JPS628592A - 回路形成方法 - Google Patents
回路形成方法Info
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- JPS628592A JPS628592A JP14807085A JP14807085A JPS628592A JP S628592 A JPS628592 A JP S628592A JP 14807085 A JP14807085 A JP 14807085A JP 14807085 A JP14807085 A JP 14807085A JP S628592 A JPS628592 A JP S628592A
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- conductive
- copper sulfide
- circuit
- pattern
- polymer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は新規なる回路形成法に関するもので、導電性フ
ィルム、フィルムコネクタ、プリント基板、配電盤、抵
抗体その他の電気的用途に供するため特殊な高分子材料
上に回路を形成させることを目的としたものであり、本
法による製品は工業部品から日用品にわたる電気材料、
電子材料として極めて広い用途を有しているものである
。
ィルム、フィルムコネクタ、プリント基板、配電盤、抵
抗体その他の電気的用途に供するため特殊な高分子材料
上に回路を形成させることを目的としたものであり、本
法による製品は工業部品から日用品にわたる電気材料、
電子材料として極めて広い用途を有しているものである
。
〈従来の技術と発明が解決しようとする問題点〉従来か
らガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板上に導電性
の回路を形成させる方法として直接印刷法、蒸着法、ス
パッタリング法を利用する工程が行われているが、回路
形成物質と基板との接着性は充分ではなく、とくに可撓
性基板の場合には、時々剥離を起こし、通電不良の原因
となってきたのである。ここにおいて本発明者らは密着
性がよく、剥離対抗性のある回路形成法を種々研究して
きた結果、今般遂に本発明を完成するに至った。
らガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板上に導電性
の回路を形成させる方法として直接印刷法、蒸着法、ス
パッタリング法を利用する工程が行われているが、回路
形成物質と基板との接着性は充分ではなく、とくに可撓
性基板の場合には、時々剥離を起こし、通電不良の原因
となってきたのである。ここにおいて本発明者らは密着
性がよく、剥離対抗性のある回路形成法を種々研究して
きた結果、今般遂に本発明を完成するに至った。
く問題点を解決するための方法〉
本発明者らはシアン基を含有する高分子基体の表面に硫
化銅を付着させた導電性成型体上に疎水性の導電性イン
キを用いて図柄を形成させたのち硫化銅溶解液を用いて
腐食処理を行なう時には非常に品質の優れた回路が形成
できることを明らかにしたのである。
化銅を付着させた導電性成型体上に疎水性の導電性イン
キを用いて図柄を形成させたのち硫化銅溶解液を用いて
腐食処理を行なう時には非常に品質の優れた回路が形成
できることを明らかにしたのである。
シアン基を含有する高分子基体とはアクリロニトリル、
メタアクリロニトリル、クロトノニトリル、ビニリデン
シアナイドおよびシアノスチレンよりなる群から選ばれ
れな少なくとも一つの単量体を含む重合体乃至共重合体
を主成分とする樹脂より成っている０代表的な高分子基
体の材料名を示すと、ポリアクリロニトリル、ポリメタ
アクリコニ１リル、ポリビニリデンシアナイド、ポリシ
アノスチレン、アクリロニトリル・メタアクリロニトリ
ル共重合体、アクリロニトリル・アクリル酸エステル共
重合体、アクリロニトル・スチレン共重合体、メタアク
リロニトリル・スチレン共重合体、アクリロニトリル・
スチレン・ブタジェン共重合体、アクリロニトリル・メ
