JPS627268A - フアクシミリ装置 - Google Patents
フアクシミリ装置Info
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- JPS627268A JPS627268A JP14611785A JP14611785A JPS627268A JP S627268 A JPS627268 A JP S627268A JP 14611785 A JP14611785 A JP 14611785A JP 14611785 A JP14611785 A JP 14611785A JP S627268 A JPS627268 A JP S627268A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ装置に関する。特に、ファクシミ
リ装置の原稿読取部の制御手段に関する。
リ装置の原稿読取部の制御手段に関する。
本発明は、原稿上の総画素数と、これを圧縮して生成し
た符号化信号のビット数との比率に基づいて制御される
ファクシミリ装置において、符号化信号にかかわる画情
報がその記憶手段にすべて格納される以前に、比率を予
測することにより、 記憶手段に格納された画情報に基づいて実測された比率
による制御に比べて、原稿の読取効率を向上させること
ができるようにしたものである。
た符号化信号のビット数との比率に基づいて制御される
ファクシミリ装置において、符号化信号にかかわる画情
報がその記憶手段にすべて格納される以前に、比率を予
測することにより、 記憶手段に格納された画情報に基づいて実測された比率
による制御に比べて、原稿の読取効率を向上させること
ができるようにしたものである。
従来例ファクシミリ装置では、符号化された画情報量が
一定値以上である場合に符号化される前の画情報をある
比率で間引くことにより、原稿の圧縮率を一定値以上に
保ちながら送信が行われていた。
一定値以上である場合に符号化される前の画情報をある
比率で間引くことにより、原稿の圧縮率を一定値以上に
保ちながら送信が行われていた。
このような従来例ファクシミリ装置では、符号化された
画情報のすべてが記憶装置に格納された後にその量が判
断されていたので、記憶装置への画像転送が終了するま
でに待ち時間が生じ、このために単位時間内に読み取れ
る原稿の枚数が低下する欠点があった。
画情報のすべてが記憶装置に格納された後にその量が判
断されていたので、記憶装置への画像転送が終了するま
でに待ち時間が生じ、このために単位時間内に読み取れ
る原稿の枚数が低下する欠点があった。
本発明はこのような欠点を除去するもので、記憶装置へ
の画像転送が終了するまでの待ち時間を短縮することが
できるファクシミリ装置を提供することを目的とする。
の画像転送が終了するまでの待ち時間を短縮することが
できるファクシミリ装置を提供することを目的とする。
本発明は、送信する原稿上の総画素数を圧縮したビット
数の信号に符号化する符号化回路(4)と、この符号化
回路の出力する画情報を一時蓄積する第一の記憶手段(
6)と、この第一の記憶手段の出力する画情報を格納す
る第二の記憶手段(7)と、上記総画素数と上記符号化
信号のビット数の比率に基づいて自装置の制御を行う制
御手段とを備えたファクシミリ装置で、前述の問題点を
解決するための手段として、上記原稿の一枚について符
号化終了時に、上記第二の記憶手段に格納されている画
情報の量と上記第一の記憶手段に一時蓄積のできる画情
報の量との和に基づいて上記比率を予測する演算手段を
備え、上記制御手段は、この演算手段の出力に基づいて
次原稿の読取りを起動する制御手段を含むことを特徴と
する。
数の信号に符号化する符号化回路(4)と、この符号化
回路の出力する画情報を一時蓄積する第一の記憶手段(
6)と、この第一の記憶手段の出力する画情報を格納す
る第二の記憶手段(7)と、上記総画素数と上記符号化
信号のビット数の比率に基づいて自装置の制御を行う制
御手段とを備えたファクシミリ装置で、前述の問題点を
解決するための手段として、上記原稿の一枚について符
号化終了時に、上記第二の記憶手段に格納されている画
情報の量と上記第一の記憶手段に一時蓄積のできる画情
報の量との和に基づいて上記比率を予測する演算手段を
備え、上記制御手段は、この演算手段の出力に基づいて
次原稿の読取りを起動する制御手段を含むことを特徴と
する。
符号化回路で、送信する原稿上の画素数は、例えばラン
レングスの符号化により短いビット数の符号化信号に変
換される。この変換された画情報はいったん第一の記憶
手段に蓄積され、ひきつづき低速の第二の記憶手段に蓄
積される。送信する原稿の符号化が終了した時点で、第
一の記憶手段の記憶容量に応じた画情報と第二の記憶手
段に既に格納されている画情報の量との和と送信する原
稿に固有の総画素数との比率を演算して、この数値を総
画素数と符号化信号のビット数の比率として取扱うこと
により、第二の記憶手段にすべての画情報が転送される
以前に次段の制御が行われる。
レングスの符号化により短いビット数の符号化信号に変
換される。この変換された画情報はいったん第一の記憶
手段に蓄積され、ひきつづき低速の第二の記憶手段に蓄
積される。送信する原稿の符号化が終了した時点で、第
一の記憶手段の記憶容量に応じた画情報と第二の記憶手
段に既に格納されている画情報の量との和と送信する原
稿に固有の総画素数との比率を演算して、この数値を総
画素数と符号化信号のビット数の比率として取扱うこと
により、第二の記憶手段にすべての画情報が転送される
以前に次段の制御が行われる。
この制御により、次原稿の読取り開始を早める制御が行
われる。この制御により、間引き処理の実行の要否が決
定され、間引き処理不要のときは、次原稿の読取りが開
始され、間引き処理が必要であることが予測されたとき
