JPS6273715A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS6273715A JPS6273715A JP21381785A JP21381785A JPS6273715A JP S6273715 A JPS6273715 A JP S6273715A JP 21381785 A JP21381785 A JP 21381785A JP 21381785 A JP21381785 A JP 21381785A JP S6273715 A JPS6273715 A JP S6273715A
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- JP
- Japan
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- resist
- agent
- time
- coating
- resist agent
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジスＩ−塗イ１装買、特にリソグラフィ工程
で半導体ウェハにレジス１〜を塗布するためのレジスト
塗布装置に関する。
で半導体ウェハにレジス１〜を塗布するためのレジスト
塗布装置に関する。
（発明の技術的背景）
半導体ウェハ上に微細パターンを形成するりソゲラフイ
エ程において、レジストの塗イ！ｉは重要な工程の１つ
である。一般に従来のレジスｌ−装置【ま、半導体ウェ
ハを固着回転する回転手段と、レジスト剤を供給するレ
ジスト供給手段とをｈ′りる。半導体ウェハを固着回転
しながら、−宙吊のレジスト剤を供給し、できるだけ均
一な膜厚のレジス１へ層を形成するようにしている。
エ程において、レジストの塗イ！ｉは重要な工程の１つ
である。一般に従来のレジスｌ−装置【ま、半導体ウェ
ハを固着回転する回転手段と、レジスト剤を供給するレ
ジスト供給手段とをｈ′りる。半導体ウェハを固着回転
しながら、−宙吊のレジスト剤を供給し、できるだけ均
一な膜厚のレジス１へ層を形成するようにしている。
均一な膜厚のレジスト層を形成するためには、半導体ウ
ェハの回転速度およびレジスト剤の粘度を所定値にル１
１ ｌｉｔしなければならない。このうち回転速度につ
いては正確な制御が可能であるが、粘度については正確
な制御が困難である。レジメ］−剤は感光剤と溶剤とか
ら成るが、この溶剤（よ通常揮発性であるため、空気に
触れると蒸発し、レジスト剤の粘度が高くなるのである
。レジスｌ−剤はノズルを通つ−（半導体つ１ハに供給
されるが、装置を停止さＵた後、長時間放置して１３
＜と、ノズル部においてレジメｉ〜剤が空気と接触づる
ため粘度が高くなるのＣある。
ェハの回転速度およびレジスト剤の粘度を所定値にル１
１ ｌｉｔしなければならない。このうち回転速度につ
いては正確な制御が可能であるが、粘度については正確
な制御が困難である。レジメ］−剤は感光剤と溶剤とか
ら成るが、この溶剤（よ通常揮発性であるため、空気に
触れると蒸発し、レジスト剤の粘度が高くなるのである
。レジスｌ−剤はノズルを通つ−（半導体つ１ハに供給
されるが、装置を停止さＵた後、長時間放置して１３
＜と、ノズル部においてレジメｉ〜剤が空気と接触づる
ため粘度が高くなるのＣある。
このＪ：うへ状態で装置を再始動させてレジスト塗イ５
を行うと、均一なレジスト層を得ることができず、塗布
むらが発生づることになる。第２図は、装置停止Ｖ後再
始動さけるまでの休止時間と、再始動させて塗布を行っ
たときの塗布むら発生率との関係を示すグラフである。
を行うと、均一なレジスト層を得ることができず、塗布
むらが発生づることになる。第２図は、装置停止Ｖ後再
始動さけるまでの休止時間と、再始動させて塗布を行っ
たときの塗布むら発生率との関係を示すグラフである。
この関係は、実際に使用りるレジスト剤の種類、レジメ
ｌ〜剤の空気中への露出度、窄温、排気ωなどに基づい
て変化するが、一般的な使用条件では１〜２時間程瓜の
休止ｌＫｉ間でかなりの塗布むらが発生し、休止時１２
ｉｌが長（）れば艮い程塗布むら発生率も高くなる。
ｌ〜剤の空気中への露出度、窄温、排気ωなどに基づい
て変化するが、一般的な使用条件では１〜２時間程瓜の
休止ｌＫｉ間でかなりの塗布むらが発生し、休止時１２
ｉｌが長（）れば艮い程塗布むら発生率も高くなる。
このようなレジスト剤の粘度変化に基づく塗布むら発生
を防止するため、ノズル周辺部を溶剤蒸気で満たし、レ
ジスト剤中の溶剤の蒸発を抑ｉｔ、ＩＩする方法らある
が、溶剤蒸気の発生機構等が必要となり、構造が？５２
