JPS6056794B2 - 回路基板の製法 - Google Patents
回路基板の製法Info
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- JPS6056794B2 JPS6056794B2 JP52158190A JP15819077A JPS6056794B2 JP S6056794 B2 JPS6056794 B2 JP S6056794B2 JP 52158190 A JP52158190 A JP 52158190A JP 15819077 A JP15819077 A JP 15819077A JP S6056794 B2 JPS6056794 B2 JP S6056794B2
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- plating
- masking material
- parts
- base material
- aqueous solution
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板の製法に関し、特に基板上に回路パタ
ーンをスルーホールを通して得るようにした回路基板の
製法に関する。
ーンをスルーホールを通して得るようにした回路基板の
製法に関する。
一般に、プラスチック、金属などのメッキ用基材にメッ
キを施す方法として、電気を使わずに化学的方法により
金属を析出させる無電解メッキを行ない、さらに場合に
より、電気を使用する電気メッキ法にて高速にメッキ厚
を増加させる方法がある。
キを施す方法として、電気を使わずに化学的方法により
金属を析出させる無電解メッキを行ない、さらに場合に
より、電気を使用する電気メッキ法にて高速にメッキ厚
を増加させる方法がある。
このために、まずメッキ基材表面の親水性を高めるため
に、界面活性剤や溶剤を使用する脱脂処理かあるいは硫
酸クロム酸混液などて処理し、その後パラジウムなどの
触媒金属を付着させ、無電解メッキを行なう。また場合
により、無電解メッキの後、電気メッキを行なつてメッ
キ厚を厚くするなどの方法を行なう。この様に、メッキ
を行なうまでの工程においては、常温ないし加熱された
液中に何度も基材を浸漬することになる。このために、
部分的にメッキを行ない、それ以外の必要箇所にはメッ
キをしないて残しておく方法として、粘着テープをメッ
キ基材中のメッキを付けたくない部分に貼りつけてマス
キングし、そのまま上記方法によりメッキを施し、メッ
キ処理完了後、その粘着テープを除去する方法がある。
に、界面活性剤や溶剤を使用する脱脂処理かあるいは硫
酸クロム酸混液などて処理し、その後パラジウムなどの
触媒金属を付着させ、無電解メッキを行なう。また場合
により、無電解メッキの後、電気メッキを行なつてメッ
キ厚を厚くするなどの方法を行なう。この様に、メッキ
を行なうまでの工程においては、常温ないし加熱された
液中に何度も基材を浸漬することになる。このために、
部分的にメッキを行ない、それ以外の必要箇所にはメッ
キをしないて残しておく方法として、粘着テープをメッ
キ基材中のメッキを付けたくない部分に貼りつけてマス
キングし、そのまま上記方法によりメッキを施し、メッ
キ処理完了後、その粘着テープを除去する方法がある。
しかしこの方法は、剥雌が著しく煩雑で、生産性が悪い
上、粘着テープが途中の工程で剥れ、充分にマスキング
効果を示さないものも多く発生し、また特にこの方法は
、複雑な形状の模様などが要求される場合にはまず実際
問題として実施不可能である。そこでテープを貼る代り
に、印刷インキ中に酸化クロムや酸化ベリリウム及び不
溶性のＺｎ）Ｐｂ、Ｃｄ、、Ｓｎ、、Ｆｅ）Ｃｕなどの
金属塩化合物を混合する方法が知られている。
上、粘着テープが途中の工程で剥れ、充分にマスキング
効果を示さないものも多く発生し、また特にこの方法は
、複雑な形状の模様などが要求される場合にはまず実際
問題として実施不可能である。そこでテープを貼る代り
に、印刷インキ中に酸化クロムや酸化ベリリウム及び不
溶性のＺｎ）Ｐｂ、Ｃｄ、、Ｓｎ、、Ｆｅ）Ｃｕなどの
金属塩化合物を混合する方法が知られている。
しカルながらこの様に不溶性の重金属化合物を使用する
方法は、その化合物を樹脂中に物理的に分散させるのに
際し、通常の樹脂成分の比重に対し添加粒子が数倍の比
重を持つために、長い間均一に分散することが難しく、
再度樹脂分から分離してしまう。また良く混合してメッ
