JPS628064Y2 - - Google Patents
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Description
本考案は、液晶表示体装置に関するものであ
る。
さらに本発明は液晶パネルを構成する一方の基
板に、液晶駆動用のMOSトランジスタをマトリ
ツクス状に配置した半導体基板を用いたスタテイ
ツクタイプの液晶表示パネルに関する。
近年、液晶デイスプレイは、低電圧駆動、低電
力、高いコントラスト等の利点により、時計、電
卓を始め、多くの装置の表示体として用いられて
いる。特に、パーソナルな商品、ポケツタブルな
商品の表示として今後とも大きな需要が期待出来
る。その中で、最近、液晶表示パネルを画像表示
パネルとして用いる試みが各所で開発されてい
る。いわゆる液晶テレビは、現在二つの方式があ
る。ダイナミツク駆動方式によるものと、スタテ
ツク駆動方式によるものである。ダイナミツク駆
動方式は、画素数を増加させるためには、多重マ
トリツクス方式等の手段をとらねばならないのに
対しスタテツク駆動方式は、各画素毎に、スイツ
チング用のトランジスタが付いているために、画
素数は原理的には希望通りとなる。このスタテツ
ク型液晶パネルは、トランジスタをマトリツクス
状に配置した半導体基板と、ガラス基板とを組み
合わせた構造を有しており、第１図にその構造図
を示す。１１は半導体基板、１２は上側ガラス
板、１３は液晶、１４はスペーサである。図の如
く、従来の二枚ガラスを組み合わせたパネル構造
と異なり、本パネル構造は、一方の基板が不透明
であるため、透過型ではなく反射型の表示とな
る。したがつてこのようなスタテツク型の液晶表
示パネルの表示方式としては、ダイナミツクキヤ
タリング方式と、ゲスト−ホスト方式が考えられ
るが、視角依存性、消費電流等の点からゲスト−
ホスト方式が有利である。ゲスト−ホスト方式
は、二色性染料とネマチツク液晶の混合液晶を用
い、外部電界の印加により、染料の色が表示とし
て出現したり、消えたりするものであり、したが
つて下地の色は表示コントラストの点から白色が
最も望ましい。しかし、半導体基板表面に白色を
もたせることは非常にむずかしい。例えば、白色
を得るには、白色顔料を塗布すればよいが、一例
として、隠蔽力が最も高いTio2粒子を用いた白色
顔料を用いた場合でも、約10〜50μｍ以上の膜厚
にて塗布しなければ白色は得られない。半導体基
板上に10〜50μｍの膜形成を均一に行なうことは
非常に困難である。本発明は、かかる問題点を解
決するために発明されたものであり、１〜２μｍ
程度の膜厚にて白色を実現出来るものである。以
下に具体的な実施例を示して説明する。
アルミニウム薄膜の二層構造による表面白色化
法の一例を次に示す。まずシリコン基板表面上の
酸化膜（約1.0〜1.5μｍ）上にアルミニウムもし
くはアルミニウム合金の薄膜を蒸着もしくはスパ
ツタ法により約0.3μｍ形成する。そのアルミニ
ウム薄膜は形成後は鏡面を呈する。ホトエツチン
グ法により所定のパターンにエツチング後、シリ
コン基板とコンタクトを取るために、該シリコン
基板は約400℃〜450℃にてN2雰囲気中で加熱さ
れる。この加熱によりアルミニウム薄膜は再結晶
化が進み、その表面には１μｍ前後の周期の凹凸
が出来る。特に、アルミニウム薄膜に、局所的歪
が存在する場合は高さ２〜５μｍもの高い突起と
なる。（これはヒルロツクと言われている。）しか
しアルミニウム膜厚が0.3μｍ前後でしかも蒸着
時に膜内に歪が入らないように低蒸着速度で蒸着
した場合は、ヒルロツクなしの均一な凹凸の表面
となる。この表面状態を第２図に示す。
このような表面状態のアルミニウム薄膜は、蒸
着後が鏡面であつたのに対し、やや乳白色を呈す
るようになる。このアルミニウム薄膜上に絶縁膜
を形成し、第二層目のアルミニウムを形成する
と、第２図に示した第一層目のアルミニウム薄膜
表面状態と第二層目のアルミニウム薄膜表面状態
とが重なり合い、第二層目のアルミニウム表面状
態を第３図に示す。３１は第一層目のアルミニウ
ム、３２は絶縁膜、３３は第二層目のアルミニウ
ムである。図にて明らかな如く、さらに細かい周
期の凹凸が表面に出来ていることがわかる。この
第二層目アルミニウム表面の白色化の原因は、次
のように考えることが出来る。すなわち、表面の
凹凸部において外部光が散乱し任意の方向に光が
反射する。表面の凹凸の高さと周期の関係は、高
さをＨ、周期をＬとすると、Ｈ〓Ｌの場合が一番
白色度が高く、Ｈ＜Ｌにおいて白色度は減少して
いきＨ≪Ｌでは鏡面に近くなる。又、逆にＨ＞Ｌ
では灰色が増加し、Ｈ≫Ｌでは黒味がかつて見え
てくる。これらを表にしたものが表−１である。
（第４図参照）
The present invention relates to a liquid crystal display device. Furthermore, the present invention relates to a static type liquid crystal display panel using a semiconductor substrate in which MOS transistors for driving liquid crystal are arranged in a matrix on one substrate constituting the liquid crystal panel. In recent years, liquid crystal displays have been used as displays for many devices, including watches and calculators, due to their advantages such as low voltage drive, low power consumption, and high contrast. In particular, we can expect great demand in the future for displaying personal and pocketable products. Among these, recently, attempts to use liquid crystal display panels as image display panels have been developed in various places. There are currently two types of so-called LCD televisions. One is based on a dynamic drive method and the other is a static drive method. In the dynamic drive method, in order to increase the number of pixels, it is necessary to take measures such as a multiplex matrix method, whereas in the static drive method, each pixel is equipped with a switching transistor, so the number of pixels is reduced. In principle, it works as desired. This static type liquid crystal panel has a structure in which a semiconductor substrate on which transistors are arranged in a matrix is combined with a glass substrate, and a structural diagram thereof is shown in FIG. 11 is a semiconductor substrate, 12 is an upper glass plate, 13 is a liquid crystal, and 14 is a spacer. As shown in the figure, unlike the conventional panel structure that combines two panes of glass, this panel structure has one substrate that is opaque, so it provides a reflective rather than a transmissive display. Therefore, as the display method for such a static type liquid crystal display panel, the dynamic catering method and the guest-host method can be considered, but from the viewpoint of viewing angle dependence, current consumption, etc.
