SU1503689A3 - Magnetooptical information carrier - Google Patents
Magnetooptical information carrier Download PDFInfo
- Publication number
- SU1503689A3 SU1503689A3 SU843745558A SU3745558A SU1503689A3 SU 1503689 A3 SU1503689 A3 SU 1503689A3 SU 843745558 A SU843745558 A SU 843745558A SU 3745558 A SU3745558 A SU 3745558A SU 1503689 A3 SU1503689 A3 SU 1503689A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- optical
- dielectric layer
- film
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств. Целью изобретени вл етс повышение отношени сигнал/шум при считывании информации. Магнитооптический носитель содержит подложку, на которой расположены отражающий слой, первый прозрачный диэлектрический слой, доменосодержаща аморфна пленка с магнитной анизотропией, перпендикул рной поверхности пленки, второй прозрачный диэлектрический слой (противоотражательный) и прозрачный защитный слой. Отражающий слой может быть также расположен между вторым прозрачным диэлектрическим слоем и прозрачным защитным слоем. Магнитооптический носитель информации может быть выполнен и так, что подложка и прозрачный защитный слой объединены в одном слое. Работа магнитооптического носител информации основана на термомагнитной записи и неразрушающем магнитооптическом считывании информации. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.The invention relates to computing and can be used in the construction of magneto-optical storage devices. The aim of the invention is to increase the signal-to-noise ratio when reading information. The magneto-optical carrier contains a substrate on which a reflective layer is located, a first transparent dielectric layer, a domain-containing amorphous film with magnetic anisotropy, a perpendicular film surface, a second transparent dielectric layer (anti-reflective), and a transparent protective layer. The reflective layer may also be located between the second transparent dielectric layer and the transparent protective layer. The magneto-optical information carrier can also be designed so that the substrate and the transparent protective layer are combined in one layer. The work of the magneto-optical information carrier is based on thermomagnetic recording and non-destructive magneto-optical reading of information. 2 hp ff, 1 tab.
Description
ОABOUT
соwith
Изобретение относитс к вычислительной технике и мо/кет быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств.The invention relates to computing technology and may be used in the construction of magneto-optical storage devices.
Целью изобретени вл етс повышение отношени сигнал/шум при считывании информации.The aim of the invention is to increase the signal-to-noise ratio when reading information.
Магнитооптический носитель информации содержит подполску, на которой расположены отражающий слой, первый прозрачный диэлектрический слой, до- меносодержаща аморфна пленка с магнитной анизотропией, пер 1ендмкул р- ной поверхности пленки, второй прозрачный диэлектрический слой (противо- отражательный) и прозрач 1 1Й jamiiTHiin i лой. Отражающий слой может быть также расположен между вторым прозрачным диэлектрическим слоем и прозрачным защитным слоем. Магнитооптический носитель информации может быть выполнен и так, что подложка и npoii);i4Hi. защитный слой объединены в одлом ,The magneto-optical information carrier contains a sub-Polish, on which the reflective layer is located, the first transparent dielectric layer, the domain-containing amorphous film with magnetic anisotropy, the first éndmkul ry surface of the film, the second transparent dielectric layer (anti-reflective) and transparent 1 1Y jamiiTHiin i . The reflective layer may also be located between the second transparent dielectric layer and the transparent protective layer. The magneto-optical information carrier can also be made so that the substrate and npoii); i4Hi. protective layer combined into a bloom
0000
оabout
00
Доменосодержаша аморфна пленка выполнена из сплава по меньшей мере одного редкоземельного элемента из группы гадолиний - тербий - диспрозий и по меньшей мере одного переходного металла из группы железо - кобальт - хром толщиной (0,5 - 20)-10 м с размерами доменов (0,1 - 5)- 10 м.The domain-containing amorphous film is made from an alloy of at least one rare-earth element from the gadolinium-terbium-dysprosium group and at least one transition metal from the iron-cobalt-chromium group with a thickness of (0.5–20) -10 m with domain sizes (0, 1 - 5) - 10 m.
с углом магнитооптического вращени with the angle of magneto-optical rotation
|0| 0
плоскости пол ризации не менее 1 , а прозрачные диэлектрические слои выполнены толщиной (3 - 20) с показателем преломлени света не менее 1,2. При этом содержание редкозе мельного элемента и переходного металла в пленке составл ет соответственно 16 - 35 и 84 - 65 ат.%.the polarization planes are at least 1, and the transparent dielectric layers are made with a thickness of (3–20) with a refractive index of at least 1.2. The content of rare earth element and transition metal in the film is 16–35 and 84–65 at.%, Respectively.
