JPS6278753A - Magnetooptic storage medium - Google Patents

Magnetooptic storage medium

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Publication number
JPS6278753A
JPS6278753A JP21860285A JP21860285A JPS6278753A JP S6278753 A JPS6278753 A JP S6278753A JP 21860285 A JP21860285 A JP 21860285A JP 21860285 A JP21860285 A JP 21860285A JP S6278753 A JPS6278753 A JP S6278753A
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JP
Japan
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recording layer
magneto
magnetooptic
substrate
plasma
Prior art date
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Pending
Application number
JP21860285A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Nomura
正明 野村
Yasuro Nishikawa
西川 康郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP21860285A priority Critical patent/JPS6278753A/en
Publication of JPS6278753A publication Critical patent/JPS6278753A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetooptic recording medium of which the magnetooptic characteristic at and under a high temp. and high humidity is less deteriorated with lapse of time by providing plasma-polymerized layers on the lower or upper side or both sides of a magnetooptic recording layer. CONSTITUTION:The magnetooptic recording layer is a thin film recording layer consisting of an amorphous ferrimagnetic material constituted by combining rare earth and transition metals or crystalline magnetic material such as MnBi or MnBicu. A substrate or article 6 formed with the magntooptic recording layer on the substrate is installed on a base 7 between plate electrodes 3 and 3 and while the inside of a vacuum vessel 2 is evacuated by a vacuum pump 1, a gaseous monomer is introduced through a gaseous monomer supply pie 5 into the vessel 2. Electric power is supplied from an AC power source 4 to the electrodes 3, 3 to induce plasma by the discharge between the electrodes 3 and 3, by which the protective film formed by the gaseous monomer is formed on the surface.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光を用いて情報の記録・再生・消去の少なく
とも1つの動作を行なう磁気光学記録装置に使用される
磁気光学記憶媒体に関し、特に保存安定性に優れる磁気
光学記憶媒体に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a magneto-optical storage medium used in a magneto-optic recording device that performs at least one of recording, reproducing, and erasing information using light. In particular, it relates to a magneto-optical storage medium with excellent storage stability.

〔従来技術〕[Prior art]

近年、He −N eレーザー、Arレーザー、半導体
レーザー等を用りて磁性薄膜上に、光学的に情報の記録
、再生、消去を行なう方法、即ち磁気光学記録方式が尚
密度比、およびアクセスの高速度化が可能な方式として
注目され、産業界において重点的に研究開発が推進され
ている。
In recent years, methods for optically recording, reproducing, and erasing information on magnetic thin films using He-Ne lasers, Ar lasers, semiconductor lasers, etc., that is, magneto-optical recording methods, have improved density ratios and access. It has attracted attention as a method capable of increasing speed, and research and development is being intensively promoted in industry.

磁気光学記録方式は、一般にレーザー光を薄膜状の記録
媒体上に集光させ、局部的に昇温させることにより記録
媒体の保磁力を低下させた状態に置いて、周囲の浮遊磁
場あるいは外部からの補助磁場を用いて情報の書込みや
消去全行なうものである。
Magneto-optical recording generally focuses a laser beam onto a thin-film recording medium, lowers the coercive force of the recording medium by locally raising the temperature, and then absorbs the magnetic field from the surrounding stray magnetic field or from the outside. All information is written and erased using an auxiliary magnetic field.

磁気記録光学媒体は通常、ガラスやポリカーボネート、
エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリ
ロニトリルの基板上に、Sm、Eu %G d 、T 
b s D y s Hp s E r等の希土類とF
e、Ni、Co等の遷移金属とを種々の混合比で組み合
わせて構成されるアモルファスフェリ磁性体あるいVi
、MnB1.MnB1Cu等結晶性磁性体等の薄膜記録
層を真空蒸着、スパッタリング法等にて形成したもので
ある。
Magnetic recording optical media are typically made of glass, polycarbonate,
Sm, Eu %G d , T on a substrate of epoxy resin, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile
Rare earths such as b s D y s Hp s E r and F
Amorphous ferrimagnetic material or Vi made by combining transition metals such as e, Ni, and Co in various mixing ratios.
, MnB1. A thin film recording layer made of a crystalline magnetic material such as MnB1Cu is formed by vacuum evaporation, sputtering, or the like.

