JPS627420A - ガス分離方法 - Google Patents

ガス分離方法

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JPS627420A
JPS627420A JP61117135A JP11713586A JPS627420A JP S627420 A JPS627420 A JP S627420A JP 61117135 A JP61117135 A JP 61117135A JP 11713586 A JP11713586 A JP 11713586A JP S627420 A JPS627420 A JP S627420A
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JP
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gas
membrane
sulfonated
mixture
group
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JP61117135A
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English (en)
Inventor
グラハム ウィルフレッド スコット
ポール ガウフ
ブライアン ノーマン ヘンディ
マイケル バーナード シンドレイ
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Imperial Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Imperial Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPS627420A publication Critical patent/JPS627420A/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/06Organic material
    • B01D71/52Polyethers
    • B01D71/522Aromatic polyethers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/06Organic material
    • B01D71/66Polymers having sulfur in the main chain, with or without nitrogen, oxygen or carbon only
    • B01D71/68Polysulfones; Polyethersulfones

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ガスの混合物からガス類を分離する方法に関
し、とぐに、ガス分離Mk使用してガス類を分離する方
法に関する。
ある数の商業的方法において、生成物類またに副生物類
の1つががス類の混合物でありかつガス類の少なくとも
1種を本質的に純粋な物質として回収して、例えば、廃
棄ガス類から水素を分離して水素を回収し、次いでこれ
を石油分解装置において あるいはアンモニアの製造に
使用できるようにすることが望ましい。望ましい他のガ
ス分離法は、例えば、油井からの混合ガス類中の、メタ
ンから二酸化炭素を分離して、残るメタンの発熱量を改
良すること、あるいは油井中への再注入のために二酸化
炭素を回収することである。
ガスを分離する1つの技術はガス透過性腺の使用による
。このような分離法において、混合物を膜の1つの表面
と接触させ、そして異なる組成を有するガスを膜の反対
の表面の付近から取シ出す。
反対の表面から取り出されたガスは、もとのガス混合物
に比較して、成分類の少なくとも1つの比率が異なる。
十分な純度のガスを得るためKは、膜との接触および膜
を通す透過を反復することが必要なことがあシ、そして
所望の純度は接触および透過の工程を数回連続的に反復
してはじめて達成することができる。
あるいは、供給ガスを順番にある数の膜のセル(mem
branecell )に供給し、そして各セルからの
透過ガスを結合してよシ速い透過性の種の回収を最高と
することができる。他の方法はセルの並列および直列の
両者の組み合わせを使用すること、例えば、供給ガスを
順番にある数の膜のセルに通し、各セルからの透過性ガ
スを結合し、そして結合した透過したガスをそれ以上の
セルに通し、そしてこのそれ以上のセルからの透過ガス
を回収することによる。
分離ファクター、すなわち、2種類のガスが膜を通過す
る相対的速度、を改良することは可能であるが、この:
うな改良はガス類が膜を透過する速度の減少に関連する
ことがある。好ましい膜は高い分離ファクターを提供す
ると同時に高い透過速度を提供する膜であることが理解
されるであろう。
反復単位A、 + P h −0−P h −I P r −P h 
−0−P h −8o 2 +Aを有するポリスルホン
から形成されるガス分離膜は商業的に入手可能である。
この式において、phはAラーフェニレン基を表わし、
そしてiPrはジメチルメチレン(−(CH,)2C−
)基を表わす。米国特許第4,472.175号におい
て、ガス分離膜が記載されており、ここで非対称ガス分
離膜は一方または双方の表面がブレンスアッドーローリ
ー酸(Bronsted−Lowry acid)で処
理される。この膜は反復単位人を有するポリスルホン類
を包含する種々の材料から形成することができる。
ブレンステッド−ローリ−酸で後処理しないで、すぐれ
た分離ファクターおよび透過性を示す膜を得ることがで
きること金われわれは今回発見し几。
本発明によれば、2種以上のガス類のガス供給混合物を
ガス分離膜の表面と接触させ、そしてガス供給混合物の
組成と異なる組成を有するガスまたはガス混合物を膜の
