JPS6289693A - Sf−2140物質誘導体及びその製造方法 - Google Patents
Sf−2140物質誘導体及びその製造方法Info
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- JPS6289693A JPS6289693A JP60195966A JP19596685A JPS6289693A JP S6289693 A JPS6289693 A JP S6289693A JP 60195966 A JP60195966 A JP 60195966A JP 19596685 A JP19596685 A JP 19596685A JP S6289693 A JPS6289693 A JP S6289693A
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- JP
- Japan
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- substance
- group
- formula
- water
- hydrochloride
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は新規なSF−2140物質誘導体及びその製造
方法に関し、さらに詳しくは、抗ウィルス作用を示す抗
生物質SF−2140物質の新規な水溶性誘導体及びそ
の製造方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは、抗ウィルス作用を示す抗
生物質SF−2140物質の新規な水溶性誘導体及びそ
の製造方法に関する。
(従来の技術および解決すべき問題点)SF−2140
物質は、抗ウィルス活性を示し、医薬品として有用な新
規抗生物質である(特開昭57−85397、同59−
78120及びジャナルe才プ・アンチバイオテ4−/
クス(J、 Antibiotics)第37巻。
物質は、抗ウィルス活性を示し、医薬品として有用な新
規抗生物質である(特開昭57−85397、同59−
78120及びジャナルe才プ・アンチバイオテ4−/
クス(J、 Antibiotics)第37巻。
第8号、第931頁(1984年)参照)が、水に難溶
性であるため、実用上の制約がある。例えば、SF−2
140物質を治療の目的に投与する場合1体内への効果
的な吸収移行をはかる必要があるが、このため、経口剤
とする場合には、均一かつ微細な分散系として、製剤し
、処方する必要があり、製剤工程が煩雑となる。更に、
すみやかな治療を目的として、 SF−2140物質
を注射剤とすることは、SF−2140物質が水に難溶
であるため、著しく困難となる。
性であるため、実用上の制約がある。例えば、SF−2
140物質を治療の目的に投与する場合1体内への効果
的な吸収移行をはかる必要があるが、このため、経口剤
とする場合には、均一かつ微細な分散系として、製剤し
、処方する必要があり、製剤工程が煩雑となる。更に、
すみやかな治療を目的として、 SF−2140物質
を注射剤とすることは、SF−2140物質が水に難溶
であるため、著しく困難となる。
従って、SF−2140物質を化学的に誘導して水に親
和性の高い物質ないし水溶性物質に変換し、溶液剤とし
て実用に供することができるようにすることが有利であ
る。また、 SF−2140物質を水溶性1 物質に
変換することは、簡便に均一溶液化するこ) とがで
き、作用機作の解明を始めとする様々の基t 礎研究
への利用価値も増大する。
和性の高い物質ないし水溶性物質に変換し、溶液剤とし
て実用に供することができるようにすることが有利であ
る。また、 SF−2140物質を水溶性1 物質に
変換することは、簡便に均一溶液化するこ) とがで
き、作用機作の解明を始めとする様々の基t 礎研究
への利用価値も増大する。
i・□
) (問題点を解明するための手段)上記の問題を解
明するため、本発明者らは、次1 式[工]: で示される SF−2140物質の化学構造について考
察を加え、 SF−2140物質の糖部位にある水酸基
にアミノ酸をエステル状に結合させ、次式[II ]
・(式中Xはメチレン基、エチリデン基、エチレン基
又はフェニルエチリデン基を表わす)で示される化合物
又はその酸付加塩である SF−2140物質誘導体に
誘導すれば、容易に水に可溶性とすることができ、かつ
、SF−2140物質の有する抗ウィルス活性を何ら損
なうことのないという事実を見い出し、本発明を完成し
た。
明するため、本発明者らは、次1 式[工]: で示される SF−2140物質の化学構造について考
察を加え、 SF−2140物質の糖部位にある水酸基
にアミノ酸をエステル状に結合させ、次式[II ]
・(式中Xはメチレン基、エチリデン基、エチレン基
又はフェニルエチリデン基を表わす)で示される化合物
又はその酸付加塩である SF−2140物質誘導体に
誘導すれば、容易に水に可溶性とすることができ、かつ
、SF−2140物質の有する抗ウィルス活性を何ら損
なうことのないという事実を見い出し、本発明を完成し
た。
すなわち、第1の本発明は、前記した式[I]の化学構
造式で示される化合物又はその酸付加塩である SF−
2140物質誘導体である。この酸付加塩の例としては
、塩#塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩;コハク酸塩
、フマル酸塩、酒石酸塩等の有機酸塩が挙げられる。ま
た、塩酸塩の型としては、通常、無色、非吸湿性粉末が
挙げられる。
造式で示される化合物又はその酸付加塩である SF−
2140物質誘導体である。この酸付加塩の例としては
、塩#塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩;コハク酸塩
、フマル酸塩、酒石酸塩等の有機酸塩が挙げられる。ま
た、塩酸塩の型としては、通常、無色、非吸湿性粉末が
挙げられる。
次に、本発明のSF−2140物質誘導体の有用性を具
体的に示すため、抗ウイルス試験及び毒性試験の結果を
