JPS6280263A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6280263A JPS6280263A JP21794185A JP21794185A JPS6280263A JP S6280263 A JPS6280263 A JP S6280263A JP 21794185 A JP21794185 A JP 21794185A JP 21794185 A JP21794185 A JP 21794185A JP S6280263 A JPS6280263 A JP S6280263A
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- crucible
- filament
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、各種金属からなる蒸着物質を真空雰囲気中
でイオン化して絶縁材料からなる基板などに蒸着させる
薄膜形成装置に関するものである。
でイオン化して絶縁材料からなる基板などに蒸着させる
薄膜形成装置に関するものである。
第５図は従来のこの種薄膜形成装置（たとえば特公昭５
４−９５９２号公報）を示す断面図、第６図はその動作
説明図である。まず、第５図において、（１）はるつぼ
、（２）はこのるつぼ（１）内において溶融された金属
からなる蒸着物質、（３）はこの蒸着物質（２）の蒸気
（４）を噴出させるノズル、（５）はるつぼ（１）を囲
繞し、このるつぼを電子ｍ撃によって加熱する加熱フィ
ラメンＩ−、（６１はこの加熱フィラメント（５）に電
流を流して熱電子を放出させる交流電源、（７）は加熱
フィラメン＋−（５）から放出された熱電子がるつぼ（
１）に衝突ずろように、るつぼ（１）の電位が加熱フィ
ラメント（５）の電位より「正」のバイアス電圧がかか
っている第１の直流電源、（８）は蒸着物質（２）の蒸
気（４）の一部を電子衝突によって正電荷にイオン化す
るためのＲＡ電子を放出するイオン化フィラメント、（
９）はこのイオン化フィラメント（８）かＡｌ出された
熱電子を加速して、るつぼ（１）から噴出された蒸着物
質（２）の蒸気（４）に衝突させるグリッド、（１０）
は上記イオン化フィラメント（８）を発熱させる交流電
源、（１１）は上記グリッド（９）に対してイオン化フ
ィラメント（８）を負の電位に保持する第２の直流電源
、（＋２） 、 ［１３）はイオン化した蒸着物質（２
）の蒸気（４）を加速するグリッド電極と加速電極、（
１４）は表面に蒸着薄膜（１５）が生成される絶縁材料
からなる基板、（１６） ’よ蒸気加速電極（１３）に
グリッド電極（１２）より負の電位を与える第３の直流
電源、（１７）は上記加熱フィラメント（５）を囲繞し
、この加熱フィラメント（５）と同電位に保持された円
筒状の熱ノールド板、（１８）は真空槽である。
４−９５９２号公報）を示す断面図、第６図はその動作
説明図である。まず、第５図において、（１）はるつぼ
、（２）はこのるつぼ（１）内において溶融された金属
からなる蒸着物質、（３）はこの蒸着物質（２）の蒸気
（４）を噴出させるノズル、（５）はるつぼ（１）を囲
繞し、このるつぼを電子ｍ撃によって加熱する加熱フィ
ラメンＩ−、（６１はこの加熱フィラメント（５）に電
流を流して熱電子を放出させる交流電源、（７）は加熱
フィラメン＋−（５）から放出された熱電子がるつぼ（
１）に衝突ずろように、るつぼ（１）の電位が加熱フィ
ラメント（５）の電位より「正」のバイアス電圧がかか
っている第１の直流電源、（８）は蒸着物質（２）の蒸
気（４）の一部を電子衝突によって正電荷にイオン化す
るためのＲＡ電子を放出するイオン化フィラメント、（
９）はこのイオン化フィラメント（８）かＡｌ出された
熱電子を加速して、るつぼ（１）から噴出された蒸着物
質（２）の蒸気（４）に衝突させるグリッド、（１０）
は上記イオン化フィラメント（８）を発熱させる交流電
源、（１１）は上記グリッド（９）に対してイオン化フ
ィラメント（８）を負の電位に保持する第２の直流電源
、（＋２） 、 ［１３）はイオン化した蒸着物質（２
）の蒸気（４）を加速するグリッド電極と加速電極、（
１４）は表面に蒸着薄膜（１５）が生成される絶縁材料
からなる基板、（１６） ’よ蒸気加速電極（１３）に
グリッド電極（１２）より負の電位を与える第３の直流
電源、（１７）は上記加熱フィラメント（５）を囲繞し
、この加熱フィラメント（５）と同電位に保持された円
筒状の熱ノールド板、（１８）は真空槽である。
従来の薄膜形成装置は上記のように構成されており、加
熱フイラメンｌ−（５１からは印加される交流電源（６
）によって熱電子が放出されるが、この熱電子は第１の
直流電源（７）によってるつぼ（１）に与えられた正電
圧によりろっぽ（１）に衝突してこれを加熱する。そし
て、このるつぼ（１）内の蒸着物質（２）は蒸発して蒸
気（４）となり、ノズル（３）から真空槽（１８）内に
噴出してイオン化フィラメンｌ−（８１から放出されて
グリッド（９）に到達した熱電子と衝突し、正電荷のイ
オンとなる。そして、この正電荷イオンは加速電極（１
３）により加速されて基板（１４）に蒸着し、蒸着薄膜