タアクリル酸エステル共重合体、メタアクリロニトリル
・アクリル酸エステル共重合体、メタアクリロニトリル
・メタアクリル酸エステル共重合体、ビニリデンシアナ
イド・塩化ビニル共重合体、ビニリデンシアナイド・塩
化ビニリデン共重合体等であるが工業的に最も重要なも
のはポリアクリロニトリル、ポリメタアクリロニトリル
あるいはこれを主成分とする複合樹脂ならびに樹脂組成
物である。
メタアクリロニトリル、クロトノニトリル、ビニリデン
シアナイドおよびシアノスチレンよりなる群から選ばれ
れな少なくとも一つの単量体を含む重合体乃至共重合体
を主成分とする樹脂より成っている０代表的な高分子基
体の材料名を示すと、ポリアクリロニトリル、ポリメタ
アクリコニ１リル、ポリビニリデンシアナイド、ポリシ
アノスチレン、アクリロニトリル・メタアクリロニトリ
ル共重合体、アクリロニトリル・アクリル酸エステル共
重合体、アクリロニトル・スチレン共重合体、メタアク
リロニトリル・スチレン共重合体、アクリロニトリル・
スチレン・ブタジェン共重合体、アクリロニトリル・メ
タアクリル酸エステル共重合体、メタアクリロニトリル
・アクリル酸エステル共重合体、メタアクリロニトリル
・メタアクリル酸エステル共重合体、ビニリデンシアナ
イド・塩化ビニル共重合体、ビニリデンシアナイド・塩
化ビニリデン共重合体等であるが工業的に最も重要なも
のはポリアクリロニトリル、ポリメタアクリロニトリル
あるいはこれを主成分とする複合樹脂ならびに樹脂組成
物である。
高分子基体とは、上記の例えばポリアクリロニトリルに
ついて示すならば、フィルム、板、その他の成型品、他
種フィルムとのラミネート、紙とのラミネート、金属箔
とのラミネートであり、場合によってはポリアクリロニ
トリル中に若干量の増量剤、添加剤等が含まれているこ
とも多い、このような高分子基体の表面に硫化銅を付着
させる方法は湿式法あるいは乾式法があり、前者に関し
ては公知に属する出願（特開昭５５−５１８７３・５６
−１）２２７・５６−１６９８０８ ・５７−１）２
２７・５７−２１５７０・５８−４５２６３・５８−１
３４１２９ ・５９−１０８０４３ ・５９−１）２
５０２ ・５９−１６１４５８）があり、また後者に
関しては真空蒸着法等が応用されるものである。
ついて示すならば、フィルム、板、その他の成型品、他
種フィルムとのラミネート、紙とのラミネート、金属箔
とのラミネートであり、場合によってはポリアクリロニ
トリル中に若干量の増量剤、添加剤等が含まれているこ
とも多い、このような高分子基体の表面に硫化銅を付着
させる方法は湿式法あるいは乾式法があり、前者に関し
ては公知に属する出願（特開昭５５−５１８７３・５６
−１）２２７・５６−１６９８０８ ・５７−１）２
２７・５７−２１５７０・５８−４５２６３・５８−１
３４１２９ ・５９−１０８０４３ ・５９−１）２
５０２ ・５９−１６１４５８）があり、また後者に
関しては真空蒸着法等が応用されるものである。
疎水性の導電性インキというのは導電性フィラー（例え
ばグラファイト粉末、金属粉末、導電性物質で表面コー
ティングした粉体、導電性高分子粉末、電荷移動錯体粉
末）を樹脂バインダーと共に混練したインキ状物または
塗料状物あるいは導電性糊状物に作り上げたインキであ
り親水性のものは除外される。
ばグラファイト粉末、金属粉末、導電性物質で表面コー
ティングした粉体、導電性高分子粉末、電荷移動錯体粉
末）を樹脂バインダーと共に混練したインキ状物または
塗料状物あるいは導電性糊状物に作り上げたインキであ
り親水性のものは除外される。
導電性成型体上に導電性インキを用いて図柄を形成させ
ることは上記の導電性インキを印刷または塗布して乾燥
させることを意味し、図柄としては電気回路、絵、文字
、配線等任意のものを選ぶことができる。なおこの図柄
形成法は印刷法のほかマスキングパターンを重ねてイン
キを噴霧してもよく、図柄の固化には乾燥法のみではな
く熱硬化、電子線硬化、光硬化、あるいは触媒硬化の方
法を採用してもよいのである。さらに図柄形成法の一つ
として上記の直接印刷のほかに転写法を採用することも
効果的である。
