JPS6282600A - 電気的消去・書込み可能なメモリ装置 - Google Patents

電気的消去・書込み可能なメモリ装置

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Publication number
JPS6282600A
JPS6282600A JP60222754A JP22275485A JPS6282600A JP S6282600 A JPS6282600 A JP S6282600A JP 60222754 A JP60222754 A JP 60222754A JP 22275485 A JP22275485 A JP 22275485A JP S6282600 A JPS6282600 A JP S6282600A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
writing
electrically erasable
frequency
value
writable memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60222754A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichiro Shimizu
清水 儀一郎
Toshio Mikitani
俊雄 御器谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Kohki Co Ltd
Original Assignee
Nitto Kohki Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Kohki Co Ltd filed Critical Nitto Kohki Co Ltd
Priority to JP60222754A priority Critical patent/JPS6282600A/ja
Publication of JPS6282600A publication Critical patent/JPS6282600A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電気的消去・書込み可能なメモリ装置に関す
るものであり、特に書込み可能回数を保証値以内に制限
する必要のおる電気的消去・書込み可能なメモリ装置(
以下、EEP−ROMと略称する)に関するものである
(従来の技術) 記・臘データや情報を使用者が自由に書込むことのでき
るプログラマブルROMとしては、従来から紫外線照射
によって記憶内容を消去できるEP−ROMが知られて
いる。しかし、EP−ROMの消去のためには、紫外線
照射を数10分継続して行なわなければならず、高速な
書替えができないという難点がおる。
これを補なうものとして、電気的に記憶内容を消去でき
るEEP−ROMが開発されている(例えば、CQ出版
社発行、「トランジスタ技術11985年1月号、第4
03〜408頁)。
EEP−ROMは約5vの電圧で消去・書込みができ、
しかも消去に要する時間は10μ秒以下と極めて短かい
ばかりでなく、データの消去が書込みサイクルの一部と
して内部で自動的に行なわれるので、使用者がソフトウ
ェアの面で消去を意識する必要がないなどの優れた特徴
を有している。
(発明が解決しようとする問題点) 上記した従来の技術は、次のような問題点を有していた
書込み可能回数が、例えば10万回と限定されており、
しかもその保証回数は1万回程度にすぎない。このため
に、保証回数を超えて書込み、データ変更を行なうと、
エラーを発生するおそれがある。
本発明は、前述の問題点を解決するためになされたもの
である。
(問題点を解決するための手段および作用)前記の問題
点を解決するために、本発明は、書込み(および/また
はデータ変更:以下、単に書込みという)済回数を記憶
するメモリ領域を設定し、書込みを行なう度に、その書
込み累算回数を累算、監視し、書込み設定回数に達して
いないときは、累算回数を更新すると共に書込みを許容
し、−力設定回数を超えたときは、その旨の表示、警1
    報を発生すると共に、必要に応じて書込みを禁
止I    するようにした点に特徴がおる。
i    (実施例) 1    以下に図面を参照して、本発明の詳細な説明
する。
1     第1図は本発明の一実施例のブロック図、
第2!    図はその動作を示すフローチャートであ
る。
CPU11はアドレス・データバス12および読・書(
R/W>コントロール信号線13を介し1   ″i’
EEP−ROM14.!″接続計乞前記0211   
11はまた、インターフェイス15を介してキー1  
  ′ゝ−ド16七″f″″″″Sj1M17に1計る
’   EEP−R6M14よ、よ、□い□□、を記憶
するための書込み回数メモリ領域20あよ’   UF
