JPS6289332A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6289332A JPS6289332A JP23161385A JP23161385A JPS6289332A JP S6289332 A JPS6289332 A JP S6289332A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP S6289332 A JPS6289332 A JP S6289332A
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- Japan
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- gas
- layer
- etching
- dry etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本孤明は、ドライエツチング方法に関し、特に、Ａｕ層
を反応性イオンエツチングするだめのドライエツチング
方法に関する。
を反応性イオンエツチングするだめのドライエツチング
方法に関する。
Ａｕ層を加工する場合、従来の技術としては、イオンミ
リング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知
られている。このような従来のＡｕ層の加工方法に“つ
いて説明する。
リング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知
られている。このような従来のＡｕ層の加工方法に“つ
いて説明する。
まず、第２図（ａ）のように基板１上にＡｕ層２を蒸着
法スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。
法スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。
さらにそのＡｕ膜２の上に有機膜３を選択的に形成する
。次に、第２図（ｂ）のようにイオンミリング法を用い
て、有機膜３をマスクにＡｕ層２をエツチングして行く
。エツチングが終了した状態を第２図（Ｃ）に示す。次
に第２図（ｄ）のように前記有機膜３を０２プラズマ処
理又は有機洗浄などを行ない除去する。
。次に、第２図（ｂ）のようにイオンミリング法を用い
て、有機膜３をマスクにＡｕ層２をエツチングして行く
。エツチングが終了した状態を第２図（Ｃ）に示す。次
に第２図（ｄ）のように前記有機膜３を０２プラズマ処
理又は有機洗浄などを行ない除去する。
上述した従来のイオンＳ ＩＪング法は、第２図（ｂ）
に示すように加工途中に除去されたＡｕ層がマスク材で
ある有機膜３の側壁に付着５して行くため、マスク材と
同一の形状が得られない。しだがってマスク寸法４に対
してＡｕ層寸法６は太くなり微細化できない。又、除去
されたＡｕ層が別の部分に付着して特性不良及び外観不
良を誘発する。さらに、従来の反応性イオンマツチング
法でＡｕ層を加工する場合、陰極降下電圧が５００ｖ以
上のような比較的高い領域を用いるためマスク材とじて
有機膜を使用することができなかった。
に示すように加工途中に除去されたＡｕ層がマスク材で
ある有機膜３の側壁に付着５して行くため、マスク材と
同一の形状が得られない。しだがってマスク寸法４に対
してＡｕ層寸法６は太くなり微細化できない。又、除去
されたＡｕ層が別の部分に付着して特性不良及び外観不
良を誘発する。さらに、従来の反応性イオンマツチング
法でＡｕ層を加工する場合、陰極降下電圧が５００ｖ以
上のような比較的高い領域を用いるためマスク材とじて
有機膜を使用することができなかった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、Ａｕ層の反応性イ
オンマツチングに於いて再付着の発生しない有機膜をも
マスクとして用いるととができる、ドライエツチング方
法を提供することである。
オンマツチングに於いて再付着の発生しない有機膜をも
マスクとして用いるととができる、ドライエツチング方
法を提供することである。
本発明によれば、エツチングガスとして、塩素系ガスを
主成分として用い、弗素系ガスを添加すると同時に陰極
電圧を５００ｖ以下になるように設定することにより、
Ａｕ膜を反応性イオンエツチングするととを有している
。
主成分として用い、弗素系ガスを添加すると同時に陰極
電圧を５００ｖ以下になるように設定することにより、
Ａｕ膜を反応性イオンエツチングするととを有している
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
まず第１図（ａ）のように基板１上にＡｕ層２を蒸着法
、スパッタ法又はメッキ法などで形成する。さらに有機
膜３を選択的に形成する。次に、第１図（ｂ）のように
反応性イオンエツチング装置を用いて、例えばマグネト
ロン型反応性イオンエツチング装置を用いて、エツチン
グ室内の一方の電極上に前記試料を配置し、ＣＣｔ２Ｆ
ｚエツチングガスを導入すると共に各電極間に高周波電
圧を印加する。この時に第３図に示すように高周波電力
を１００Ｗとして陰極電圧を５０Ｖ程度にすることによ
りＡｕ膜のエツチング速度が速くなり、有機膜のエツチ
ング速度が遅くなるため選択比（Ａｕ／有機膜）を３．
５倍となる。
、スパッタ法又はメッキ法などで形成する。さらに有機
膜３を選択的に形成する。次に、第１図（ｂ）のように
反応性イオンエツチング装置を用いて、例えばマグネト
ロン型反応性イオンエツチング装置を用いて、エツチン
グ室内の一方の電極上に前記試料を配置し、ＣＣｔ２Ｆ
ｚエツチングガスを導入すると共に各電極間に高周波電
圧を印加する。この時に第３図に示すように高周波電力
を１００Ｗとして陰極電圧を５０Ｖ程度にすることによ
りＡｕ膜のエツチング速度が速くなり、有機膜のエツチ
ング速度が遅くなるため選択比（Ａｕ／有機膜）を３．
５倍となる。
このような条件で反応性イオンエツチングすることによ
って第１図（ｂ）のように有機膜３をマスクにしてＡｕ
層２を選択的にエツチングすることができる。さらに第
１図（Ｃ）のように１有機膜３を０２プラズマ処理又は
有機洗浄などを用いて除去する。
って第１図（ｂ）のように有機膜３をマスクにしてＡｕ
層２を選択的にエツチングすることができる。さらに第
１図（Ｃ）のように１有機膜３を０２プラズマ処理又は