Магнитооптические аморфные тонкие пленки можно изготовить известными способами нанесени тонких пленок такими, как напыление, испарение и набрызгивание с охлаждением. При на- брызгивании с охлаждением гор ча жидкость из компонент пленки падает на холодную поверхность, где компоненты пленки быстро охлаждаютс и затвердевают, образу аморфную объемную пленку. Как правило, независимо от используемой скорости нанесени температура подложки должна быть меньше температуры кристаллизации дл того, чтобы получить аморфные магнитные материалы,Magneto-optical amorphous thin films can be made by known methods of applying thin films such as sputtering, evaporation and cooling spraying. When spraying with hot cooling, the liquid from the film components falls on a cold surface, where the film components are rapidly cooled and solidify, forming an amorphous bulk film. As a rule, regardless of the deposition rate used, the substrate temperature must be less than the crystallization temperature in order to obtain amorphous magnetic materials,
. Предпочтительным способом нанесе- ни тонких пленок вл етс напыление Известные услови напылени аморфных тонких пленок включают первоначальный вакуум ниже I lO торр; давлепл. The preferred method of deposition of thin films is sputtering. Known conditions for the deposition of amorphous thin films include an initial vacuum below I lO Torr; davlepl
ниа напылени от З-Ю до 2-10 торр предварительное распыление источника напылени материала, чтобы очистить «его поверхность; температуру подложки 30 - 100 С и парциальное давление аргона.Spray from 3 to 10 torr to 10–10 pre-spraying of the source of material spray to clean its surface; the substrate temperature is 30-100 ° C and the argon partial pressure.
В способе катодного напылени ионы газообразного аргона бомбардируют катодную мишень из твердого сплава в напылительной камере, смеща атомы металлов за счет передачи момента движени от ускоренных ионов к атомам металлов вблизи поверхности мишени. При этом катод раскал етс и масса ионизованного газа между катодом и анодом представл ет собой плазму. Подложку помещают у анода, а атомы металлического сплава пересекают пространство между анодом и катодом.In the cathode sputtering method, argon gas ions bombard a hard metal cathode target in the sputtering chamber, displacing metal atoms by transferring the moment of movement from accelerated ions to metal atoms near the target surface. The cathode is then cracked and the mass of ionized gas between the cathode and the anode is a plasma. The substrate is placed at the anode, and the atoms of the metal alloy cross the space between the anode and the cathode.
5five
0 0 0 0
5 five
осажда сь или конденсиру сь на подложке .deposited or condensed on a substrate.
Мо шо использовать многие пленочные подложки. Их можно изготовить из любого материала, обладающего стабильностью размеров, чтобы свести до миним ма изменени радиального перемещени во врем записи и воспроизве0 дени ,. Можно использовать полупроводники , изол торы или металлы. Подход щие подложки включают стекло, шпинель , кварц, сапфир, окись алкмини , металлы, такие как алк)миний и медь, и полимеры, такие как полиметилме- такрилат и сложный полиэфир. Подложка обычно имеет форму диска.You can use many film substrates. They can be made from any material that has dimensional stability in order to minimize the change in radial movement during recording and reproduction. Semiconductors, insulators or metals can be used. Suitable substrates include glass, spinel, quartz, sapphire, alcumin oxide, metals such as alkali and copper, and polymers such as polymethyl methacrylate and polyester. The substrate is usually disc-shaped.
Когда намагничиваемую аморфную пленку нанос т на отражающую поверхность , то ее магнитооптическое вращение увеличиваетс благодар сложению эффекта Фараде с эффектом Керра. Первый из указанных эффектов заключаетс во вращении плоскости пол ризации света при его прохождении взад и вперед через магнитооптический слой, Б то врем как эффект Керра поворачивает плоскость пол ризации на поверхности сло . Отражающий слой может быть гладкой тщательно полированной поверхностью самой подложки либо он может представл ть собой поверхность отдельного отражающего сло , нанесенного известными способами такими, как вакуумное осаждение пара.When a magnetized amorphous film is applied onto a reflecting surface, its magneto-optical rotation increases due to the addition of the Farad effect with the Kerr effect. The first of these effects is to rotate the plane of polarization of light as it passes back and forth through the magneto-optical layer, while the Kerr effect rotates the plane of polarization on the surface of the layer. The reflective layer may be smooth, carefully polished with the surface of the substrate itself, or it may be the surface of a separate reflective layer applied by known methods such as vapor vapor deposition.
Отражающа поверхность или слой обычно имеет коэффициент отражени свьше примерно 50% (предпочтительноThe reflective surface or layer typically has a reflection coefficient of more than about 50% (preferably
0 70%) по длине волны записи. Нанесенные отражающие слои обычно имеют толщину примерно 50 - 500 нм. Типичными отражательными поверхност ми или сло ми вл ютс медь, алюминий или зо5 лото.0 70%) recording wavelength. The reflective layers applied are typically about 50 to 500 nm thick. Typical reflective surfaces or layers are copper, aluminum or gold.