The host method is advantageous. The guest-host method uses a liquid crystal mixture of a dichroic dye and a nematic liquid crystal, and the color of the dye appears and disappears as a display by applying an external electric field. Therefore, the color of the base is not displayed. White is most desirable in terms of contrast. However, it is extremely difficult to give a white color to the surface of a semiconductor substrate. For example, to obtain a white color, it is sufficient to apply a white pigment, but as an example, even when using a white pigment using Tio 2 particles, which has the highest hiding power, it is necessary to apply the coating at a film thickness of about 10 to 50 μm or more. If you don't do this, you won't get a white color. It is extremely difficult to uniformly form a film of 10 to 50 μm on a semiconductor substrate. The present invention was invented to solve such problems, and
White color can be achieved with a certain film thickness. Specific examples will be shown and explained below. An example of a surface whitening method using a two-layer structure of an aluminum thin film is shown below. First, a thin film of aluminum or an aluminum alloy is formed to a thickness of approximately 0.3 μm on an oxide film (approximately 1.0 to 1.5 μm) on the surface of a silicon substrate by vapor deposition or sputtering. The aluminum thin film exhibits a mirror surface after being formed. After being etched into a predetermined pattern by photo-etching, the silicon substrate is heated at about 400° C. to 450° C. in a N 2 atmosphere in order to make contact with the silicon substrate. This heating progresses the recrystallization of the aluminum thin film, creating irregularities with a period of about 1 μm on its surface. In particular, when local strain exists in the aluminum thin film, protrusions as high as 2 to 5 μm are formed. (This is called a hillock.) However, if the aluminum film thickness is around 0.3 μm and it is deposited at a low deposition rate to avoid distortion in the film during deposition, the surface will have a uniform uneven surface without any hillocks. Become. This surface condition is shown in FIG. The aluminum thin film with such a surface state had a mirror surface after vapor deposition, but now takes on a slightly milky white color. When an insulating film is formed on this aluminum thin film and a second layer of aluminum is formed, the surface state of the first layer of aluminum thin film and the surface state of the second layer of aluminum thin film shown in FIG. 2 overlap, Figure 3 shows the surface condition of the second layer of aluminum. 31 is a first layer of aluminum, 32 is an insulating film, and 33 is a second layer of aluminum. As is clear from the figure, it can be seen that irregularities with a finer period are formed on the surface. The cause of this whitening of the second layer aluminum surface can be considered as follows. That is, external light is scattered at the uneven portions of the surface and reflected in arbitrary directions. The relationship between the height and period of the surface irregularities is that, where the height is H and the period is L, the whiteness is highest when H〓L, and when H<L, the whiteness decreases, and when H≪L, the whiteness is highest. It becomes close to a mirror surface. Also, conversely, H>L
In this case, gray increases, and in H≫L, blackness becomes visible. Table 1 shows these results.