キ用基材にコーティング層を形成した時も同じ様に、樹
脂分の中に粒子が沈降してしまつて、メッキ液と接触す
る界面における粒子は数少ないものとなり、充分なメッ
キ阻害効果を発揮することができない。従つて充分な効
果を発揮するためには、樹脂分に対して（４）重量％以
上の添加量が最低要求されることになるが、逆に塗料や
インキとしての適性をはなはだしく悪くする。そして、
この方法でのインキないし塗料の樹脂分としては、ポリ
塩化ビニル系のビヒクル以外は、メッキ阻害効果を発揮
するための適当なものがないのが現状である。ところが
ポリ塩化ビニルやポリ酢酸ビニルなどは、酸、アルカリ
などに対して、強い抵抗力を示すので、溶解除去するた
めには、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンな
どの溶剤を用いなくてはならない。
方法は、その化合物を樹脂中に物理的に分散させるのに
際し、通常の樹脂成分の比重に対し添加粒子が数倍の比
重を持つために、長い間均一に分散することが難しく、
再度樹脂分から分離してしまう。また良く混合してメッ
キ用基材にコーティング層を形成した時も同じ様に、樹
脂分の中に粒子が沈降してしまつて、メッキ液と接触す
る界面における粒子は数少ないものとなり、充分なメッ
キ阻害効果を発揮することができない。従つて充分な効
果を発揮するためには、樹脂分に対して（４）重量％以
上の添加量が最低要求されることになるが、逆に塗料や
インキとしての適性をはなはだしく悪くする。そして、
この方法でのインキないし塗料の樹脂分としては、ポリ
塩化ビニル系のビヒクル以外は、メッキ阻害効果を発揮
するための適当なものがないのが現状である。ところが
ポリ塩化ビニルやポリ酢酸ビニルなどは、酸、アルカリ
などに対して、強い抵抗力を示すので、溶解除去するた
めには、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンな
どの溶剤を用いなくてはならない。
しかし、基材がプラスチックである場合には、表面を粗
面化して美観をそこねたり、また寸法精度を悪くしたり
するのて除去すること自体がまず困難である。したがつ
て、部分的に基材の地はだをそのまま生かしたい場合や
、コーティング膜厚が寸法的に問題になる場合には使用
することができない。その上特に、従来のメッキ用マス
キング材には、アルカリ水溶液に可溶であつてかつ無電
解メッキと電気メッキの両工程に耐えるものがなかつた
。そのために、回路基板の．スルーホールに無電解メッ
キと、それを補強する電気メッキとを行つて、回路基板
の両面の導体相互間を接続しようとする場合、両メッキ
工程を連続して行うこと、つまりワンラック化が不可能
であり、生産工程が煩雑になるという問題があつ。た。
本発明は上述の如き欠陥を是正すべく発明されたもので
あつて、絶縁材料から成る基材の両面に導体を有する基
板を準備し、基材の必要部分にスルーホールを設け、 有機イオウ化合物と、アミン化合物と、アルカリ水溶液
に可溶なフェノール系及び／又はロジン系の樹脂とを夫
々含有する、アルカリ水溶液に可溶な組成物からなるメ
ッキ用マスキング材を、基板のうち導電回路パターンを
必要としない部分に塗布し、無電解メッキによりスルー
ホールと導電回路パターン部分とに金属メッキ層を形成
し、引続いて、電気メッキにより前記金属メッキ層を補
強し、前記マスキング材をアルカリ水溶液て溶解除去〔
し、露出した前記導体をエッチングにより除去すること
を特徴とする回路基板の製法に係るものである。
面化して美観をそこねたり、また寸法精度を悪くしたり
するのて除去すること自体がまず困難である。したがつ
て、部分的に基材の地はだをそのまま生かしたい場合や
、コーティング膜厚が寸法的に問題になる場合には使用
することができない。その上特に、従来のメッキ用マス
キング材には、アルカリ水溶液に可溶であつてかつ無電
解メッキと電気メッキの両工程に耐えるものがなかつた
。そのために、回路基板の．スルーホールに無電解メッ
キと、それを補強する電気メッキとを行つて、回路基板
の両面の導体相互間を接続しようとする場合、両メッキ
工程を連続して行うこと、つまりワンラック化が不可能
であり、生産工程が煩雑になるという問題があつ。た。
本発明は上述の如き欠陥を是正すべく発明されたもので
あつて、絶縁材料から成る基材の両面に導体を有する基
板を準備し、基材の必要部分にスルーホールを設け、 有機イオウ化合物と、アミン化合物と、アルカリ水溶液