以下に示す。
体的に示すため、抗ウイルス試験及び毒性試験の結果を
以下に示す。
4ウ ルス試wI
SF−2140物質誘導体(3−0−グリシルSF−2
140塩酸塩)(A)の RNAウィルス 3種、 D
NAウィルス 2種に対する抗ウィルス活性を調べた。
140塩酸塩)(A)の RNAウィルス 3種、 D
NAウィルス 2種に対する抗ウィルス活性を調べた。
(1) 供試ウィルス及び細胞株
a) インフルエンザウィルス
Influenza virus A/PR/8/34
5train・・・−・−Vero cell・・・
・・・・・・・・・HeLa S3 cell・・・
・・・・・・・・化−929celld) ワクシニア
ウィルス Vaccinia virus Li5ter 5tr
ain・−・・・−・−・・−Het、a S3 ce
ll・・・・・・・・・・・・Vero cella)
、 b) 、 c) : RNAウィルスd) 、
e) : DNAウィルス(11) 試験方法 ウィルス感染による細胞変性抑制法(CPE法)により
ウィルス増殖阻止活性を測定した。即ち、上記の各細胞
を IX 105cell/+文に調製し、96大のマ
イクロプレイドに0.1mu /well宛分注し、3
7°C148時間、C02卿卵器で培養後、PBS(−
)で細胞を 1回洗浄して、予め各細胞に対する(A)
の試料液+000 p−g/mJ1.500 g go
w!;L、 2504 g/ml。
5train・・・−・−Vero cell・・・
・・・・・・・・・HeLa S3 cell・・・
・・・・・・・・化−929celld) ワクシニア
ウィルス Vaccinia virus Li5ter 5tr
ain・−・・・−・−・・−Het、a S3 ce
ll・・・・・・・・・・・・Vero cella)
、 b) 、 c) : RNAウィルスd) 、
e) : DNAウィルス(11) 試験方法 ウィルス感染による細胞変性抑制法(CPE法)により
ウィルス増殖阻止活性を測定した。即ち、上記の各細胞
を IX 105cell/+文に調製し、96大のマ
イクロプレイドに0.1mu /well宛分注し、3
7°C148時間、C02卿卵器で培養後、PBS(−
)で細胞を 1回洗浄して、予め各細胞に対する(A)
の試料液+000 p−g/mJ1.500 g go
w!;L、 2504 g/ml。
(MEM FBS−2%に溶解)を0.05mA /w
ell宛分注後、ウィルスをにEM FBS−2%で希
釈して0..05mu/vell宛接種した。その後、
36℃のCO□卿卵器で培養5日間に亘り細胞変性効果
を位相差顕微鏡で観察し、それぞれのTCr056 /
mlを算出しウィルス対照群との差(Δ−1ogTCI
Dso/an )を測定した。
ell宛分注後、ウィルスをにEM FBS−2%で希
釈して0..05mu/vell宛接種した。その後、
36℃のCO□卿卵器で培養5日間に亘り細胞変性効果
を位相差顕微鏡で観察し、それぞれのTCr056 /
mlを算出しウィルス対照群との差(Δ−1ogTCI
Dso/an )を測定した。
(110試験結果
判定=a:Δ−1ogTcIDSo/aJ11.50<
a・・・著効 1.00≦a≦1.50・・・効果あり0.50≦a
< 1.00・・・やや効果あり以上の通り各ウィルス
について増殖阻止活性を測定したところインフルエンザ
ウィルス、 VSV、H3Vに対して著効を示した。又
、併せてNOVにも活性が認められ、 RNAウィルス
、 DNAウィルスに対して巾広く活性が認められた。
a・・・著効 1.00≦a≦1.50・・・効果あり0.50≦a
< 1.00・・・やや効果あり以上の通り各ウィルス
について増殖阻止活性を測定したところインフルエンザ
ウィルス、 VSV、H3Vに対して著効を示した。又
、併せてNOVにも活性が認められ、 RNAウィルス
、 DNAウィルスに対して巾広く活性が認められた。
1ウ ルス 2
(A)のインフルエンザウィルスに対する抗ウィルス活
性を調べた。
性を調べた。
〔1)供試ウィルス及び細胞株
a) インフルエンザウィルスA/PR/8/34(H
I旧)−・・MDCK cell (11) 試験方法 ウィルス感染によるプラグ形成抑制法(plaquer
eduction method)によりウィルス増殖
阻止活性を定量的に測定した。即ち、MOGK単層細胞
の増殖用培地を除きPBS(−)で洗浄した後、 1%
アルブミンを含むPBSで所要濃度に段階希釈したウィ
ルス液(moi=0.0001)をシャーレ 1枚当り
0.2mm接接し、34°CのC02インキュベータで
1時間吸着させた。次いで、所要濃度の薬剤を含む一
次重層寒天培地をシャーレ 1枚当り5LI+9.づつ
加えて34°CのC02インキュベータに静近培養し、
48時間後に二次重層寒天培地(プラグ染色用)を加え
、さらに24時間培養後、プラグを算定しウィルス対照
群を 0%とした時のプラク抑制率(%)を算出した。
I旧)−・・MDCK cell (11) 試験方法 ウィルス感染によるプラグ形成抑制法(plaquer
eduction method)によりウィルス増殖
阻止活性を定量的に測定した。即ち、MOGK単層細胞
の増殖用培地を除きPBS(−)で洗浄した後、 1%
アルブミンを含むPBSで所要濃度に段階希釈したウィ
ルス液(moi=0.0001)をシャーレ 1枚当り
0.2mm接接し、34°CのC02インキュベータで
1時間吸着させた。次いで、所要濃度の薬剤を含む一
次重層寒天培地をシャーレ 1枚当り5LI+9.づつ
加えて34°CのC02インキュベータに静近培養し、
48時間後に二次重層寒天培地(プラグ染色用)を加え
、さらに24時間培養後、プラグを算定しウィルス対照
群を 0%とした時のプラク抑制率(%)を算出した。
GiD 試験結果
以上の通りインフルエンザウィルス A/PR/8/3
4株に対するプラグ形成抑制活性を測定したところ投与
1度に比例した優れた活性値であった。
4株に対するプラグ形成抑制活性を測定したところ投与
1度に比例した優れた活性値であった。
j11ニス1j
(A)について急性毒性を調べたところ、その毒性値(
