JPS6284444A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS6284444A JPS6284444A JP60225121A JP22512185A JPS6284444A JP S6284444 A JPS6284444 A JP S6284444A JP 60225121 A JP60225121 A JP 60225121A JP 22512185 A JP22512185 A JP 22512185A JP S6284444 A JPS6284444 A JP S6284444A
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- Japan
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- recording medium
- light
- thin film
- recording
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ等の光ビームによる熱作用を利用して
情報を高密度に記録、再生、消去することのできるヒー
トモード型の光記録媒体に関するものである。
情報を高密度に記録、再生、消去することのできるヒー
トモード型の光記録媒体に関するものである。
従来の技術
従来、レーザ等を用いて光学的に情報を記録できる媒体
としては、ＭｎＢ ｔ、ＭｎＣｕＢ ｔ、あるいはＧ
ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅなどの薄膜の光磁気効果を利用する
もの。例えば、工藤嘉彦はか：ナショナル・テクニカル
レポート（ＮａｔｉｏｎａｌＴｅｃｈｎｌｃａｌ Ｒ
ｅｐｏｒｔ）、２Ｂ（６）。
としては、ＭｎＢ ｔ、ＭｎＣｕＢ ｔ、あるいはＧ
ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅなどの薄膜の光磁気効果を利用する
もの。例えば、工藤嘉彦はか：ナショナル・テクニカル
レポート（ＮａｔｉｏｎａｌＴｅｃｈｎｌｃａｌ Ｒ
ｅｐｏｒｔ）、２Ｂ（６）。
１０２５ （１９８２）テルル、（Ｔｅ）系の低融点金
属薄膜にレーザ光照射により小孔を形成するもの。例え
ば、ニー・イー・ヘル（ＡＪ、Ｂｅｌ ｌ） ：ほか：
アプライドフィジックスレターズ（ＡｐｐｌｉｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、３４，２７５（１９７
９）、テルル酸化物（ＴｅＯｘ）薄膜のレーザ照射によ
る屈折率変化を利用するもの。例えば、竹永睦生はか：
ナショナル・テクニカル１ノボ−ト （Ｎａｔｉｏｎ
ａｌ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＲｅｐｏｒｔ）、２８
．１０１６ （１９Ｂ２）。
属薄膜にレーザ光照射により小孔を形成するもの。例え
ば、ニー・イー・ヘル（ＡＪ、Ｂｅｌ ｌ） ：ほか：
アプライドフィジックスレターズ（ＡｐｐｌｉｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、３４，２７５（１９７
９）、テルル酸化物（ＴｅＯｘ）薄膜のレーザ照射によ
る屈折率変化を利用するもの。例えば、竹永睦生はか：
ナショナル・テクニカル１ノボ−ト （Ｎａｔｉｏｎ
ａｌ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＲｅｐｏｒｔ）、２８
．１０１６ （１９Ｂ２）。
ハロゲン化銀の還元、析出を利用するもの例えば、ジェ
ローム・ドレクスラ−（ＪｅｒｏｍｅＤｒｅｘｌｅｒ）
：特開昭５９−１４５１９２公報などがある。
ローム・ドレクスラ−（ＪｅｒｏｍｅＤｒｅｘｌｅｒ）
：特開昭５９−１４５１９２公報などがある。
しかしながら、上記の光記録媒体は次に示すいくつかの
問題点を有している。即ら、Ｔｅ系低融点金属薄膜やハ
ロゲン化銀を媒体とした場合ば、情報の書き換えができ
ないこと。また、光磁気効果を有する合金薄膜や屈折率
変化を利用するＴｅＯｘ薄膜の場合は、耐環境性や記録
の保存安定性が十分でなく、これを軽減するために保護
層の形成などの処理が必要となり、製造工法が複雑にな
ったり、コストの高騰を招き、結果的に実用化に際して
の大きな障害となっていることなどである。
問題点を有している。即ら、Ｔｅ系低融点金属薄膜やハ
ロゲン化銀を媒体とした場合ば、情報の書き換えができ
ないこと。また、光磁気効果を有する合金薄膜や屈折率
変化を利用するＴｅＯｘ薄膜の場合は、耐環境性や記録
の保存安定性が十分でなく、これを軽減するために保護
層の形成などの処理が必要となり、製造工法が複雑にな
ったり、コストの高騰を招き、結果的に実用化に際して