(See Figure 4)
【表】
以上のことから、金属表面を白色化するには、
反射率の高い白色金属（例えばアルミニウム、
銀、クロム等）の表面上に、１μｍ程度の周期で
凹凸を形成すればよいことになる。第３図に示し
たアルミニウムの二層構造はこのような表面状態
を実現する方法の一つである。第３図の場合、ア
ルミニウム配線間の絶縁材料は第一層目のアルミ
ニウムの表面状態を忠実に反映させるようなもの
でなければならない。さらに第一層目のアルミニ
ウムと第二層目のアルミニウムの短絡があつては
ならないため良質な絶縁膜でなくてはならない。
このような条件を満足させるものとして、スパツ
タ法によるSio2膜が考えられる。この膜は、下地
の表面状態を反映してしかもピンホールの少ない
膜となる。
本考案は以上述べた如く、アルミニウムの再結
晶による表面凹凸を利用した表面白色化法に関す
るものであり、次のような利点がある。すなわち
一般の白色化法は、白色顔料を用いるものであり
チタン酸化物の微粒子とバインダーの混合物であ
る。この場合、隠蔽力の関係から顔料の膜厚は10
〜100μｍ以上必要となる。半導体シリコン基板
表面の白色化は、１〜２μｍ程度の膜厚にて行な
うのが望ましく、本考案による絶縁膜を介した２
層アルミニウム構造においては高々トータルで１
〜２μｍの膜厚にて表面白色化が可能であるた
め、液晶表示パネル用の半導体基板の白色化には
非常に有効である。
第５図に液晶表示パネル（半導体基板を用いた
場合）の構造図を示す。図中の５１は半導体基
板、５２は上側ガラス板、５３は液晶である。液
晶表示パネルが、画像表示機能を有する場合は、
半導体基板には、各画素に対応したMOSトラン
ジスタがマトリツクス状に配置されており、外部
駆動回路により、MOSトランジスタが駆動さ
れ、画像表示が得られる。一般に画素の大きさ
は、100〜1000μｍ平方程度であり、この画素す
べてが白色化していれば高い表示コントラストが
得られる。第６図に画素図面を示す。６１は一画
素の領域を示す線、６２は、液晶駆動電極であ
る。この液晶駆動電極に電圧印加を選択するため
のトランジスタをMOSで構成し、本考案による
二層アルミニウム構造をもつ半導体基板の断面構
造及び平面図の一例を第７図に示す。第７図ａは
断面図であり、７１はシリコン基板、７２はソー
ス及びドレイン拡散層、７３はストツパー拡散
層、７４はゲート酸化膜、７５はゲート電極（ポ
リシリコン電極）、７５−Ｃはコンデンサ−電極
である。又、７６は前述した第一層目のアルミニ
ウムであり、これがトランジスタのドレイン電極
に配線された配線層である。（ソース配線にも用
いられている。）、７７は絶縁膜、７８は前述した
第二層目のアルミニウムであり、これが液晶駆動
電極となるのである。第７図ｂは、その平面図で
あり、第一層目アルミニウム７６と、第二層目ア
ルミニウム７８が示されている。図にて明らかな
如く、本半導体基板上のMOSトランジスタは、
一例としてSiゲートタイプで示されている。又、
前記配線層はドレインとの接続がされており、こ
の配線層上に絶縁物を介して前記液晶駆動電極が
形成されている。そして、前記配線層と前記液晶
駆動電極の一部は接続するように配線形成されて
いる。第７図ｂのオーバーラツプ部が白色化する
部分である。ゲスト−ホスト方式において、高い
コントラストを得るには、一画素に占める二層ア
ルミニウム層の面積比率は、少なくとも50％以上
が望ましいことが確認されている。
本考案は、アルミニウム層を２層構造にし、表
面に１μｍ程度の周期の凹凸を形成することによ
り白色を得るものであるが、アルミニウムあるい
はアルミニウム合金の形成方法を選択するか、も
しくは、後の熱処理工程を任意に選択することに
よりアルミニウム一層にて白色化することも可能
である。例えば、アルミニウムもしくは、アルミ
ニウム合金を、基板加熱100℃以上にてDCスパツ
タすることにより、白色アルミニウムを得ること
が出来る。この場合、表面は１μｍ前後の周期の
凹凸が出来ている。本考案は、このような一層ア
ルミニウム層による白色化膜についてもその表面
が１μｍ前後の周期で凹凸している場合は係わる
ことは明らかである。
以上述べたように本考案による液晶表示体装置
は半導体基板の平面上にアルミニウムもしくはア
ルミニウム合金の再結晶処理による凹凸形状が形
成され且つトランジスタのドレイン電極に配線さ
れた配線層と、この配線層上に絶縁膜を介してア
ルミニウムもしくはアルミニウム合金の再結晶処
理による凹凸形状が形成されその一部が前記配線