ｉｔになるという欠点がある。また、再始動時にレジメ
１〜剤をノズルから一定量廃棄するという方法もあるが
、最適パージ量が不明であるため、依然として塗布むら
が発生したり、あるいは必鼓聞以上にレジスト剤を廃棄
してしまったりづるという欠点がある。
を防止するため、ノズル周辺部を溶剤蒸気で満たし、レ
ジスト剤中の溶剤の蒸発を抑ｉｔ、ＩＩする方法らある
が、溶剤蒸気の発生機構等が必要となり、構造が？５２
ｉｔになるという欠点がある。また、再始動時にレジメ
１〜剤をノズルから一定量廃棄するという方法もあるが
、最適パージ量が不明であるため、依然として塗布むら
が発生したり、あるいは必鼓聞以上にレジスト剤を廃棄
してしまったりづるという欠点がある。
そこで本発明は、簡単な機構で、かつ、レジスト剤の廃
棄を必要最小限にＮ持しつつ、再始動時にＪ３ける塗布
むら発生を防止し得るレジスト塗布装置を提供すること
を目的とする。
棄を必要最小限にＮ持しつつ、再始動時にＪ３ける塗布
むら発生を防止し得るレジスト塗布装置を提供すること
を目的とする。
本発明の特徴は、レジスト塗布装置において、半導体ウ
ェハを固着回転する回転手段と、半導体ウェハ」二にレ
ジスト剤を供給Ｊるレジスト供給手段と、装置の停止時
から再始動時までの休止時間を計測する計時手段と、再
始動時にお１ノるレジスト剤の最適パージ量と休止時間
との相関関係を記憶している記憶手段と、再始動時に、
４時手段によって開側された休止時間に基づいて記憶手
段に記憶された相関関係を参照し、レジスト剤を最適パ
ージ量だけ廃棄する廃棄手段とを設け、再始ＵＪ時に必
要最小限のレジスト剤中 し、簡単な機構で塗布むら発生を防止しうるように（）
た点にある。
ェハを固着回転する回転手段と、半導体ウェハ」二にレ
ジスト剤を供給Ｊるレジスト供給手段と、装置の停止時
から再始動時までの休止時間を計測する計時手段と、再
始動時にお１ノるレジスト剤の最適パージ量と休止時間
との相関関係を記憶している記憶手段と、再始動時に、
４時手段によって開側された休止時間に基づいて記憶手
段に記憶された相関関係を参照し、レジスト剤を最適パ
ージ量だけ廃棄する廃棄手段とを設け、再始ＵＪ時に必
要最小限のレジスト剤中 し、簡単な機構で塗布むら発生を防止しうるように（）
た点にある。
（発明の実施例）
以下本発明を図示づ−る実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の構成
図である。半導体ウェハ１はチャック２によって固着保
持され、チャック２はスピンドルモー９３によって回転
する。半導体つ■ハコ上にＬＪノズル４が設けられてい
る。ノズル４には供給管５が接続されており、ポンプ６
によってタンクγ内のレジスト剤中 半導体ウェハ１上に滴下される。ｔ！Ｉ ｔｉｌｌ 装
置９はスピンドル七−夕３とポンプ６とを制御して、半
導体つＴハ１の回転速度と、レジスト剤８の供給量どを
調節する。一方、ポンプ６は本発明の特徴となる廃棄手
段１０によっても制御される。即ち、廃棄手段１０ ｉ
；ｉ、￥ｉ置の停止り時ｈｌ ｌらσ■始動時に至るま
での時間を４測する計時１段１１の出力に基づいて記憶
手段１２を参照し、最適パージはを求め、ノズル４から
この最適パージ量のレジスト剤中波 記憶手段１２には、例えば第３図に示゛ツような相関関
係があらかじめ記憶されている。第３図に示すグラフは
、再始動時におけるレジスト剤の最適パージ量と休止時
間との関係を実測したグラフである。これは例えばある
休止時間ｔをおいて装置を再始動さけ、ノズル４から滴
下されるレジスト剤の粘度を測定しながらどれだけの吊
を滴下すれば通常粘度のレジスト剤が供給されるかを測
定すればよい。
１図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の構成
図である。半導体ウェハ１はチャック２によって固着保
持され、チャック２はスピンドルモー９３によって回転
する。半導体つ■ハコ上にＬＪノズル４が設けられてい
る。ノズル４には供給管５が接続されており、ポンプ６
によってタンクγ内のレジスト剤中 半導体ウェハ１上に滴下される。ｔ！Ｉ ｔｉｌｌ 装
置９はスピンドル七−夕３とポンプ６とを制御して、半
導体つＴハ１の回転速度と、レジスト剤８の供給量どを
調節する。一方、ポンプ６は本発明の特徴となる廃棄手
段１０によっても制御される。即ち、廃棄手段１０ ｉ
；ｉ、￥ｉ置の停止り時ｈｌ ｌらσ■始動時に至るま
での時間を４測する計時１段１１の出力に基づいて記憶
手段１２を参照し、最適パージはを求め、ノズル４から
この最適パージ量のレジスト剤中波 記憶手段１２には、例えば第３図に示゛ツような相関関