LDso)はマウスの経口投与(p、o、)で5000
B、/ kg以上を示した。この値は (A)が抗ウィ
ルス剤としてヒト及び動物に対して安全に使用し得るこ
とを示している。
LDso)はマウスの経口投与(p、o、)で5000
B、/ kg以上を示した。この値は (A)が抗ウィ
ルス剤としてヒト及び動物に対して安全に使用し得るこ
とを示している。
第2の本発明は、前記した式[I]で示されるSF−2
140物質に、次式[■] :HOOC−X−NH−Y
[III ](式中Xはメチレン
基、エチリデン基、エチレン基又はフェニルエチリデン
基を表わし、Yはアミノ基の保護基を表わす) で示される化合物又はその反応性誘導体を反応させて 次式: (式中X及びYは上に定義したとおりである)で示され
る化合物を得、得られたこの化合物を脱保護し、前記し
た式[11]で示される化合物又はその酸付加塩を形成
することを特徴とする SF−2140物質誘導体の製
造方法に関するものである。
140物質に、次式[■] :HOOC−X−NH−Y
[III ](式中Xはメチレン
基、エチリデン基、エチレン基又はフェニルエチリデン
基を表わし、Yはアミノ基の保護基を表わす) で示される化合物又はその反応性誘導体を反応させて 次式: (式中X及びYは上に定義したとおりである)で示され
る化合物を得、得られたこの化合物を脱保護し、前記し
た式[11]で示される化合物又はその酸付加塩を形成
することを特徴とする SF−2140物質誘導体の製
造方法に関するものである。
すなわち、本発明のSF−2140物質誘導体の製造方
法は、 SF−2140物質を、水酸基にN−保護ア
ミノ酸がエステル状に結合した中間化合物に変換するた
め、 SF−2140物質を不活性溶媒に溶解し、有機
塩基の存在下又は非存布下、アミン基を保護したN−保
護アミノ酸類を脱水縮合剤の存在下に反応させるか、あ
るいはN−保護アミノ酸の反応性誘導体を直接反応させ
るアシル化工程;ひき続き、保護基を脱離する脱保護工
程:ひき続き、常用の方法を適用して単離、生成する工
程の一連の工程から成るものである。
法は、 SF−2140物質を、水酸基にN−保護ア
ミノ酸がエステル状に結合した中間化合物に変換するた
め、 SF−2140物質を不活性溶媒に溶解し、有機
塩基の存在下又は非存布下、アミン基を保護したN−保
護アミノ酸類を脱水縮合剤の存在下に反応させるか、あ
るいはN−保護アミノ酸の反応性誘導体を直接反応させ
るアシル化工程;ひき続き、保護基を脱離する脱保護工
程:ひき続き、常用の方法を適用して単離、生成する工
程の一連の工程から成るものである。
本発明方法のアシル化工程に使用される SF−214
0物質は、前記した式[I]で示される化合物である。
0物質は、前記した式[I]で示される化合物である。
この化合物は、例えば、次のようにして製造することが
できる。
できる。
種菌としてアクチノマデユラ拳エスピー SF−214
0物質株(微工研、微生物受託番号 微工研寄 第57
04号)を用い、種培地として可溶性澱粉1.0%、グ
ルコース 1%、ヘフトン0.5%、肉エキス 0.2
%、酵母エキス 0.3%、微粉末大豆粉 0.2%、
炭酸カルシウム 0.2%の培地を用いた。種菌2〜3
白金耳をloo+11容三角フラスコ 20m文の上記
種培地に接種し、28°048時間培養した。得られた
種培養液をさらに500+sJL容三角フラスコ 80
mJ1の上記種培地に4mlずつ3本に接種し、28°
C24時間培養した。得られた種培養を5005IJl
容三角フラスコ50本の各生産培地80a+1に4mJ
lずつ接種した。生産培地組成は、グリセリン 1.5
%、グルコース 1.0%、微粉末大豆粉1.5%、酵
母エキス O21%、リン酸−水素カリウム0.1%、
硫酸マグネシウム0.1%、炭酸カルシウム0.2%、
塩化コバルト0.0001%(殺菌前pH7,0)であ
る。培養は28℃98時間振とう方式で行った。
0物質株(微工研、微生物受託番号 微工研寄 第57
04号)を用い、種培地として可溶性澱粉1.0%、グ
ルコース 1%、ヘフトン0.5%、肉エキス 0.2
%、酵母エキス 0.3%、微粉末大豆粉 0.2%、
炭酸カルシウム 0.2%の培地を用いた。種菌2〜3
白金耳をloo+11容三角フラスコ 20m文の上記
種培地に接種し、28°048時間培養した。得られた
種培養液をさらに500+sJL容三角フラスコ 80
mJ1の上記種培地に4mlずつ3本に接種し、28°
C24時間培養した。得られた種培養を5005IJl
容三角フラスコ50本の各生産培地80a+1に4mJ
lずつ接種した。生産培地組成は、グリセリン 1.5
%、グルコース 1.0%、微粉末大豆粉1.5%、酵
母エキス O21%、リン酸−水素カリウム0.1%、
硫酸マグネシウム0.1%、炭酸カルシウム0.2%、
塩化コバルト0.0001%(殺菌前pH7,0)であ
る。培養は28℃98時間振とう方式で行った。
培養終了後、ケイソウ土を助剤に用いて濾過し、培五枦
液362文を得た。
液362文を得た。
この培養液3.2文をダイヤイオン)IP−20[商品
名、三菱化成株製] 300a+fLの塔に通し有効成
分を吸着させた。水 1fL及び20%メタノール11
で塔を洗った後、80%メタノールで有効成分を溶離さ
せた。溶離液を50!1文ずつ分画し、SF−2140
物質を含有するフラクションを集め、減圧下で濃縮し、
メタノールを除去した。この濃縮液に酢酸エチル300
+oQ及び炭酸水素ナトリウム溶液を加え抽出した。酢
酸エチル層を分液し、水洗した後、無水硫酸マグネシウ
ムを加えて乾燥した。乾燥剤を7濾過して除き、炉液を
を濃縮すると粉末状物質が析出したので戸数した。粉末
状の粗製物をメタノールから再結晶して、SF−214
0物質の純結晶】、5gを得た。
名、三菱化成株製] 300a+fLの塔に通し有効成
分を吸着させた。水 1fL及び20%メタノール11
で塔を洗った後、80%メタノールで有効成分を溶離さ
せた。溶離液を50!1文ずつ分画し、SF−2140
物質を含有するフラクションを集め、減圧下で濃縮し、
メタノールを除去した。この濃縮液に酢酸エチル300