Прозрачный диэлектрический слой можно нанести в виде промежуточного сло между отражающим слоем и намагничиваемой аморфной пленкой. ТакойThe transparent dielectric layer can be applied as an intermediate layer between the reflective layer and the magnetized amorphous film. Such
0 промежуточный слой должен иметь пойа- затель преломлени не менее 1,2, предпочтительно около 3,0. При высоком показателе преломлени поометку- точного сло угол магнитооптического0, the intermediate layer should have a refractive index of at least 1.2, preferably about 3.0. With a high refractive index on the mark of the exact layer, the angle of the magneto-optical
5 вращени можно существенно увеличить за счет интерференционного усилени . Интерференционное усиление происходит также в том случае, когда второй прозрачный диэлектрический слой5, the rotation can be significantly increased by the interference gain. Interference amplification also occurs when the second transparent dielectric layer
(противоотражательный) нанос т поверх намагничиваемой аморфной пленки. Носители информации, имеюцие одну прозрачную диэлектрическую интерференционную пленку (либо промежуточный, либо противоотражательный слой) в дополнение к отражательным сло м и намагничиваемой аморфной тонкой пленке называютс трехслойными носител ми. Носители, имекшие одновременно диэлектрический слой между отражающей поверхностью и намагничиваемой аморфной тонкой пленкой и противоотражательный слой, называютс четырехслой- ными носител ми. Противоотражательный слой также отличаетс тем, что его толщина обычно составл ет примерно 30 - 200 нм, а показатель преломлени превышает 1,2, при этом он необ зательно должен быть из того же материала , что и диэлектрический спой.(anti-reflective) is applied over a magnetized amorphous film. Information carriers having one transparent dielectric interference film (either intermediate or anti-reflective layer) in addition to the reflective layers and the magnetized amorphous thin film are called three-layer carriers. The carriers, which simultaneously have the dielectric layer between the reflecting surface and the magnetizable amorphous thin film and the anti-reflective layer, are called four-layer carriers. The antireflection layer also differs in that its thickness is usually about 30 to 200 nm, and the refractive index exceeds 1.2, and it need not necessarily be of the same material as the dielectric profile.
В случа х, когда диэлектрический слой находитс между пленкой и отражающим слоем или поверхностью в трехслойной структуре, выгодно добавить поверх пленки прозрачный пассивирующий слой. Пассиваци представл ет собой изменение химически активной металлической поверхности в намного менее реакционное состо ние. Прозрачный пассивиругаций слой обычно в толщину составл ет до примерно 300 А.In cases where the dielectric layer is between the film and the reflective layer or surface in a three-layer structure, it is advantageous to add a transparent passivation layer over the film. Passivation is a change in the reactive metal surface to a much less reactive state. Transparent passivation layer is usually thick up to about 300 A.
Подход щими материалами дл пассивирующего сло и прозрачными диэлектриками вл ютс субокись кремни (SiO, , ), двуокись тнтана, SiOj, окись цери , окись алюмини и нитрид алюг-1ини .Suitable materials for the passivating layer and transparent dielectrics are silicon suboxide (SiO,,), tntana dioxide, SiOj, cerium oxide, alumina, and alumina-1 nitride.
Относительные толщины намагничиваемой аморфной пленки и прозрачного диэлектрического сло в трехслойной структуре и промежуточного диэлектрического сло , противоотражательного сло и аморфной .пленки в четырехслой- ной структуре выбирают таким образом, чтобы угол магнитооптического враще- НИН превышал угол вращени носител без добавленных слоев диэлектрического и/или противоотражательного покрытий . Этот выбор можно сделать, использу известные оптические соотношени . Относительные толщины предпочтительно выбирают таким образом, чтобы получить отражательную способность носител записи не менее 30% по длине волны записи.The relative thicknesses of the magnetized amorphous film and transparent dielectric layer in the three-layer structure and the intermediate dielectric layer, the anti-reflective layer and the amorphous film in the four-layer structure are chosen so that the angle of the magneto-optical rotation will exceed the angle of rotation of the carrier without added layers of the dielectric and / or anti-reflection coatings. This choice can be made using known optical ratios. The relative thickness is preferably chosen in such a way as to obtain the reflectivity of the recording medium at least 30% of the recording wavelength.