に可溶なフェノール系及び／又はロジン系の樹脂とを夫
々含有する、アルカリ水溶液に可溶な組成物からなるメ
ッキ用マスキング材を、基板のうち導電回路パターンを
必要としない部分に塗布し、無電解メッキによりスルー
ホールと導電回路パターン部分とに金属メッキ層を形成
し、引続いて、電気メッキにより前記金属メッキ層を補
強し、前記マスキング材をアルカリ水溶液て溶解除去〔
し、露出した前記導体をエッチングにより除去すること
を特徴とする回路基板の製法に係るものである。
本発明の方法においては、使用する前記マスキング材が
無電解メッキと電気メッキの両工程に十分に耐えるもの
であるため、無電解メッキ工程と電気メッキ工程との間
に乾燥、その他の工程を設ける必要がなく、いわゆるワ
ンラック化が達成できるのである。より詳細に述べると
、本発明者が種々研究したところ、従来の方法に代わる
ものとして、具体的には次の様な方法が適切であること
が判つた。つまり無電解メッキの析出阻害効果のあるチ
オール基を有する下記表−１に示した有機イオウ化合物
を下記表−２に示すアミン化合物の１種かそれ以上に溶
解し、この液を、アルカリ性溶液に可溶な性質をもつ下
記表−３に示した樹脂に混合し、アルカリ性に可溶な性
質をなくさない程度の混合比としたインキ又は塗料を調
合する。そして塗料又はインキを基材表面のメッキを付
かせない部分にのみコーティングした後、界面活性剤を
含む脱脂液又は硫酸、クロム酸混液などによつて基材表
面の親水性を高めた後に、触媒金属を表面に付着させて
無電解メッキを行ない、その上に電気メッキを行なう。
しかる後、アルカリ性溶液にそのまま浸漬することによ
り、コーティングしたインキ又は塗料を溶解除去し、基
材のメッキする前の状態をそのまま露出させるものであ
り、コーティング層上にメッキが付いてしまつては、除
去することが不可能となつてしまう。チオール基を有す
る有機イオウ化合物としての例えばチオカーバメートは
アルカリ性では安定であるが、酸性では次のようにアミ
ンと二硫化炭素に分解してしまう。そこで酸性に対して
安定でかつ耐熱性を有する化合物として、下記表−１に
示した様な化合物が挙げられる。
無電解メッキと電気メッキの両工程に十分に耐えるもの
であるため、無電解メッキ工程と電気メッキ工程との間
に乾燥、その他の工程を設ける必要がなく、いわゆるワ
ンラック化が達成できるのである。より詳細に述べると
、本発明者が種々研究したところ、従来の方法に代わる
ものとして、具体的には次の様な方法が適切であること
が判つた。つまり無電解メッキの析出阻害効果のあるチ
オール基を有する下記表−１に示した有機イオウ化合物
を下記表−２に示すアミン化合物の１種かそれ以上に溶
解し、この液を、アルカリ性溶液に可溶な性質をもつ下
記表−３に示した樹脂に混合し、アルカリ性に可溶な性
質をなくさない程度の混合比としたインキ又は塗料を調
合する。そして塗料又はインキを基材表面のメッキを付
かせない部分にのみコーティングした後、界面活性剤を
含む脱脂液又は硫酸、クロム酸混液などによつて基材表
面の親水性を高めた後に、触媒金属を表面に付着させて
無電解メッキを行ない、その上に電気メッキを行なう。
しかる後、アルカリ性溶液にそのまま浸漬することによ
り、コーティングしたインキ又は塗料を溶解除去し、基
材のメッキする前の状態をそのまま露出させるものであ
り、コーティング層上にメッキが付いてしまつては、除
去することが不可能となつてしまう。チオール基を有す
る有機イオウ化合物としての例えばチオカーバメートは
アルカリ性では安定であるが、酸性では次のようにアミ
ンと二硫化炭素に分解してしまう。そこで酸性に対して
安定でかつ耐熱性を有する化合物として、下記表−１に
示した様な化合物が挙げられる。
これらのイオウ化合物は、下記表−２に示す様なアミン
類及びアミド類等のアミン化合物と次のように塩を形成
し、このアミン化合物に溶解する。つまり、塩基性のア
ミン又はアミドが酸性のチオールと塩を形成するためと
考えられる。
類及びアミド類等のアミン化合物と次のように塩を形成
し、このアミン化合物に溶解する。つまり、塩基性のア
ミン又はアミドが酸性のチオールと塩を形成するためと
考えられる。
こうして得られる透明ないし半透明のこの混合物は、各
種の樹脂と任意に混合できる性質をもつ。代表的な樹脂
を例に上げると下記表−３に上げた様になる。このよう
に、本発明の方法は、例えば、メッキ用基材の表面にお
いてあらかじめメッキを付けずに残しておきたい部分に