の大きな障害となっていることなどである。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、既存の上記光記録媒体における問題点に鑑み
、製造が比較的容易で、しかも情報の書き換えが可能な
光記録媒体を提供するものである。
、製造が比較的容易で、しかも情報の書き換えが可能な
光記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の記録媒体は、表面起伏を伴った同素変態を持つ
合金系から成り、熱処理により誘起される上記同素変態
による媒体表面での光の反射率を変化させるように構成
したものである。
合金系から成り、熱処理により誘起される上記同素変態
による媒体表面での光の反射率を変化させるように構成
したものである。
作用
すなわち本発明は、記録媒体として、表面起伏を伴う同
素変態を有する合金系材料を用い、光ビーム照射による
熱処理によって同素変態を生ぜせしめ、両相間の光の反
射率の異なることを利用して、光学的に情報を記録、あ
るいは消去できる光記録材料を提供しようとするもので
ある。
素変態を有する合金系材料を用い、光ビーム照射による
熱処理によって同素変態を生ぜせしめ、両相間の光の反
射率の異なることを利用して、光学的に情報を記録、あ
るいは消去できる光記録材料を提供しようとするもので
ある。
実施例
以下に、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１
まずＣｏ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ｎ１またはＣＯ−Ｃｕ系合金で
それぞれの組成をいくつか変えたターゲットを作製した
。次に、これらのそれぞれをターゲットにして、案内溝
を設けたディスク状の石英基板上にスパッタ法を用いて
記録媒体としての薄膜（膜厚０．１μｍ）を形成した。
それぞれの組成をいくつか変えたターゲットを作製した
。次に、これらのそれぞれをターゲットにして、案内溝
を設けたディスク状の石英基板上にスパッタ法を用いて
記録媒体としての薄膜（膜厚０．１μｍ）を形成した。
Ｘ線解析の結果、これらの記録薄膜は六方晶相であるこ
とが確認された。第１図は、上記薄膜の断面の模式図で
あり、薄膜表面は非常に微細な起伏を伴った状態になっ
ている。
とが確認された。第１図は、上記薄膜の断面の模式図で
あり、薄膜表面は非常に微細な起伏を伴った状態になっ
ている。
次に、このディスクを毎分９００回転の速さで回転し、
１メガヘルツ（ＭＨ２）で変調したレーザ光（波長：８
３０ｎｍ）を収束し照射（記録媒体上でのレーザパワー
ニアｍＷ、ビーム径１．２μｍ）した。レーザ光を照射
した部分の媒体表面は、いずれも第２図に模式的に示さ
れているように、非常に平滑な状態となっており、Ｘ線
解析の結果、記録薄膜の結晶相は立方晶相に変態してい
ることが明らかになった。また、この状態でのレーザ照
射部の媒体表面での光の反射率は、記録時と同じ８３０
ｎｍのレーザ光（媒体表面でのレーザパワー：０．５ｍ
Ｗ）を用いて測定した結果、第１表に示されているよう
に、特許請求の範囲にある記録媒体組成のものは約２０
〜４０％向上していることがわかった。
１メガヘルツ（ＭＨ２）で変調したレーザ光（波長：８
３０ｎｍ）を収束し照射（記録媒体上でのレーザパワー
ニアｍＷ、ビーム径１．２μｍ）した。レーザ光を照射
した部分の媒体表面は、いずれも第２図に模式的に示さ
れているように、非常に平滑な状態となっており、Ｘ線
解析の結果、記録薄膜の結晶相は立方晶相に変態してい
ることが明らかになった。また、この状態でのレーザ照
射部の媒体表面での光の反射率は、記録時と同じ８３０
ｎｍのレーザ光（媒体表面でのレーザパワー：０．５ｍ
Ｗ）を用いて測定した結果、第１表に示されているよう
に、特許請求の範囲にある記録媒体組成のものは約２０
〜４０％向上していることがわかった。
第 １ 表
ｉｌｌ （Ｃｏ −Ｐ ｄ ）系合金（２１（Ｃｏ
−Ｎ ｉ ）系合金 ＋３１ （Ｃｏ −ＣＩＪ ）系合金すなわち、媒体
表面での光の反射率を検出することにより、容易に記録
情報を再生することのできることが明らかになった。
−Ｎ ｉ ）系合金 ＋３１ （Ｃｏ −ＣＩＪ ）系合金すなわち、媒体
表面での光の反射率を検出することにより、容易に記録
情報を再生することのできることが明らかになった。
次に基板全体を一４０℃の温度で５分間熱処理し、記録
膜表面の状態を観察した。この時の薄膜の断面の模式Ｍ
を第３図に示す。図から明らかなように、表面の状態が
第１図、すなわち、記録す□ る前の状態に復帰し°ζいることがわかる。このことは
、Ｘ線解析によって記録媒体が記録前と同じ結晶相に戻
っていたことが明らかになっていたことからも確認する