+oQ及び炭酸水素ナトリウム溶液を加え抽出した。酢
酸エチル層を分液し、水洗した後、無水硫酸マグネシウ
ムを加えて乾燥した。乾燥剤を7濾過して除き、炉液を
を濃縮すると粉末状物質が析出したので戸数した。粉末
状の粗製物をメタノールから再結晶して、SF−214
0物質の純結晶】、5gを得た。
mp: 174〜178℃
本発明方法のアシル化工程に使用される前記した式[I
II]で示される化合物において、式中、アミン基の保
護基とは、エステル結合を効率良く生成させるため、そ
のアミン基を予め保護しておく必要があるが、SF−2
140物質がそれ自身、加水分解されやすい部分構造と
してヌクレオシド部位及びエステルノyを有するため、
脱保護反応を行う際に、それら部位に化学的変化を及ぼ
さない化学的方法がとりうる保護基であれば格別限定さ
れない。一般にアミノ酸のアミン基の保護基としては、
ベンジルオキシカルボニル ボニル基,アセチル基、ベンゾイル基,フタロイル基、
シック塩基等が挙げられるが、上記理由によりこれらの
保護基の中でも、接触還元により。
II]で示される化合物において、式中、アミン基の保
護基とは、エステル結合を効率良く生成させるため、そ
のアミン基を予め保護しておく必要があるが、SF−2
140物質がそれ自身、加水分解されやすい部分構造と
してヌクレオシド部位及びエステルノyを有するため、
脱保護反応を行う際に、それら部位に化学的変化を及ぼ
さない化学的方法がとりうる保護基であれば格別限定さ
れない。一般にアミノ酸のアミン基の保護基としては、
ベンジルオキシカルボニル ボニル基,アセチル基、ベンゾイル基,フタロイル基、
シック塩基等が挙げられるが、上記理由によりこれらの
保護基の中でも、接触還元により。
容易に除去できる置換又は非置換のベンジルオキシカル
ボニル保護基が選択され、例えば、酸、アルカリ等によ
る分解、除去が必要な7シル保護基、アルコキシカルボ
ニル保護基等は実用性に乏しい.また、反応性誘導体と
しては、例えば、クロルギ酸エステルと前記した式[
II ]で示される化合物との混合酸無水物、N−ヒド
ロキシコハク酸イミドと前記した式[ II ]で示さ
れる化合物とのエステル、N−ヒドロキシベンズトリア
ゾールと式In]の化合物のエステルが挙げられる。こ
れらの反応性誘導体の中でも、N−ヒドロキシコハク酸
イミドとの活性エステルが好ましい。
ボニル保護基が選択され、例えば、酸、アルカリ等によ
る分解、除去が必要な7シル保護基、アルコキシカルボ
ニル保護基等は実用性に乏しい.また、反応性誘導体と
しては、例えば、クロルギ酸エステルと前記した式[
II ]で示される化合物との混合酸無水物、N−ヒド
ロキシコハク酸イミドと前記した式[ II ]で示さ
れる化合物とのエステル、N−ヒドロキシベンズトリア
ゾールと式In]の化合物のエステルが挙げられる。こ
れらの反応性誘導体の中でも、N−ヒドロキシコハク酸
イミドとの活性エステルが好ましい。
アシル化工程における不活性溶媒の例としては、出発原
料である SF−2140物質及び前記した式[11]
で示される化合物を良く溶解するものであれば格別限定
されず,例えばピリジン、ジメチルホルムアミド、ジオ
キサン、テトラヒドロフランが挙げられ、好ましくはピ
リジンである.また、使用する有機塩基としては、それ
自身アシル化反応を受けない有機塩基類であれば格別限
定されず,例えば、トリエチルアミンが挙げられる。
料である SF−2140物質及び前記した式[11]
で示される化合物を良く溶解するものであれば格別限定
されず,例えばピリジン、ジメチルホルムアミド、ジオ
キサン、テトラヒドロフランが挙げられ、好ましくはピ
リジンである.また、使用する有機塩基としては、それ
自身アシル化反応を受けない有機塩基類であれば格別限
定されず,例えば、トリエチルアミンが挙げられる。
脱水縮合剤の存在下に行なうアシル化反応は、通常、
5〜40°Cで2〜48時間である.この範囲を外れる
場合、例えば低温短時間では反応が極めておそ〈、また
高温下の反応ではSF−2140物質の分解を伴い、望
ましくない.好ましくは20〜25℃で 4〜48時間
である。また、出発原料の使用量は,通常、 SF−2
140物質 1当量に対してN−保護アミノ酸 1.0
〜1.5当量である。この範囲を外れる場合には、ジア
シル誘導体を多く生成し、望ましくない。好ましくは
1.0〜1.1当量である。さらにまた、脱水縮合剤は
、一般に知られているものであれば格別限定されず、例
えば、ジシクロへキシルカルボジイミドが挙げられる。
5〜40°Cで2〜48時間である.この範囲を外れる
場合、例えば低温短時間では反応が極めておそ〈、また
高温下の反応ではSF−2140物質の分解を伴い、望
ましくない.好ましくは20〜25℃で 4〜48時間
である。また、出発原料の使用量は,通常、 SF−2
140物質 1当量に対してN−保護アミノ酸 1.0
〜1.5当量である。この範囲を外れる場合には、ジア
シル誘導体を多く生成し、望ましくない。好ましくは
1.0〜1.1当量である。さらにまた、脱水縮合剤は
、一般に知られているものであれば格別限定されず、例
えば、ジシクロへキシルカルボジイミドが挙げられる。
また、直接反応により行なうアシル化工程は、通常、2
0〜70℃で6〜48時間、好ましくは20〜25℃で
6〜17時間である。
0〜70℃で6〜48時間、好ましくは20〜25℃で
6〜17時間である。
本発明方法の脱保護工程は、上記工程により得られた前
記した式[rV]で示される化合物から保護基を脱離す
る工程である.ここで、脱離反応に □適用される方
法は、一般に知られている方法であれば格別限定されず
、例えば、アルコール溶媒中、パラジウムの存在下に行
う接触還元時間が挙 □げられる。接触還元反応に際
して、例えば高温、高圧下の条件は必須ではなく、常温
、常圧の水素気流中で容易に反応を行うこともできるが
、より速やかな反応を行うためには加温,加圧してもよ
い。接触還元時間は、通常、 0.5〜4.0時間であ
□る。
記した式[rV]で示される化合物から保護基を脱離す
る工程である.ここで、脱離反応に □適用される方