、有機イオウ化合物を溶解したアミン類ないしアミド類
等の１種かそれ以上を各種合成樹脂と混合して調合した
インキ及び塗料をコーティングし、その後に基材表面を
溶剤や界面活性剤などで脱脂する。
種の樹脂と任意に混合できる性質をもつ。代表的な樹脂
を例に上げると下記表−３に上げた様になる。このよう
に、本発明の方法は、例えば、メッキ用基材の表面にお
いてあらかじめメッキを付けずに残しておきたい部分に
、有機イオウ化合物を溶解したアミン類ないしアミド類
等の１種かそれ以上を各種合成樹脂と混合して調合した
インキ及び塗料をコーティングし、その後に基材表面を
溶剤や界面活性剤などで脱脂する。
そして次に、硫酸クロム酸混液でエッチングして親水性
を高めた後、Ｐｄなどの触媒金属を付着させ、化学メッ
キし、さらに電気メッキした後に、アルカリ性水溶液に
てマスキング材を溶解除去する。従つて本発明の方法に
使用するマスキング材は、インキ及び塗料中に不溶性の
メッキ阻害粒子を多量に混入する必要がなく、インキや
塗料の適性を悪くすることなく使用できる。またメッキ
阻害物質が物理的分散ではなく、化学的に溶解している
ために、経時変化によりインキや塗料成分中で添加物が
比重の差により沈降することがないため、インキや塗料
としての取り扱いが容易となる。然も印刷等によつて形
成したコーティング層でも同じ様な理由により、添加物
が沈降せず、メッキ阻害効果を与えるために、多量の阻
害物質を必要としない。また、メッキ終了後に、マスキ
ング材をアルカリ溶液にて容易に溶解除去できるために
、基材の素地をそのまま露出させることができ、然も寸
法精度が要求されかつコーティング厚が問題になる場合
には非常に有利である。本発明の方法に使用するマスキ
ング材においては、上述の有機イオウ化合物は塩基性（
アルカリ性で）、−ＳＨ基（チオール基）を有しており
、ＰＨによつては互変異性を起こし得るものであるが、
環状構造を有しているもの程安定性が良好である。
を高めた後、Ｐｄなどの触媒金属を付着させ、化学メッ
キし、さらに電気メッキした後に、アルカリ性水溶液に
てマスキング材を溶解除去する。従つて本発明の方法に
使用するマスキング材は、インキ及び塗料中に不溶性の
メッキ阻害粒子を多量に混入する必要がなく、インキや
塗料の適性を悪くすることなく使用できる。またメッキ
阻害物質が物理的分散ではなく、化学的に溶解している
ために、経時変化によりインキや塗料成分中で添加物が
比重の差により沈降することがないため、インキや塗料
としての取り扱いが容易となる。然も印刷等によつて形
成したコーティング層でも同じ様な理由により、添加物
が沈降せず、メッキ阻害効果を与えるために、多量の阻
害物質を必要としない。また、メッキ終了後に、マスキ
ング材をアルカリ溶液にて容易に溶解除去できるために
、基材の素地をそのまま露出させることができ、然も寸
法精度が要求されかつコーティング厚が問題になる場合
には非常に有利である。本発明の方法に使用するマスキ
ング材においては、上述の有機イオウ化合物は塩基性（
アルカリ性で）、−ＳＨ基（チオール基）を有しており
、ＰＨによつては互変異性を起こし得るものであるが、
環状構造を有しているもの程安定性が良好である。
また上述のアミン化合物は、下記表−２に示すものも含
めて、脂肪族第１級アミン、脂肪族第２級アミン、脂肪
族第３級アミン、脂肪族不飽和アミン、脂環式アミン、
芳香族アミン等、又はこれらの混合物であつてよい。
めて、脂肪族第１級アミン、脂肪族第２級アミン、脂肪
族第３級アミン、脂肪族不飽和アミン、脂環式アミン、
芳香族アミン等、又はこれらの混合物であつてよい。
脂肪族第１級アミンとしては、下記表−２に示すもの以
外に、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、
イソプロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘ
キシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン等、又
はこれらの混合物が挙げられる。脂肪族第２級アミンと
しては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジア
ミルアミン等、又はこれらの混合物が挙げられる。脂肪
族第３級アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ト