ことができた。また光の反射率も記録する前とほぼ同じ
値となり、記録された情報が消去されていることが明ら
かとなった。
膜表面の状態を観察した。この時の薄膜の断面の模式Ｍ
を第３図に示す。図から明らかなように、表面の状態が
第１図、すなわち、記録す□ る前の状態に復帰し°ζいることがわかる。このことは
、Ｘ線解析によって記録媒体が記録前と同じ結晶相に戻
っていたことが明らかになっていたことからも確認する
ことができた。また光の反射率も記録する前とほぼ同じ
値となり、記録された情報が消去されていることが明ら
かとなった。
なお、特許請求の範囲において、添加金属としてＰｄ、
ＮｉあるいはＣｕをそれぞれ１〜２０゜１〜３０，１〜
１５原子％に限定したのは、添加量が特許請求より少な
い場合には、六方晶相、立方晶相の両相間の結晶変態に
於ける温度ヒステリシスが小さくなり、記録状態を安定
に保持することが困難となり、また、添加量が多い場合
には、。
ＮｉあるいはＣｕをそれぞれ１〜２０゜１〜３０，１〜
１５原子％に限定したのは、添加量が特許請求より少な
い場合には、六方晶相、立方晶相の両相間の結晶変態に
於ける温度ヒステリシスが小さくなり、記録状態を安定
に保持することが困難となり、また、添加量が多い場合
には、。
立方晶相から六方晶相への変態温度が低下してしまい、
記録された情報を消去することが困難となり、実用に供
し得るものにならないことに依るものである。
記録された情報を消去することが困難となり、実用に供
し得るものにならないことに依るものである。
実施例２
Ｆｅ−Ｐｄ、Ｆｅ−ＰｔまたはＦｅ−Ｎｉ系合金でそれ
ぞれの組成をいくつか変えたターゲットを作製した。以
下、実施例１の場合と同様の方法で記録媒体としての薄
膜（膜厚０．１．＋ｒｍ）を形成し、情報記録特性を調
べた。その結果、やはり実施例１の場合と同様、レーザ
光照射により記録媒体である薄膜表面は、非常に微細な
起伏を伴った状態から、平滑な状態に変化しており、反
射率も第２表に示すように約１５〜３５％上昇している
ことが明らかになった。
ぞれの組成をいくつか変えたターゲットを作製した。以
下、実施例１の場合と同様の方法で記録媒体としての薄
膜（膜厚０．１．＋ｒｍ）を形成し、情報記録特性を調
べた。その結果、やはり実施例１の場合と同様、レーザ
光照射により記録媒体である薄膜表面は、非常に微細な
起伏を伴った状態から、平滑な状態に変化しており、反
射率も第２表に示すように約１５〜３５％上昇している
ことが明らかになった。
第 ２ 表
＋１） （Ｆｅ−Ｐｄ）系合金
＋２１ （Ｆ ｅ −Ｐ ｔ ）系合金＋３） （
Ｆ ｅ−Ｎ ｉ ）系合金また、記録された情報は、基
板全体を 一７０℃の温度で５分間熱処理することにより消去する
ことのできることが確認できた。
Ｆ ｅ−Ｎ ｉ ）系合金また、記録された情報は、基
板全体を 一７０℃の温度で５分間熱処理することにより消去する
ことのできることが確認できた。
なお、添加金属の量を特許請求の範囲に記載されている
ものに限定したのは、実施例１で述べたのと同じ理由に
依るものである。
ものに限定したのは、実施例１で述べたのと同じ理由に
依るものである。
実施例３
Ｍ ｎ −Ｎ ｉ系合金において、組成のいくつかの異
るターゲットを作製した。以下、実施例１の場合と同様
の方法で記録媒体としての薄膜（膜厚０．１μｍ）を形
成し、情報記録特性を調べた。
るターゲットを作製した。以下、実施例１の場合と同様
の方法で記録媒体としての薄膜（膜厚０．１μｍ）を形
成し、情報記録特性を調べた。
その結果、やはり実施例１の場合と同様、レーザ光照射
により記録媒体である薄膜表面は、非常に微細な起伏を
伴った状態から、平滑な状態に変化しており、反射率も
第３表に示すように約３５〜４０％向上していることが
明らかになった。
により記録媒体である薄膜表面は、非常に微細な起伏を
伴った状態から、平滑な状態に変化しており、反射率も
第３表に示すように約３５〜４０％向上していることが
明らかになった。
第 ３ 表
（Ｍｎ−Ｎｉ）系合金
また記録された情報は、基板全体を一７０℃の温度で５
分間熱処理することにより消去することのできることが
確認できた。
分間熱処理することにより消去することのできることが
確認できた。
なお、添加金属の量を特許請求の範囲に記載されている
ものに限定したのは、実施例１で述べたのと同じ理由に
依るものである。
ものに限定したのは、実施例１で述べたのと同じ理由に
依るものである。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は熱処理によっ
て生ずる同素変態に基づき、記録媒体表面での光の反射
率が変化することを利用し、且つ一旦記録した情報を、
低温で熱処理することにより消去し得ることを特徴とす
る従来にない新しい光記録媒体を比較的簡便な方法で提