有機洗浄などを用いて除去する。
〔発明の効果１
以上説明したように本発明を用いれば有機膜を用いて、
Ａｕ層をエツチングすることができ、マスク幅４に対し
てＡｕ層−の幅６がほぼ同一形状となりＡｕ層の微細加
工を可能とした。又、反応性で除去するため段着部分な
どへの再付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生し
なくなった。尚マグネトロンイオンエツチングを用いる
目的はプラズマ密度を増すことにより、Ａｕ膜のエツチ
ング速度を速くするだめのものであり通常の反応性イオ
ンエツチングを用いてもか１わない。
Ａｕ層をエツチングすることができ、マスク幅４に対し
てＡｕ層−の幅６がほぼ同一形状となりＡｕ層の微細加
工を可能とした。又、反応性で除去するため段着部分な
どへの再付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生し
なくなった。尚マグネトロンイオンエツチングを用いる
目的はプラズマ密度を増すことにより、Ａｕ膜のエツチ
ング速度を速くするだめのものであり通常の反応性イオ
ンエツチングを用いてもか１わない。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を示す製造工
程の断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造工程の
断面図である。第３図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエツチングを用いてＣＣｔ２Ｆ２ガスによ
りエツチングした時のエツチング特性を示す。 １・・・・・・基板、２・・・・・・Ａｕ層、３・・・
・・・有機膜、４・・・・・・有機膜（マスク）の幅、
５・・・・・・再付着物、６・・・・・・Ａｕ層の幅。 早２ 図 Ｃ）
程の断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造工程の
断面図である。第３図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエツチングを用いてＣＣｔ２Ｆ２ガスによ
りエツチングした時のエツチング特性を示す。 １・・・・・・基板、２・・・・・・Ａｕ層、３・・・
・・・有機膜、４・・・・・・有機膜（マスク）の幅、
５・・・・・・再付着物、６・・・・・・Ａｕ層の幅。 早２ 図 Ｃ）
Claims (6)
- （１）Ａｕ層を該層上に形成されたマスクパターンを用
いて選択的にエッチングするドライエッチング方法に於
いて、前記エッチングガスとして塩素系ガスを主成分と
して用いたことを特徴とするドライエッチング方法。 - （２）陰極電圧が５００Ｖ以下となるように設定したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッ
チング方法。 - （３）前記塩素系ガスを主体とするガスはＣｌ＿２、Ｃ
Ｃｌ＿４、ＳｉＣｌ＿４のうち少なくとも１種からなる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のドライエッチング方法。 - （４）前記塩素系ガスを主体とするガスは、フッ素系ガ
スを添加ガスとして混合することを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載のドライエッチング方法。 - （５）前記塩素系ガスを主体とするガスはＣＣｌ＿２Ｆ
＿２、ＣＣｌＦ＿３のうち少なくとも１種からなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のド
ライエッチング方法。 - （６）マグネトロン反応イオンエッチング装置を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289332A true JPS6289332A (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0682640B2 JPH0682640B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16926253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231613A Expired - Lifetime JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682640B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232335A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06174907A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | 金属格子の製作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
| JPS6196765A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 金属パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60231613A patent/JPH0682640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
| JPS6196765A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 金属パタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232335A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06174907A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | 金属格子の製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682640B2 (ja) | 1994-10-19 |
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