リアミルアミン等、又はこれらの混合物が挙げられる。
脂肪族不飽和アミンとしては、アリルアミン、ジアリル
アミン、トリアリルアミン等、又はこれらの混合物が挙
げられる。脂環式アミンとしては、下記表−２に示すも
の以外に、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン
、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等、又
はこれらの混合物が挙げられる。芳香族アミンとしては
、下記表−２に示すもの以外に、アニリン、メチルアニ
リン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエチルア
ニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイ
ジン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、トリベンジ
ルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、α
−ナフチルアミン、β−ナフチルアミン等、又はこれら
の混合物が挙げられる。なお上述したアミン化合物の水
素原子がハロゲン原子、水酸基又は炭化水素基等の官能
基で置換されたアミン化合物を使用してもよく、また上
述のアミン化合物の水素原子が除かれたタイプのアミン
化合物残基が他のアミン化合物の水素原子と置換されて
構成されるジアミン化合物でも使用可能であり、更に同
様に構成されるトリアミン化合物、或いはより高次のア
ミン化合物も使用可能である。また上述のアルカリ可溶
性樹脂（例えばノボラック型フェノール樹脂）の分子量
は、例えば３００〜１０００であるのが望ましいが、３
００未満であると少なすぎてマスキングの効果に乏しく
なり、１０００を越えると逆に粒度が大きくなつて溶け
にくいという問題が生じる。
外に、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、
イソプロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘ
キシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン等、又
はこれらの混合物が挙げられる。脂肪族第２級アミンと
しては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジア
ミルアミン等、又はこれらの混合物が挙げられる。脂肪
族第３級アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ト
リアミルアミン等、又はこれらの混合物が挙げられる。
脂肪族不飽和アミンとしては、アリルアミン、ジアリル
アミン、トリアリルアミン等、又はこれらの混合物が挙
げられる。脂環式アミンとしては、下記表−２に示すも
の以外に、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン
、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等、又
はこれらの混合物が挙げられる。芳香族アミンとしては
、下記表−２に示すもの以外に、アニリン、メチルアニ
リン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエチルア
ニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイ
ジン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、トリベンジ
ルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、α
−ナフチルアミン、β−ナフチルアミン等、又はこれら
の混合物が挙げられる。なお上述したアミン化合物の水
素原子がハロゲン原子、水酸基又は炭化水素基等の官能
基で置換されたアミン化合物を使用してもよく、また上
述のアミン化合物の水素原子が除かれたタイプのアミン
化合物残基が他のアミン化合物の水素原子と置換されて
構成されるジアミン化合物でも使用可能であり、更に同
様に構成されるトリアミン化合物、或いはより高次のア
ミン化合物も使用可能である。また上述のアルカリ可溶