反対の表面の付近から取り出し、ここでガス分離@はス
ルホン化されたポリアリールスルホンま之ハポリアリー
ルケトンから形成されて込ることを特徴とするガス分離
法、が提供される。
膜は、典型的には、一般式B ÷Ar−Y−3−             B式中、 Arは二価の芳香族基であり、そして基Arの少なくと
も一部分はスルホン化されており、そしてYは一5O2
−ま危に−CO−である。
の反復単位を含有するスルホン化ポリマーから形成され
る。
基Arは好ましくは少なくとも2つの芳香族環を含有す
る基であり、前記環は一緒に融合されているか、直接結
合により連結されているか、あるいは脂肪族基、酸素原
子、イオウ原子、スルホン基ま念はケトン基により連結
されていることができる。
好1しくけ、スルホン化ポリマーはスルホン化されたポ
リアリールエーテルスルホンまたはスルホン化されたポ
リアリールエーテルケトンであり、ここで基Arは酸素
原子に一緒に連結さ?Lfc少なくとも2つの芳香族基
金含有する。以後便宜上、このような物質をそれぞれス
ルホン化されたポリエーテルスルホンおよびスルホン化
されp り 、f! IJ x−テルクトンと呼ぶ。
この型のスルホン化ポリマーは、弐〇 式中、 Yは上に定義し友通りであり、 Ph1はフェニレン残基、好ましくは・9ラーフエニレ
ン残基を表わし、ここで基Ph1の少なくとも一部分に
スルホン化されており、そしてnは1ま友は2であり、
セしてnの値はポリマー鎖に沿って異なることができる
、 の反復単位を官有するポリマーを包含する。
基Yが式Cのスルホン化ポリマー中の−SO□−基であ
るとき、nの値は1のみであるかあるいは2のみである
ことができるが、nの値がある反復単位について1であ
りかつ他の反復単位について2であるコポリマーを使用
することが好ましく、この工うなコポリマーは欧州特許
F3A#j省第8894中に記載されている。
好ましい物質は、式D +Ph2−0− O −0−Ph2−SO2 +   
 Dの反復単位?、式E +ph −o−ph−so2+E の反復単位と一緒に有し、式中 phはフェニレン残基、好ましくはパラ−フェニレン残
基全表わし、 ph は1つま九は2つの基−SO3Mを有するフエ=
 vンWe&、好t L <はパラ−フェニレン残基を
表わし、 Mは水素原子、金属原子および/または基N′R4であ
シ、ここで基Mは同一もしくは相異なることができ、そ
して基Mの比率は基−8O3の不飽和の原子価と結合す
るために十分であり、そしてRは水素原子ま之はアルキ
ル基である。
スルホン化され友ポリエーテルスルホンは、ま几、式F ÷Ph  −0−Ph  −0−Ph−8O2+Fの反
復単位を式りおよび式Eの反復単位を有するスルホン化
されていないコポリマーをある比率で含み、式中Phニ
上に定義した通りである。
式りの反復単位において、phがオルト−ま次にパラ−
フェニレン残基であるとき、典型的には1つのみの基−
SO3Mが存在し、これに対してPh3がメタ−フェニ
レン残基であるとき、典型的には2つの基−8o、Mが
存在する。ph  がオルト−フェニレン残基であると
き、−8o、M基は一方のエーテル基に対してパラ−で
ありかつ他方のエーテル基に対してメタ−である位置に
位置し、−SO3Mを互いに対してメタ−位置に位置さ
れるそれ以上のスルホン化が起こる。phがパフーフェ
ニレン残基であるとき、−SO3M基は一方のエーテル
基に対してオルト−でありかつ他方のエーテル基に対し
てメタ−である位置に位置する。ph がメタ−フェニ
レン残基であるとき、−So、M基は一方のエーテル基
に対してオルト−でありかつ他方のエーテル基に対して
パラ−である位置に位置する。
スルホン化コポリマーは反復単位EおよびFから成るコ
ポリマーをスルホン化することによって調製することが
できろ。このスルホン化にコポリマーを#に硫酸(98
チW/v )中に周囲温度において溶解し、そしてこの
混合物を弐Fの反復単位中の下位単位(@ub−uni
t ) −0−Ph  −0−の本質的にすべてのスル
ホン化のために十分な時間攪拌することによって容易に
実施される。スルホン化するコyN IJママ−、適当
には、1〜99モル頭の単位Fおよび相応して99〜1
モルチの単位E。
そしてことに2.5〜67モル頭の単位Fおよび相応し
て97.5〜33モル頭の単位Eを有する。スルホン化
は望ましくは単位Fの少なくとも90%を単位りに転化
するように実施する。このスルホン化法は欧州特許明細
省第8894に記載されている。
スルホン化されたポリエーテルスルホンは、このポリマ
ーの換算粘度(RV)(25℃においてジメチルホルム
アミド中のポリマーの1重f%の溶液として測定した)
が少なくとも0.2、好ましくは少なくとも0.4であ
るような高い分子量のポリマー物質である。このポリマ
ーは2,5までのRVを与えるようなものであることが
できるが、一般にこのポリマーのRVは2.0を越えな
いことが好ましい。
スルホン化して反復単位り、Eおよび可能ならばFを含
有する物質を生成すべきコポリマーは、便利には、所望
の反復単位EおよびFを生成するモノマー類の混合物を
使用して調製され、それゆえ単位EおよびFにポリマー
鎖に省って不規則の方式で分布している。それゆえ、ス
ルホン化コポリマーにおいて、単位りおよびE、および
存在するときFは、同様に、ポリマー鎖に沿って不規則
の方式で分布している。
スルホン化されたポリエーテルスルホンは基−SO3M
を含有し、ここでMは水素、金属原子またに基NR4で
あることができる。Mが二価の金籾原子、とくにアルカ
リ土類金属であるスルホン化されfT−、JP+)エー
テルスルホンは、われわれの先行ではない公告され次欧
州特許出願公告第145305号の首題であり、これは
またこの工うな二価の金属塩類の製造および非対称半透
過性膜の製造におけるそれらの使用を開示している。
あるいは、膜は基Yがケトン基である式Cの物質から形
成することができる。使用できるスルホン化されたポリ
