JPS6281505A - 導波型光変位センサ - Google Patents

導波型光変位センサ

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JPS6281505A
JPS6281505A JP22179185A JP22179185A JPS6281505A JP S6281505 A JPS6281505 A JP S6281505A JP 22179185 A JP22179185 A JP 22179185A JP 22179185 A JP22179185 A JP 22179185A JP S6281505 A JPS6281505 A JP S6281505A
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JP
Japan
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light
substrate
optical waveguide
optical
recesses
Prior art date
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Pending
Application number
JP22179185A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Takagi
高木 潤一
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP22179185A priority Critical patent/JPS6281505A/ja
Publication of JPS6281505A publication Critical patent/JPS6281505A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 それぞれ光導波路からなる2つの干渉計が基板に形成さ
れている導波型光変位センサにおいて。
両干渉計の参照光用光導波路の互いに位置の異なる終端
部において、基板に凹部がそれぞれ形成され、凹部の一
面が参照光の反射面となっており。
凹部の位置の差によって2つの参照光に位相差が与えら
れることを特徴とする。
発明の前景 この発明は、基板上に光導波路を用いてマイケルシン干
渉計を作製し、基板上の反射面で反射する参照光と基板
外の被測定物体上の反射面で反射する信号光との干渉に
よる光強度変化に基づいて被測定物体の変位量を計測す
る導波型光変位センサに関する。
このような導波型光変位センサにおいては、基板の3次
元光導波路から出射する信号光が拡散することは避けら
れず、したがって被測定物体の反射面で反射して基板の
光導波路に戻りかつ入射する光の量が少なくなってしま
うという問題がある。被測定物体の変位量がきわめてわ
ずか(たとえば数十μm程度)であればかなりの反射光
量が基板の光導波路に戻るが、被測定物体の変位が大き
くなるともはや測定可能な量の信号光が得られなくなっ
てしまう。
また、従来の導波型光変位センサでは被測定物体の変位
の方向を判別することはできなかった。
このような実情に鑑み、出願人は変位測定距離が長くか
つ変位方向の判別の可能な導波型光変位センサを提案し
た(特願昭6O−142638)。
この先願発明による導波型光変位センサは、光干渉のた
めの少なくとも2つの光導波路が形成された基板、この
基板の光導波路の出射端と被測定物体上の反射面との間
にそれぞれ設けられ、上記出射端から出力される信号光
をコリメートするためのおよび上記反射面での反射光を
集光するための2つのレンズ手段、上記少なくとも2つ
の光導波路の一方に設けられた導波光の位相シフト手段
、ならびに参照光を得るために、基板の光導波路端面に
形成された反射手段を備えていることを特徴としている
このような先願の導波型光変位センサは次のようなすぐ
れた作用、効果を奏する。
信号光と参照光とが基板の光導波路を伝播する過程でこ
れらの2つの光が干渉し、これらの2つの光の位相差に
応じた強度の干渉光が得られる。
参照光の位相は常に一定であり、信号光の位相は被測定
物体の位置によって変化する。したがって干渉光の強度
変化により被測定物体の変位量が測定される。
上記2つのレンズ手段により、基板の2つの光導波路か
ら出射する信号光がそれぞれコリメートされて被測定物
体上の反射面にあたり、この反射面からの反射光は上記
レンズ手段により集光されて基板の光導波路にそれぞれ
入射する。基板の光導波路にそれぞれ入射する信号光の
光量は被測定物体が大きく変位してもほとんど変動しな
いので、長い測定距離を得ることができる。
上記少なくとも2つの光導波路の一方には位相シフト手
段が設けられている。したがって1両光導波路から得ら
れる干渉光強度の周期的な変化は、上記位相シフト手段
によって強制的にシフトされた位相に対応する位相量だ
け相互にずれている。この2つの干渉光の位相のずれに
より被測定物体の移動方向を判別することが可能となる
しかしながら先願発明の導波型光変位センサは実際的に
は次のような問題点も内包していることが分った。