薄膜記録層が完全に露出していると、大気中の酸素や水
分により酸化される、あるいは塵埃の付着や人体との接
触によシ変質する等の問題がある。
If the thin film recording layer is completely exposed, there are problems such as being oxidized by oxygen and moisture in the atmosphere, or being deteriorated by dust adhesion or contact with the human body.

また露出していなくても、基板表面から脱着してくる水
分子や、基板の内部から発生し表面から放出される微量
のガスにより変質しやすい。またこのような問題の比較
的少ない両面タイプの記録媒体の場合は対称な4枚の記
録媒体を貼シ合わせる為の接着剤(熱硬化性あるいは放
射線硬化性樹脂がしばしば用いられる)から発生するモ
ノマーをはじめとする反応性低分子化合物によっても変
質を受けやすく、大きな問題となっている。これらの問
題に対処するため、記録層の下地及び/又は表面に紫外
線硬化保獲層等の保護膜を設ける試みが行われている(
特開昭tj−/jりλ3を号)。
Furthermore, even if it is not exposed, it is susceptible to deterioration due to water molecules desorbed from the substrate surface or trace amounts of gas generated from inside the substrate and released from the surface. In addition, in the case of double-sided recording media, which are relatively free of such problems, monomers generated from the adhesive (thermosetting or radiation-curing resin is often used) used to bond four symmetrical recording media together. It is also susceptible to deterioration by reactive low-molecular compounds such as , which poses a major problem. In order to deal with these problems, attempts have been made to provide a protective film such as an ultraviolet curing capture layer on the base and/or surface of the recording layer (
Unexamined Japanese Patent Publication No. 2003-111003 (No. 3).

しかしながら従来のこうした試みでは保護膜の水をはじ
め低分子化合物やイオンに対するバリヤー性が不十分で
あり、高温高湿下での経時による変質等をいまだ完全に
は防止できていない。
However, in such conventional attempts, the barrier properties of the protective film against water, low-molecular compounds, and ions are insufficient, and deterioration due to aging under high temperature and high humidity conditions has not yet been completely prevented.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明者らは、前記問題点に鑑み鋭意研究した結果、本
発明に到達した。すなわち、本発明の目的は、高温高湿
下での経時で磁気光学特性の劣化の少ない磁気光学記憶
媒体を提供するKある。
The present inventors have conducted extensive research in view of the above-mentioned problems, and as a result, have arrived at the present invention. That is, an object of the present invention is to provide a magneto-optical storage medium whose magneto-optical properties are less likely to deteriorate over time under high temperature and high humidity conditions.

〔発明を達成するだめの手段〕[Means for achieving invention]

本発明は、)!i盤および磁気光学記録層を有する磁気
光学記憶媒体において、該磁気光学記録層の下側゛また
は上側、あるいはまた両側にプラズマ重合層が設けられ
ていること’l徴とする@気光学記憶媒体に関する。
The present invention is)! i disk and magneto-optical storage medium having a magneto-optic recording layer, characterized in that a plasma polymerized layer is provided below or above the magneto-optic recording layer, or on both sides of the magneto-optic recording layer. Regarding.

本発明において使用される透明基板としてはガラス、ポ
リカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリ
ル酸メチルやエポキシ樹脂等があげられる。
Examples of the transparent substrate used in the present invention include glass, polycarbonate, polyacrylonitrile, polymethyl methacrylate, and epoxy resin.

本発明において用いられる磁気光学記録層としてはSm
、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er等の希土類とF
e、Ni、Co等の遷移金属とを主成分として種々の混
合比で組み合わせて構成されるアモルファスフェリ磁性
体あるいはMnB1゜MnB1Cu等結晶性磁性体等の
薄膜記録層全真空蒸着、スパッタリング法等にて形成し
たもの等が挙げられる。
As the magneto-optical recording layer used in the present invention, Sm
, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, etc. and F
A thin film recording layer such as an amorphous ferrimagnetic material or a crystalline magnetic material such as MnB1゜MnB1Cu, which is composed mainly of transition metals such as e, Ni, and Co in various mixing ratios, can be used by full vacuum deposition, sputtering, etc. Examples include those formed by

透明基板の厚さは0.jm〜3朋であり、また磁気光学
記録層の厚さは、o、oi〜0.5μmである。
The thickness of the transparent substrate is 0. The thickness of the magneto-optical recording layer is o, oi - 0.5 μm.