層と接続された液晶駆動電極とを有するので、前
記液晶駆動電極は白色反射膜を兼ねた液晶駆動電
極となるのである。さらに配線層と液晶駆動電極
の間には絶縁膜が介在するため、隣接する他の画
素どうしにおける配線層と液晶駆動電極の短絡を
防止できるのである。
又、配線層の凹凸形状に液晶駆動電極凹凸形状
が重なり合うことにより、配線層の凹凸形状より
さらに細かい周期の凹凸ができるので、外部光が
より散乱してあらゆる方向に反射する優れた効果
を有している。同時に、液晶駆動電極においては
凹凸形状のピツチと凹凸形状の起伏の高さとをほ
ぼ等しくしたので完全に近い白色度が得られるの
でコントラストの高い表示が得られる。
又、凹凸形状の形状に用いた再結晶処理は処理
前において鏡面であつたアルミニウムもしくはア
ルミニウム合金粒子が一定の間隔をもつた突起と
なつて析出して凹凸形状をつくりだしているので
ある。
従つて、凹凸形状を形成しようとする面全体に
均一に形成できるので品質の良いムラのない白色
反射膜が容易に得られるようになつた。[Table] From the above, in order to whiten the metal surface,
Highly reflective white metals (e.g. aluminum,
It is sufficient to form irregularities at a period of about 1 μm on the surface of silver, chromium, etc.). The two-layer structure of aluminum shown in FIG. 3 is one method for achieving such a surface condition. In the case of FIG. 3, the insulating material between the aluminum wirings must be such that it faithfully reflects the surface condition of the first layer of aluminum. Furthermore, since there must be no short circuit between the first layer of aluminum and the second layer of aluminum, the insulating film must be of good quality.
A Sio 2 film produced by a sputtering method can be considered as a film that satisfies these conditions. This film reflects the surface condition of the underlying layer and has fewer pinholes. As described above, the present invention relates to a surface whitening method that utilizes surface irregularities caused by recrystallization of aluminum, and has the following advantages. That is, the general whitening method uses a white pigment, which is a mixture of fine particles of titanium oxide and a binder. In this case, due to the hiding power, the pigment film thickness is 10
~100 μm or more is required. It is preferable to whiten the surface of a semiconductor silicon substrate with a film thickness of about 1 to 2 μm, and it is preferable to whiten the surface of a semiconductor silicon substrate with a film thickness of about 1 to 2 μm.