（１５）が生成される。なお、イオン化フィラメンＩ−
（８１と同電位のカーブを図面に表すと、第６図に示す
ように点線（１９ａ） 、 （１９ｂ）に示すようにな
り、イオン化フィラメント（８）から放出された熱電子
の一部は蒸着物質（２）の蒸気（４）と衝突してこれを
イオン化させるが、その残りは実線（２０）で示すよう
に蒸気（４）の存在しない軌道上を移動するためイオン
化されない。
熱フイラメンｌ−（５１からは印加される交流電源（６
）によって熱電子が放出されるが、この熱電子は第１の
直流電源（７）によってるつぼ（１）に与えられた正電
圧によりろっぽ（１）に衝突してこれを加熱する。そし
て、このるつぼ（１）内の蒸着物質（２）は蒸発して蒸
気（４）となり、ノズル（３）から真空槽（１８）内に
噴出してイオン化フィラメンｌ−（８１から放出されて
グリッド（９）に到達した熱電子と衝突し、正電荷のイ
オンとなる。そして、この正電荷イオンは加速電極（１
３）により加速されて基板（１４）に蒸着し、蒸着薄膜
（１５）が生成される。なお、イオン化フィラメンＩ−
（８１と同電位のカーブを図面に表すと、第６図に示す
ように点線（１９ａ） 、 （１９ｂ）に示すようにな
り、イオン化フィラメント（８）から放出された熱電子
の一部は蒸着物質（２）の蒸気（４）と衝突してこれを
イオン化させるが、その残りは実線（２０）で示すよう
に蒸気（４）の存在しない軌道上を移動するためイオン
化されない。
従来の薄膜形成装置においては、上述したようにイオン
化フィラメント（８）から放出された熱電子のすへてか
蒸着物質（２１の蒸気（４）と衝突しないのでイオン化
効率がきわめて悪＜、シかも蒸気（４）のイオン化分布
が均一でないため、基板（１４）に生成される蒸着薄膜
（１５）の厚さが均等でない欠点があった。
化フィラメント（８）から放出された熱電子のすへてか
蒸着物質（２１の蒸気（４）と衝突しないのでイオン化
効率がきわめて悪＜、シかも蒸気（４）のイオン化分布
が均一でないため、基板（１４）に生成される蒸着薄膜
（１５）の厚さが均等でない欠点があった。
この発明はかかる点に着目してなされたもので、イオン
化フィラメントから放出される熱電子による蒸着物質の
蒸気のイオン化効率を向上させ、しかも蒸気のイオン化
分布を均一にすることにより、基板への付着力が強く、
シかも蒸着薄膜の厚さの均等化を計った薄膜形成装置を
提供しようとするるものである。
化フィラメントから放出される熱電子による蒸着物質の
蒸気のイオン化効率を向上させ、しかも蒸気のイオン化
分布を均一にすることにより、基板への付着力が強く、
シかも蒸着薄膜の厚さの均等化を計った薄膜形成装置を
提供しようとするるものである。
この発明にかかる薄膜形成装置は、イオン化フィラメン
トから放出された熱電子を加速してろつぼから噴出され
た蒸着物質の蒸気に衝突させてこれをイオン化するグリ
ッドと、るつぼとの間に、イオン化フィラメントより負
の電位が又りよ同電位の電位分布制御電極を設けるよう
にしたものである。
トから放出された熱電子を加速してろつぼから噴出され
た蒸着物質の蒸気に衝突させてこれをイオン化するグリ
ッドと、るつぼとの間に、イオン化フィラメントより負
の電位が又りよ同電位の電位分布制御電極を設けるよう
にしたものである。
この発明においては、るつぼと、グリッドとの間に電位
分布制御用電極を設けることによりイオン化フィラメン
トから放出される熱電子の軌道を変え、蒸着物質の蒸気
の殆んどを有効にイオン化して、イオン化効率の向上と
イオン化分布の均一化を計ったものである。
分布制御用電極を設けることによりイオン化フィラメン
トから放出される熱電子の軌道を変え、蒸着物質の蒸気
の殆んどを有効にイオン化して、イオン化効率の向上と
イオン化分布の均一化を計ったものである。
〔発明の実施例〕
第１図および第２図は何れもこの発明の一実施例を示す
ものであるが、上述した従来のもの（第５図）と同一符
号は同一構成部材につきその説明を省略する。
ものであるが、上述した従来のもの（第５図）と同一符
号は同一構成部材につきその説明を省略する。
まず、第１図の断面図において、（２１）はイオン化フ
ィラメント（８）から放出された熱電子を加速し、るつ
ぼ（１）から噴出された蒸着物質（２）の蒸気（４）に
衝突させてこれをイオン化するグリッド（９）と、るつ
ぼ（１）との間に設けられた平板状の電位分布制御用電
極で、この電位分布制御用電極（２１）を実際に組込む
場合は、図に示すように、イオン化フィラメン］−（５
１を所定間隔をあけて囲繞する円筒状の熱シールド板（
１７）の上部開口を閉塞するようにしてこれに取付けら
れ、かつこれの中心部にはるつぼ（１）内の蒸着物質（
２）の蒸気（４）を流通させる開口（２１ａ）が形成さ
れている。そして、この電位分布制御用電極（２１）の
電位はイオン化フィラメント（８）よりも負電位か、又
は同電位になるように第１の直流電源（７）と第２の直
流電源（１１）の出力電圧が調整されている。
ィラメント（８）から放出された熱電子を加速し、るつ
ぼ（１）から噴出された蒸着物質（２）の蒸気（４）に
衝突させてこれをイオン化するグリッド（９）と、るつ
ぼ（１）との間に設けられた平板状の電位分布制御用電