プラズマ重合層の厚みはJ−OA−0,,2μmが好ま
しく、更に好ましくは、100に一100Aである。厚
みがjOA以下では、低分子化合物の透過に対するバリ
ヤー性が十分でないため好ましくない。また0、2μm
以上の膜を設けるのは膜形成に長時間を要し、実用上こ
のましくない。
The thickness of the plasma polymerized layer is preferably J-OA-0,.2 μm, more preferably 100:100A. If the thickness is less than jOA, it is not preferable because the barrier property against permeation of low molecular weight compounds is insufficient. Also 0.2μm
Providing the above films requires a long time to form the film, which is not practical.

本発明によるプラズマ重合膜の形成に用いる化合物(以
下モノマーと称する)としては、λ00C1t O−’
 Torrで蒸気圧を有するものなら使用可能であるが
、沸点が2006C以下のものが好ましい。特に好まし
い例として下記のものを上げることができる。すなわち
、メタン、エタン、プロノぐン、ブタン、ペンタ/、ヘ
キサン、オクタン。
The compounds (hereinafter referred to as monomers) used for forming the plasma polymerized film according to the present invention include λ00C1t O-'
Any material having a vapor pressure of Torr can be used, but one with a boiling point of 2006C or less is preferable. Particularly preferred examples include the following. Namely, methane, ethane, pronogne, butane, penta/, hexane, octane.

ヘプタン等の脂肪族飽和炭化水素、エチレン、プロピレ
ン、ブテン、ヘキセン、ブタジェン、ヘキサトリ二ン、
アセチレン等の脂肪族不飽和炭化水素、ベンゼン、トル
エン、m−キシレン、0−キシレン、p−キシレン、エ
チルベンゼン、スチレン、ナフタレン等の芳香族化合物
、シクロプロパン、シクロブタン、シクロはノナン、シ
クロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シク
ロノナン、シクロデカン等の飽和環状炭化水素、シクロ
ブチ/、シクロベンテン、シクロヘキセン、シクロヘプ
テン等の部分的に飽和の環状炭化水素等である。またテ
トラフルオロメタン、ジフルオロエタン、クロロトリフ
ルオロエタン、テトラフルオロエチレン、ジフルオロエ
チレン、ヘキサフルオロブタジェン、メタキシレンヘキ
サフルオライ、ド、オクタフルオロシクロブタン等の7
ツ化または塩化炭化水素なども用いられる。飽和へロカ
ーボンの場合は、分子中の水素原子数がハロゲン原子数
より多くないと重合が起こシにくいが、よシ水素を多く
含むモノマーガスとの混用で重合させることができる。
Aliphatic saturated hydrocarbons such as heptane, ethylene, propylene, butene, hexene, butadiene, hexatridine,
Aliphatic unsaturated hydrocarbons such as acetylene, aromatic compounds such as benzene, toluene, m-xylene, 0-xylene, p-xylene, ethylbenzene, styrene, naphthalene, cyclopropane, cyclobutane, cyclononane, cyclohexane, cycloheptane , saturated cyclic hydrocarbons such as cyclooctane, cyclononane, and cyclodecane, and partially saturated cyclic hydrocarbons such as cyclobutene, cyclobentene, cyclohexene, and cycloheptene. In addition, tetrafluoromethane, difluoroethane, chlorotrifluoroethane, tetrafluoroethylene, difluoroethylene, hexafluorobutadiene, metaxylene hexafluoride, do, octafluorocyclobutane, etc.
Hydrocarbons such as chlorinated or chlorinated hydrocarbons are also used. In the case of saturated herocarbon, polymerization is difficult to occur unless the number of hydrogen atoms in the molecule is greater than the number of halogen atoms, but polymerization can be achieved by mixing it with a monomer gas containing a large amount of hydrogen.

ま九アルコール類、ケトン類、エーテル類、脂肪酸類等
も用いることができる。
Alcohols, ketones, ethers, fatty acids, etc. can also be used.

モノマーガスとしては、以上に例示したもの等を単独ま
たは混合して用いることができる。
As the monomer gas, those exemplified above can be used alone or in combination.

またシラン化合物も用いることができる。Silane compounds can also be used.