性樹脂（例えばノボラック型フェノール樹脂）の分子量
は、例えば３００〜１０００であるのが望ましいが、３
００未満であると少なすぎてマスキングの効果に乏しく
なり、１０００を越えると逆に粒度が大きくなつて溶け
にくいという問題が生じる。
またこのアルカリ可溶性樹脂は線状構造をなしているこ
とが望ましいが、これは例えば三次元構造だとアルカリ
可溶にならないからである。また樹脂を溶解するアルカ
リはＮａＯＨ．ＫＯＨ等を使用してよく、またその濃度
はＰＨ≧１２であるのが望ましい。
とが望ましいが、これは例えば三次元構造だとアルカリ
可溶にならないからである。また樹脂を溶解するアルカ
リはＮａＯＨ．ＫＯＨ等を使用してよく、またその濃度
はＰＨ≧１２であるのが望ましい。
次に、本発明の方法に使用するマスキング材の各成分の
割合であるが、有機イオウ化合物とアミン化合物と樹脂
との合計量１０鍾量％（以下単に「％」で表わす。
割合であるが、有機イオウ化合物とアミン化合物と樹脂
との合計量１０鍾量％（以下単に「％」で表わす。
）とすれは、有機イオウ化合物とアミン化合物との合計
量が５〜５０％、樹脂が９５〜５０％であるのが望まし
い。即ち、前２者が５％未満であるとメッキ阻害作用に
乏しくなり、また５０％を越えるとアミン化合物が多く
なつて耐酸性が低下すると共に樹脂分が少なくなつてア
ルカリに溶けにくくなり、然も強度も低下するからであ
る。また、有機イオウ化合物とアミン化合物の合計量を
１００％とすれば、有機イオウ化合物が１０〜７０％、
アミン化合物が９０〜３０％であるのが望ましい。即ち
、有機イオウ化合物が１０％未満であると少なすぎて効
果に乏しくなり、また７０％を越えると多すぎてアミン
化合物に溶解し難くなるからである。なお有機イオウ化
合物とアミン化合物と樹脂との合計量１０踵量部（以下
単に「部」で表わす。）に対して、溶剤を２〜３娼使用
するのが望ましいが、２部未満てある溶解作用に乏しく
なり、また（至）部を越えるとマスキング材の粘度が小
さくなつて印刷時ににじみ出やすくなるからである。な
お本発明の方法によれば、マスキング材はスルーホール
を有する回路基板において、無電解メッキをしない部分
に被着される。
量が５〜５０％、樹脂が９５〜５０％であるのが望まし
い。即ち、前２者が５％未満であるとメッキ阻害作用に
乏しくなり、また５０％を越えるとアミン化合物が多く
なつて耐酸性が低下すると共に樹脂分が少なくなつてア
ルカリに溶けにくくなり、然も強度も低下するからであ
る。また、有機イオウ化合物とアミン化合物の合計量を
１００％とすれば、有機イオウ化合物が１０〜７０％、
アミン化合物が９０〜３０％であるのが望ましい。即ち
、有機イオウ化合物が１０％未満であると少なすぎて効
果に乏しくなり、また７０％を越えると多すぎてアミン
化合物に溶解し難くなるからである。なお有機イオウ化
合物とアミン化合物と樹脂との合計量１０踵量部（以下
単に「部」で表わす。）に対して、溶剤を２〜３娼使用
するのが望ましいが、２部未満てある溶解作用に乏しく
なり、また（至）部を越えるとマスキング材の粘度が小
さくなつて印刷時ににじみ出やすくなるからである。な
お本発明の方法によれば、マスキング材はスルーホール
を有する回路基板において、無電解メッキをしない部分
に被着される。
本発明の方法に使用するマスキング材の調製例を次に示
す。
す。
調製例１
ペンタクロルチオフェノール５部をポリアミド（富士化
成社製トーマイド２３５Ａ）Ｗ部にメタノール２部を加
えて溶解し、パラターシヤリーブチルフエノール樹脂（
サンエイ化学社製ＳＰＲ−５００）（イ）部へ加え、約
５部のブチルセロソルブで適当な粘度に希釈する。
成社製トーマイド２３５Ａ）Ｗ部にメタノール２部を加
えて溶解し、パラターシヤリーブチルフエノール樹脂（
サンエイ化学社製ＳＰＲ−５００）（イ）部へ加え、約
５部のブチルセロソルブで適当な粘度に希釈する。
調製例２
トリクロルチオフェノールｗ部を４・４″一エチレンジ
アニリン及びジメチルホルムアミド混液２０部に溶解し
、この液を、ブチルエーテル化フェノール樹脂（サンワ
化学社製ＤＡ−１１０ＢＳ）１（１）部に混合し、半透
明になるまで充分に攪拌する。
アニリン及びジメチルホルムアミド混液２０部に溶解し
、この液を、ブチルエーテル化フェノール樹脂（サンワ
化学社製ＤＡ−１１０ＢＳ）１（１）部に混合し、半透
明になるまで充分に攪拌する。
次に本発明の実施例を述べるが、この実施例は本発明を
限定するものではなく、本発明の技術的思想に基いて更