Характеристический угол вращени предлагаемых магнитооптических носитв ей gBftffeT сравнительно большим (ff .еЛ&х I - 10 град) при измере- нм|1 с л ерю диодом йа длине золны ni tttepKO в309 А. Это вл етс улучше- нц .ие / вошшию со значени ми угла yiKJIIiaHHbHdH в литературе auif отлуге цаафиж. структур редкозе- Metetestet МРВМГЧИГОВ - переходных ме10 тThe characteristic angle of rotation of the proposed magneto-optical gBftffeT carrier is relatively large (ff.EL & xI - 10 degrees) with the measured | 1 with the length of the diode and the length of the ni tttepKO v309 A sol. values of the angle yiKJIIiaHHbHdH in the literature auif to the offense of caaafia. structures of rare earths - Metetestet MRVHGHIGOV - transitional metals 10 t
5five
00
5five
00
5five
00
5five
00
5five
Otf HffiasM свойства аморфной тон- К9 шь&нмк как от ее состава, Т9ф 1 фт получени или нане- е . Известно, что ред- ко медь1ше Ч 1етаплы легко окисл ютс , и |1ЬдД одр вд П 1е этого окислени в- efjMio час -ью предлагаемого , AMBgkftre продукт более высокой 4«QT«w. аноду придать отри- цаю&ллнцв, нвф|ат(иал по отношению к пллэме, те спвеоб называют смещенным налылеки м. 0« «таетс , что это смещение вы ыввет нредпочтительное удаление п |р мфввй, таких как кислород, из «всчАэнФй иконки пр повторном на- пыа &кшл;Otf HffiasM properties of amorphous tonus K9 shw & nc as its composition, T9f 1 ft. Of receiving or deposited. It is known that rarely copper copper cells easily oxidize, and | 1DD bed in P1e of this oxidation in the efjMio one of the proposed, AMBgkftre product is higher than 4 "QT" w. anode to give a negative & lntsv, nvf | at (ial in relation to the plame, they are called displaced fluids m. 0 "" that this displacement is due to the preferred removal of n | pmfvyi such as oxygen from the icons Pr Repeat &Csh;
Радночастовадое напыление (а не на- пъшвыие, гл9 п то ниом токе) можно исн ш аовать дл того, чтобы осуществив cy licvtfy и нанесение изол то- рое т1ци«к КАК указанные прозрачные ди« йЫ& Е«М| ц |Са1)е соли. Радиочастотное пейвненмо и нй| жение подают в напы- лифельыун; с помощью радиочасTO IX ЭЛ««ТР9ДОБ.Radon-frequent spraying (rather than plastering, by means of current) can be used in order to carry out cy licvtfy and apply an insulating layer to the indicated transparent diameters & E “M | q | Ca1) e salt. Radio frequency pavennenmo and ny | living is supplied to the spray iron; with the help of the radio clock TOL EL «« «ТР9ДБ.
VcvfuoA ao триодного напылени со- дедают н)1ум|ную камеру, содержащую раеШ1ьш14Г«ъЯ4 муп катодную мишеиь, куда noipemiaws ; «9таваический сплав. Сплав ра ьш ют осцфлюа его на подложке, Ko iKfty впмвщвмг на анодном держателе no49 e«u«H., Див поддерживают при низком , «9ф11|Ц1ЯЧ «Л1 11«м напр жении смещени но ар ютвалмп к стенке камеры. Ка- {фкнмь ехлаждают водой, и под- лощу teзlK& вфмвести во вращение с помвщыо вмедонрас приводных средств. Обынио eJKMf 1 Я1енью и анодом уста- нааииаайг заслонку, чтобы можно производит ) вленылисельную чистку подложки . Нрвдпо лгительным вл етс три- одй&е напцрканме в магнитном поле, при идацш термоионным катодом и аноАвм о л &аа лвают магнитное поле, чтосЗы of ial№H«grb электроны в плазм е ио1в АН11ОНМОг« газа и не давать им по аАвФЬ №Л Яйдаюжку, где электронна бомбв { ди века может вызвать нагрев.VcvfuoA ao of the triode sputtering assembles a num-numbered chamber containing a cathode chip, where noipemiaws; “9th tavaic alloy. The alloy is deposited on a substrate, Ko iKfty is mounted on an anode holder no49 e “u“ H., Dive is maintained at a low, “9 11 11 | Ч1H Л“ L1 11 ″ m voltage applied to the wall of the chamber. Ca- {fcnm is cooled with water, and i will supply tezlK & Put in rotation with pomvschyo Vedononras drive means. Blowing the eJKMf 1 with a pit and the anode with a mounting aaaaaig valve, so that you can) clean the substrate. Nrvdpo is a threefold one & ncrc in a magnetic field, with a thermionic cathode and anoAbmol & a magnetic field, that you don’t give them aaAF of a gas No. L Yaydayuzhku, where electron bombing {di century can cause heat.
Сама по себе напылительна камера изготовлена из нержавеющей стали.By itself, the sputtering chamber is made of stainless steel.
При работе напыпительную камеру обычно откачивают до некоторого первоначального фонового давлени (например , 4-10 торр), после чего подают распьшительный газ (аргон). Обычн подложку очищают предварительным распылением или распылительным травленн ем в течение примерно 60 с при напр жении смещени примерно 300 В, Подложку подвергают воздействию потока атомов из мишени после того, как достигнуты заранее заданные услови напылени . Скорость напылени магнитооптической пленки обычно составл ет 0,5 - 4,0 Л/с в случае тройного сплава гадолини - тербн - железа. Тонкопленочную термопару располагают вблизи анодного держател подложки, чтобы измер ть примерную температуру подложки и равновесной плазмы.In operation, the bulking chamber is typically pumped to some initial background pressure (e.g., 4-10 Torr), after which a flowing gas (argon) is supplied. Normally, the substrate is cleaned by pre-spraying or spray etching for about 60 seconds with a bias voltage of about 300 V. The substrate is exposed to a stream of atoms from the target after the predetermined conditions of sputtering are achieved. The deposition rate of the magneto-optical film is usually 0.5-4.0 L / s in the case of the gadolinium-terbn-iron ternary alloy. A thin film thermocouple is placed near the anode support of the substrate to measure the approximate temperature of the substrate and the equilibrium plasma.