これらのうち、より好ましいものはエチレン、プロピレ
ン、シラン、ヘキセン、フタジエン、ヘキサ) IJエ
ン、アセチレン等の脂肪族不飽和炭化水素、ベンゼン、
トルエン、m−キシレン、〇−キシレン、p−キシレン
、エチルベンゼン、スチレン、ナフタレン等の芳香族化
合物、シクロプロパン、シクロブタン、シクロはンタン
、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、
シクロノナン、シクロデカン等の飽和環状炭化水素、シ
クロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロ
ヘプテン等の部分的に飽和の環状炭化水素、ジメチルジ
ビニルシラン、ジアリルジメチルシラン等の不飽和アル
キル基をもつシラン化合物等である。
Among these, more preferred are ethylene, propylene, silane, hexene, phthalene, aliphatic unsaturated hydrocarbons such as acetylene, benzene,
Aromatic compounds such as toluene, m-xylene, 〇-xylene, p-xylene, ethylbenzene, styrene, naphthalene, cyclopropane, cyclobutane, cyclobutane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane,
These include saturated cyclic hydrocarbons such as cyclononane and cyclodecane, partially saturated cyclic hydrocarbons such as cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, and cycloheptene, and silane compounds having unsaturated alkyl groups such as dimethyldivinylsilane and diallyldimethylsilane.

さらに好ましくはエチレン、プロピレン、ブテン、ヘキ
セン、ブタジェン、ヘキサトリエン、アセチレン等の脂
肪族不飽和炭化水素であシ、下記一般式で示される。
More preferably, it is an aliphatic unsaturated hydrocarbon such as ethylene, propylene, butene, hexene, butadiene, hexatriene, acetylene, etc., and is represented by the following general formula.

本発明に用いられるプラズマ重合膜は以下のようにして
形成される。すなわち、モノマーガスを用い、後で述べ
るような方法によってプラズマを発生させこのプラズマ
を記録層表面に(特許請求の範囲第(2)項に示すごと
く基板と記録層の中間にプラズマ重合膜をもうける際は
、基板表面に)作用させることによりプラズマ重合膜を
形成する。
The plasma polymerized film used in the present invention is formed as follows. That is, plasma is generated using a monomer gas by a method described later, and this plasma is applied to the surface of the recording layer (as described in claim (2), a plasma polymerized film is formed between the substrate and the recording layer). In this case, a plasma polymerized film is formed by acting on the substrate surface.

このときにモノマーガス以外にアルゴン、ネオン、クリ
プトン、キセノン等の不活性ガスを加えてもよい。
At this time, in addition to the monomer gas, an inert gas such as argon, neon, krypton, or xenon may be added.

プラズマ重合処理の装置としては無電極放電型、電極放
電型のいずれを用いてもよく、また電極が重合槽の中に
ある内部電極型、重合槽の外に電極を有する外部゛屈極
型を用いてもよい。さらに、後グロー中にモノマーガス
を導入する方法も可能である。特に好ましくは、安定な
プラズマ状態が得られやすい内部電極型(第1図参照)
および後グロー中にモノマーガスを導入する方法である
Either an electrodeless discharge type or an electrode discharge type may be used as a plasma polymerization treatment apparatus, and an internal electrode type in which the electrode is inside the polymerization tank and an external bending type in which the electrode is outside the polymerization tank may be used. May be used. Furthermore, a method of introducing monomer gas during the afterglow is also possible. Particularly preferred is an internal electrode type (see Figure 1), which makes it easy to obtain a stable plasma state.
and a method of introducing monomer gas during after-glow.

プラズマの発振周波数は、低周波、高周波、マイクロ波
等なんでも用いることができ、特に制限されるものでは
ない。
The oscillation frequency of the plasma is not particularly limited, and any low frequency, high frequency, microwave, etc. can be used.

電子温度(Telは好ましくはj千に〜7万K、さらに
好ましくは!千KS−参万にであり、さらに好ましくハ
!千Kから3万にである。ここでTeは例えば特開昭j
l−13jj71A号公報に示されている、加熱された
熱探針を用いた二探針法によって測定することができる
。ここでTeが7万に以上の場合は、ピンホールのない
均一なプラズマ重合膜を設けることが困難であり、5千
に以下の場合は、重合速度が小さいため実用的でない。
The electron temperature (Tel is preferably from 1,000 to 70,000 K, more preferably from 1,000 K to 30,000 K, and even more preferably from 1,000 K to 30,000 K. Here, Te is, for example,
It can be measured by the two-probe method using a heated thermal probe, as disclosed in Japanese Patent No. 1-13jj71A. Here, if Te is 70,000 or more, it is difficult to provide a uniform plasma polymerized film without pinholes, and if Te is less than 5,000, the polymerization rate is so low that it is not practical.