エーテルケトンは、弐G式中Ph1は上に定義し念通り
である、の反復単位を含有するポリマーを包含する。
スルホン化されたポリエーテルケトンに、nの値が1の
みまたに2のみであるか、あるいinの値がポリマー鎖
に沿って異なりかつポリマー鎖に活った種々の点におい
て1および2の両者である物質であることができる。こ
うして、スルホン化されたポリエーテルケトンは、反復
単位÷Ph2−O−Ph2−0−Ph2−CO+Hのみ
ま友は反復単位J +Ph −0−Ph −CO−)−J 式中ph2i上に定義し九通りである、のみを有するポ
リエーテルケトンをスルホン化することによって得られ
る物質であることができる。
あるいは、スルホン化されたポリエーテルケトンは反復
単位Hおよび反復単位Jの両者を有するコポリマーをス
ルホン化することによって得ることができる。スルホン
化すべきポリエーテルケトンにおいて、基P h 2ニ
AIラーフエニレン基であることが好ましい。
使用できるスルホン化されたポリエーテルケトンは、先
行技術、例えば、欧州竹許明細省第8895号および同
第417SO号に記載されている。こうして、式Hの反
復単位を任意に他の反復単位と一緒に有するポリマーを
スルホン化することに工って得られる生成物を使用する
ことが可能である。スルホン化はぼりエーテルケトンを
濃塩酸(98%w/v )中に溶解し、そしてこの溶液
をポリマーが所望な程度にスルホン化されてしまうまで
攪拌することに二って実施することができる濃塩酸中の
スルホン化は、スルホン化すべきポリエーテルケトンに
依存して、周囲温度において、あるいは高温、例えは、
少なくとも50℃において実施することができる。
スルホン化するポリエーテルケトンは、好ましくは、式
Hの反復単位のみを官有するもの、あるいは式Hの反復
単位を、67モル%までの式に+Ph−0−Pb2−Y
+に のコモノマ一単位またに50モル%までの式%式% 式中Ph2おLひYに上に定義した通りである、のコモ
ノマ一単位と一緒に含有するコs91Jマーである。
スルホン化法Vこおいて、スルホン化は式Hの反復単位
、およびことに式りの反復単位の中の下位基−o−pb
2−o−上で最も容易に起こる。スルホン化される好ま
しいポリエーテルケトンは少なくとも50モルチの式H
の反復単位を含有し、そしてことに、とくに基Yが−C
O−であるとき、反復単位Hのホモポリマーまたは反復
単位Hおよび反復単位にのコポリマーである。
好ましくはスルホン化ポリケトンは、反復単位M+Ph
 −0−Ph −0−Ph2−CO−)     Mを
反復単位Hおよび任意にま念反復単位にと一緒に含有し
、式中ph  およびphの両省に上に定義し九通りで
ある。
反復単位Hは、反復単位Hを含有するポリマーの不完全
なスルホン化のために存在する。好ましくは、スルホン
化ポリマーは、反復凰位Mが反復単位Mおよび反復単位
Hの合計の少なくとも35モルチかつSOモル儀以下で
あジ、好ましくは40〜70モルチであるものである。
基−8o3Mはスルホン化工程の通常の生成物であるの
で、基−SO3MにおいてMは典型的には水素である。
スルホン化されfc[リエーテルケトンは、ポリマーの
換算粘度(RV)1念は固有粘度(IV)によシ示され
るように、高分子量のIリマー物質である。このポリマ
ー、とくにスルホン化度が低いものは多くに有機溶媒に
容易に溶けず、それゆえこの工うなポリマーのRVま之
はIVに濃硫酸(98%φ〕中で測定される。好ましく
は、スルホン化度が低いポリマーは少なくとも0.2、
好ましくは少なくとも0.4のIV(25℃において濃
硫酸中のポリマーの0.IN量チの溶液中で測定し次)
を有する。このようなポリマーの1■は典型的には2.
5を越えず、ことに2.0 ft越えない。
好ましいスルホン化されたポリエーテルケトンは、スル
ホン化されたポリエーテルケトンがジメチルホルムアミ
ドのような有機溶媒中に可溶性である工うなスルホン化
度を有する。このようなスルホン化され友ポリエーテル
ケトンは少なくとも0.2、好ましくは少なくとも0.
4のRV(25℃においてジメチルホルムアミド中のポ
リマーのx、oii%の溶液中で測定した)を有する。
このようなポリマーのHvは好ましくは2.5を越えず
、ことに2.0を越えない。
スルホン化されたポリエーテルケトンは、ここに記載し
かつ欧州特許明細書第8895号および同第417SO
号に記載されている手順を用いてポリエーテルケトンを
スルホン化することにより便利に製造される。スルホン
化するポリエーテルケトンは、適当には反復単位Hを単
独であるいは他の反復単位と一緒に含有しかつ少なくと
も0.7のIV(25℃において濃硫酸中のポリマーの
0.1重量%の溶液中で測定した)を有する結晶質ポリ
マーである。このようなポリマーは欧州特許明細書第1
879号中にいっそう詳しく記載されている。
弐Mの反復単位を含有するスルホン化されたプリエーテ
ルケトンにおいて、ph  が/IPラーまたはパラ−
フェニレン残基であるとき、典型的には1つのみの基−
8o、Mが存在し、これに対してphがメタ−フェニレ
ン残基であるとき、スルホ/化の時間および温度に依存
して1つまたは2つの基−8o3Mが存在することがで
きる。pb がオルト−フェニレン残基であるとき、−
8o3M基は一方のエーテル基に対してパラ−でありか
つ他方のエーテル基に対してメタ−である位置に位置し
、それ以上のスルホン化は一SO3Mを互いにメタ−位
置に位置させるようニ起コる。Ph3がパラ−フェニレ
ン残基であるとき、−8o3M基は一方のエーテル基に
対してオルトであシかつ他方のエーテル基に対してメタ
−である位置に位置する。Ph3がメタ−フェニレン残
基であるとき、−8o、M基または板数の一8o3M基
は一方のエーテル基に対してオルト−でありかつ他方の
エーテル基に対して・9ラーである位置に位置する。
スルホン化されたポリエーテルスルホンからおよび、と
くに、反復単位りおよびEおよび可能ならばまた多少の
反復単位Fを含有するスルホン化されたポリエーテルス
