JPS628603A - 高周波電力増幅装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マイクロ波帯に於ける電力増幅部の歪特性と逆特性の補
償信号を、電力増幅部への入力信号に加えることによっ
て、歪のない増幅出力信号を得る高周波電力増幅装置に
於いて、補償信号を発生する歪発生部と、前記電力増幅
部とを熱的に同一となるように一体化構造とし、広範囲
の温度変化に対しても、歪補償を可能としたものである
。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、入力信号と、電力増幅部の歪特性と逆特性の
補償信号とを合成して、電力増幅部に入力するブリディ
スＦ　＋＋　？、ジョン式の高周波電力増幅装置に関す
るものである。

マイクロ波帯等の高周波電力増幅装置は、歪の少ない領
域で動作させると効率が低いので、電力増幅部の歪特性
と逆特性の補償信号を発生させ、その補償信号と入力信
号と合成して、電力増幅部に入力することによって、電
力増幅部の出力容量を充分に利用できるようにしたブリ
デストーション方式が知られている。

〔従来の技術〕

ＳＳＢ多重無線装置等の最終段のマイクロ波帯用の高周
波電力増幅装置は、低歪特性であることが要望されるの
で、前述のようにブリディストーション方式による歪発
生部が設けられている。例えば、第６図は前述のブリデ
ィストーション方式を適用したマイクロ波帯の高周波電
力増幅装置のブロック図であり、２１は電力増幅部、２
２は歪発生部であ、て、歪発生部２２の入力端子２３に
加えられた入力信号は、ハイブリッド回路２５によって
分岐され、一方は歪増幅回路２７に加えられ、他方は遅
延回路２８に加えられる。歪増幅回路２７は、電力増幅
部２１の歪特性と逆特性の補償信号を出力する構成を有
するものであり、この歪増幅回路２７に於ける遅延時間
を遅延回路２８によって補償し、入力信号と補償信号と
の位相を一致させてハイブリッド回路２６で合成し、電
力増幅部２１に加えるものである。従って、出力端子２
４には、電力増幅部２１の歪特性を打ち消した送信信号
が出力されることになる。

第７図は前述の電力増幅部２１と歪発生部２２との一例
の上面図であり、３１はトランジスタ、３２はプリント
基板、３３は出力端子、３４は接続同軸ケーブル或いは
接続導波管、３５は入力端子、３６はトランジスタ、３
７はプリント基板である。電力増幅部２１と歪発生部２
２とは、別個の筐体によって構成されており、接続同軸
ケーブル或いは接続導波管３４によって相互に接続され
ている。

歪発生部２２の入力端子３５に加えられた入力信号をも
とに、トランジスタ３６等によって補償信号が形成され
、入力信号と補償信号とが合成されて、接続同軸ケーブ
ル或いは接続導波管３４を介して電力増幅部２１に加え
られる。電力増幅部２１では、補償信号が合成された入
力信号をトランジスタ３１等によって増幅し、出力端子
３３から出力するものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

電力増幅部２１は、トランジスタ３１等の消費電力が大
きいので、電源投入によって次第に温度が上昇するもの
であり、例えば、第８図に示すように、電源投入からの
経過時間（ｍｉｎ）に従って温度が上昇し、６０分経過
後ではほぼ熱的な平衡状態となる。一方、歪発生部２２
は、電力増幅部２１に比較して低消費電力の構成である
から、温度上昇も僅かである。

電力増幅部２１及び歪発生部２２は、トランジスタ等か
ら構成されているから、温度変化に対応して歪特性が変
化することになる。従って、電力増幅部２１と歪発生部
２２との温度を同一として歪の補償を最適に調整したと
すると、温度差が大きくなるに従って、補償が充分に行
われないことになる。例えば、第９図に示すように、電
力増幅部２１と歪発生部２２との温度差が０　（’Ｃ）
の場合に、２０（ｄＢ）程度の補償改善量が得られるが
、温度差が２０（’Ｃ）となると、５　（ｄＢ）程度の
補償改善量に低下する欠点があった。

本発明は、電力増幅部と歪発生部との温度差を少なくし
て、歪の補償改善量が低下しないようにすることを目的
とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の高周波電力増幅装置は、第１図を参照して説明
すると、電力増幅部１と、歪発生部２とを、温度が同一
となるように一体化したものである。又電力増幅部１及
び歪発生部２には、それぞれ放熱フィン３．４を設けて
内部の温度上昇を抑制し、電力増幅部１の出力端子には
、アイソレータ５が設けられている。

