JPS627849A - 薄膜の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、弾性表面波フィルタ、光導波路等に利用され
る薄膜の作製方法に関する。

従来の技術 従来、スパッタ法で薄膜中に微量の不純物をドーピング
する場合、予め不純物を添加したターゲット材料を使用
し、不純物を同時スパッタする方法が一般に採られてい
る。

発明が解決しようとする問題点 この場合、ターゲット材料に不純物が均一に分布してな
いと、ターゲット表面の不純物の濃度がスパッタするご
とに変化する。また、初めは不純物が均一に分布してい
ても、スパッタ率の違いから次第に不純物の濃度が変化
する。その結果、薄膜中の不純物の濃度も変化し、再現
性のある特性が得られにくいという問題があった。本発
明は、薄膜中に均一に不純物をドーピングし安定した特
性を示す薄膜を再現性良く作製する方法を提供するもの
である。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明はターゲットには高
純度の材料を使用し、スパッタガス中に不純物を添加し
、スパッタを行うことにより薄膜を作製することを特徴
とするものである。

作用 上記方法により本発明ではターゲットに不純物を添加し
ていない高純度の材料を使用しているのでスパッタされ
ることによってターゲソト不純物濃度が変化するという
問題は生じない。不純物はスパッタガス中に添加される
ので、比較的容易にドーピング量の制御ができることに
なる。

実施例 以下、本発明の一実施例について図に従って詳細に説明
する。真空容器４内にはＲＦ電源に接続される導線９と
水冷パイプ１ｏを備えた陰極台１１上に載置したターゲ
ット材料１と、このターゲット材料１と対向する部分に
ヒータ５を内蔵して基板３を加熱する陽極２が配置され
、一方には排気口１２、他方にはガス導入口８が設けら
れている。

このガス導入口８にはパルプ１３を介してメチルリチウ
ム１４を収納したバプラ６が接続され、このバプラ６に
はアルゴンと酸素の有機金属ガスである混合ガス１５を
収納したポンベ７がパルプ１６を介して接続されている
。

このようなスパッタ装置を用いてサファイヤ単結晶基板
上にスパッタ蒸着することにより、適当な条件のもとて
酸化亜鉛をエピタキンヤル成長させることができる。こ
のエピタキシャル酸化亜鉛薄膜の比抵抗は一般に低く、
弾性表面波デバイス等圧電効果を利用したデバイスに応
用する場合は酸化亜鉛薄膜が高抵抗である必要がある。

抵抗率を上げるためには酸化亜鉛にリチウムをドーピン
グする方法が有力である。酸化亜鉛薄膜をスパッタ蒸着
法で作製する場合、ターゲット材料１に高純度の酸化亜
鉛焼結体を使用する。スパッタガスにアルゴンと酸素の
混合ガス１５を使用し、リチウムを酸化亜鉛薄膜中にド
ーピングするだめにリチウムのアルキル化合物であるメ
チルリチウム１４を適量添加する。メチルリチウム１４
は高周波プラズマ中で分解されリチウムは酸化亜鉛薄膜
中にドーピングされ高抵抗化に寄与する。

発明の効果 以上のように薄膜中に不純物をドーピングする場合、本
発明による方法によれば再現性良く特性の安定した薄膜
を作製することができる。また、ドーピング量の制御も
比較的容易であり、所望の特性を示す薄膜材料を再現よ
く提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の薄膜の作成方法の一実施例にお１・・・
・・・ターゲット材料、２・・・・・・陽極、３・・・
・・・基板、４・・・・・・真空容器、５・・・・・・
ヒータ、６・・・・・・バプラ、７・・・・・・ボンベ
、８・・・・・・ガス導入口、９・・・・・・導線、１
Ｑ・・・・・・水冷パイプ、１１・・・・・・陰極台、
１４・・・・・・メチルリチウム、１５・・・・・・混
合ガス。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）高純度のターゲット材料を使用し、スパッタガス
   中に適当な不純物を添加することによって生成薄膜中に
   不純物をドーピングすることを特徴とする薄膜の作製方
   法。
2. （２）不純物が有機金属ガスであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の薄膜の作製方法。
3. （３）ターゲット材料が酸化亜鉛焼結体で、不純物がリ
   チウムのアルキル化物であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の薄膜の作製方法。