係があらかじめ記憶されている。第３図に示すグラフは
、再始動時におけるレジスト剤の最適パージ量と休止時
間との関係を実測したグラフである。これは例えばある
休止時間ｔをおいて装置を再始動さけ、ノズル４から滴
下されるレジスト剤の粘度を測定しながらどれだけの吊
を滴下すれば通常粘度のレジスト剤が供給されるかを測
定すればよい。
この装置の動作は次のようになる。まず通常動作時には
、チャック２の上に半導体ウェハ１がセットされると、
制御装置９によってスピンドルモータ３が回転し、同時
にポンプ６が駆動−リ”る。これによっ−Ｃ回転する半
導体つＪハコ上に一定量（例えば２ｍ）のレジスト剤が
滴下される。ポンプ６に、例えば１ストロークで一定Ｉ
ｆＪ、２ｄを送り出すような機能を与えておけば、ポン
プ６に対し１ストローク駆動リベき信号を与えればよい
ことになる。
、チャック２の上に半導体ウェハ１がセットされると、
制御装置９によってスピンドルモータ３が回転し、同時
にポンプ６が駆動−リ”る。これによっ−Ｃ回転する半
導体つＪハコ上に一定量（例えば２ｍ）のレジスト剤が
滴下される。ポンプ６に、例えば１ストロークで一定Ｉ
ｆＪ、２ｄを送り出すような機能を与えておけば、ポン
プ６に対し１ストローク駆動リベき信号を与えればよい
ことになる。
何枚かの半導体ウェハ１に対してレジスト塗イｌ＋を終
え、装置を停止状態にすると、３１時手段１１が再始動
時まで計時動作を行うことになる。
え、装置を停止状態にすると、３１時手段１１が再始動
時まで計時動作を行うことになる。
ここで所定の休止時間ｔだけ経過後、装置を再始動する
と、ノズル４から最適パージ量のレジスト剤が廃棄され
ることになる。即ち、廃棄手段１０は、訓時手段１１か
ら休止時間ｔを読取り、記憶手段１２に記憶されている
第３図に示すようなグラフを参照し、休止時間ｔに対応
する最適パージ（１を求める。例えば第３図に示すグラ
フではｔ＝１０に対しては最適パージ量８ｄが得られる
ことになる。そこで廃棄手段１０は、ノズル４からこの
最適バージａのレジスト剤が滴下されるようポンプ６を
駆動する。例えば８ｄであれば、４スｌ−ローフの駆動
を行うようにすればよい。なお、このポンプ６に半ス１
ヘローク、あるいは１７４ストローク等の駆動機能を設
けておけば、２ｄ以下の端数をもつパージ量についても
正確な廃棄を行うことができる。なお、この廃棄操作中
は、ノズル４を半導体つＩハ１の」三方よりそらすよう
に移動させ、半導体つ丁ハ１上に廃棄したレジスト剤が
滴下しないようにする。
と、ノズル４から最適パージ量のレジスト剤が廃棄され
ることになる。即ち、廃棄手段１０は、訓時手段１１か
ら休止時間ｔを読取り、記憶手段１２に記憶されている
第３図に示すようなグラフを参照し、休止時間ｔに対応
する最適パージ（１を求める。例えば第３図に示すグラ
フではｔ＝１０に対しては最適パージ量８ｄが得られる
ことになる。そこで廃棄手段１０は、ノズル４からこの
最適バージａのレジスト剤が滴下されるようポンプ６を
駆動する。例えば８ｄであれば、４スｌ−ローフの駆動
を行うようにすればよい。なお、このポンプ６に半ス１
ヘローク、あるいは１７４ストローク等の駆動機能を設
けておけば、２ｄ以下の端数をもつパージ量についても
正確な廃棄を行うことができる。なお、この廃棄操作中
は、ノズル４を半導体つＩハ１の」三方よりそらすよう
に移動させ、半導体つ丁ハ１上に廃棄したレジスト剤が
滴下しないようにする。
以上のようにして、再始動時には常に８廿最小限のレジ
スト剤廃棄を行うことができ、塗布むら発生を防止づる
ことができる。また、廃棄手段１０、計時手段１１、記
憶手段１２といった本発明特有の構成要素は、集積回路
十に組込んで、制御装置９と一体化することができるた
め、装置全体の機械的構成は従来装置と全く変わらヂ単
純な構成となる。
スト剤廃棄を行うことができ、塗布むら発生を防止づる
ことができる。また、廃棄手段１０、計時手段１１、記
憶手段１２といった本発明特有の構成要素は、集積回路
十に組込んで、制御装置９と一体化することができるた
め、装置全体の機械的構成は従来装置と全く変わらヂ単
純な構成となる。
以上のとおり本発明によれば、レジスト塗／Ｉｉ装置に
おいて、各休止時間に対応するレジメｌ〜剤の最適パー
ジ量を記憶させておき、これにＢｔづいてレジスト剤廃
棄量 ｈｌで塗布むら発生を防止づることができ、しか（）レ
ジスト剤廃棄量を最小限とすることができる。
おいて、各休止時間に対応するレジメｌ〜剤の最適パー
ジ量を記憶させておき、これにＢｔづいてレジスト剤廃
棄量 ｈｌで塗布むら発生を防止づることができ、しか（）レ
ジスト剤廃棄量を最小限とすることができる。