ルホンから形成された膜を使用して、分離ファクターお
よび透過性の有用な組み合わせをわれわれは得た。ポリ
マーは便利には少なくとも2、例えば、少なくとも4、
および20以下、好ましくは15以下のスルホン化比を
有するものである。「スルホン化比」とは、スルホン化
ポリマー中のスルホン化されていないフェニレン残基の
数対スルホン化ポリマー中のスルホン化されたフェニレ
ン残基の数の比を意味する。
スルホン化比は好ましくはCnmrによシ決定されるが
、赤外技術を使用することもできる。滴定(ポリマーの
イオン交換容量の測度を与える)はnmrまたは赤外に
よシ実測されるよりも低いスルホン化度を一般に示し、
それゆえ滴定は可能であるが、スルホン化比の決定に好
ましい技術ではないことをわれわれは発見した。スルホ
ン化されたポリエーテルスルホンにおいて、基−8o3
Mは一8o3Hのような遊離酸であることができ、ある
いは塩、例えば、アンモニウム塩または金属塩、例えば
、ナトリウム塩、カルシウム塩、バリウム塩または周期
表第■族の金属の塩であることができる。
膜は非対称または均質の膜であることができる。
あるいは、膜は多孔質支持体層とその上の付着したスル
ホン化されたポリアリールスルホンまたはポリアリール
ケトンから形成された分離層とから々る複合体であるこ
とができる。
非対称膜はわれわれの先行ではない公告された欧州特許
出願公告第142973号、同第145305号および
同第182506号に記載された手順によシ形成するこ
とができる。より詳しくは、スルホン化ポリマーを溶媒
混合物中に溶解し、この溶液を支持体上に流延するか、
あるいは押出しにより細い中空繊維に形成し、溶媒混合
物の一部分を蒸発させ、次いでこの混合物を凝固浴中に
浸漬する。
非対称膜の製造に使用する溶媒混合物は少なくとも3種
類の特定した成分を含有するものであることができ、そ
れらの成分の1つはスルホン化ポリマーに対して非溶媒
または劣った溶媒である。
溶媒混合物の組成は、特定のスルホン化ポリマー、その
分子量およびスルホン化比、およびまたポリマーが酸の
形態であるかあるいは塩の形態であるかどうかに依存す
る。溶媒混合物の成分は溶媒混合物の他の成分と反応し
たシあるいは錯体化(eomlex ) したシしては
ならず、またスルホン化ポリマーとの反応または錯体化
は存在してはならない。非対称膜を得るために使用でき
る溶媒混合物は、a)水、1.4−・ジオキサンおよび
アセトニトリルおよびb)メタノール、クロロホルムお
よびニトロメタンを包含し、それらの両者は反復単位り
、Eおよび可能ならばFを含有し、基−8OMが一8o
3Hであるスルホン化された?リエ一テルスルホンから
非対称膜を製造するために有用である。あるいは、C)
水、1,4−ジオキサンおよびプロピレンカーゴネート
の溶媒混合物は、反復単位り、Eおよび可能ならばFを
含有し、Mが金属原子、とくに二価の金属原子、例えば
、バリウムであるスルホン化されたポリエーテルスルホ
ンから非対称膜を製造するために使用することができる
。組成a)の溶媒混合物は、また、反復単位Mを任意に
反復単位Hおよび/″!、たは反復単位にと一緒に含南
するスルホン化されたポリエーテルスルホンから非対称
膜を製造するために使用することができる。
非対称膜の形成において、溶液を流延後、あるいは溶液
から中空繊維を形成後、溶媒混合物の少なくとも1つの
成分を少なくとも部分的に蒸発させた後、凝固浴中に生
成物の混合物を浸漬することが望ましい。凝固浴は、ス
ルホン化ポリマーに対して非溶媒である、液体または液
体の混合物を含有する。典型的には、凝固浴は水を含有
するか、あるいは無機塩、例えば、塩化ナトリウムまた
は硝酸ナトリウムの水溶液である。凝固浴の温度は一般
に一20℃〜60℃であり、好ましくは5℃以下である
。凝固処理は1分ないし数時間、例えば、5〜60分で
あることができる。
凝固処理後、非対称膜を回収する。必要に応じて、回収
した膜を熱処理して構造を緩和することができる。いっ
たん製造し、かつ熱処理した後、膜は好ましくは蒸留水
で洗浄して遊離のイオン種を除去する。膜を蒸留水中に
貯蔵し、それからガス拡散セル中の設置前にそれを取シ
出す。使用前、膜を乾燥する。膜の乾燥は適当な乾燥技
術に従い実施することができる。こうして、膜は吸収物
質の間に配置することによって表面の湿分を除去し、剛
性の支持シートの間に保持し、次いでさらに炉内で減圧
、例えば、0.3バール以下の圧力および高温、例えば
、50℃〜100℃の範囲の温度において乾燥すること
ができる。次いで、膜を拡散セル内に設置し、そしてそ
の場で、便利にはほぼ周囲温度、例えば、10℃〜30
°Cで、膜の両側において、ガス拡散セル内の圧力(こ
れは10−6パールよシ低くかつ10   ζリパール
程度に低くあることができる)を使用して脱ガスする。
脱ガスは2〜24時間の間実施する。
均質な膜は非対称膜よりもいっそう容易に製造される。
さらに詳しくは、均質な模はスルホン化ポリマーをその
溶媒、例えば、ジメチルホルムアミド中に溶解すること
によって得るととができる。
この溶液を流延するか、あるいは押出によシ中空繊維に
成形することができる。溶媒を溶液から蒸発させて膜を
形成する。この物質を凝固浴中に浸漬すると、これはあ
る程度の非対称性を与えるであろうが、非対称膜を製造
する好ましい方法ではない。このようにして得られる膜
を非対称膜の乾燥についてここに記載した方法に従い乾
燥することができる。
複合材料は均質な膜について記載した技術に従いスルホ
ン化ポリマーの溶液を多孔質支持体上に流延することに
よって形成することができ、多孔質支持体から付着した
膜はいったん形成すると容易には分離しない。
均質な膜は本発明に従い使用することができるが、一般
に非対称膜または複合膜の層よりも厚く、そして、束(
負債移動/単位面積/時間)は厚さに反比例しかつ高い
束が望ましいので、一般に非対称膜または複合膜が好ま
しい。
膜は既知の方法でガス拡散装置においてガス混合物から
