. The other end of the resistor 9 is connected to the common point of the collector and the base of the npn type transistor 10, and the emitter of the transistor 10 is connected to the low potential end 3. The other end of resistor 11 is npn
Type transistor 12 connected to the collector of the transistor
The base of 12 is connected to the connection point between the resistor 9 and the npn-type transistor 10, and the emitter thereof is connected to the low potential end 3 via the resistor 13. The emitter of a pnp type transistor 16 is also connected to the output terminal 2, the collector of the transistor 16 is connected to the low potential terminal 3, and the base is connected to the other end of the resistor 14. The base of the transistor 16 is also connected to the collector of the npn-type transistor 15, and the base of the transistor 15 is a resistor.
The emitter is connected to the low potential end 3 at the connection point of the collectors of 11 and the npn-type transistor 12, respectively. Here, the emitter area of the transistor 12 is larger than the emitter area of the transistor 10.
この構成によれば、抵抗9,11,13,14およびトランジスタ
10,12,15,16は所謂バンドギャップ回路を形成し、トラ
ンジスタ4,7及び電流源６はカレントミラー回路を形成
してバンドギャップ回路へバイアス電流を供給してい
る。この結果、出力端２からは温度変動に対して安定化
された定電圧出力が得られる。その回路動作については
周知であるので、ここでの説明は省略する。According to this configuration, the resistors 9, 11, 13, 14 and the transistors
10, 12, 15, 16 form a so-called bandgap circuit, and the transistors 4, 7 and the current source 6 form a current mirror circuit to supply a bias current to the bandgap circuit. As a result, a constant voltage output that is stabilized against temperature fluctuations is obtained from the output terminal 2. Since its circuit operation is well known, its explanation is omitted here.
ところが、この構成では電圧供給端１の電位変動により
出力電圧が変動するという欠点がある。すなわち、通常
トランジスタのVCE−IC特性は、第４図の様にアーリ効
果の為、VCEが大きくなる程、ICが増加する傾向にあ
る。従って、トランジスタ4,7および定電流源６で形成
されるカレントラー回路も、電源電圧１の変動に応じて
トランジスタ７のコレクタ電流は変動する。トランジス
タ12のコレクタ電流はトランジスタ15のベース電流より
十分大きいとすると、抵抗9,11に流れる電流はトランジ
スタ10,12および抵抗13から成るカレントミラー回路に
よって一定となっているから、トランジスタ７のコレク
タ電流の変動分はトランジスタ16,抵抗14を介してトラ
ンジスタ15のエミッタ電流の変動となりトランジスタ15
のベース・エミッタ間電圧が変動する。バンドギャップ
回路の出力端２の出力電圧は、抵抗11の電圧降下とトラ
ンジスタ15のベース・エミッタ間電圧の和となる。抵抗
11に流れる電流は前述のとおり変動しないので抵抗11の
電圧降下は一定であるが、トランジスタ15のベース・エ
ミッタ間電圧が変動する。つまり、端子１の電圧変動に
応じて出力端２からの出力電圧が変動してしまうことに
なる。However, this configuration has a drawback that the output voltage fluctuates due to the potential fluctuation of the voltage supply terminal 1. That is, the V CE -I C characteristic of the normal transistor tends to increase I C as V CE increases due to the Early effect as shown in FIG. Therefore, the collector current of the transistor 7 also changes in accordance with the change in the power supply voltage 1 in the current-current circuit formed by the transistors 4 and 7 and the constant current source 6. Assuming that the collector current of the transistor 12 is sufficiently larger than the base current of the transistor 15, the current flowing through the resistors 9 and 11 is constant due to the current mirror circuit composed of the transistors 10 and 12 and the collector current of the transistor 7. Changes the emitter current of the transistor 15 via the transistor 16 and the resistor 14.
The base-emitter voltage fluctuates. The output voltage of the output terminal 2 of the bandgap circuit is the sum of the voltage drop of the resistor 11 and the base-emitter voltage of the transistor 15. resistance
Since the current flowing through 11 does not change as described above, the voltage drop across the resistor 11 is constant, but the base-emitter voltage of the transistor 15 changes. In other words, the output voltage from the output terminal 2 changes according to the voltage change of the terminal 1.