法は、一般に知られている方法であれば格別限定されず
、例えば、アルコール溶媒中、パラジウムの存在下に行
う接触還元時間が挙 □げられる。接触還元反応に際
して、例えば高温、高圧下の条件は必須ではなく、常温
、常圧の水素気流中で容易に反応を行うこともできるが
、より速やかな反応を行うためには加温,加圧してもよ
い。接触還元時間は、通常、 0.5〜4.0時間であ
□る。
本発明方法の単離・精製工程は、上記の工程により得ら
れた前記した式[II]の化合物が、そのvi離となっ
たアミン基のため、塩基性を呈し、特にエステル部位が
加水分解を受けやすく、このため単離・精製は酸付加塩
として行うのが望ましい。使用される酸としては、例え
ば、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、クエン酸、コハク
酸等の有機酸が挙げられる。なお、一般に、脱保護反応
の開始時に予め等モル量の酸を添加しておくことで、加
水分解を最少限に止めることができる。かくして得られ
た前記した式[II ]の化合物の酸付加塩は、反応液
中から濾過、濃縮、カラムクロマトグラフィー等の精製
方法により精製され、塩酸塩の場合を例にあげれば、通
常、凍結乾燥により無色の非吸湿性粉末として単離され
る。
れた前記した式[II]の化合物が、そのvi離となっ
たアミン基のため、塩基性を呈し、特にエステル部位が
加水分解を受けやすく、このため単離・精製は酸付加塩
として行うのが望ましい。使用される酸としては、例え
ば、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、クエン酸、コハク
酸等の有機酸が挙げられる。なお、一般に、脱保護反応
の開始時に予め等モル量の酸を添加しておくことで、加
水分解を最少限に止めることができる。かくして得られ
た前記した式[II ]の化合物の酸付加塩は、反応液
中から濾過、濃縮、カラムクロマトグラフィー等の精製
方法により精製され、塩酸塩の場合を例にあげれば、通
常、凍結乾燥により無色の非吸湿性粉末として単離され
る。
(発明の効果)
本発明SF−2140物質誘導体は、著しく水溶性であ
り、 SF−2140物質に比べて抗ウィルス薬として
の有用性が大幅に改善された。
り、 SF−2140物質に比べて抗ウィルス薬として
の有用性が大幅に改善された。
1立1」
3°−0−グリシルSF−2140
SF−2140物質2.0Og(5,58ミリモル)を
乾燥ピリジン20m文に溶解し、N−カルボベンジルオ
キシグリシン1.28g(6,12ミリモル)及びジシ
クロへキシルカルボジイミド3.443(lB、7ミリ
モル)を加え、20〜25°Cで5時間反応させた。反
応液を減圧濃縮し、油状の残留物に酢酸エチル100m
L;L及び水50 m文を加え溶解し、更に少量の酢酸
を加えて水層のpHを 4〜5としたのち17時間かき
まぜた。混合物を濾過して不溶物を除き、更に酢酸エチ
ル層を分離した。酢酸エチル溶液を水洗した後、無水硫
酸ナトリウムを加えて乾燥し、更に乾燥剤を濾過して除
いた。酢酸エチル溶液を減圧下に濃縮して得た泡状物質
をシリカゲル130gを用いたカラムクロマトグラフィ
ー(溶媒系:トルエンー酢酸エチル 1対1比)で精製
し、3’−0−(N−カルボベンジルオキシグリシル)
SF−21403,0?gを得た。ついでこのN=保護
グリシンエステル3.07gをメタノール85m1に溶
解し、−規定塩酸8.0m文及び10%パラジウム炭素
1.5gを加え、 2気圧の水素加圧下にて 1時間接
触量元して脱力ルポベンジルオ羊シ化を行なった。反応
液からパラジウム炭素を枦去し、炉液に一規定塩酸を加
えてPH4,0に調整した後、減圧濃縮してメタノール
を除いた。残留した溶液をセファデックス LH−20
(φ3hmX800mm)のカラムにかけ、水で展開し
、ニンヒドリン反応陽性で、かつ260nmに紫外部吸
収を示す両分を単離した( 180mJL )。この両
分を更に凍結乾燥して無色無晶系の粉末として3°−〇
−グリシルSF−21401,03gを得た(収率40
.9%)。
乾燥ピリジン20m文に溶解し、N−カルボベンジルオ
キシグリシン1.28g(6,12ミリモル)及びジシ
クロへキシルカルボジイミド3.443(lB、7ミリ
モル)を加え、20〜25°Cで5時間反応させた。反
応液を減圧濃縮し、油状の残留物に酢酸エチル100m
L;L及び水50 m文を加え溶解し、更に少量の酢酸
を加えて水層のpHを 4〜5としたのち17時間かき
まぜた。混合物を濾過して不溶物を除き、更に酢酸エチ
ル層を分離した。酢酸エチル溶液を水洗した後、無水硫
酸ナトリウムを加えて乾燥し、更に乾燥剤を濾過して除
いた。酢酸エチル溶液を減圧下に濃縮して得た泡状物質
をシリカゲル130gを用いたカラムクロマトグラフィ
ー(溶媒系:トルエンー酢酸エチル 1対1比)で精製
し、3’−0−(N−カルボベンジルオキシグリシル)
SF−21403,0?gを得た。ついでこのN=保護
グリシンエステル3.07gをメタノール85m1に溶
解し、−規定塩酸8.0m文及び10%パラジウム炭素
1.5gを加え、 2気圧の水素加圧下にて 1時間接
触量元して脱力ルポベンジルオ羊シ化を行なった。反応
液からパラジウム炭素を枦去し、炉液に一規定塩酸を加
えてPH4,0に調整した後、減圧濃縮してメタノール
を除いた。残留した溶液をセファデックス LH−20
(φ3hmX800mm)のカラムにかけ、水で展開し
、ニンヒドリン反応陽性で、かつ260nmに紫外部吸
収を示す両分を単離した( 180mJL )。この両
分を更に凍結乾燥して無色無晶系の粉末として3°−〇
−グリシルSF−21401,03gを得た(収率40
.9%)。
[α]D +32.8℃(C=1、メタノール)。Rf
値0.44[シリカゲルを用いた薄層クロマトグラフィ
ー(TLC) 、溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:1
:I] 。
値0.44[シリカゲルを用いた薄層クロマトグラフィ