Более высокий вакуум триодного устройства приводит к получению тонких пленок большей плотности и с большим показателем преломлени , чем известные магнитооптические пленки. Характер магнитооптической пленки на ее поверхности может отличатьс от объемных свойств пленки. Это особенно про вл етс при сравнении результатов измерений коэрцитивности дл поверхности и объема непассивированной пленки. Найдено, что коэр- цитивность Hg может измен тьс на пор док величины в некоторых случа х . Эти изменени особенно важны в оптической системе пам ти, поскольку взаимодействие считывающего оптического луча и запоминающих материалов да основе редкоземельных элементов - переходных металлов происходит в первых 150 - 200 А пленки. Предполагают , что окисление редкоземельного элемента вл етс основной причиной изменени характеристик тонкой пленки на поверхности. Покрыва пленку редкоземельного элемента - переходного металла пассивирующим слоем, можно практически исключить изменение характеристик со временем.The higher vacuum of the triode device results in thin films of greater density and with a higher refractive index than the known magneto-optical films. The nature of the magneto-optical film on its surface may differ from the bulk properties of the film. This is particularly evident when comparing the results of coercivity measurements for the surface and volume of the non-passivated film. It has been found that the coercivity of Hg can vary by an order of magnitude in some cases. These changes are particularly important in the optical memory system, since the interaction of the read optical beam and storage materials and the basis of rare-earth elements - transition metals occurs in the first 150 - 200 A film. The oxidation of the rare earth element is believed to be the main cause of the change in the characteristics of the thin film on the surface. Covering a film of a rare-earth element - a transition metal with a passivating layer, it is possible to practically exclude the change of characteristics with time.
Глубинное профилирование элементов в образце предлагаемого носител с пленкой из сплава Gd - Tb - Fe, покрытой сверху стеклом SiO, производ т с помощью Оже - электронной спектроскопии н масс-спектрометрии вторичных ионов. Результаты показаDeep profiling of the elements in the sample of the proposed carrier with a film of Gd - Tb - Fe alloy, covered with SiO glass on top, is carried out using Auger electron spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. Show results
5five
00
5five
j j
00
5five
00
00
5five
ли, что уровень кислорода в ;шенке Gd - 1Ъ - Fe составл ет менее одного атомнО ГО процента. Х 1мический анализ с помощью электронной спектроскопии показал, что пленки SiO,, нанесенные поверх пленок Gd - ТЬ - Fe, имеют х в пределах 1,2 - 1,6 или содержание кислорода составл ет 55 - 62 ат.%. Глубинный профильный анализ показал, что содержание кислорода в пленках Gd - ТЪ - Fe примерно в 200 раз меньше, -чем в SiO, или составл ет примерно 0,3 ат.%.It is believed that the level of oxygen in the Gd-1b-Fe puff is less than one atomic fraction. X 1microscopic analysis using electron spectroscopy showed that the SiO, films deposited over the Gd - Tb - Fe films have x in the range of 1.2 - 1.6 or the oxygen content is 55 - 62 at.%. The deep profile analysis showed that the oxygen content in the Gd - Tb - Fe films is about 200 times less than in SiO, or about 0.3 at.%.
Пример, В качестве подложки используют полированный алюминиевый диск с полимерной подкладкой, имеющий диаметр 30 см. Этот диск изготавливают путем покрыти полированного алюминиевого диска, который предварительно очищен полимером (например , стирол - бутадиеновым полимером ). Раствор полимера (например, содержащий примерно 4% твердых веществ в растворителе с т.кип. свыше 140°С) нанос т на диск при одновременном его вращении. Растворитель испар ют, получив тонкий полимерный подкладочный слой. Функци подкладочного сло заключаетс в получении очень гладкой поверхности дл записи. Полимер должен смачивать поверхность алюмини и адгезировать к ней.Example: As a substrate, a polished aluminum disc with a polymer lining having a diameter of 30 cm is used. This disc is made by coating a polished aluminum disc that has been pre-cleaned with a polymer (for example, styrene — a butadiene polymer). A polymer solution (for example, containing about 4% solids in a solvent with a bp above 140 ° C) is applied to the disk while it is being rotated. The solvent is evaporated to form a thin polymer backing layer. The function of the backing layer is to provide a very smooth recording surface. The polymer should wet the surface of the aluminum and adhere to it.