本考案の定電圧回路は、第１の電源端子と第１の節点と
の間にコレクタ・エミッタ導電路が接続された第１のト
ランジスタと、前記第１の電源端子と第２の節点との間
に設けられベースが前記第２の節点と前記第１のトラン
ジスタのベースとに電気的に接続された第２のトランジ
スタと、前記第１の節点と第３の節点との間にコレクタ
・エミッタが接続された第３のトランジスタと、前記第
ッタが接続された第３のトランジスタと、前記第２の節
点と第４の節点との間にコレクタ・エミッタが接続さ
れ、ベースが前記第４の節点と前記第３のトランジスタ
のベースとに電気的に接続された第４のトランジスタ
と、前記第３の節点と第２の電源端子との間に接続され
た定電圧発生回路と、前記第４の節点と前記第２の電源
端子との間に接続された電源流とを有することを特徴と
する。The constant voltage circuit of the present invention comprises a first transistor having a collector-emitter conductive path connected between a first power supply terminal and a first node, and a first transistor between the first power supply terminal and a second node. A second transistor whose base is electrically connected to the second node and the base of the first transistor; and a collector-emitter between the first node and the third node. A third transistor connected to the third transistor, a third transistor connected to the third transistor, a collector / emitter connected between the second node and a fourth node, and a base connected to the fourth node. A fourth transistor electrically connected to the node and the base of the third transistor; a constant voltage generation circuit connected between the third node and the second power supply terminal; Connected between the node and the second power terminal And having a power flow.
したがって、電源電圧が変動した場合、上記複数のトラ
ンジスタの各々のコレクターエミッタ間電圧は単一のト
ランジスタに比して小さくなるので、アーリ効果による
コレクタ電流の変化は小さくなる。Therefore, when the power supply voltage fluctuates, the collector-emitter voltage of each of the plurality of transistors becomes smaller than that of a single transistor, so that the change in collector current due to the Early effect becomes small.
次に、本考案について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本考案の一実施例を示す回路図であり、第５図
と同一機能部は同じ番号で示して説明を省略する。第１
図から明らかなように、本実施例の回路では、ダイオー
ド接続トランジスタ４と電流源６との間にダイオード接
続のpnp型トランジスタ５が設けられ、トランジスタ７
と出力端２との間にpnp型トランジスタ８が設けられて
いる。トランジスタ８のベースはトランジスタ５のベー
スおよびコレクタ共通点に接続されている。今、電位端
１の電位が変動して高電位端１と定電圧出力端２との間
の電圧が第５図の場合と同じだけ変化したとすると、ト
ランジスタ７および８の夫々におけるコレクターエミッ
タ間電圧の変動は第５図のものに比して半分となる。し
たがって、高電位端１に加わる電圧が変動してもpnp型
トランジスタ７および８のコレクタ電流の変動は第５図
の従来回路に比べて小さくなり、定電圧出力端２には安
定な電圧が出力される。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and the same functional units as those in FIG. First
As is clear from the figure, in the circuit of this embodiment, the diode-connected pnp-type transistor 5 is provided between the diode-connected transistor 4 and the current source 6, and the transistor 7
A pnp type transistor 8 is provided between the output terminal 2 and the output terminal 2. The base of the transistor 8 is connected to the common point of the base and the collector of the transistor 5. Now, assuming that the potential of the potential terminal 1 is changed and the voltage between the high potential terminal 1 and the constant voltage output terminal 2 is changed by the same amount as in the case of FIG. 5, between the collector and the emitter of each of the transistors 7 and 8. The change in voltage is half that in FIG. Therefore, even if the voltage applied to the high potential terminal 1 fluctuates, the fluctuation of the collector current of the pnp type transistors 7 and 8 becomes smaller than that of the conventional circuit of FIG. 5, and a stable voltage is output to the constant voltage output terminal 2. To be done.
なお、第１図では、２個のトランジスタ7,8を端子1-2間
に接続したが、３個以上の場合でもよく、前述の説明か
ら明らかなようにコレクタ電流の変動はより小さくな
る。Although the two transistors 7 and 8 are connected between the terminals 1-2 in FIG. 1, the number of transistors may be three or more, and the fluctuation of the collector current becomes smaller as apparent from the above description.
第２図は本考案の他の実施例を示す。ブロック22は第１
図で示したトランジスタ10,12,13,15,16および抵抗9,1
1,14でなるバンドギャップレギュレータ回路であり、こ
の回路22と低電位端子３との間に複数（実施例では２
個）のトランジスタ20,21が設けられている。トランジ
スタ20,21はダイオード接続トランジスタ18,19でバイア
スされ、これらには電流源17から電流が供給されてい
る。FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. Block 22 is first
Transistors 10, 12, 13, 15, 16 and resistors 9, 1 shown in the figure
The bandgap regulator circuit is composed of 1, 14 and a plurality (in the embodiment, 2) is provided between the circuit 22 and the low potential terminal 3.
Individual transistors 20 and 21 are provided. Transistors 20 and 21 are biased by diode-connected transistors 18 and 19, which are supplied with current from current source 17.