所望のガスを分離するために使用される。
膜の材料はすぐれた高温性質を獲得し、それゆえ周囲温
度より実質的に高い温度、例えば、60℃、あるいはさ
らKは100℃程度に高い温度において使用できるが、
分離法はほぼ周囲温度、すなわち、10’C〜30℃に
おいて実施することが好ましい。
分離法は比較的低い圧力、例えば、0.5MNm−2よ
シ低い圧力のがス供給を用いて実施できるが、膜を通る
高いガス束を達成するためには、実質的に高い圧力、例
えば、20 MNm−2またはさらにはそれよシ高い圧
力を用いることができる。
ガス混合物は、圧力下に、拡散装置に通人され、その中
でそれは膜の1つの面と接触するようになる。がス混合
物の成分は膜を通して異なる相対的速度で浸透し、これ
により成分の冬季の分離が起こり、そして膜を浸透した
ガス混合物は成分の1つに関して濃縮されるようになる
。透過生成物のすぐれた回収を得ようとする場合、供給
ガス混合物を順番にある数のセルの通過させ、そしてす
べてのセルからの透過物を結合することができる。
あるいは、好ましさに劣るが、濃縮されたガス混合物を
膜の反対の表面の付近から取り出し、そして供給ガスと
してそれ以上の装置へ通し、この中で生ずる透過ガスは
さらにいっそう濃縮される。
この方法をある回数反復して所望程度の濃縮を達成する
ことができる。しかしながら、透過は圧力の損失を伴っ
て起こシ、そしてこの方法をある回数反復すると、がス
の再加圧が必要となることがあシ、これは商業的に望ま
しくない。こうして、このような方法において、6段階
以下の濃縮および1回以下の再加圧段階を使用すること
が好ましい。濃縮度は引続く各段階とともに減少し、そ
して供給ガス混合物の小さい比率が回収される。それゆ
え、この別の多段階法は一般に商業的に好ましくない。
2つの多段階法は、第1の好ましい技術の結合した透過
物を、第2技術におけるような、それ以上の透過工程に
かけることによって、組み合わせることができる。
スルホン化ポリマーから形成される膜を用いると、非常
の満足すべき分離ファクターが非対称膜および均質な膜
の両者を使用して達成された。さらに詳しくは、反復単
位り、Eおよび小比率のF(反復単位りおよびFの合計
に関して10モル%より少ないF)を含有するスルホン
化されたポリエーテルスルホンから形成された膜を使用
して、窒素に関して90よシ大きく、水素について約2
00゛まで、二酸化炭素について30〜75、および酸
素について4〜11の分離ファクターが達成された。さ
らに、膜を通る透過速度はスルホン化されないポリマー
から形成される膜を使用して達成されるものと有意に異
ならない。それゆえ、本発明の方法は水素および二酸化
炭素を含有する廃棄ガス混合物から水素または二酸化炭
素を分離および回収するためとくに適する。回収される
水素または二酸化炭素はアンモニア合成、または精油の
操業、例えば、石油分解装置において再循環しかつ使用
するために十分に純粋であるが、二酸化炭素は油井中に
再注入することができ、あるいは改良された発熱量を有
するメタン残留物を与える。
こうして、本発明の1つの面として、水素と窒素との混
合物をガス分離膜と接触させ、そして水素に富んだガス
を膜の反対の表面から取シ出し、ここで膜は反復単位り
、Eおよび任意に小比率のFを含有するスルホン化され
たポリエーテルスルホンから形成される。この分離法は
アンモニア合成プラントにおいて使用することができる
本発明のそれ以上の面として、二酸化炭素とメタンとの
混合物をがス分離膜と接触させ、そして二酸化炭素に富
んだガスを膜の反対の表面から取り出し、ここで膜は反
復単位り、Eおよび任意に小比率のFを含有するスルホ
ン化されたポリエーテルスルホンから形成される。この
技術は透過し々いガス中の二酸化炭素のレベルを減少す
ることにより発熱量が増大したガスを得るために使用す
ることができ、あるいは天然ガス、油回収の増大した廃
ガスまたはランド−フィル(land−fill)ガス
に適用することができる。
なお本発明のそれ以上の面として、酸素と窒素との混合
物をガス分離膜と接触させ、そして酸素に富んだガスを
膜の反対の表面から取シ出し、ここで膜は反復単位り、
Eおよび任意に小比率のF金含有するスルホン化された
ポリエーテルスルホンから形成される。この技術は医学
的使用のため空気から酸素に富んだガスを得るために、
あるいは高度に純粋な窒素の使用が必須でない方法にお
いて窒素のガスシールを実現するために空気から酸素が
欠乏した窒素ガスを得るために使用することができる。
本発明は、水素と炭化水素のガス類との混合物をガス分
離膜と接触させ、そして水素、および存在する場合メタ
ン、に富んだガスを膜の反対の表面から取シ出し、ここ
で膜は反復単位り、Eおよび任意に小比率のFを含有す
るスルホン化されたポリエーテルスルホンから形成され
る方法、を提供する。この技術は石油化学のプラントお
よび精油の操業におけるガス流に適用することができる
用語「富んだ」または「濃縮されたJ (enr 1c
hed )は、ここで使用するとき、富んだガス混合物
が主要比率の富んだ濃縮された成分を含有することを必
ずしも意味せず、むしろ透過したガス混合物かもとのガ
ス混合物よシも高い比率の濃縮された成分を含有するこ
とを意味するために使用されることを理解すべきである
スルホン化ポリマーの多画金属塩から形成される膜を使
用すると、増大した透過性が一般に達成され、そして分
離ファクターは酸の形態のスルホン化ポリマーを用いて
達成されるものに非常に類似することが発見された。「
多価」とは、少なくとも2の原子価を意味する。
こうして、本発明のそれ以上の面によれば、がス混合物
をガス分離膜の表面と接触させ、そして異なる組成を有
するガスまたはガス混合物を膜の反対の表面の付近から
取シ出し、ここでガス分離膜はスルホン化されたポリア
リールスルホンから形成されており、ここで芳香族基の
少なくとも一部分は基−8o、M’でスルホン化されて
おり、ここでM′は少なくとも2の原子価を有する金属