それは、上記位相シフト手段による位相シフト量を高精
度に調整することが困難であるということである。先願
発明においては9位相シフト手段として光導波路の両側
に形成された溝が一例として示されている。溝の存在に
よって光導波路のその部分の等価屈折率が変化し、これ
によって参照光の位相がシフトされる。位相のシフト量
は溝の長さ1位置等によって変化するので溝の形状およ
び位置がその精度に大きく影響する。
これらの溝はフォトリソグラフィ技術によって一般に作
製されるが、マスクの位置合せにサブミクロン・オーダ
以下の精度が要求され、必ずしも高精度に位相調整を行
なうことはできない。また9作製する素子ごとにばらつ
きが多くなるという問題がある。
発明の概要 この発明の目的は、かなり高精度に位相シフト量を制御
することのできる導波型光変位センサを提供することに
ある。
この発明は、それぞれ光導波路からなる2つの干渉計が
基板に形成されている導波型光変位センサにおいて1両
干渉計の参照光用光導波路の互いに位置の異なる終端部
において、基板に四部がそれぞれ形成され、凹部の一面
が参照光の反射面となっていることを特徴とする。
凹部はフォトリソグラフィ技術によって基板に作製する
ことができ、凹部の参照光用光導波路端部に当たる反射
面には、要すればAu等を蒸着することにより鏡面を形
成する。
2つの参照光用光導波路を伝播する2つの参照光の位相
差は、参照光用光導波路の光路差すなわち2つの凹部の
間の距離にのみ依存し、2つの凹部の位置には関係しな
い。2つの凹部をつくるために1つのマスクを使用する
限り、2つの凹部の間の距離は、マスクの位置合せ精度
に関係なく。
常に一定である。したがって2位相のシフト量の精度は
マスクの加工精度にのみ依り、比較的高い精度のものを
得ることができるようになる。また。
同一マスクを使用する限り、常に一定の位相シフトを与
える凹部をつくることができるので素子間のばらつきも
小さくなる。
実施例の説明 第1図および第2図はこの発明による導波型光変位セン
サの一例を、第3図は変位測定システムの全体をそれぞ
れ示している。
基板1として、たとえばソーダ・ガラスを用い、K を
イオン交換することにより単一モードの2つの非対称X
分岐型光導波路10.20が形成されている。光導波路
10は4つの光導波路11〜14を含み、光導波路lO
はこれらの光導波路11〜14がそれらの一端でX字状
に結合することにより構成されており、光導波路12の
巾は他の光導波路11゜13、14の巾よりも狭くつく
られている。光導波路20も同じように4つの光導波路
21〜24から構成されている。そして、光導波路11
と21とがその入力端で共通に形成され、それぞれのX
字詰合部に向ってY字状に分岐している。このような非
対称X分岐型光導波路の詳細は、導波形光ビーム働スプ
リッタとして特開昭58−202408 (特願昭57
−88178)に開示されている。
これらの非対称X分岐光導波路10.20の光導波路1
3.23の終端には凹部(ないしは溝またはスロット)
 15.25が基板1に形成されている。これらの凹部
15.25はフォトリソグラフィ工程によって凹部15
.25に相当する部分に窓のあいたマスクを形成し、ド
ライエツチングを施すことにより形成することができる
。要すれば、光導波路13.23の終端面に相当する凹
部15.25の一面にAuを蒸着することにより鏡面を
形成する。
後述するように、凹部15.25の反射面でそれぞれ反
射した光が参照光となる。これらの参照光の光路差は、
四部15の反射面と凹部25の反射面との間の距離!に
等しく、この光路差!に対応する位相差が2つの参照光
間に発生する。
凹部15と25との間の距離lは凹部15.25を作製
するときのフォトマスクの精度に依存し、フォトマスク
の位置が基板1に対して多少ずれていても。
距離認は変化しない。したがって、フォトマスクを高精
度に作製しておくことにより、所望の光路差!を得るこ
とができ、これにより所望の位相差(位相シフト)を得
ることができる。また、同一のフォトマスクを使用する
ことにより、素子間のばらつきもなくなる。
この実施例に関連する範囲でこの非対称X分岐型光導波
路10(同20も同じ)の動作を説明すると次のように
なる。光導波路11を伝播する光は2つの光導波路13
と14に等しく分岐して進行していく。光導波路13と
14をX字詰合部に向って伝播する光は、これらの光の
位相が等しい場合には光導波路11に戻る。光導波路1
3と14の光が逆位相(位相が180”異なる)場合に
はこれらの光は光導波路12に進む。したがって、光導
波路12には光導波路13.14をX字詰合部に向う光
の位相差に応じた強度の光が得られる。
上述の説明は、光導波路11.12と光導波路13゜1
4とを交換しても同じようにあてはまる。
光導波路11と21の共通入力端の端部には人力用光フ
ァイバ31が、光導波路12.22の端部には出力用光
フ≠イバ32.33がそれぞれ接続されている。
入力用光ファイバ3■としては偏波面保存光ファイバが
用いられている。レーザ光源41からのレーザ光がアイ
ソレータ42およびレンズ43を介して光ファイバ31
に導入される。アイソレータ42はレーザ41から光フ
ァイバ31への光の進行を許し、これとは逆方向に進む