第３図はさらに他の実施例を示す。トランジスタ27,28
および抵抗29,30がバンドギャップレギュレータ回路を
構成し、端子1-2間に２個のトランジスタ25,26が接続さ
れ、これらはトランジスタ23,24でバイアスされる。FIG. 3 shows still another embodiment. Transistors 27, 28
The resistors 29 and 30 form a bandgap regulator circuit, and two transistors 25 and 26 are connected between the terminals 1-2, and these are biased by the transistors 23 and 24.
以上説明したように本考案は、電位端と定電圧出力端の
間に複数のトランジスタを直列接続することによってア
ーリ効果によるトランジスタのコレクタ電流の変化を小
さくし、電位端の電圧変動による定電圧出力端の電圧変
動をなくすことができる効果がある。As described above, the present invention reduces the change in the collector current of the transistor due to the Early effect by connecting a plurality of transistors in series between the potential terminal and the constant voltage output terminal, and the constant voltage output due to the voltage fluctuation at the potential terminal. There is an effect that the voltage fluctuation at the end can be eliminated.
第１図は本考案の一実施例を示す回路図である。第２
図，第３図は本発明の他の実施例を示す回路図である。
第４図はトランジスタのVCE‐IC特性の図である。第５
図は従来例を示す回路図である。 １……電源端、２……定電圧出力端、３……電源他端、
4,5,7,8,16,23,24,25,26……pnpトランジスタ、6,17…
…定電流源、9,11,13,14,29,30……抵抗、10,12,15,18,
19,20,21,27,28……npnトランジスタ、22……定電圧
源。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Second
FIG. 3 and FIG. 3 are circuit diagrams showing another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram of the V CE -I C characteristics of the transistor. Fifth
The figure is a circuit diagram showing a conventional example. 1 ... power supply end, 2 ... constant voltage output end, 3 ... power supply end,
4,5,7,8,16,23,24,25,26 …… pnp transistor, 6,17…
… Constant current source, 9,11,13,14,29,30 …… Resistance, 10,12,15,18,
19,20,21,27,28 …… npn transistor, 22 …… constant voltage source.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−121763（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−8818（ＪＰ，Ａ)Continuation of the front page (56) References JP-A-50-121763 (JP, A) JP-A-57-8818 (JP, A)
Claims (1)
クタ・エミッタ導電路が接続された第１のトランジスタ
と、前記第１の電源端子と第２の節点との間に設けられ
ベースが前記第２の節点と前記第１のトランジスタのベ
ースとに電気的に接続された第２のトランジスタと、前
記第１の節点と第３の節点との間にコレクタ・エミッタ
が接続された第３のトランジスタと、前記第２の節点と
第４の節点との間にコレクタ・エミッタが接続され、ベ
ースが前記第４の節点と前記第３のトランジスタのベー
スとに電気的に接続された第４のトランジスタと、前記
第３の節点と第２の電源端子との間に接続された定電圧
発生回路と、前記第４の節点と前記第２の電源端子との
間に接続された電流源とを有することを特徴とする定電
圧回路。1. A first transistor having a collector-emitter conductive path connected between a first power supply terminal and a first node; and a first transistor provided between the first power supply terminal and a second node. A second transistor whose base is electrically connected to the second node and the base of the first transistor; and a collector-emitter connected between the first node and the third node. A third transistor, a collector and an emitter are connected between the second node and the fourth node, and a base is electrically connected to the fourth node and the base of the third transistor. A fourth transistor, a constant voltage generation circuit connected between the third node and the second power supply terminal, and a constant voltage generation circuit connected between the fourth node and the second power supply terminal. A constant voltage circuit having a current source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985088554U JPH0642252Y2 (en) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | Constant voltage circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985088554U JPH0642252Y2 (en) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | Constant voltage circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204216U JPS61204216U (en) | 1986-12-23 |
| JPH0642252Y2 true JPH0642252Y2 (en) | 1994-11-02 |
Family
ID=30641807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985088554U Expired - Lifetime JPH0642252Y2 (en) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | Constant voltage circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642252Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2772962B2 (en) * | 1988-11-30 | 1998-07-09 | オムロン株式会社 | Constant voltage circuit and DC two-wire sensor using the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7403202A (en) * | 1974-03-11 | 1975-09-15 | Philips Nv | POWER STABILIZATION CIRCUIT. |
| IT1209219B (en) * | 1980-05-12 | 1989-07-16 | Ora Sgs Microelettronica Spa S | HIGH IMPEDANCE OUTPUT CURRENT MIRROR CIRCUIT AT LOW 'VOLTAGE LOSS'. |
| JPS58147017U (en) * | 1982-03-25 | 1983-10-03 | ソニー株式会社 | voltage selection circuit |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP1985088554U patent/JPH0642252Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61204216U (en) | 1986-12-23 |
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