極で、この電位分布制御用電極（２１）を実際に組込む
場合は、図に示すように、イオン化フィラメン］−（５
１を所定間隔をあけて囲繞する円筒状の熱シールド板（
１７）の上部開口を閉塞するようにしてこれに取付けら
れ、かつこれの中心部にはるつぼ（１）内の蒸着物質（
２）の蒸気（４）を流通させる開口（２１ａ）が形成さ
れている。そして、この電位分布制御用電極（２１）の
電位はイオン化フィラメント（８）よりも負電位か、又
は同電位になるように第１の直流電源（７）と第２の直
流電源（１１）の出力電圧が調整されている。
この発明の薄膜形成装置は上記のように構成されている
ので、電位分布制御用電極（２１）の存在によってイオ
ン化フィラメント（８）と同電位のカーブを図面に表す
と、第２図に示す等電位線（２２ａ）。
ので、電位分布制御用電極（２１）の存在によってイオ
ン化フィラメント（８）と同電位のカーブを図面に表す
と、第２図に示す等電位線（２２ａ）。
（２２ｂｌに示すようになり、イオン化フィラメント（
８）から放出された熱電子は、この等電位線（２２ａ）
。
８）から放出された熱電子は、この等電位線（２２ａ）
。
（２２ｂ）によって取り囲まれた領域内を移動し、その
軌道は実！５（２３）で示すようになる。したがって、
イオン化フィラメント（８）から放出されたこの熱電子
のすべては、るつぼ（１）から噴出する蒸着物質（２）
の蒸気（４）の大部分と衝突するため、蒸着物質（２）
の蒸気（４）のイオン化効率が著しく向上するばかりで
なく、上述した理由によって熱電子密度が増大するため
、互いに空間電荷による反発作用により熱電子密度が均
一化される結果、基板への付着力の強化と、蒸着薄膜の
厚さの均等化を計ることができるものである。
軌道は実！５（２３）で示すようになる。したがって、
イオン化フィラメント（８）から放出されたこの熱電子
のすべては、るつぼ（１）から噴出する蒸着物質（２）
の蒸気（４）の大部分と衝突するため、蒸着物質（２）
の蒸気（４）のイオン化効率が著しく向上するばかりで
なく、上述した理由によって熱電子密度が増大するため
、互いに空間電荷による反発作用により熱電子密度が均
一化される結果、基板への付着力の強化と、蒸着薄膜の
厚さの均等化を計ることができるものである。
第３図および第４図は何れもこの発明の他の実施例を示
すもので、第３図は電位分布制御用電極（２１）として
一対の平行な棒状電極（２１０Ａ） 、 （２１０Ｂ）
を用いた場合を示し、また第４図は電位分布制御用電極
（２１）に別個に専用直流電源（２４）を接続し、これ
によって電位分布制御用電極（２１）の電位を調整する
ようにしたもので、何れも上述した一実施例と同様の効
果を奏することができる。
すもので、第３図は電位分布制御用電極（２１）として
一対の平行な棒状電極（２１０Ａ） 、 （２１０Ｂ）
を用いた場合を示し、また第４図は電位分布制御用電極
（２１）に別個に専用直流電源（２４）を接続し、これ
によって電位分布制御用電極（２１）の電位を調整する
ようにしたもので、何れも上述した一実施例と同様の効
果を奏することができる。
［発明の効果〕
以上述べたように、この発明は、イオン化フィラメント
から放出された熱電子を加速してるつぼから噴出された
蒸着物質の蒸気に衝突させてこれをイオン化するグリッ
ドと、上記るつぼとの間に、イオン化フィラメントより
負の電位か、又は同電位の電位分布制御用電極を設ける
ようにしたので、イオン化フィラメンＩ・から放出され
た熱電子のすへては、るつぼから噴出する蒸着物質の蒸
気の大部分と衝突するため、蒸着物質の蒸気のイオン化
効率が著しく向上するばかりでなく、電位分布制御用電
極の存在によって熱電子密度が増大するため、互いの空
間電荷による反発作用により熱電子密度が均一化され、
基板への付着力の強化と、蒸着薄膜の厚さの均等化を計
ることができる優れた効果を有するものである。
から放出された熱電子を加速してるつぼから噴出された
蒸着物質の蒸気に衝突させてこれをイオン化するグリッ
ドと、上記るつぼとの間に、イオン化フィラメントより
負の電位か、又は同電位の電位分布制御用電極を設ける
ようにしたので、イオン化フィラメンＩ・から放出され
た熱電子のすへては、るつぼから噴出する蒸着物質の蒸
気の大部分と衝突するため、蒸着物質の蒸気のイオン化
効率が著しく向上するばかりでなく、電位分布制御用電
極の存在によって熱電子密度が増大するため、互いの空
間電荷による反発作用により熱電子密度が均一化され、
基板への付着力の強化と、蒸着薄膜の厚さの均等化を計
ることができる優れた効果を有するものである。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示すもので
、第１図は断面図、第２図はその動作説明図、第３図お
よび第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図および
断面図、第５図および第６図は従来のこの種薄膜形成装
置を示す断面図と動作説明図である。 図において、（１）はるつぼ、（２）は蒸着物質、（４
）は蒸気、（５）は加熱フィラメンｌ−、（７１は第１
の直流電源、（８）はイオン化フィラメンｌ−、（９１