であり、そして基−SO,の不飽和の原子価と結合する
ために十分な比率で存在する。金属M′は二価の金属で
あシ、そして金属M′がバリウム、マグネシウムおよび
コバルトであるとき、満足すべき結果が得られた。膜は
好ましくは反復単位り、Eおよび任意に小比率のFを含
有しかつ基−SO3M’を含有するスルホン化されたポ
リエーテルスルホンカラ形成される。
添付図面は、本発明に従うガス分離に使用できる拡散セ
ルの線図的表示である。
このセルは閉じた容器1からなり、この容器1はスルホ
ン化されたポリアリールスルホンまたはポリアリールケ
ト/から形成された膜2によって内部で2つの区画に分
割されている。膜2は多孔質板3によυ支持されておυ
、この板3は膜2の機械的変形を防止する。膜2および
多孔質板3は、それらのへりにおいて締結されて、へり
のまわシの漏れを防止されている。容器1は膜2によっ
て大きい区画4と小さい区画5とに分割されている。
大きい区画4はがスを供給しかつ取シ出すための2本の
74イブライン6および7を有する。小さい区画5はパ
イプライン8を有する。容器は高圧に耐えることができ
るべきであシ、そして任意の適当な材料、とくに金属、
例えば、ステンレス鋼から形成することができる。この
装置を使用するとき、圧力下のガス混合物、例えば、1
0 MNm−2の圧力の改質装置のガスを容器Iの区画
4にパイプライン6を通して通人し、そしてパイプライ
ン7を通して抜出す。がス供給の圧力は膜2を通して、
圧力損失を伴って、ガスを浸透させるために十分であシ
、そして膜2を通過しかつ区画5に入ったガスは水素を
よ勺高い比率で含有する。このがスは区画5からパイプ
ライン8を通して抜出される。
区画5から抜出された透過ガスの圧力は、必要に応じて
、膜を通る透過速度を制御するように調節することがで
きる。この装置は周囲温度(約25℃)において作動さ
せることができるが、これよシ高い温度を用いることが
できる。この装置および/または方法に対する修正およ
び変更は、尚業者にとって既知の方法で実施することが
できる。
以下余白 次の実施例によυ本発明の種々の面を説明するが、本発
明はこれらの実施例により限定されず、そしてこれらの
実施例において、特に示さないかぎり、すべての部およ
び百分率は重量による。
実施例1 25モルチの単位りおよび75モル優の単位E(ここで
定義した通りである)を含有し、ここでPh2およびp
h がパラ−フェニレン残基でありかつMが水素原子で
あり、8のスルホン化比および0.95の換算粘度(こ
こで定義した通りである)tvするスルホン化されたポ
リエーテルスルホンのコポリマーを、25℃の温度にお
いて、3:1:1重量部の1,4−ノオキサン/アセト
ニトリル/水の混合物中に溶解して、この溶媒混合物中
の前記コポリマーの26N量俤の溶液を得た。この溶液
を網目の大きさが30ミクロンであるガーゼを通して濾
過し、次いで200 Orpmで20〜30分間遠心分
離した。
この溶液をガラス板上に流延し、そして所望厚さのフィ
ルムをガラス板上で黄銅スゲレダー〇助けにより形成し
た。30秒間蒸発させた後、フィルムを約−5℃の塩化
ナトリウムの水浴液中に30分間浸漬することにより凝
固させた。ガラス板およびその上に形成した膜を塩化す
) IJウム水溶液から取り出し、そして膜をガラス板
から除去した。膜を塩化ナトリウムが洗液中に検出でき
なくなるまで蒸留水で洗浄し、そしてこの膜を試験する
まで蒸留水中に貯蔵した。
回収された膜は、15マイクロメートルの合計の厚さを
■し、前述しfcが出口・ψイf7を省略した型の装置
を用いて試験した。膜を多孔質支持体と接触させて配置
し、膜の露出側は流延の間に空気にさらされた側であっ
た。セル内に設置する前に、換金ティシューイー・!−
の間に配置し、多孔質?リエチレンシートの間に締結し
、そして60℃および0,2パールの圧力において炉内
で6時間乾燥した。いったんセル内に設置すると、@全
周一7 、 囲温度および10 、リバールの圧力で16時間脱ガス
した。がスまたはガス混合物全セルの大きい区画4中に
導入して、下表1に特定する圧力および温度において膜
の露出表面と接触させた。それ以上のガスをセル中に導
入せず、試験を静止条件下に実施した。試験の開始前に
、小さい区画を真空ポンプに接続し、そして圧力を約1
0−’ ミIJパールに減少させた。ヂンビイングを同
一速度で試験の間に続け、そして区画5内の圧力が平衡
に到達したとき測定を行った。膜を通過するがスを質量
分析計により分析した。いくつかのこのような実験の結
果を表1に記載する。
以下余白 表1の注 (a)Mlは62:21:170モル比の水素、窒素お
よび二酸化炭素の混合物である。
(b)  圧力はセル中に導入したガスの初期の圧力で
あり、試験の過程の間非常に小さい圧力低下が存在する
(c)  透過性は透過性ガスを、平衡圧力において、
質量分析計に通すことによって測定する。透過性の単位
は(膜の1cr1tの厚さおよび各1cIn2の膜面積
を1秒間に1α水銀の圧力低下について透過するガスの
体積(STPにおいてcm3) ) X 10”Oであ
る。
(d)  比は種々のガスの対についての透過性の比で
ある。
1、は水素の透過性対窒素の透過性の比である。
2、は二酸化炭素の透過性対窒素の透過性の比である。
実施例2 均質な成金実施例1において使用したスルホン化さt’
L’crlJアリールエーテルスルホンコ、J51Jマ
ーカラ形成した。ジメチルホルムアミド中の2゜重fi
lの溶液をガラス板上に流延し、そして厚さ0.25簡
のフィルムを黄銅のスプレダーの棒を使用して形成した
。フィルム?周囲条件下に乾燥させ、次いでガラス板か
ら剥した。ガラス板から除去した乾燥フィルムは15マ
イクロメートルの厚さを有した。フィルムの試料を実施
例1に記載する方法で膜として使用(−た。
以下余白 実施例3 実施例1において使用したものに類似するが、40モル
係の単位りおよび60モル係の単位E(ここで定義した
通りである)を含肩し、約5のスルホン化比および0.