第１図は本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例の構
成図、第２図は従来装置における休止時間と塗布むら発
生率どの関係を示すグラフ、第３図は本発明に係る装置
の記憶手段に記憶されている休止時間と最適パージ量と
の関係を示すグラフである。 １・・・半導体ウェハ、２・・・チャック、３・・・ス
ピンドルモータ、４・・・ノズル、５・・・供給管、６
・・・ポンプ、７・・・タンク、８・・・レジスト剤、
９・・・１ＩＩＩ１１１装置、１０・・・廃棄手段、１
１・・・訓時手段、１２・・・記憶手段。
成図、第２図は従来装置における休止時間と塗布むら発
生率どの関係を示すグラフ、第３図は本発明に係る装置
の記憶手段に記憶されている休止時間と最適パージ量と
の関係を示すグラフである。 １・・・半導体ウェハ、２・・・チャック、３・・・ス
ピンドルモータ、４・・・ノズル、５・・・供給管、６
・・・ポンプ、７・・・タンク、８・・・レジスト剤、
９・・・１ＩＩＩ１１１装置、１０・・・廃棄手段、１
１・・・訓時手段、１２・・・記憶手段。
Claims (1)
- 半導体ウェハを固着回転する回転手段と、前記半導体ウ
ェハ上にレジスト剤を供給するレジスト供給手段と、装
置の停止時から再始動時までの休止時間を計測する計時
手段と、再始動時におけるレジスト剤の最適パージ量と
休止時間との相関関係を記憶している記憶手段と、再始
動時に、前記計時手段によって計測された休止時間に基
づいて前記記憶手段に記憶された相関関係を参照し、レ
ジスト剤を最適パージ量だけ廃棄する廃棄手段と、を備
えることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21381785A JPS6273715A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21381785A JPS6273715A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273715A true JPS6273715A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16645519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21381785A Pending JPS6273715A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273715A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205422A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH02158122A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Tokyo Electron Ltd | レジスト吐出方法 |
| JPH02137028U (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-15 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21381785A patent/JPS6273715A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205422A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH0760786B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1995-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布装置 |
| JPH02158122A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Tokyo Electron Ltd | レジスト吐出方法 |
| JPH02137028U (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-15 | ||
| JPH0632675Y2 (ja) * | 1989-04-13 | 1994-08-24 | 日本電信電話株式会社 | 半導体製造用塗布装置 |
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