Teがj千に一弘万にの場合は、磁性薄膜との密着が特
に優れておシ、極めて優秀なコーティングを施すことが
できる。
When Te is between 100 and 100,000, the adhesion with the magnetic thin film is particularly excellent, and an extremely excellent coating can be applied.

ガス流量は1ootの反応槽の場合、o、/ml〜zo
Omt7分が好ましい。
For a 1-oot reaction tank, the gas flow rate is o,/ml to zo.
Omt 7 minutes is preferred.

プラズマ重合の系の圧力は1O−3Torr−/Tor
rの範囲が好ましく、さらに好ましくはlo−3Tor
rから10  ’Torrである。これより圧力が高い
時はプラズマ重合膜が粉状で形成されたり、プラズマ反
応槽内部の汚れが大きく、逆に低いときは、重合1のの
形成に長時間全装するので好ましくない。
The pressure of the plasma polymerization system is 1O-3 Torr-/Torr.
A range of r is preferred, more preferably lo-3Tor
r to 10'Torr. If the pressure is higher than this, the plasma polymerized film will be formed in powder form or the inside of the plasma reaction tank will be heavily contaminated; if the pressure is lower than this, it will take a long time to form the polymerization 1, which is not preferable.

本発明の磁気光学記録媒体は、磁気光学記録層側を向い
合せにし接着剤層を介して2枚貼り合せたものを使用す
ることが好ま−しい。
The magneto-optical recording medium of the present invention preferably has two media bonded together with the magneto-optic recording layers facing each other via an adhesive layer.

本発明で用いる接着剤はウレタン系接着剤(インシアネ
ート含有化合物を単独、あるいは、ヒドロキシル基、ア
ミノ基、カルボキシル基などインシアネートと反応しや
すい官能Mi、ヲもつ物質と混合して接着剤とし、熱硬
化により強固な接着を達成するもの)、エポキシ系接着
剤(エポキシ化合物とアミン等の硬化剤を反応させるも
の)、硬化性シリコーン甜脂、ホットメルト型接着剤(
例えばエチレン−酢酸ビニル樹脂等)、高周波接着剤(
ポリ塩化ビニル樹脂等)が挙げられる。溶剤系接着剤(
例えば、合成ゴム系、ビニル樹脂系のポリマーを有機溶
剤に溶解したもの)はこれを使用した場合、保存安定性
が十分でない場合があり好ましくない。またUV硬化型
接着剤も同様に好ましくない。
The adhesive used in the present invention is a urethane adhesive (an incyanate-containing compound alone or mixed with a substance having a functional group such as Mi, which easily reacts with incyanate, such as a hydroxyl group, an amino group, or a carboxyl group, to form an adhesive); (those that achieve strong adhesion through heat curing), epoxy adhesives (those that react with epoxy compounds and curing agents such as amines), curable silicone sugar, hot melt adhesives (
For example, ethylene-vinyl acetate resin, etc.), high frequency adhesive (
polyvinyl chloride resin, etc.). Solvent-based adhesive (
For example, synthetic rubber-based or vinyl resin-based polymers dissolved in organic solvents are not preferred because they may not have sufficient storage stability. Similarly, UV-curable adhesives are also not preferred.

次に実施例をもって本発明全具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
Next, the present invention will be fully explained in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明のプラズマ重合膜形成に好適に用いられ
る装置を示す。この装置は、真空ポンプ/が接続された
真空容器λ内に、互いに対向する板状電極3.3を設け
て例えば交流電源ダを接続し、一方前記真空容器内に七
ツマーガスを供給する単数若しくは複数の七ツマーガス
供給管!全接続して構成され、例えば、基板や基板上に
磁気光学記録層が形成された物品6が前記板状電極3゜
3間の台7上に設置され、次のようにして保股膜が形成
されて、磁気記録媒体t−判造する。
FIG. 1 shows an apparatus suitably used for forming a plasma polymerized film of the present invention. In this device, plate-like electrodes 3.3 facing each other are provided in a vacuum vessel λ to which a vacuum pump is connected, and an AC power source is connected thereto, while a single or Multiple seven gas supply pipes! The article 6, which is constructed by connecting all the parts and has, for example, a substrate or a magneto-optical recording layer formed on the substrate, is placed on the table 7 between the plate electrodes 3.3, and the protective film is formed as follows. A magnetic recording medium is formed in T-size.