F□Mll、R’E:ia*t6 t;: 6(7)n
!i¥@@メモリ領域21が設定される。
動作時に、EEP−ROM14に対する書込み信号が検
出されると(第2図ステップS1)割込みを生じ、CP
U11はまずアドレス・データバス12を介してEEP
−ROM14内の書込み回数メモリ領域20および設定
回数メモリ領域21のアドレスを指定し、その記憶内容
−すなわち、今までに行なった書込み回数の累算値Nお
よび許容される最大書込み回数NRを読取る(ステップ
82>。
ステップS3では、累算値が最大書込み回数NRに達し
ていないかどうかの判定を行なう。
累算値が最大書込み回数NRよりも小さいときは、EE
P−ROM14は十分に使用可能でおるので書込み信号
およびデータ書込み用アドレスを発生して、所望データ
の書込み(@替え)を行なう(ステップS4)。
つづいて、書込み回数メモリ領域20のアドレスを指定
して累算値を(N+1>に更新する(ステップS5)。
一方、ステップS3の判定において、累算値が最大書込
み回数NRに等しいか、それより大となっているときは
、EEP−ROM14はもはや信頼性に欠けていること
になるので、ステップS8において、表示・警報装置1
7を付勢し、許容限度を超えたことを知らせる。また、
必要に応じては、EEP−ROM14へのデータ書込み
、書替えを禁止する。
以上では、書込み回数メモリ領1120をEEP−RO
M14内に設定する例について述べたが、書込み回数メ
モリ領域20はEEP−ROM14に対する書込みが行
なわれる度に書替えられることになるので、書替えが最
大書込み回数NR近くになると、エラーを生ずるおそれ
が無いとは言えない。
これを避けるためには、前記書込み回数メモリ領域20
および設定回数メモリ領域21を、EEP−ROM14
とは別個の不揮発性メモリまたは電源バックアップされ
たメモリで構成するのが望ましい。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のような効果が達成される。
EEP−ROMに対する書込み、書替え回数を累算して
監視し、最大書込み回数NRに達したときに使用者に対
して表示、警報を発し、またその書込みを禁止するよう
にしたので、使用者が気付かないうちに最大書込み回数
NRを超えてしまい、予期しないエラーを発生するよう
な不都合を完全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図はその
動作を示すフローチャートである。 11・・・CPU、12・・・アドレス・データバス、
13・・・読・書(R/W)コントロール信号線、14
・・・EEP−ROM、15・・・インターフェイス、
16・・・キーボード、17・・・表示・警報装置、2
0・・・書込み回数メモリ領域、21・・・設定回数メ
モリ領域 代理人 弁理士 平木通人 外1名 菓 1 図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電気的消去・書込み可能なメモリに対する書込み
    回数の累算値を記憶する書込み回数メモリと、電気的消
    去・書込み可能なメモリに対する書込み回数の許容値を
    記憶する設定回数メモリと、前記電気的消去・書込み可
    能なメモリに対する書込みコントロール信号の発生に応
    答して書込み回数に記憶された累算値を読取る手段と、 読取つた累算値を許容値と比較する手段と、前記累算値
    が許容値よりも小さいときは、所望データの前記電気的
    消去・書込み可能なメモリに対する書込みを実行すると
    共に、前記累算値を1だけ更新する手段と、 前記累算値が許容値を超えたときは、その旨を表示する
    手段とを具備したことを特徴とする電気的消去・書込み
    可能なメモリ装置。
  2. (2)書込み回数は電気的消去・書込み可能なメモリ内
    に設定されたことを特徴とする前記特許請求の範囲第1
    項記載の電気的消去・書込み可能なメモリ装置。
  3. (3)書込み回数は電気的消去・書込み可能なメモリ以
    外のメモリであることを特徴とする前記特許請求の範囲
    第1項記載の電気的消去・書込み可能なメモリ装置。
  4. (4)前記累算値が許容値を超えたときは、前記電気的
    消去・書込み可能なメモリに対する書込みが禁止される
    ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項ないし第3
    項のいずれかに記載の電気的消去・書込み可能なメモリ
    装置。
JP60222754A 1985-10-08 1985-10-08 電気的消去・書込み可能なメモリ装置 Pending JPS6282600A (ja)

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