ることは上記の導電性インキを印刷または塗布して乾燥
させることを意味し、図柄としては電気回路、絵、文字
、配線等任意のものを選ぶことができる。なおこの図柄
形成法は印刷法のほかマスキングパターンを重ねてイン
キを噴霧してもよく、図柄の固化には乾燥法のみではな
く熱硬化、電子線硬化、光硬化、あるいは触媒硬化の方
法を採用してもよいのである。さらに図柄形成法の一つ
として上記の直接印刷のほかに転写法を採用することも
効果的である。
以上のいずれの方法によっても形成させれた図柄は硫化
銅の存在によって基板とインキとの接着性が大いに向上
させられ、従来法では見られない非剥離性が発揮される
ものである。
銅の存在によって基板とインキとの接着性が大いに向上
させられ、従来法では見られない非剥離性が発揮される
ものである。
さて次に上記した方法によって図柄が形成された成型体
上に露出している不要な硫化銅部分を除去する腐食処理
を行なう。この腐食処理工程は水゛溶性もしくは水−ア
ルコール性あるいは水−グリコール性の硫化銅溶解液に
よって行われる。この溶解液の腐食成分の例を化学式で
示すならばＨＦ、ＩＣ１）Ｈａｇ−旧、ＨｇＳＯ４、Ｈ
ＮＯｉ、ＩＣｌ０１ＨＣ１０＋、ＨＣｌＯ４、ＨＢＦｅ
、ＨｔＳｉＦい１４３ＰＯ４、ＮＨｇ５Ｏ２Ｈ。
上に露出している不要な硫化銅部分を除去する腐食処理
を行なう。この腐食処理工程は水゛溶性もしくは水−ア
ルコール性あるいは水−グリコール性の硫化銅溶解液に
よって行われる。この溶解液の腐食成分の例を化学式で
示すならばＨＦ、ＩＣ１）Ｈａｇ−旧、ＨｇＳＯ４、Ｈ
ＮＯｉ、ＩＣｌ０１ＨＣ１０＋、ＨＣｌＯ４、ＨＢＦｅ
、ＨｔＳｉＦい１４３ＰＯ４、ＮＨｇ５Ｏ２Ｈ。
ＦＳＯ！Ｈ１ＣＩＳＯｓＨ１ＣＨｓＳＯ＊Ｈ、ＣＦｓＳ
ＯｊＨ、Ｃ６１）ＳＳＯコＨ１ＣＨ３Ｃ＆ｌ（オ５Ｏｓ
Ｈ、ＨＣ（ｌｏｔ（、ＣＦ３ＣＯＯＨ、ＣＨｔＣＩＣＯ
Ｏｌ（１ＣＨＣ１ｘＣＯＯＨ、ＣＣｈＣＯＯＨ，ＣＦ３
ＣＯＯＨ、Ｃｌ１ｚ＝ＣＨＣＯＯＨ１ＣＪｓＣＯＯＨ，
ＣＨｓＣａＨａＣＯＯＨ５ＮＯｚＣＪａＣＯＯＨ。
ＯｊＨ、Ｃ６１）ＳＳＯコＨ１ＣＨ３Ｃ＆ｌ（オ５Ｏｓ
Ｈ、ＨＣ（ｌｏｔ（、ＣＦ３ＣＯＯＨ、ＣＨｔＣＩＣＯ
Ｏｌ（１ＣＨＣ１ｘＣＯＯＨ、ＣＣｈＣＯＯＨ，ＣＦ３
ＣＯＯＨ、Ｃｌ１ｚ＝ＣＨＣＯＯＨ１ＣＪｓＣＯＯＨ，
ＣＨｓＣａＨａＣＯＯＨ５ＮＯｚＣＪａＣＯＯＨ。
ＣＩＣＪ＊Ｃ０ＯＨ，（Ｃｏｏｌ）ｚ 、ＣＨｚ（ＣＯ
ＯＨ）ｚ、（ＣＩＩＣＯＯＨ）、（−Ｃ）ＩＣＯＯＨ）
！、ＣＨ２Ｃ０ＯＨ、ＣＨＯＣＨｚＣＯＯＨ−ＣＨｚ
ＣＯＣＨｚＣＯＯＨｌＩ（ＯＣＩＩｇＣＯＯＨ−ＨＯＣ
ｇＨｎＣＯＯＨ等のごときブレンステンド酸、ＢＦＩ
５ＡＩＣ１２、ＦｅＣｌ３、ＺｎＣＩｘ 、ＳｎＣｌ２
、ＴｉＣ１ａ ％ ５ｉＣ１４、ＳｉＦ＊、ＳＯ，等
のごときルイス酸、０１、ＨｔＯｚ、ＣｒＯ３、ＭｎＯ
２、′ＫＭｎＯａ 、ＫｇＣｒ２０ｔ 、ＣＨ２Ｃ０Ｏ
Ｈ等のごとき酸化剤、ＮａＨ３Ｏ＊、ＮａＨＦｔ 、Ｋ
）ＩＦＺ、ＮＩＩＪＩＩＦ、、ＮａＨｚＰＯ４、Ｎａｔ
ＨＰＯ４、Ｎａ０ＣＯＣＯＯＨ、Ｎａ０ＣＯＣＨ−ＣＨ
ＣＯＯＨ。
ＯＨ）ｚ、（ＣＩＩＣＯＯＨ）、（−Ｃ）ＩＣＯＯＨ）
！、ＣＨ２Ｃ０ＯＨ、ＣＨＯＣＨｚＣＯＯＨ−ＣＨｚ
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５ＡＩＣ１２、ＦｅＣｌ３、ＺｎＣＩｘ 、ＳｎＣｌ２
、ＴｉＣ１ａ ％ ５ｉＣ１４、ＳｉＦ＊、ＳＯ，等
のごときルイス酸、０１、ＨｔＯｚ、ＣｒＯ３、ＭｎＯ
２、′ＫＭｎＯａ 、ＫｇＣｒ２０ｔ 、ＣＨ２Ｃ０Ｏ
Ｈ等のごとき酸化剤、ＮａＨ３Ｏ＊、ＮａＨＦｔ 、Ｋ
）ＩＦＺ、ＮＩＩＪＩＩＦ、、ＮａＨｚＰＯ４、Ｎａｔ
ＨＰＯ４、Ｎａ０ＣＯＣＯＯＨ、Ｎａ０ＣＯＣＨ−ＣＨ
ＣＯＯＨ。
Ｎａ０ＣＯＣ，Ｈ，Ｃ０ＯＨ等のごとき酸性塩、ＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨ５ＮＨ４０Ｈ５ＮａＮＨｚ 、ＫｚＣＯｓ
、（ＮＨ４）ｚｃＯｓ 、ＮＨＪＨｚ、ＮＨｚＣ
ＯＮＨｚ、有機アミン等のごとき塩基性物質、ＮＨ，Ｆ
、、ＮＨ４，ＣＩ 、有機アミン塩、第４級アンモニウ
ム塩、第４級ホスホニウム塩等のごときオニウム化合物