ー(TLC) 、溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:1
:I] 。
’H−NMR(020) : (δ、PPff1) 2
.51(1)1)、 2.72(1)1)。
.51(1)1)、 2.72(1)1)。
3.90(2H)、 3.95(38)、 3.98(
3H)、 4.13(2)1)、 4.51(IH)、
4.78(IM)、 5.68(IH)、 6.13
(l)I)、 6.81(IH)。
3H)、 4.13(2)1)、 4.51(IH)、
4.78(IM)、 5.68(IH)、 6.13
(l)I)、 6.81(IH)。
733〜7.45(3H)。
SF−2140物質 540mg(1,5ミリモル)を
乾燥ピリジン 10m1に溶解し、N−カルボベンジル
オキシ−ローアラニン388mg(1,135ミリモル
)及びジシクロへキシルカルボジイミド1240mg(
6ミリモル)を加え、20〜25°Cで28時間反応さ
せた。反応液を濃縮し、残留物に水15mM 、酢酸エ
チル15mJ1を加えて溶解し、0.5mMの酢酸を加
えて14時間かきまぜた。不溶物を濾過して除き、更に
分液して得た酢酸エチル溶液を水洗、乾燥後減圧下に濃
縮して得た残留物をシリカゲル90gを用いたカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒系、トルエン−酢酸エチル
3:1)で精製して、3°−0−(N−カルボベンジ
ルオキシ−〇−アラニル)SF−2140510mgを
得た(収率6.02%)。この物質をさらにメタノール
101!1文に溶解し、−規定塩酸0.9m文及び10
%パラジウム炭素200mgを加え、常圧下に接触ぶ元
を行ないカルボベンジルオキシ基を除去した。反応液を
濾過して触媒を除き、炉液に一規定塩酸を加えてpH4
に調整したのち、メタノールを減圧下に除いた。残留し
た溶液をセファデフクス LH−20のカラムに吸着し
、更に水で溶出し、溶出液を5mMづつ分画した。実施
例1と同様にして[1−アラニンエステルの分画を検出
して合併しく計30 m文)、凍結乾燥して無色粉末状
の3°−0−D−アラニルSF−2140塩酸塩143
mgを得た(収率20,8%)、[α][l÷38.2
℃(C=0.5 メタノール)。Rf値 0.48(
シリカゲルTLC、溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:
I:1比)。’l−1−NMR(020) ;(δpp
層)1、f32(3H)、 2.58(IH)、 2゜
70(IH)、 3.93(3H)、 3.97C3H
)、 4.12(2H)、 4.33(IH)、 4.
52(IH)、 4.77(IH)、 5.68(IH
)、 8.14(IH)、 8.80(IH)、 7.
32〜7.44(3H)。
乾燥ピリジン 10m1に溶解し、N−カルボベンジル
オキシ−ローアラニン388mg(1,135ミリモル
)及びジシクロへキシルカルボジイミド1240mg(
6ミリモル)を加え、20〜25°Cで28時間反応さ
せた。反応液を濃縮し、残留物に水15mM 、酢酸エ
チル15mJ1を加えて溶解し、0.5mMの酢酸を加
えて14時間かきまぜた。不溶物を濾過して除き、更に
分液して得た酢酸エチル溶液を水洗、乾燥後減圧下に濃
縮して得た残留物をシリカゲル90gを用いたカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒系、トルエン−酢酸エチル
3:1)で精製して、3°−0−(N−カルボベンジ
ルオキシ−〇−アラニル)SF−2140510mgを
得た(収率6.02%)。この物質をさらにメタノール
101!1文に溶解し、−規定塩酸0.9m文及び10
%パラジウム炭素200mgを加え、常圧下に接触ぶ元
を行ないカルボベンジルオキシ基を除去した。反応液を
濾過して触媒を除き、炉液に一規定塩酸を加えてpH4
に調整したのち、メタノールを減圧下に除いた。残留し
た溶液をセファデフクス LH−20のカラムに吸着し
、更に水で溶出し、溶出液を5mMづつ分画した。実施
例1と同様にして[1−アラニンエステルの分画を検出
して合併しく計30 m文)、凍結乾燥して無色粉末状
の3°−0−D−アラニルSF−2140塩酸塩143
mgを得た(収率20,8%)、[α][l÷38.2
℃(C=0.5 メタノール)。Rf値 0.48(
シリカゲルTLC、溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:
I:1比)。’l−1−NMR(020) ;(δpp
層)1、f32(3H)、 2.58(IH)、 2゜
70(IH)、 3.93(3H)、 3.97C3H
)、 4.12(2H)、 4.33(IH)、 4.
52(IH)、 4.77(IH)、 5.68(IH
)、 8.14(IH)、 8.80(IH)、 7.
32〜7.44(3H)。
支呈涜」
3°−0−L−アラニルSF−214ON−保護アミノ
酸としてN−カルボベンジルオキシ−し−アラニン38
8mg(1,85ミリモル)を使用した他は実施例2と
同様にしてSF−2140物質をアシル化し、次いで脱
保護、精製して3°−0−L−アラニルSF−2140
塩酸塩95Bを得た。[αlp +31.0℃(C=0
.5 メタノール)。Rf値 0.413(シリカゲ
ルτLC1溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:1: l
) ’H−NMR(020) ; (δppm)
1.88(3H)、 2.55(IH)。
酸としてN−カルボベンジルオキシ−し−アラニン38
8mg(1,85ミリモル)を使用した他は実施例2と
同様にしてSF−2140物質をアシル化し、次いで脱
保護、精製して3°−0−L−アラニルSF−2140
塩酸塩95Bを得た。[αlp +31.0℃(C=0
.5 メタノール)。Rf値 0.413(シリカゲ
ルτLC1溶媒系;ブタノール−酢酸−水4:1: l
) ’H−NMR(020) ; (δppm)
1.88(3H)、 2.55(IH)。
2.68(IH)、 3 タ4(3H)、 3.