すなわち、■空ポンプ/によシに空容器λ内を排気しな
がら、モノマーガス供給管jを介して、既述のモノマー
ガス(不活性ガスを含む場合もある)を真空容器λ内へ
導入する。
In other words, ■ While evacuating the inside of the empty container λ using an empty pump, the monomer gas mentioned above (which may contain an inert gas) is introduced into the vacuum container λ via the monomer gas supply pipe j. do.

真空容器λ内の雰囲気金、上述のようにして一定に保っ
た状態において、電極3,3に交流電源≠より電力を供
給し、これによl、極3,3に放電によるプラズマを生
起せしめ、さらに当該プラズマを膜形成の基体となるも
のが設置された位置において電子温度が!千に〜7万に
の状態とし、このプラズマ全表面にプラズマ重合膜を形
成したい物品に(たとえば基板や、基板状に磁気光学記
録層を設けたもの)作用させてその表面に前記モノマー
ガスによ膜形成される保護膜を形成する。
While the atmosphere in the vacuum container λ is kept constant as described above, power is supplied to the electrodes 3, 3 from an AC power supply, thereby generating plasma by discharge at the electrodes 3, 3. Furthermore, the electron temperature at the location where the substrate for film formation is installed! The monomer gas is applied to the article (e.g., a substrate or a substrate with a magneto-optical recording layer) on which a plasma polymerized film is to be formed on the entire surface of the plasma. Forms a protective film.

形成されたプラズマ重合膜の厚みは、モデル実験から求
めた膜生成速度をもとに 厚み=膜生成速度X重合時間
 の関係から求められるものと見なした。したがって、
のぞみのの膜厚のプラズマ重合膜を設けるために、設け
たい膜厚全既知の膜生成速度で割って必要な重合時間を
決定した。ここでいうモデル実験とはそれぞれの重合条
件につき、重合時間と、生成した膜の厚み(エリプソメ
トリ−で測定)の比例定数を求める実験であり、具体的
には、ガラス基板上にアルミニウムをよ0OOA厚に蒸
着したものに対する膜生成速度をもとめた。
The thickness of the formed plasma-polymerized film was determined based on the film formation rate obtained from a model experiment and from the relationship: thickness = film formation rate x polymerization time. therefore,
In order to provide a plasma polymerized film with Nozomi's film thickness, the required polymerization time was determined by dividing the desired film thickness by the known film formation rate. The model experiment referred to here is an experiment to determine the proportionality constant of the polymerization time and the thickness of the formed film (measured by ellipsometry) under each polymerization condition. The film formation rate was determined for a film deposited to a thickness of 0OOA.

ポリカーゼネート円板状透明基板に直接あるいは基板に
各種保護膜を被覆したものに、TbFeC。
TbFeC directly on a polycarbonate disk-shaped transparent substrate or on a substrate coated with various protective films.

の磁気光学記録層t−DCマグネトロンスパッタ法によ
膜形成し、その表面に各種保護膜を被覆したあるいはし
ないものを試作し、これらをサンプルA/〜l≠とじた
(第1表参照)。またこれらの同じもの同士を接着剤を
用いて貼り合わせ、両面磁気光学記憶媒体を作製した。
Magneto-optical recording layers were formed by t-DC magnetron sputtering, the surfaces of which were coated or not coated with various protective films, and samples A/~1 were bound (see Table 1). Furthermore, these same materials were bonded together using an adhesive to produce a double-sided magneto-optical storage medium.

これらをサンプルA/j−2ざとした(第2表参照)。These were designated as Sample A/j-2 (see Table 2).

〔評価〕〔evaluation〕

RFマグネトロンスノ々ツタ装置で5i02、S i 
01・4、ZnSを作製した。その作製条件は以下の通
シである。
5i02, S i with RF magnetron Sunotsuta device
01.4, ZnS was produced. The manufacturing conditions are as follows.