〔作用〕

電力増幅部１と歪発生部２との温度差がなくなるから、
電力増幅部１と歪発生部２との歪特性はほぼ同じものと
なり、ブリデストーション方式に於ける歪の補償改善量
が、広範囲の温度変化によって低下しないものとなる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は概略断面
図であり、１は電力増幅部、２は歪発生部、３．４は放
熱フィン、５はアイソレータ、６．８はプリント基板、
７は電力増幅用のトランジスタ、９は補償信号形成用の
トランジスタ、１０．１１は金属ブロック、１２は金属
板である。この実施例は、プリント基板６．８を放熱フ
ィン３．４側に配置して、トランジスタ７．９等からの
熱を、金属ブロック１０．１１及び放熱フィン３．４を
介して放熱し易いように構成した場合であり、金属板１
２を筐体の蓋のようにして、金属ブロック１０．１１の
比較的広い面積で、電力増幅部１と歪発生部２とを一体
化している。従って、放熱フィン３．４によってトラン
ジスタ７．９等からの熱が放散されて内部の温度上昇を
抑制すると共に、金属ブロック１０．１１及び金属板１
２を介して、電力増幅部１と歪発生部２との温度はほぼ
同じものとなる。

電源投入からの経過時間に従って電力増幅部１の温度が
上昇しても、歪発生部２の温度もそれに従って上昇する
ことになるから、電力増幅部１と歪発生部２との温度差
をほぼ零にすることが可能となる。それによって、電力
増幅部１の歪特性に対応した補償信号を歪発生部２で発
生することが可能となる。

第３図は本発明の他の実施例の斜視図、第４図はその概
略断面図であり、第１図及び第２図と同一符号は同一部
分を示す。この実施例は、電力増幅部１と歪発生部２と
を構成するプリント基板６．７を近接して配置した場合
を示し、それに伴って金属ブロック１０’、１１°の構
成及び金属板１２°の構成が、前述の実施例とは異なる
ものとなるが、電力増幅部１のトランジスタ７と、歪発
生部２のトランジスタ９とを近接して配置することが可
能となるから、電力増幅部１と歪発生部２との温度差を
小さくすることが可能となる。

第５図は経過時間対補償改善量の測定曲線図であり、曲
線ａは本発明の実施例、曲線すは従来の電力増幅部と歪
発生部とが別個に設けられた場合を示す。電源投入時、
補償改善量が約２０（ｄＢ〕であるが、経過時間（ｍｉ
ｎ）に従って従来例では、電力増幅部と歪発生部との温
度差が大きくなるから、補償改善量が低下する。しかし
、本発明の実施例によれば、電力増幅部１と歪発生部２
との温度差が殆どないから、補償改善量の低下は僅かで
あると共に、数１０分程度の経過によってほぼ一定の補
償改善量が得られるものとなる。このような点からみて
、従来例では、電源投入の１〜２時間程度経過してから
、歪の補償が最適となるように調整しなければならない
と共に、電力増幅部の温度変動によって補償改善量が低
下することになるが、本発明によれば、電源投入の１０
〜２０分後に調整すれば、それ以後は殆ど補償改善量の
低下がないものとなる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、ブリデストーション方
式に於ける電力増幅部１と歪発生部２との温度差が生じ
ないように一体化構造としたものであり、それによって
、温度変化が生じても、補償改善量の低下がなく、電力
増幅部１の能力を充分に利用した高周波信号の増幅が可
能となる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は本発明の
一実施例の概略斜視図、第３図は本発明の他の実施例の
斜視図、第４図は本発明の他の実施例の概略断面図、第
５図は経過時間対補償改善量の測定曲線図、第６図は高
周波電力増幅装置のブロック図、第７図は電力増幅部と
歪発生部との上面図、第８図は電力増幅部の温度上昇曲
線図、第９図は温度差と補償改善量との関係曲線図であ
る。 １．２１は電力増幅部、２．１２は歪発生部、３．４は
放熱フィン、５はアイソレータ、６．８はプリント基板
、７．９はトランジスタ、１０゜１１は金属ブロック、
１２は金属板である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 送信信号を増幅する電力増幅部（１）と、 該電力増幅部（１）で発生する混変調歪を補償する為の
   歪発生部（２）とを、温度が同一となるように一体化構
   造とした ことを特徴とする高周波電力増幅装置。