97(3H)、 4.13(2H)、 4.2!(
IH)、 4.53(IH)、 4.78(IH)、
5.71(IH)、 6.15(IH)。
97(3H)、 4.13(2H)、 4.2!(
IH)、 4.53(IH)、 4.78(IH)、
5.71(IH)、 6.15(IH)。
6.80(l)l)、7.30〜7.45(3H)。
SF−2140物質540mg(1,5ミリモル)を乾
燥ピリジン 10mJ1に溶解し、N−カルボベンジル
オキシ−β−アラニン3f1mg(1,85ミリモル)
及びジシクロヘキシルカルボジイミド え、20〜25°Cで28時間反応させた。反応液を濃
縮し,残留物に水 15m文、酢酸エチル 1501文
及び0、5II1文の酢酸を加えて17時間かきまぜた
のち濾過した。炉液より酢酸チル層を分液し、水洗、乾
燥後,減圧濃縮して得た無色泡状物質をシリカゲル?O
gを用いたカラムクロマトグラフィー(溶媒系;トルエ
ン−酢酸エチル3:1)で精製して3’−0−(N−カ
ルボベンジルオキシ−β−アラニル)SF−2140
208mgを得た(収率24.3%)。この物質をメタ
ノール 10m文に溶解し、−規定塩酸0、4m文及び
10%パラジウム炭素100II1gを加え、常圧下に
接触還元してカルボペンシルオキシ基を除去した。反応
液を濾過して触媒を除き炉液を減圧濃縮してメタノール
を除き、残留した溶液をセファデックスLH−20を用
いたカラムクロマトグラフィーで精製し、実施例1と同
様にしてアミノ酸エステル化合物を検出し、分画して凍
結乾燥後。
燥ピリジン 10mJ1に溶解し、N−カルボベンジル
オキシ−β−アラニン3f1mg(1,85ミリモル)
及びジシクロヘキシルカルボジイミド え、20〜25°Cで28時間反応させた。反応液を濃
縮し,残留物に水 15m文、酢酸エチル 1501文
及び0、5II1文の酢酸を加えて17時間かきまぜた
のち濾過した。炉液より酢酸チル層を分液し、水洗、乾
燥後,減圧濃縮して得た無色泡状物質をシリカゲル?O
gを用いたカラムクロマトグラフィー(溶媒系;トルエ
ン−酢酸エチル3:1)で精製して3’−0−(N−カ
ルボベンジルオキシ−β−アラニル)SF−2140
208mgを得た(収率24.3%)。この物質をメタ
ノール 10m文に溶解し、−規定塩酸0、4m文及び
10%パラジウム炭素100II1gを加え、常圧下に
接触還元してカルボペンシルオキシ基を除去した。反応
液を濾過して触媒を除き炉液を減圧濃縮してメタノール
を除き、残留した溶液をセファデックスLH−20を用
いたカラムクロマトグラフィーで精製し、実施例1と同
様にしてアミノ酸エステル化合物を検出し、分画して凍
結乾燥後。
無色粉末状の3°−0−βーアラニルSF−2140
134mgを得た(収率9.6%)。 [αID÷40
,4°C(C・0.5メタノール)。Rf値 0.43
(シリカゲルTLC: 、溶媒系;ブタノール−酢酸−
水 4:1:1) IH −NMR(020);( δ
ppm) 2.42 〜2.98(4H)、 3.3
5(2H)。
134mgを得た(収率9.6%)。 [αID÷40
,4°C(C・0.5メタノール)。Rf値 0.43
(シリカゲルTLC: 、溶媒系;ブタノール−酢酸−
水 4:1:1) IH −NMR(020);( δ
ppm) 2.42 〜2.98(4H)、 3.3
5(2H)。
3、94(3H)、 3.!38(31()、 4.1
3(2)1)、 4.48(1)1)、 4.78(I
H)、 5.58(IH)、 6.15(IH)、 E
l.80(1)1)、 7.32〜7、45(3H)。
3(2)1)、 4.48(1)1)、 4.78(I
H)、 5.58(IH)、 6.15(IH)、 E
l.80(1)1)、 7.32〜7、45(3H)。
SF−2140物質 540mg(1.5ミリモル)を
乾燥ピリジン 10II1Mに溶解し、N−カルボベン
ジルオキシ−し−フェニルアラニン493mg(1.6
5ミリモル)及びジシクロへキシルカルボジイミド12
40mg(8ミリモル)を加え、20〜25℃で28時
間反応させた。反応液を濃縮し、残留物に酢酸エチル
15mM 、水15 trl及び0.5mJljの酢酸
を加えて15時間かきまぜたのち、不溶物を濾過して除
き、炉液より酢酸エチル層を分液した.酢酸エチル溶液
を水洗、乾燥後、減圧e縮して得た泡状物質をシリカゲ
ル90g ヲ用いたカラムクロマトグラフィー(溶媒系
;トルエン−酢酸エチル3:1)で精製し。
乾燥ピリジン 10II1Mに溶解し、N−カルボベン
ジルオキシ−し−フェニルアラニン493mg(1.6
5ミリモル)及びジシクロへキシルカルボジイミド12
40mg(8ミリモル)を加え、20〜25℃で28時
間反応させた。反応液を濃縮し、残留物に酢酸エチル
15mM 、水15 trl及び0.5mJljの酢酸
を加えて15時間かきまぜたのち、不溶物を濾過して除
き、炉液より酢酸エチル層を分液した.酢酸エチル溶液
を水洗、乾燥後、減圧e縮して得た泡状物質をシリカゲ
ル90g ヲ用いたカラムクロマトグラフィー(溶媒系
;トルエン−酢酸エチル3:1)で精製し。
3°−0− (N−カルボベンジルオキシフェニルアラ
ニル)SF−2140 4:18Bを得た(収率44.