供するものであり、種々の応用が期待できるものである
。
て生ずる同素変態に基づき、記録媒体表面での光の反射
率が変化することを利用し、且つ一旦記録した情報を、
低温で熱処理することにより消去し得ることを特徴とす
る従来にない新しい光記録媒体を比較的簡便な方法で提
供するものであり、種々の応用が期待できるものである
。
第１図は本発明の実施例における情報を記録する前のデ
ィスク断面の拡大模式図、第２図はレーザ光を照射した
部分周辺のディスク断面の拡大模式図、第３図はレーザ
光照射後、ディスク全体を一４０℃で熱処理した場合の
ディスク断面の拡大模式図である。 １・・・・・・記録媒体、２・・・・・・石英ガラス基
板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名区
区 蘇 １
ィスク断面の拡大模式図、第２図はレーザ光を照射した
部分周辺のディスク断面の拡大模式図、第３図はレーザ
光照射後、ディスク全体を一４０℃で熱処理した場合の
ディスク断面の拡大模式図である。 １・・・・・・記録媒体、２・・・・・・石英ガラス基
板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名区
区 蘇 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）記録媒体が表面起伏を伴った同素変態を持つ合金
系から成り、前記記録媒体に光ビームを照射することに
よる熱処理を加え、前記合金系における表面起伏を伴っ
た同素変態を誘起せしめ、前記記録媒体表面での光の反
射率変化をもたらすことにより、光学的に情報を記録、
消去することを特徴とする光記録媒体 （２）記録媒体がコバルト（Ｃｏ）系合金から成り、そ
の組成がＣｏ−Ｍ＿１（Ｍ＿１：パラジウム（Ｐｄ）１
〜２０原子％、ニッケル（Ｎｉ）１〜３０原子％または
銅（Ｃｕ）１〜１５原子％）であることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の光記録媒体。（３）記録
媒体が鉄（Ｆｅ）系合金から成り、その組成がＦｅ−Ｍ
＿２（Ｍ＿２：パラジウム（Ｐｄ）１０〜２５原子％、
白金（Ｐｔ）１０〜２５原子％またはニッケル（Ｎｉ）
１０〜２０原子％）であることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載の光記録媒体。 （４）記録媒体がマンガン（Ｍｎ）系合金から成り、そ
の組成がＭｎ−Ｍ＿８（Ｍ＿８：ニッケル（Ｎｉ）２２
〜３０重量％）であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225121A JPS6284444A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225121A JPS6284444A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284444A true JPS6284444A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16824291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225121A Pending JPS6284444A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284444A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153829A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 光学式情報記憶装置 |
| JPS61177653A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Toshiba Corp | 光学式情報記憶装置 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225121A patent/JPS6284444A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153829A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 光学式情報記憶装置 |
| JPS61177653A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Toshiba Corp | 光学式情報記憶装置 |
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