光を遮断するものであり、光の偏波方向に基づいてこの
作用を行なう。出力用光ファイバ32.33としてはマ
ルチモード光ファイバが用いられている。これらの光フ
ァイバ32.33によって導かれる出力光は受光素子4
4A、 44Bにそれぞれ入射し、それらの光強度を表
わす電気信号にそれぞれ変換される。
非対称X分岐型光導波路10において、光導波路11に
導かれかつ光導波路13と14に等しく分岐した光のう
ち光導波路13を進む光は凹部15の反射面で反射して
X字詰合部に向う。この光が参照光である。参照光の強
度は四部15に形成された反射膜の膜厚により定めるこ
とができる。非対称X分岐型光導波路20においても、
凹部25で反射した光に基づいて光導波路23から同様
にして参照光を得ることができる。そして、これらの参
照光の位相差は上述の距離!で与えられる。
被測定物体であるまたは被測定物体に取付けられもしく
は接触しているアクチュエータ(図示路)のロッド6の
先端に可動ミラー4が取付は固定されている。
基板1と可動ミラー4との間にはレンズ基板3が設けら
れ、この基板3に2つのレンズ3A、 3Bが形成され
ている。たとえばソーダ・ガラス基板3表面にエツチン
グ加工を施すことによってフレネル・レンズ3A、 3
Bを作製することができる。これらのレンズ3A、 3
Bの焦点面が基板3の裏面に一致するように、すなわち
レンズ3A、 3Bの焦点距離と基板3の厚さとが等し
く設定されている。光導波路14と24の出力端の中心
間の距離と、レンズ3A。
3Bの中心間の距離とは等しく設定されている。そうし
て、レンズ3A、 3Bの中心が光導波路14.、24
の出力端の中心に一致するように、レンズ基板3がその
裏面で基板1の端面に密着している。基板1と基板3と
の密着は光学接着剤で行なうことができる。たとえば、
紫外線硬化接着剤を用いることにより数分で割基板1と
3を接着することができる。
このようにして、2つのレンズ3A、 3Bを1回の調
整でセツティングすることができる。
このような構成によると、一方のレンズ3Aについて第
5図(B)に示されているように、光導波路14を伝播
しその端部から出射した光はレンズ3Aでコリメートさ
れて可動ミラー4に当り、その反射光はレンズ8Aによ
って光導波路14の出射端付近に丁度集光され、光導波
路14に入射しかつX字詰合部に向って伝播していく。
この光が信号光である。一方の非対称X分岐型光導波路
IOの光導波路14のみならず、他方の非対称X分岐型
光導波路20の光導波路24からも同じようにして信号
光が得られる。
まず変位測定原理について説明する。一方の光導波路1
0にのみ着目する。
上述したように、光導波路13の参照光と光導波路14
の信号光との位相差に応じた強度の出力光が光導波路1
2に得られ、この出力光は光ファイバ32により受光素
子44Aに導かれる。参照光と信号光の位相差は、これ
ら2つの光の間の光路差、すなわち可動ミラー4の変位
量に依存している。出力光強度の変位量(光路、差)に
対する変化が第4図に実線で示されている。出力光強度
は光路差の変化に対してλ(光の波長)の周期で正弦的
に変化する。信号光はレンズ3A、 3Bと可動ミラー
4との間を往復するので光路差は可動ミラー4の変位量
の2倍に等しい。
出力光信号は受光素子44Aで電気信号に変換されたの
ち、高、低2つのスレシホールド・レベルSl、S2を
もつ回路45Aでレベル弁別され、2値化される(第4
図参照)。この2値化号の立上りおよび/または立下り
がカウンタ46Aによって計数される。したがって、可
動ミラー4の変位量はλ/2またはλ/4単位で測定さ
れる。たとえば光源41として波長λ−0,8μmのレ
ーザ・ダイオードを用いた場合には0.4μmまたは0
.2μm単位で変位測定が可能となる。
次に変位方向判別原理について説明する。
他方の光導波路20においても、光導波路lOと基本的
には同じ動作が行なわれ、光ファイバ33によって導か
れた出力光に対して受光素子44B、スレシホールド回
路45Bおよびカウンタ4BBも上述のものと同じよう
に動作する。
非対称X分岐型光導波路10.20において、それらの
光導波路13.23の終端部には異なる位置に凹部15
.25が形成されており、光導波路13を伝播する参照
光と光導波路23を伝播する参照光とは位相が異なって
いる。その結果、光導波路22から得られる出力光は第
4図に破線で示すように、光導波路12から得られる出
力光に対して位相がずれている。この実施例では出力光
強度の1/8周期だけ位相シフトが与えられている。し
たがって、スレシホールド回路45Bから得られる2値
化号も破線で示されているように同回路45Aの出力2
値信号と位相がずれている。このような2値化号は微分
回路47A、 47Bでその立上りおよび/または立下
りが検出され、この微分された信号が方向判別回路48
に人力する。
可動ミラー4が基板1から遠ざかる方向に動くときには
、スレシホールド回路45Aの出力信号の立上り(立下
り)が同回路45Bの出力信号の立上り(立下り)より
も先に現われ、可動ミラー4が逆方向に動くときにはこ
れらの2つの信号の変化の順序が逆になる。2つの微分
回路47A、 47Bの出力の変化が現われる順序に基
づいて可動ミラー4の移動方向が判別回路48により判