使用ターゲットは5i02、Sin、ZnS等を用い、
初期真空度10   Torr以下まで引き、Ar等を
入れ/X1O−3Torrに調整する。
The targets used are 5i02, Sin, ZnS, etc.
The initial vacuum level is reduced to 10 Torr or less, and Ar is added to adjust the vacuum to X1O-3 Torr.

ノワーf′iRproowでlO分間スノにツタし、1
ooohの膜厚を得た。
Nowa f'iRproow vines on Suno for 10 minutes, 1
A film thickness of oooh was obtained.

プラズマ重合膜A−Eは第1図の装置を用い以下の表に
示す条件で形成した。
Plasma polymerized films A to E were formed using the apparatus shown in FIG. 1 under the conditions shown in the table below.

5i02.8101.+”−よびZnS保護膜は下記の
条件で作成した。ターゲットとしてS i02.5iO
1およびZnS金用い、初期真空度10  Torr以
下とし、Arガスを導入し/ x/ OTorrに調整
した。RF に 00Wで70分間スパッタし、膜厚t
−7OOOAとした。
5i02.8101. +”- and ZnS protective films were created under the following conditions.Si02.5iO was used as a target.
1 and ZnS gold, the initial vacuum was set to 10 Torr or less, and Ar gas was introduced to adjust the vacuum to /x/OTorr. Sputtered with RF for 70 minutes at 00W, film thickness t
-7OOOA.

接着剤組成は下記≠極を使用した。The following adhesive composition was used.

a ウレタンオリゴマー+ 3官能インシアネート硬化剤 b ウレタンオリゴマー+ コ官能イソシアネート硬化剤 Cエポキシオリゴマー+ トリエチレンジアミン硬化剤 d 信越化学友RTV−≠1(硬化性シリコーン樹脂) それぞれのサンプルの特性評価!θQC120%RH下
に/週間保存前後におけるKe r rHc 。
a Urethane oligomer + trifunctional incyanate curing agent b Urethane oligomer + cofunctional isocyanate curing agent C epoxy oligomer + triethylenediamine curing agent d Shin-Etsu Kagakuyu RTV-≠1 (curable silicone resin) Characteristic evaluation of each sample! θQCKe r rHc before and after storage for 1 week under 120% RH.

OK、および反射率測定により行なった。OK, and was determined by reflectance measurement.

上記測定は波長6321人のHe −N oレーザーを
使用して行なった。
The above measurements were performed using a He--No laser with a wavelength of 6321.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の磁気光学記憶媒体は、とくに高温高湿下での保
存性にすぐれるものである。
The magneto-optical storage medium of the present invention has particularly excellent storage stability under high temperature and high humidity conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のプラズマ重合g!を形成する為に好適
に用いることのできる装置の位置例を示す説明図である
。 l・・・・・・・・・真空ポンプ   λ・・・・・・
・・・真空容器3・・・・・・・・・電極      
弘・・・・・・・・・交流電源j・・・・・・・・・モ
ノマーガス供給管jA・・・・・・供給o−ル   4
B・・・・・・巻キトリロールS・・・・・・・・−プ
ラズマ重合膜被覆の対象となる基板特許出願人 富士写
真フィルム株式会社第1図
Figure 1 shows plasma polymerization g! of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of the position of a device that can be suitably used to form a . l・・・・・・Vacuum pump λ・・・・・・
・・・Vacuum container 3・・・・・・・Electrode
Hiroshi......AC power supply j...Monomer gas supply pipe jA...Supply o-le 4
B... Rolled Kitriroll S... - Substrate to be coated with plasma polymerized film Patent applicant Fuji Photo Film Co., Ltd. Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)基盤および磁気光学記録層を有する磁気光学記憶媒
体において、該磁気光学記録層の下側または上側、ある
いはまた両側にプラズマ重合層が設けられていることを
特徴とする磁気光学記憶媒体。 2)前記磁気光学記憶媒体を磁気光学記録層側を向い合
せにし、接着剤層を介して2枚貼り合せてなることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の磁気光学記憶
媒体。
[Claims] 1) A magneto-optic storage medium having a base and a magneto-optic recording layer, characterized in that a plasma polymerized layer is provided below or above the magneto-optic recording layer, or on both sides. Magneto-optical storage medium. 2) The magneto-optical storage medium according to claim (1), characterized in that the two magneto-optic storage media are bonded together with the magneto-optic recording layer sides facing each other with an adhesive layer interposed therebetween. .
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