に変形可能である。実施例 充分に粗面化されたフェノール基材を硫酸１００９１ｆ
、無水クロム酸３５０ｑ１ｅで全面エッチングし、水洗
後、次の様に処理した。
限定するものではなく、本発明の技術的思想に基いて更
に変形可能である。実施例 充分に粗面化されたフェノール基材を硫酸１００９１ｆ
、無水クロム酸３５０ｑ１ｅで全面エッチングし、水洗
後、次の様に処理した。
このように処理されたフェノール基材に、次の組成の無
電解銅メッキを行なつた。
電解銅メッキを行なつた。
これによつて第１Ａ図に示すように、０．５μ厚のメッ
キ１を基材２の両面に形成した。ＣｕＳＯ４ｌ２ｙＩｆ ロツセル塩 ３０ｙ１ｅＮａ０Ｈ
１０ｆＩ１ｅバラホルムアルデヒド １２ｇ
ＩｅＰＨ１２．５〜１２．７温度及び時間
２０゜Ｃ及び５分続いてペンタクロルチオフェノール
又は２−メルカプトベンズチアゾールｗ部をβ−ヒドロ
キシエチルアミン（９）部に溶解し、ロジン樹脂（ワー
ナ社製１４５２８ＷＲ）１（４）部に混合し、ブチルセ
ロソルブ２部で粘度の調整を行なつたインキを作成した
。
キ１を基材２の両面に形成した。ＣｕＳＯ４ｌ２ｙＩｆ ロツセル塩 ３０ｙ１ｅＮａ０Ｈ
１０ｆＩ１ｅバラホルムアルデヒド １２ｇ
ＩｅＰＨ１２．５〜１２．７温度及び時間
２０゜Ｃ及び５分続いてペンタクロルチオフェノール
又は２−メルカプトベンズチアゾールｗ部をβ−ヒドロ
キシエチルアミン（９）部に溶解し、ロジン樹脂（ワー
ナ社製１４５２８ＷＲ）１（４）部に混合し、ブチルセ
ロソルブ２部で粘度の調整を行なつたインキを作成した
。
次いで第１Ｂ図のようにドリルによつてスルーホール３
を形成してから、第１Ｃ図のように、上記インキを用い
て、上記無電解銅メッキを行なつた基材２上に、回路パ
ターンが露出する様にスクリーン印刷してマスキング４
を施した。つづいて、第１Ｄ図のように無電解ニッケル
メッキを行なつてニッケル５をスルーホール３周辺に付
着させ、続いて次の組成で第１Ｅ図のように電気銅メッ
キを行なつた。この結果、銅メッキ６を厚さ３５μに付
着させた。ＣＵＳＯ４７５ｙｌｅＨ２ＳＯ４ｌ８ＯｙＩ
′ 電流密度 ２ＡＩｄＴｒｔ時間
６紛 次に、アノしカリ処理（１０％ＮａＯＨ、４５℃、２分
、浸漬）を行ない、第１Ｆ図のようにパターンインキを
剥離した。
を形成してから、第１Ｃ図のように、上記インキを用い
て、上記無電解銅メッキを行なつた基材２上に、回路パ
ターンが露出する様にスクリーン印刷してマスキング４
を施した。つづいて、第１Ｄ図のように無電解ニッケル
メッキを行なつてニッケル５をスルーホール３周辺に付
着させ、続いて次の組成で第１Ｅ図のように電気銅メッ
キを行なつた。この結果、銅メッキ６を厚さ３５μに付
着させた。ＣＵＳＯ４７５ｙｌｅＨ２ＳＯ４ｌ８ＯｙＩ
′ 電流密度 ２ＡＩｄＴｒｔ時間
６紛 次に、アノしカリ処理（１０％ＮａＯＨ、４５℃、２分
、浸漬）を行ない、第１Ｆ図のようにパターンインキを
剥離した。
印刷した部分以外には３５μの銅６が存在し、インキ剥
離した部分には前もつて形成した無電解銅メッキ１が露
出した。続いて、過硫酸アンモン２００ｙＩ′（常温）
に浸漬し、第１Ｇ図のように０．５μの銅１を溶解して
、フェノール板２上に回路パターンをスルーホール３を
通して得られた。なお本発明の方法においては、第１Ｄ
図の無電解メッキ及び第１Ｅ図の電気メッキの両工程に
マ”スキング材４をマスクとして使用できることが重要
な特徴である。
離した部分には前もつて形成した無電解銅メッキ１が露
出した。続いて、過硫酸アンモン２００ｙＩ′（常温）
に浸漬し、第１Ｇ図のように０．５μの銅１を溶解して
、フェノール板２上に回路パターンをスルーホール３を
通して得られた。なお本発明の方法においては、第１Ｄ
図の無電解メッキ及び第１Ｅ図の電気メッキの両工程に
マ”スキング材４をマスクとして使用できることが重要
な特徴である。
即ち、このマスキング材は両メッキ工程に十分耐えるも
のであるから、無電解メッキ後に、すぐに電気メッキ工
程にそのまま移ることができる。従来のマスキング材で
は、無電解メッキ後に基材を一旦ラックから外し、乾燥
→電気メッキ用マスキング材の印刷→ラツキングという
一連の工程を経てはじめて次の電気メッキが可能であつ
たが、本発明の方法ではそのような工程を経る必要なく
、両メッキ工程を通じてワンラツｌク化が可能となり、
作業性が大巾に向上する。
のであるから、無電解メッキ後に、すぐに電気メッキ工
程にそのまま移ることができる。従来のマスキング材で