別される。方向判別回路48はCPUによって構成する
ことも可能である。
光導波路14.24の出射端と可動ミラー4との間には
レンズ3A、 3Bが設けられ、光導波路14.24か
ら出射した光はこのレンズ3A、 3Bによって平行光
に変換される。可動ミラー4が動くことによりレンズ3
A、 3Bとミラー4との間の距離が変動しても、ミラ
ー4に向いかつ反射される光は平行光であるからほとん
ど拡散しない。また、ミラー4の反射光はレンズ3A、
 3Bにより集光されて光導波路14、24にそれぞれ
入射する。したがってミラー4の位置にほとんど関係な
く光導波路14.24に戻る反射光強度をほぼ一定に保
持することができる。
可動ミラー4の変位に対して信号光強度をほぼ一定に保
持できるので正確な変位測定が可能となるとともに、変
位量の測定可能範囲が拡大される。
第5図は、光導波路14の出射端と可動ミラー4との間
にレンズ3Aを介在させた状態と(第5図(B))、介
在させない状態(第5図(A))とを示している。レン
ズなしの従来例(第5図(A))では、光導波路14か
ら出射した光が拡散し、可動ミラー4の反射光のほとん
どが光導波路14の端面以外の場所に向っていってしま
う。これに対して、レンズありの場合(第5図(B))
では、光導波路14から出射した光はレンズ3Aによっ
てコリメートされ、可動ミラー4の反射光も同じ経路を
たどってレンズ3Aに戻り集光されるので、出射光の多
くが光導波路14に戻る。
上記実施例では基板1に非対称X分岐型光導波路10.
20が形成されているが、上記先願の第7図に示されて
いるように、他の光導波路によりマイケルソン型の干渉
計を構成することもできるのはいうまでもない。また、
レンズ手段としてはフレネル・レンズに限らず他のレン
ズを用いることもできる。たとえば分布屈折率平板レン
ズを2組同一基板上に作製するようにしてもよいし、別
個に作製してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は導波型光変位センサの一例を示す
もので、第1図は斜視図、第2図は平面図、第3図は光
変位測定システム全体を示す構成図、第4図は出力光強
度とそれに基づいて作成された2値化号を示す波形図、
第5図はレンズの作用を示す図である。 1・・・基板、     3・・・し°ンズ基板。 3A、 3B・・・レンズ、  4・・・可動ミラー。 10、20・・・非対称X分岐光導波路。 11〜14.21〜24・・・光導波路。 15、25・・・凹部。 以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. それぞれ光導波路からなる2つの干渉計が基板に形成さ
    れている導波型光変位センサにおいて、両干渉計の参照
    光用光導波路の互いに位置の異なる終端部において、基
    板に凹部がそれぞれ形成され、凹部の一面が参照光の反
    射面となっていることを特徴とする導波型光変位センサ
JP22179185A 1985-10-07 1985-10-07 導波型光変位センサ Pending JPS6281505A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22179185A JPS6281505A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 導波型光変位センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22179185A JPS6281505A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 導波型光変位センサ

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JPS6281505A true JPS6281505A (ja) 1987-04-15

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ID=16772256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22179185A Pending JPS6281505A (ja) 1985-10-07 1985-10-07 導波型光変位センサ

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JP (1) JPS6281505A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03255902A (ja) * 1990-03-07 1991-11-14 Hitachi Ltd 干渉光学系及びそれを備えた露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03255902A (ja) * 1990-03-07 1991-11-14 Hitachi Ltd 干渉光学系及びそれを備えた露光装置

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