Диск с подкладкой покрыт первичным слоем из окиси хрома (чтобы способствовать адгезии отражающего сло к подложке) с помощью магнетронного напылени с использованием мишени из хрома в атмосфере аргона, вод ного пара и воздуха. Напыление окиси хрома осуществл ют в течение примерно 1-2 мин при токе мишени примерно 500 мА и при фоновом рабочем давлении примерно 2-10 торр, получив в результате слой, способствующий нуклеа- ции и адгезии, толщиной примерно 40 А. Другими подход щими первичными материалами могут быть окислы титана, тантала и алюмини .The lined disc is coated with a primary layer of chromium oxide (to promote adhesion of the reflective layer to the substrate) by magnetron sputtering using a chromium target in an atmosphere of argon, water vapor and air. Chromium oxide sputtering is carried out for about 1-2 minutes with a target current of about 500 mA and at a background working pressure of about 2-10 Torr, resulting in a layer that promotes nucleation and adhesion, about 40 A. thick. Other suitable primary materials. materials can be oxides of titanium, tantalum and aluminum.
Поверх этого путем вакуумного ре- зистивного испарени при фоновом давлении примерно 2 10 торр нанос т от- ражакш1ий слой меди толщиной примерно 1000 А. Полученную таким образом подложку очищают распылительным травлением в течение примерно 60 с при напр жении смещени около 300 В в присутствии аргона. Промежуточную стекл нную пленку из субокиси кремни On top of this, by vacuum resistive evaporation at a background pressure of about 2 to 10 Torr, a reflection layer of copper of about 1000 A is applied. The substrate thus obtained is cleaned by spray etching for about 60 seconds at a bias voltage of about 300 V in the presence of argon. Intermediate Silicon Suboxide Glass Film
SiOy осаждают из дымового источника моноокиси кремни до толщины примерн 250 А путем напылени .SiOy is precipitated from the fume source of silicon monoxide to a thickness of about 250 A by spraying.
Способ триодного напылени исполь зуют затем дл покрыти подготовленной подложки сплавом гадолини , терби , железа. Газообразный аргон высокой чистоты напускают в устройство триодного напылени , чтобы получить фоновое давление примерно 1,2-10 тор и нанесение пленки тройного сппава осуществл ют при смещении подложки около 300 В и смещении мишени примерно 300 В. Скорость нанесени находит с в пределах 2,5 - 3 А/с, а конечна толщина пленки составл ет примерно 285 А. Стекл нное покрытие толщиной примерно 1360 А нанос т из источника дыма SiO при давлении вакуума ниже примерно 9, торр.The triode sputtering method is then used to coat the prepared substrate with an alloy of gadolinium, terbium, iron. High-purity argon gas is injected into the triode sputtering device to obtain a background pressure of about 1.2-10 torr and the application of a triple-alloy film is carried out with a substrate displacement of about 300 V and a target displacement of about 300 V. The deposition rate is within 2.5 - 3 A / s, and the final film thickness is about 285 A. A glass coating with a thickness of about 1360 A is applied from a SiO smoke source at a vacuum pressure below about 9, Torr.
Мишень из сплава, которую используют дл получени магнитооптической пленки, представл ет собой мозаичный набор нужных компонентов. Конечный состав нанесенных пленок определ ют по энергетической дисперсии с помощью рентгеновской флуоресцентной спектроскопии, .Состав полученного образца 34-195 согласно определению содержит, ат.%: гадолиний 6,5; тербий 10,0 и железо 83,5.The alloy target that is used to make a magneto-optical film is a mosaic of the necessary components. The final composition of the deposited films is determined by the energy dispersion using X-ray fluorescence spectroscopy. The composition of the obtained sample 34-195 contains, by definition, at.%: Gadolinium 6.5; terbium 10.0 and iron 83.5.
В таблице указаны различные магнитооптические свойства предлагаемого образца ЗА-195 и приведено сравнение их с известными магнитооптическими носител ми. Все данные дл образца 34-195 записаны и считаны при радиусе диска 115 мм.The table shows the various magneto-optical properties of the proposed sample ZA-195 and compares them with the known magneto-optical carriers. All data for sample 34-195 is recorded and read at a disc radius of 115 mm.
Поскольку записанные элементы ин- формации очень малы, частицы пыли диаметром всего несколько микрон могут создать преп тстви на поверхности магнитооптического носител , преп тствующие з аписи сигналов или мешающие считыванию записанных сигналов . Чтобы обойти это преп тствие, на магнитооптический носитель записи нанос т прозрачный защитный покрывающий слой. Обычно он имеет толщину не менее 1,2 мм и может охватывать намагничиваемую аморфную пленку, пассивирующий слой, диэлектрический слой трехслойного носител либо про- тивоотражательньй слой четырехслой- ного носител .Since the recorded information elements are very small, dust particles with a diameter of only a few microns can create obstacles on the surface of the magneto-optical carrier, preventing the recording of signals or interfering with the reading of recorded signals. To circumvent this obstacle, a transparent protective coating layer is applied to the magneto-optical recording medium. It is usually at least 1.2 mm thick and may include a magnetized amorphous film, a passivation layer, a dielectric layer of a three-layer carrier, or an anti-reflective layer of a four-layer carrier.