95の換算粘度tvするスルホン化すレタホリアリール
エーテルスルホンコポリマーを、周囲温度において、ジ
メチルホルムアミド中に溶解して、ジメチルホルムアミ
ド中の27重量係の溶液を形成した。
この溶液から実施例2に記載する方法において膜を形成
した。膜を流延したシートの異なる区域から切り、そし
て結局これらの膜は多少異なる厚さ2有した。
膜を実施例1に記載するように試験し、そして得られた
結果を表3に記載する。
以下余白 表3の注 (a)、(b)、(c)および(d)はすべて表1の注
において定義した通シである。
(e)実験1〜4は厚さ20マイクロメートルの膜を使
用して実施し、そして実験5〜8は厚さ25マイクロメ
ートルの膜を使用して実施した。
(f)3は酸素の透過性対窒素の透過性の比である。
実施例4 10モル係の単位りおよび90モル係の単位Eを含有し
、約20のスルホン化比および0170の換算粘度をM
するコポリマーを使用して、実施例2および実施例3の
手順を反復した。
以下余白 一比較例AおよびB 膜をスルホン化しない破りスルホンから形成し、そして
実施例1に記載する方法で試験した。
表   5 表5の注 (a)、(b)、(c)および(a)はすべて表1の注
において定義した通りである。
(h)  実験A1〜A6において、膜は式Eの反復単
位含有するポリエーテルスルホンのフィルムから試料を
切ることによって形成し念。このフィルムはミツイ・ト
ウアラ(Mitsui Toatiu )から入手可能
である。フィルムの異なる試料、両者とも50マイクロ
メートルの厚さ、’kA1〜A3およびA4〜A6にお
いて使用した。
実験B1〜B9において、膜はユニオン・カーバイド・
コーポレーション(Union CarbideCor
poratin )からUdel、等級P3500とし
て入手可能なポリスルホンから形成した。膜は実施例2
および3の手順を反復し、[Jdsl、等級P3500
の塩化メチレン中の24重量%の溶液を使用して形成し
た。得られる流延フィルムから3つの試料を切り、試料
1および2は25マイクロメートルの厚さであり、そし
て試料3は30マイクロメートルの厚さであった。実験
B1〜B3において、使用した膜は試料1であり、実験
84〜B6において、使用した膜は試料2であり、そし
て実験B7〜B9において、使用した膜は試料3であっ
た。
実施例5 前の実施例において使用した型でありかつスルホン化比
が20.10または5であるビーズの形態のスルホン化
されたポリアリールエーテルスルホンのコポリマー金、
痕跡の硫酸を含有しなくなるまで蒸留水で洗浄した。
11gのポリマーを加熱ジャケット、攪拌機および温度
計を装備したフラスコに入れた。200crn3の脱イ
オン水を添加し、そしてこの混合物を攪拌しかつ70℃
に加熱した。水酸化ナトリウムの水溶液(0,1モル)
を滴々添加してpH8〜9とし、そして30分間安定に
維持した。
膜の形成 前節におけるようにして得られたポリマーのビーズの6
gを、15gのN、N−ジメチルホルムアミド中に溶解
した。得られた溶液を清澄のガラス板上に、21℃およ
び55係の相対湿度において、スプレグー棒により広げ
た。このフィルムを、24時間周囲温度において、乾燥
させ、はこりおよび隙間風から保護した。
次いで、フィルムを注意したガラス板から除去し、そし
て厚さをいくつかの点において測定した。
ガス透過試験 前の節に記載した方法で製造した膜を、実施例1に記載
する方法で測定した。それ以上の詳細を表6に記載する
以下余白 表6の注 (a)、(b)、(c)および(d)はすべて表1の注
において定義した通りである。
(f)は表3の注において定義した通りである。
(1)N20Aは20のスルホン化比をもつポリマーの
ナトリウム塩から形成した厚さ25マイクロメートルの
膜である。
N20Bu20のスルホン化比をもつポリマーのナトリ
ウム塩から形成した厚さ30マイクロメートルの膜であ
る。
Nl0HIOのスルホン化比をもつポリマーのナトリウ
ム塩から形成した厚さ18マイクロメートルの膜である
N5Aは5のスルホン化比をもつポリマーのナトリウム
塩から形成した厚さ20マイクロメートルの膜である。
N5111:5のスルホン化比をもつ4リマーのナトリ
ウム塩から形成した厚さ24マイクロメートルの膜であ
る。
(j)4は二酸化炭素の透過性対メタンの透過性の比で
ある。
実施例に の技術は5以上のスルホン化比をもつスルホ/化すした
鰭?リアリールエーテルスルホンのコポリマー、すなわ
ち、スルホン酸基の比率が低いコポリマーに適用される
ポリマーを脱イオン水で洗浄して痕跡量の残留硫酸を除
去した。
前の実施例の1つにおいて使用した型のポリマーの試料
を、3:l容量のアセトン/水の混合物中に溶解した。
所望の金属の塩(バリウムおよびコバルトについて塩化
物、マグネシウムについて硫酸塩)の溶液をポリマー溶
液に添加し、次いでこの混合物を還流した。約60分後
、ポリマーは凝固した。この混合物をブレンダー内で処
理して固体を破壊し、次いでこの混合物を濾過し、そし
て固体を洗浄し、最後に110℃において減圧乾燥した
以下余白 低いスルホン化比のポリマーの二価の塩類の調製この技