In a layered aluminum structure, at most a total of 1
Since surface whitening is possible with a film thickness of ~2 μm, it is very effective for whitening semiconductor substrates for liquid crystal display panels. FIG. 5 shows a structural diagram of a liquid crystal display panel (when a semiconductor substrate is used). In the figure, 51 is a semiconductor substrate, 52 is an upper glass plate, and 53 is a liquid crystal. If the liquid crystal display panel has an image display function,
MOS transistors corresponding to each pixel are arranged in a matrix on the semiconductor substrate, and an external drive circuit drives the MOS transistors to obtain an image display. Generally, the size of a pixel is about 100 to 1000 μm square, and if all of the pixels are white, high display contrast can be obtained. FIG. 6 shows a pixel drawing. 61 is a line indicating the area of one pixel, and 62 is a liquid crystal drive electrode. FIG. 7 shows an example of a cross-sectional structure and a plan view of a semiconductor substrate having a double-layer aluminum structure according to the present invention, in which a transistor for selecting voltage application to the liquid crystal drive electrode is formed of a MOS. 7a is a cross-sectional view, 71 is a silicon substrate, 72 is a source and drain diffusion layer, 73 is a stopper diffusion layer, 74 is a gate oxide film, 75 is a gate electrode (polysilicon electrode), and 75-C is a capacitor. -It is an electrode. Further, 76 is the first layer of aluminum described above, and this is the wiring layer wired to the drain electrode of the transistor. (It is also used for source wiring.) 77 is an insulating film, and 78 is the aforementioned second layer of aluminum, which becomes the liquid crystal drive electrode. FIG. 7b is a plan view thereof, showing the first layer of aluminum 76 and the second layer of aluminum 78. As is clear from the figure, the MOS transistor on this semiconductor substrate is
As an example, a Si gate type is shown. or,
The wiring layer is connected to the drain, and the liquid crystal drive electrode is formed on this wiring layer via an insulator. Further, wiring is formed so as to connect a portion of the wiring layer and the liquid crystal drive electrode. The overlapped portion in FIG. 7b is the whitened portion. In the guest-host method, it has been confirmed that in order to obtain high contrast, it is desirable that the area ratio of the two-layer aluminum layer to one pixel be at least 50%. In the present invention, the aluminum layer has a two-layer structure, and white color is obtained by forming irregularities with a period of about 1 μm on the surface. By arbitrarily selecting the process, it is also possible to whiten the aluminum with a single layer. For example, white aluminum can be obtained by subjecting aluminum or an aluminum alloy to DC sputtering while heating the substrate to 100° C. or higher. In this case, the surface has irregularities with a period of about 1 μm. It is clear that the present invention is applicable to such a whitening film made of a single aluminum layer if the surface thereof is uneven with a period of about 1 μm. As described above, the liquid crystal display device according to the present invention has an uneven shape formed by recrystallization of aluminum or aluminum alloy on the plane of a semiconductor substrate, and a wiring layer wired to the drain electrode of a transistor, and a wiring layer on this wiring layer. An uneven shape is formed by recrystallization of aluminum or aluminum alloy through an insulating film, and a part of the uneven shape has a liquid crystal drive electrode connected to the wiring layer, so that the liquid crystal drive electrode also serves as a white reflective film. This becomes the liquid crystal drive electrode. Furthermore, since an insulating film is interposed between the wiring layer and the liquid crystal drive electrode, it is possible to prevent short circuits between the wiring layer and the liquid crystal drive electrode in other adjacent pixels. In addition, by overlapping the uneven shape of the wiring layer with the uneven shape of the liquid crystal drive electrode, unevenness with a finer period than the uneven shape of the wiring layer is created, which has an excellent effect of scattering external light and reflecting it in all directions. are doing. At the same time, in the liquid crystal drive electrode, since the pitch of the concavo-convex shape and the height of the undulations of the concave-convex shape are made almost equal, nearly perfect whiteness can be obtained, and a display with high contrast can be obtained. Furthermore, in the recrystallization process used to create the uneven shape, the aluminum or aluminum alloy particles, which had a mirror surface before the treatment, precipitate into protrusions with regular intervals, creating the uneven shape. Therefore, since the uneven shape can be formed uniformly over the entire surface, it has become possible to easily obtain a high-quality, uniform white reflective film.