Его можно даже использовать вместо подложки, если слои наносить в обратном пор дке. Таким образом.It can even be used in place of the substrate if layers are applied in reverse order. In this way.
пор док слоев может быть следукщим: дл трехслойного носител - прозрачна подложка, диэлектрический слой, магнитооптическа пленка, отражающа поверхность либо прозрачна подложка , магнитооптическа пленка, диэлектрик , отражающа поверхность; а дл четырехслойного носител - прозрачна подпожка, противоотражатель- ный слой, магнитооптическа пленка, промежуточный слой, отражакща поверхность , the order of layers may be the following: for a three-layer carrier, a transparent substrate, a dielectric layer, a magneto-optical film, a reflecting surface or a transparent substrate, a magneto-optical film, a dielectric, a reflecting surface; and for a four-layer carrier, a transparent substrate, an anti-reflective layer, a magneto-optical film, an intermediate layer, a reflecting surface,
Преимущество в том, что нужно на один слой меньше, поскольку покрывающий слой вл етс также и подложкой . Такую структуру называют структурой с падением на подложку (т,е. свет падает на подложку). Примером четырехслойной структуры с падением на подложку вл етс следугаца структура:The advantage is that you need one layer less, since the covering layer is also a substrate. This structure is called a structure with a fall on the substrate (t, e. Light falls on the substrate). An example of a four-layer structure with a fall on a substrate is the following structure:
Полиметилметакр1-шатна Polymethylmetacr1-rod
подложка, мм1 ,2substrate, mm1, 2
810(-противоотоажательный слой, А400810 (anti-rip layer, A400
МагнитооптическийMagnetooptical
слой, А275layer, A275
SiOy-промежуточныйSiOy-intermediate
диэлектрическийdielectric
слой, А270layer, A270
СгО -первичный слой, А 30-100CrO is the primary layer, A 30-100
Медный отражающий слой, А SiO, АCopper reflective layer, A SiO, A
1250 12001250 1200
Q Q Q Q
5five
Двусторонний носитель записи можно изготовить, склеива вместе два указанных носител на поверхност х отражающего металлического сло 1-ши последнего указанного сло SiO, с тем, чтобы защитные полиметилметакрилатные подложки были направлены наружу. Та КИМ образом, слой SiO одного носител приклеен к той же самой поверхности второго носител с помощью кле , Клей должен быть инертным к всем материалам носител и не должен содержать нерастворимые вещества, которые могли бы вызвать деформации или капельные выступы в носителе. Он должен хорошо св зыватьс со стеклом и пластиками и должен обладать низкой усадкой при отверждении и старении. Подход щим клеем вл етс эпоксидный клей Еро - Tek 301 2-часть, изготавливаемый фирмой Эпокси текнолождн инк., Уотертаун, Массачусетс /Ероху Technology, ind.A double-sided recording medium can be made by sticking together two of these carriers on the surfaces of the reflective metal layer 1-shee of the last-mentioned SiO layer, so that the protective polymethyl methacrylate substrates are directed outwards. In this way, the SiO layer of one carrier is glued to the same surface of the second carrier with glue. The adhesive must be inert to all materials of the carrier and must not contain insoluble substances that could cause deformations or drip projections in the carrier. It must bond well with glass and plastics and should have low shrinkage during curing and aging. A suitable adhesive is EPO-Tek 301 2-part epoxy adhesive, manufactured by Epoxy Technology Inc., Watertown, Massachusetts / Erohu Technology, ind.
Дл односторонней структуры предпочтительно прикленвать защитный лнст к поверхности указанного сло SiO. Этот защитный лист может быть сделан из того же самого материала (наприг мер, из полиметилметакрилата) и иметь толщину, как у ранее указанной под- ложкн. Клей, используемой дп приклеивани защитного покрыти 1 носителю записи, может быть аналогичным указанному. Это зоцитный лист предохран ет носитель от повреждени при обращении с ним.For a one-sided structure, it is preferable to attach a protective sheet to the surface of said SiO layer. This protective sheet can be made from the same material (for example, from polymethyl methacrylate) and have a thickness as in the previously mentioned substrates. The adhesive used by the dp of sticking the protective coating 1 to the recording medium may be similar to that indicated. This zocyte leaf prevents the carrier from being damaged when handling it.
В любом случае прозрачный защитный 15 женный либо между подложкой и первымIn any case, the transparent protective 15 is either between the substrate and the first
слой может представл ть собой лист проницаемого материала такого, как стекло или пластик с низкой теплопроводностью такой, как полиметилме- такрилат. Защитный покрывающий слой также может иметь подкладку.The layer may be a sheet of permeable material such as glass or low thermal conductivity plastic such as polymethyl methacrylate. The protective covering layer may also have a lining.