がある。
Ｈ，ＫＯＨ５ＮＨ４０Ｈ５ＮａＮＨｚ 、ＫｚＣＯｓ
、（ＮＨ４）ｚｃＯｓ 、ＮＨＪＨｚ、ＮＨｚＣ
ＯＮＨｚ、有機アミン等のごとき塩基性物質、ＮＨ，Ｆ
、、ＮＨ４，ＣＩ 、有機アミン塩、第４級アンモニウ
ム塩、第４級ホスホニウム塩等のごときオニウム化合物
がある。
これらのうち工業的に有利な腐食成分はＨＣＩ、 Ｈ！
ＳＯ４、ＨＮＯｓ、Ｈ２ＳｉＦ６、ＮＨｔＳＯｓＨ、、
ＣＪｓＳＯＪ、ＨＣＯＯＨ、ＣＨ３ＣＯ０Ｈ、ｌｈＯｇ
、ＮＨ，ＯＨ、ＮＨａＨＦｔ１ＮＨｅＦ１ＮａＨＦ２、
ＮＩｌ、ｌｌＨ，、ＦｅＣｌ５等である。これらの腐食
化合物の溶液中における濃度は０．０１規定〜２規定特
に好ましくは０．１規定〜ｌ規定の範囲のものが便利に
用いられ、これを用いる腐食処理温度は０〜５０℃の間
である。
ＳＯ４、ＨＮＯｓ、Ｈ２ＳｉＦ６、ＮＨｔＳＯｓＨ、、
ＣＪｓＳＯＪ、ＨＣＯＯＨ、ＣＨ３ＣＯ０Ｈ、ｌｈＯｇ
、ＮＨ，ＯＨ、ＮＨａＨＦｔ１ＮＨｅＦ１ＮａＨＦ２、
ＮＩｌ、ｌｌＨ，、ＦｅＣｌ５等である。これらの腐食
化合物の溶液中における濃度は０．０１規定〜２規定特
に好ましくは０．１規定〜ｌ規定の範囲のものが便利に
用いられ、これを用いる腐食処理温度は０〜５０℃の間
である。
以上示してきた本発明の方法によって高分子基体の表面
に導電性インキによって所望の導電性回路が形成される
。この導電性回路はこのままでも導電性フィラーによっ
て優れた導電性を示し、その電気抵抗はρ＝０．１〜ｌ
０００Ω／口の間において任意に調整しつるものである
。さらにこの電気抵抗を減少させる場合にはこの導電性
回路を金属鍍金すればよく表面金属化することによって
導電性はσ＝ｔｏ−’ 〜ｉｏ’ Ω−’ Ｃ１）−’
に向上させることができるものである。
に導電性インキによって所望の導電性回路が形成される
。この導電性回路はこのままでも導電性フィラーによっ
て優れた導電性を示し、その電気抵抗はρ＝０．１〜ｌ
０００Ω／口の間において任意に調整しつるものである
。さらにこの電気抵抗を減少させる場合にはこの導電性
回路を金属鍍金すればよく表面金属化することによって
導電性はσ＝ｔｏ−’ 〜ｉｏ’ Ω−’ Ｃ１）−’
に向上させることができるものである。
本発明の技術的内容をさらに解説するため、以下に実施
例を示して説明することにする。
例を示して説明することにする。
〈実施例１〉
キャスティング法によって作られたポリアクリロニトリ
ルの基体表面に公知に属する方法により硫化銅を付着さ
せ導電性フィルム（ρ−３００ｋΩ／口）を作る。これ
にシルクスクリーン印刷方式により導電性インキ（カー
ボンペースト）で図柄を印刷する。ついでカーボンペー
スト層を８０℃で３０分加熱して、硬化させて導電性レ
ジスト層を作る。この面を４２″ボーメの塩化第二鉄水
溶液に浸漬して、２０℃で１０分間の腐食処理を行った
後、充分水洗し乾燥する。
ルの基体表面に公知に属する方法により硫化銅を付着さ
せ導電性フィルム（ρ−３００ｋΩ／口）を作る。これ
にシルクスクリーン印刷方式により導電性インキ（カー
ボンペースト）で図柄を印刷する。ついでカーボンペー
スト層を８０℃で３０分加熱して、硬化させて導電性レ
ジスト層を作る。この面を４２″ボーメの塩化第二鉄水
溶液に浸漬して、２０℃で１０分間の腐食処理を行った
後、充分水洗し乾燥する。
このようにして得られた導電性図柄の電気抵抗値はρ−
１００Ω／口であう、た、この導電性図柄部分に荷重を
かけて、折り曲げ操作を繰り返したところ、その回数に
より導電性に若干の低下は見られるものの、ρ−１００
〜１３０Ω／口の程度であり、図柄部分の剥離性は全く
認められなかった。
１００Ω／口であう、た、この導電性図柄部分に荷重を
かけて、折り曲げ操作を繰り返したところ、その回数に
より導電性に若干の低下は見られるものの、ρ−１００
〜１３０Ω／口の程度であり、図柄部分の剥離性は全く
認められなかった。
〈実施例２〉
キャスティング法によって作られたポリアクリロニトリ
ルの基体表面に公知に属する方法により硫化銅を付着さ
せ導電性フィルム（ρ＝５００にΩ／口）を作る。これ
にメタルマスクを重ねた上で、強力スプレ一方式により