第１図は半導体基板とガラス板を組み合せた液
晶パネルの構造図。第２図は、アルミニウム薄膜
のアニール後の表面状態図。第３図は、二層構造
アルミニウム薄膜の表面状態を示す図。第４図は
パラメーター説明図。第５図は第１図と同じ図。
第６図は画素を説明する図。第７図は、本考案に
よるアルミニウム２層構造を有するMOSトラン
ジスタを含む半導体基板の説明図。
１１……半導体基板、１２……ガラス板、１３
……液晶、１４……スペーサー、３１……第一層
目アルミニウム層、３２……絶縁膜、３３……第
二層目アルミニウム層、５１……半導体、５２…
…上側ガラス、５３……液晶、６１……画素、６
２……液晶駆動電極、７１……半導体基板（シリ
コン）、７２……ソース及びドレイン拡散層、７
３……ストツパ拡散層、７４……ゲート酸化膜、
７５……ゲート電極、７５−Ｃ…コンデンサー電
極、７６……第一層目アルミニウム層（配線
層）、７７……絶縁膜、７８……第二層アルミニ
ウム層（液晶駆動電極）。
Figure 1 is a structural diagram of a liquid crystal panel that combines a semiconductor substrate and a glass plate. FIG. 2 is a diagram of the surface state of the aluminum thin film after annealing. FIG. 3 is a diagram showing the surface condition of a two-layer aluminum thin film. FIG. 4 is an explanatory diagram of parameters. Figure 5 is the same diagram as Figure 1.
FIG. 6 is a diagram explaining pixels. FIG. 7 is an explanatory diagram of a semiconductor substrate including a MOS transistor having an aluminum two-layer structure according to the present invention. 11...Semiconductor substrate, 12...Glass plate, 13
...Liquid crystal, 14... Spacer, 31... First aluminum layer, 32... Insulating film, 33... Second aluminum layer, 51... Semiconductor, 52...
...Upper glass, 53...Liquid crystal, 61...Pixel, 6
2...Liquid crystal drive electrode, 71...Semiconductor substrate (silicon), 72...Source and drain diffusion layer, 7
3... Stopper diffusion layer, 74... Gate oxide film,
75... Gate electrode, 75-C... Capacitor electrode, 76... First layer aluminum layer (wiring layer), 77... Insulating film, 78... Second layer aluminum layer (liquid crystal drive electrode).
Claims (1)
は、半導体基板と、その表面に形成されマトリツ
クス状に配置されたトランジスタと、液晶駆動電
極と、前記トランジスタと前記液晶駆動電極を接
続し且つ前記半導体基板の平面上に形成された配
線層とを有してなる液晶表示体装置において、前
記配線層は、その表面が再結晶処理により凹凸形
状が形成されたアルミニウムもしくはアルミニウ
ム合金からなり且つ前記トランジスタのドレイン
電極に接続されており、前記液晶駆動電極は、前
記配線層上に絶縁膜を介し再結晶処理により凹凸
形状が形成されたアルミニウムもしくはアルミニ
ウム合金からなり且つ前記配線層上にその一部が
接続されており、前記液晶駆動電極の前記凹凸形
状のピツチと前記凹凸形状の起伏の高さとをほぼ
等しくしたことを特徴とする液晶表示体装置。 A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and one substrate has a semiconductor substrate, a transistor formed on the surface thereof and arranged in a matrix, a liquid crystal drive electrode, and a liquid crystal drive electrode that connects the transistor and the liquid crystal drive electrode. In a liquid crystal display device comprising a wiring layer formed on a flat surface of a semiconductor substrate, the wiring layer is made of aluminum or an aluminum alloy whose surface has been formed with an uneven shape by recrystallization treatment, and the wiring layer is The liquid crystal drive electrode is made of aluminum or an aluminum alloy on which a concavo-convex shape is formed by recrystallization through an insulating film on the wiring layer, and a portion of the liquid crystal drive electrode is connected to the drain electrode of the wiring layer. A liquid crystal display device characterized in that the pitch of the uneven shape of the liquid crystal drive electrode and the height of the undulations of the uneven shape are approximately equal to each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985179489U JPS628064Y2 (en) | 1985-11-21 | 1985-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985179489U JPS628064Y2 (en) | 1985-11-21 | 1985-11-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106980U JPS61106980U (en) | 1986-07-07 |
| JPS628064Y2 true JPS628064Y2 (en) | 1987-02-25 |
Family
ID=30737056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985179489U Expired JPS628064Y2 (en) | 1985-11-21 | 1985-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628064Y2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP1985179489U patent/JPS628064Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61106980U (en) | 1986-07-07 |
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