Работа предлагаемого магнитооптического носител информа41ии так же, как и известных основана на термомагнитной записи и неразрушающем магни- 25 коземельного элемента из группы гадо- тооптическом считыва1ин информации.линий-тербий-днспроэий и, по меньшейThe work of the proposed magneto-optical information carrier, as well as the known ones, is based on the thermomagnetic recording and the non-destructive magnetic element of the earth element from the group of gado-optical reading of the information, line-terbium-direction and, at least
Стирание можно осуществить записыва новую информацию на старых част х носител либо подверга любой данный элемент информации воздействию лазерного луча достаточной интенсивности с последумдим охлаждением этого элемента информации в присутствииErasing can be done by recording new information on old parts of the carrier or by subjecting any given information element to a laser beam of sufficient intensity with subsequent cooling of this information element in the presence of
мере одного переходного металла из группы железо-кобальт-хром толщиной (О,5-20) 10 м с размерами доменов 30 (0,1-5) 10 м, с углом магнитооптического вращени плоскости пол ризации не менее I , а прозрачные диэлекмагннтного пол , ориентированного вmeasure one of the transition metal from the iron-cobalt-chromium group with a thickness of (O, 5–20) 10 m with domain sizes of 30 (0.1–5) and 10 m, with an angle of magneto-optical rotation of the polarization plane of at least I, and transparent dielectric field oriented in
трические слои выполнены толщиной (3-20)- 10 м с показателем преломле- направпении первоначально приложенно- jc ни света не менее 1,2. го магнитного пол . Всю записанную2. Носитель информации по п. I,The tricious layers are made with a thickness of (3-20) - 10 m with a refractive index of the direction of the initially applied jc or light at least 1.2. go magnetic field. All recorded2. The information carrier according to item I,
информацию можно стереть целиком,отличающийс тем, что соприпожив большое магнитное смещающеедержание редкоземельного элемента нinformation can be erased entirely, characterized by the fact that in contact with a large magnetic displacement of the rare earth element
поле в первоначальном направлениипереходного металла в доменосодержанасыщени , дл чего не нужен лазерный дО пленке составл ет соот- луч. Обычно в процессе записи внешнее ветственно 16 - 35 и 8А - 65 ат.%. см щакщее магнитное поле создают с3. Носитель информаци{1 по п. .1,the field in the initial direction of the transition metal to the domain-containing saturation, for which the laser laser is not needed, the film is equivalent. Usually in the process of recording the external is 16 - 35 and 8A - 65 at%. See the soft magnetic field create c3. Media information {1 p .1,
помощью магнита, установленного свер- отличающийс тем, что ху или снизу магнитооптического носи- подложка и прозрачный защитный слой тел , а в процессе стирани измен ют 45 выполнены в одном слое.by means of a magnet installed superimposed by the fact that the xy or the bottom of the magneto-optical nose-substrate and the transparent protective layer of bodies, and in the process of erasing, 45 are made in one layer.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55964783A | 1983-05-17 | 1983-05-17 | |
| US49517683A | 1983-05-17 | 1983-05-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1503689A3 true SU1503689A3 (en) | 1989-08-23 |
Family
ID=27051667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843745558A SU1503689A3 (en) | 1983-05-17 | 1984-05-16 | Magnetooptical information carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1503689A3 (en) |
-
1984
- 1984-05-16 SU SU843745558A patent/SU1503689A3/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| За вка JP № 56-143547, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981. Imaroura et al,The development of magneto - optic disk memory with semiconductor lasers, KDD Research and Development Lab,, Tokyo. Japan. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2561645B2 (en) | Multilayer amorphous magneto-optical recording medium | |
| JP2561646B2 (en) | Method for manufacturing magneto-optical recording medium | |
| US4753853A (en) | Double-layered magnetooptical recording medium | |
| US4833043A (en) | Amorphous magneto optical recording medium | |
| US5045373A (en) | Laminated product, compound used in the laminated product and optical information carrier provided with the laminated product | |
| SU1503689A3 (en) | Magnetooptical information carrier | |
| JPS62289948A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| EP0305666B1 (en) | Amorphous magneto optical recording medium | |
| JPH0673197B2 (en) | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof | |
| US4721658A (en) | Amorphous magneto optical recording medium | |
| JPH04500879A (en) | Method for manufacturing thermo-optical magnetic recording element | |
| JPH04219643A (en) | Magneto-optic disk | |
| JPH0619859B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS6316439A (en) | Production of magneto-optical recording medium | |
| JPS60143460A (en) | Optothermomagnetic recording medium and its production | |
| JPH039544B2 (en) | ||
| JPH04301243A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH03238638A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS6180639A (en) | Optical recording medium | |
| JPH0478038A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS607631A (en) | Optical recording medium | |
| JPH0249238A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH02199642A (en) | Resin substrate for optical disk and production of optical disk | |
| JPH07105303B2 (en) | Thin film formation method | |
| JPS62298044A (en) | Magneto-optical disk |