は、無電解メッキ後に基材を一旦ラックから外し、乾燥
→電気メッキ用マスキング材の印刷→ラツキングという
一連の工程を経てはじめて次の電気メッキが可能であつ
たが、本発明の方法ではそのような工程を経る必要なく
、両メッキ工程を通じてワンラツｌク化が可能となり、
作業性が大巾に向上する。
第１Ａ図〜第１Ｇ図は本発明の回路基板の製法を工程順
に示す断面図である。 なお図面に用いられている符号において、１は・銅メッ
キ層、２は基材、３はスルーホール、４はマスキング材
、５は無電解ニッケルメッキ層、６は銅メッキ層である
。
に示す断面図である。 なお図面に用いられている符号において、１は・銅メッ
キ層、２は基材、３はスルーホール、４はマスキング材
、５は無電解ニッケルメッキ層、６は銅メッキ層である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁材料から成る基材の両面に導体を有する基板を
準備し、基板の必要部分にスルーホールを設け、 有機イオウ化合物と、アミン化合物と、アルカリ水溶液
に可溶なフェノール系及び／又はロジン系の樹脂とを夫
々含有する、アルカリ水溶液に可溶な組成物からなるメ
ッキ用マスキング材を、基板のうち導電回路パターンを
必要としない部分に塗布し、無電解メッキによりスルー
ホールと導電回路パターン部分とに金属メッキ層を形成
し、引続いて、電気メッキにより前記金属メッキ層を補
強し、前記マスキング材をアルカリ水溶液で溶解除去し
、露出した前記導体をエッチングにより除去することを
特徴とする回路基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52158190A JPS6056794B2 (ja) | 1977-12-29 | 1977-12-29 | 回路基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52158190A JPS6056794B2 (ja) | 1977-12-29 | 1977-12-29 | 回路基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5492526A JPS5492526A (en) | 1979-07-21 |
| JPS6056794B2 true JPS6056794B2 (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=15666222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52158190A Expired JPS6056794B2 (ja) | 1977-12-29 | 1977-12-29 | 回路基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056794B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989004588A1 (en) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming metal coating on dielectric |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4171254B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2008-10-22 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物 |
-
1977
- 1977-12-29 JP JP52158190A patent/JPS6056794B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989004588A1 (en) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming metal coating on dielectric |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5492526A (en) | 1979-07-21 |
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