導電性ペースト（銀ペースト）を塗布する。この銀ペー
ストはＡｇを８０％含み、そしてρ＝ ２ Ｘｌ０−’
Ω・備のものを使用する。
ルの基体表面に公知に属する方法により硫化銅を付着さ
せ導電性フィルム（ρ＝５００にΩ／口）を作る。これ
にメタルマスクを重ねた上で、強力スプレ一方式により
導電性ペースト（銀ペースト）を塗布する。この銀ペー
ストはＡｇを８０％含み、そしてρ＝ ２ Ｘｌ０−’
Ω・備のものを使用する。
この面を５％の酸性フッ化アンモニウム水溶液に浸漬し
て、２０℃で３０分間の腐食処理を行った後、充分水洗
し、乾燥する。
て、２０℃で３０分間の腐食処理を行った後、充分水洗
し、乾燥する。
このようにして得られた導電性図柄の電気抵抗値はρ＝
３ Ｘｌ０−３Ω／口の程度であり、図柄部分の剥離
性は全く認められなかった。
３ Ｘｌ０−３Ω／口の程度であり、図柄部分の剥離
性は全く認められなかった。
〈発明の効果〉
本発明は新しい導電性の回路形成法に関するものであっ
て、導電性フィルム、フィルムコネクタ、プリント基板
、配電盤、抵抗体等として各種の電気製品、電子関係機
器に広く用いられるものであり産業利用上の効果は大き
いものである。
て、導電性フィルム、フィルムコネクタ、プリント基板
、配電盤、抵抗体等として各種の電気製品、電子関係機
器に広く用いられるものであり産業利用上の効果は大き
いものである。
Claims (2)
- （１）シアン基を含有する高分子基体の表面に硫化銅を
付着させた導電性成型体上に疎水性の導電性インキを用
いて図柄を形成させたのち硫化銅溶解液を用いて腐食処
理を行なうことを目的とする回路形成方法。 - （２）シアン基を含有する高分子基体がアクリロニトリ
ル、メタアクリロニトリル、クロトノニトリル、ビニリ
デンシアナイドおよびシアノスチレンよりなる群から選
ばれた少なくとも一つの単量体を含む重合体乃至共重合
体を主成分とする樹脂である特許請求の範囲第一項記載
の回路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14807085A JPS628592A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14807085A JPS628592A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 回路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628592A true JPS628592A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15444539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14807085A Pending JPS628592A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6065351A (en) * | 1994-10-19 | 2000-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flow rate measurement method and ultrasonic flow meter |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP14807085A patent/JPS628592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6065351A (en) * | 1994-10-19 | 2000-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flow rate measurement method and ultrasonic flow meter |
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