5%)。この物質をメタノール lo+1に溶解し、−
規定塩酸0、1m文及び10%パラジウム炭素150m
gを加え、 1気圧の水素気流下で40分間還元してカ
ルボベンジルオキシ基を除去した。反応液を濾過して触
媒を除き、炉液に一規定塩酸を加えてpH5としてから
減圧e1iiuて、3’−(1−L−フェニルアラニル
SF−2140 200mgを得た(収率25.1%)
。 (a ]0 +27.OoC(C=0.5メタノー
ル)。Rf値0.51(シリカゲルT1.C、溶媒系;
ブタノール−酢酸−水4:l:1) ’H−NMR(0
20);(δppm) 2.52(LH)、 2.6
7(IH)、 3.31(2H)。
ニル)SF−2140 4:18Bを得た(収率44.
5%)。この物質をメタノール lo+1に溶解し、−
規定塩酸0、1m文及び10%パラジウム炭素150m
gを加え、 1気圧の水素気流下で40分間還元してカ
ルボベンジルオキシ基を除去した。反応液を濾過して触
媒を除き、炉液に一規定塩酸を加えてpH5としてから
減圧e1iiuて、3’−(1−L−フェニルアラニル
SF−2140 200mgを得た(収率25.1%)
。 (a ]0 +27.OoC(C=0.5メタノー
ル)。Rf値0.51(シリカゲルT1.C、溶媒系;
ブタノール−酢酸−水4:l:1) ’H−NMR(0
20);(δppm) 2.52(LH)、 2.6
7(IH)、 3.31(2H)。
3.88(3)1)、3.94(3H)、4.11(2
H)、4.36(IH)、4.54(+8)、 4.
74(1)1)、 5.73(IH)、 5.95
(IH)、 8.74(IH)。
H)、4.36(IH)、4.54(+8)、 4.
74(1)1)、 5.73(IH)、 5.95
(IH)、 8.74(IH)。
7.08〜7.46(8H)。
SF−2140物質180mg (0,5ミリモル)を
乾燥したジメチルホルムアミド10−に溶解し、N−カ
ルボベンジルオキシグリシン拳サクシミドエステル23
0mg(0,75ミリモル)及びカリウム七−ブトキシ
ド89mg (0,75ミルモル)を加え、20〜25
℃で17時間かきまぜた0反応液に酢酸エチル loO
+J 、及び水50−を加え抽出し、酢酸エチル層を分
液、水洗ののち、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥し
た。酢酸エチル溶液を濃縮して得た油状の残留物をシリ
カゲル40gを用いたカラムクロマトグラフィー (溶
媒系: トルエン−酢酸エチル1:1)で精製して3’
−0−(N−カルボベンジルオキシグリシル) SF−
2140119mgを無色固体として得た (収率48
%)。
乾燥したジメチルホルムアミド10−に溶解し、N−カ
ルボベンジルオキシグリシン拳サクシミドエステル23
0mg(0,75ミリモル)及びカリウム七−ブトキシ
ド89mg (0,75ミルモル)を加え、20〜25
℃で17時間かきまぜた0反応液に酢酸エチル loO
+J 、及び水50−を加え抽出し、酢酸エチル層を分
液、水洗ののち、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥し
た。酢酸エチル溶液を濃縮して得た油状の残留物をシリ
カゲル40gを用いたカラムクロマトグラフィー (溶
媒系: トルエン−酢酸エチル1:1)で精製して3’
−0−(N−カルボベンジルオキシグリシル) SF−
2140119mgを無色固体として得た (収率48
%)。
木物質をメタノール20−に溶解し、 l規定塩酸 0
.24及び10%パラジウム炭素触媒200+gを加え
、常圧の水素存在下接触還元して脱カルボベンジルオキ
シ化を行なった。反応液を濾過してパラジウム炭素触媒
を除き、炉液を減圧濃縮して得た溶液を実施例1と同様
にしてセファデックスLH−20カラムで精製し、グリ
シンエステル含有フラクションを分画したのち凍結乾燥
を行なって3°−0−グリシルSF−2140塩酸塩3
9Bを得た(収率17%)。
.24及び10%パラジウム炭素触媒200+gを加え
、常圧の水素存在下接触還元して脱カルボベンジルオキ
シ化を行なった。反応液を濾過してパラジウム炭素触媒
を除き、炉液を減圧濃縮して得た溶液を実施例1と同様
にしてセファデックスLH−20カラムで精製し、グリ
シンエステル含有フラクションを分画したのち凍結乾燥
を行なって3°−0−グリシルSF−2140塩酸塩3
9Bを得た(収率17%)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xはメチレン基、エチリデン基、エチレン基又は
フェニルエチリデン基を表わす) で示される化合物又はその酸付加塩であるSF−214
0物質誘導体。 2、Xがメチレン基を表わし、塩酸塩たる特許請求の範
囲第1項記載のSF−2140物質誘導体。 3、Xがエチリデン基を表わし、塩酸塩たる特許請求の
範囲第1項記載のSF−2140物質誘導体。 4、Xがエチレン基を表わし、塩酸塩たる特許請求の範
囲第1項記載のSF−2140物質誘導体。 5、Xがフェニルエチリデン基を表わし、塩酸塩たる特
許請求の範囲第1項記載のSF−2140物質誘導体。 6、次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるSF−2140物質に、 次式: HOOC−X−NH−Y (式中Xはメチレン基、エチリデン基、エチレン基又は
フェニルエチリデン基を表わし、Yはアミノ基の保護基
を表わす) で示される化合物又はその反応性誘導体を反応させて 次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中X及びYは上に定義したとおりであ る) で示される化合物を得、得られたこの化合物を脱保護し
、 次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは上に定義したとおりである) で示される化合物又はその酸付加塩を形成することを特
徴とするSF−2140物質誘導体の製造方法。 7、Yがベンジルオキシカルボニル基である特許請求の
範囲第6項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60195966A JPS6289693A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Sf−2140物質誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60195966A JPS6289693A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Sf−2140物質誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6289693A true JPS6289693A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=16349949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60195966A Pending JPS6289693A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | Sf−2140物質誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6289693A (ja) |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60195966A patent/JPS6289693A/ja active Pending
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