術は反復単位りのみを含有しかつ2のスルホン化比を有
するポリマーについて使用する。
乾燥したポリマーを水中に40℃への加温および室温へ
の冷却により溶解した。所望の金属の塩(例えば、塩化
バリウム)の溶液を実質的に過剰!(約4倍)で添加し
た。この混合物を70℃に加熱し、その温度において沈
殿が形成した。沈殿を前の節におけるように分離した。
膜の形成 前節の1つに記載するようにして得られたポリマーのs
g’Iis、pのN、N−ジメチルホルムアミド中に溶
解した。
この溶液を実施例5に本質的に記載する手順によシ膜に
形成した。
ガス透過試験 前節に記載する方法で製造された膜を実施例1に記載す
る方法で試験した。それ以上の詳細を表7に記載する。
以下余白 表7の注 (a)、(b)、(c)および(d)はすべて表1の注
において定義した通りである。
(f)は表3の注におりて定義した通りである。
(1)は表6の注にお込て定義した通りである。
(ト))  B5ば5のスルホン化比をもつ4リマーの
バリウム塩から形成した厚さ45マイクロメートルの膜
である。
B2は2のスルホン化比をもつポリマーのバリウム塩か
ら形成した厚さ30マイクロメートルの膜である。
M5は5のスルホン化比をもつポリマーのマグネシウム
塩から形成した厚さ39マイクロメートルの膜である。
C2は2のスルホン化比をもつポリマーの第一コバルト
塩から形成した厚さ37マイクロメードルの膜である。
(t)M2は15:5:SOのモル比の水素、二酸化炭
素およびメタンの混合物である。
メタンの透過性について報告した0、0031および0
.0017の値は、使用した装置の検出の限界において
低い透過性を示し、それゆえ精度が低い。
【図面の簡単な説明】
添付図面は、本発明に従うガス分離に使用できる拡散セ
ルの線図的表示である。 1・・・閉じた容器、2・・・膜、3・・・多孔質板、
4・・・大きい区画、5・・・小さい区画、6・・・ノ
ザイルライン、7・・・バイルライン、8・・・・ソイ
ルライン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2種以上のガス類のガス供給混合物をガス分離膜の
    表面と接触させ、そしてガス供給混合物の組成と異なる
    組成を有するガスまたはガス混合物を膜の反対の表面の
    付近から取り出し、ここでガス分離膜はスルホン化され
    たポリアリールスルホンまたはポリアリールケトンから
    形成されていることを特徴とするガス分離法。 2、膜は一般式B −(Ar−Y)− B 式中、 Arは二価の芳香族基であり、そして基Arの少なくと
    も一部分はスルホン化されており、そして Yは−SO_2−または−CO−である、 の反復単位を含有するスルホン化ポリマーから形成され
    ている特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、膜は式C −[−(Ph^1−O)−_nPh^1−Y]− C 式中、 Yは上に定義した通りであり、 Ph^1はフェニレン残基を表わし、ここで基Ph^1
    の少なくとも一部分はスルホン化されており、そして nは1または2であり、そしてnの値はポリマー鎖に沿
    って異なることができる、 の反復単位を含有するポリマーから形成されている特許
    請求の範囲第2項記載の方法。 4、ポリマーは式D −(Ph^2−O−Ph^3−O−Ph^2−SO_2
    )− D の反復単位を、可能ならば式E −(Ph^2−O−Ph^2−SO_2)− E の反復単位および/または可能ならば式F −(Ph^2−O−Ph^2−O−Ph^2−SO_2
    )− F の反復単位と一緒に含有し、式中、 ph^2はフェニレン残基を表わし、 Ph^3は1つまたは2つの基−SO_3Mを有するフ
    ェニレン残基を表わし、 Mは水素原子、金属原子および/または基NR_4であ
    り、ここで基Mは同一もしくは相異なることができ、そ
    して基Mの比率は基−SO_3の不飽和の原子価と結合
    するために十分であり、そしてRは水素原子またはアル
    キル基である、 特許請求の範囲第3項記載の方法。 5、ガス供給混合物は水素と窒素との混合物または二酸
    化炭素とメタンとの混合物または酸素と窒素との混合物
    、あるいは水素と炭化水素ガス類との混合物であり、そ
    して膜の反対の表面の付近から取り出されるガスは、そ
    れぞれ、水素に富んだガス、二酸化炭素に富んだガス、
    酸素に富んだガスまたは水素および供給ガス混合物中に
    存在する場合メタンに富んだガスである特許請求の範囲
    第1〜4項のいずれかに記載の方法。 6、芳香族基の少なくとも一部分は基−SO_3M′で
    スルホン化されており、ここで M′は少なくとも2の原子価を有する金属であり、そし
    て基−SO_3の不飽和の原子価と結合するために十分
    な比率で存在する特許請求の範囲第3または4項記載の
    方法。
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