はグリッド、（１１）は第２の直流電源、（１４）は基
板、（１５）は蒸着薄膜、（１７）は熱シールド板、（
１８）は真空槽、（２１）は電位分布制御用電極、（２
１ａ）は開口である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 ８ °イズーイヒフィラメント ” ”ｊＪ”ｆ：
Ｘ％第４図 第５図 第６図 コ ｌ ２
、第１図は断面図、第２図はその動作説明図、第３図お
よび第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図および
断面図、第５図および第６図は従来のこの種薄膜形成装
置を示す断面図と動作説明図である。 図において、（１）はるつぼ、（２）は蒸着物質、（４
）は蒸気、（５）は加熱フィラメンｌ−、（７１は第１
の直流電源、（８）はイオン化フィラメンｌ−、（９１
はグリッド、（１１）は第２の直流電源、（１４）は基
板、（１５）は蒸着薄膜、（１７）は熱シールド板、（
１８）は真空槽、（２１）は電位分布制御用電極、（２
１ａ）は開口である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 ８ °イズーイヒフィラメント ” ”ｊＪ”ｆ：
Ｘ％第４図 第５図 第６図 コ ｌ ２
Claims (4)
- （１）真空槽内においてイオン化フィラメントから放出
された熱電子を加速してるつぼから噴出された蒸着物質
の蒸気に衝突させてこれをイオン化するグリッドと、上
記るつぼとの間にイオン化フィラメントより負の電位か
又は同電位の電位分布制御用電極を設け、イオン化フィ
ラメントから放出される熱電子の軌道を変えてそのすべ
てを蒸着物質の蒸気に衝突させるようにしたことを特徴
とする薄膜形成装置。 - （２）電位分布制御用電極は、るつぼを加熱する加熱フ
ィラメントを囲繞する熱シールド板に設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （３）電位分布制御電極は、加熱フィラメントの直流電
源または別個の専用直流電源により電位を調整するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の薄膜形成装置。 - （４）蒸着物質の蒸気は、イオン化されて基板に所定厚
さに蒸着されるようになされていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21794185A JPS6280263A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21794185A JPS6280263A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280263A true JPS6280263A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16712105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21794185A Pending JPS6280263A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623819A1 (fr) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Thomson Csf | Four a bombardement electronique pour evaporation sous vide |
| US8435594B2 (en) * | 2007-09-05 | 2013-05-07 | Sony Corporation | Evaporation apparatus, method of manufacturing anode using same, and method of manufacturing battery using same |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21794185A patent/JPS6280263A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623819A1 (fr) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Thomson Csf | Four a bombardement electronique pour evaporation sous vide |
| US8435594B2 (en) * | 2007-09-05 | 2013-05-07 | Sony Corporation | Evaporation apparatus, method of manufacturing anode using same, and method of manufacturing battery using same |
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