は第二の記憶手段にすべての情報の転送を実行後に圧縮
比の算定が行われる。
われる。この制御により、間引き処理の実行の要否が決
定され、間引き処理不要のときは、次原稿の読取りが開
始され、間引き処理が必要であることが予測されたとき
は第二の記憶手段にすべての情報の転送を実行後に圧縮
比の算定が行われる。
以下、本発明実施例装置を図面に基づいて説明する。
第1図は、この実施例装置の構成を示すブロック構成図
である。第2図は、この実施例装置の動作を規定するプ
ログラムの構成を示すフローチャートである。
である。第2図は、この実施例装置の動作を規定するプ
ログラムの構成を示すフローチャートである。
まず、この実施例装置の構成を第1図に基づいて説明す
る。この実施例装置は、原稿走査部1と、この原稿走査
部1の出力を入力するフレームメモ172と、符号化回
路4と、間引き回路5と、バッファメモリ6と、フレー
ムメモリ2の出力を符号化回路4または間引き回路5の
いずれか一方を経路に選択してバッファメモリ6の入力
に接続する切換部3と、バッファメモリ6の出力を入力
する記憶装置7と、符号化回路4および記憶装置7から
入力し原稿走査部1および切換部3に出力する制御部8
とを備える。ここで制御部8はマイクロコンピュータで
ある。
る。この実施例装置は、原稿走査部1と、この原稿走査
部1の出力を入力するフレームメモ172と、符号化回
路4と、間引き回路5と、バッファメモリ6と、フレー
ムメモリ2の出力を符号化回路4または間引き回路5の
いずれか一方を経路に選択してバッファメモリ6の入力
に接続する切換部3と、バッファメモリ6の出力を入力
する記憶装置7と、符号化回路4および記憶装置7から
入力し原稿走査部1および切換部3に出力する制御部8
とを備える。ここで制御部8はマイクロコンピュータで
ある。
次に、この実施例装置の動作を第1図および第2図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
原稿走査部1で読み取られた原稿の画情報は、フレーム
メモリ2にいったん格納された後に符号化回路4で符号
化される。符号化回路4で符号化された画情報はバッフ
ァメモリ6を介して記憶装置7に格納される。制御部8
により原稿走査部1および切換部4が制御される。
メモリ2にいったん格納された後に符号化回路4で符号
化される。符号化回路4で符号化された画情報はバッフ
ァメモリ6を介して記憶装置7に格納される。制御部8
により原稿走査部1および切換部4が制御される。
符号化回路4から符号化終了信号13が制御部8の割込
入力ボートに入力され、また記憶装置7から格納されて
いる符号化された画情報の量を示す画情乾量信号14が
制御部8に入力される。制御部8では、符号化回路4で
の画情報の圧縮率が174以上である場合に切換信号1
3により間引き回路7が起動され、フレームメモリ2の
画情報の画素を主走査方向および副走査方向ともに17
2に間引いた画情報が記憶装置7に格納される。
入力ボートに入力され、また記憶装置7から格納されて
いる符号化された画情報の量を示す画情乾量信号14が
制御部8に入力される。制御部8では、符号化回路4で
の画情報の圧縮率が174以上である場合に切換信号1
3により間引き回路7が起動され、フレームメモリ2の
画情報の画素を主走査方向および副走査方向ともに17
2に間引いた画情報が記憶装置7に格納される。
さて、制御部8では、符号化終了信号13の割込みが発
生したときに、記憶装置7に格納されている画情報の量
とバッファメモリ6の全容量との和に基づいて符号化さ
れた後の画情報の量の上限が求められて圧縮率が予測さ
れる。予測された圧縮率が174以下である場合には、
記憶装置7への転送の終了を待たずに、起動信号1)に
より次原稿の読み取りが開始される。一方、予測された
圧縮率が174以上である場合には、制御部8により記
憶装置7への画情報の転送が終了すると、符号化された
画情報の量が求められ、圧縮率が174以上であるか否
かに応じて間引き処理を行うか否かが決定され、処理終
了後に次原稿の読み取りが開始される。
生したときに、記憶装置7に格納されている画情報の量
とバッファメモリ6の全容量との和に基づいて符号化さ
れた後の画情報の量の上限が求められて圧縮率が予測さ
れる。予測された圧縮率が174以下である場合には、
記憶装置7への転送の終了を待たずに、起動信号1)に
より次原稿の読み取りが開始される。一方、予測された
圧縮率が174以上である場合には、制御部8により記
憶装置7への画情報の転送が終了すると、符号化された
画情報の量が求められ、圧縮率が174以上であるか否
かに応じて間引き処理を行うか否かが決定され、処理終
了後に次原稿の読み取りが開始される。
C発明の効果〕
本発明は以上説明したように、符号化された画情報の記
憶装置への転送が完了する前に間引きを行うか否かの判
断を行うことにより、間引きを行う必要のない場合には
記憶装置への転送の終了を待たずに次原稿の読み取りを
開始できるので、単位時間内に読み取れる原稿の枚数を
多くする効果がある。
憶装置への転送が完了する前に間引きを行うか否かの判
断を行うことにより、間引きを行う必要のない場合には
記憶装置への転送の終了を待たずに次原稿の読み取りを
開始できるので、単位時間内に読み取れる原稿の枚数を
多くする効果がある。
第1図は本発明実施例装置の構成を示すブロック構成図
。 第2図は実施例装置の動作を示すフローチャート。 1・・・原稿走査部、2・・・フレームメモリ、3・・
・切換部、4・・・符号化回路、5・・・間引き回路、
6・・・バッファメモリ、7・・・記憶装置、8・・・
制御部、1)・・・起動信号、12・・・切換信号、1
3・・・符号化終了信号、14・・・画情報信号。 実施例の構成図 第 1 図
。 第2図は実施例装置の動作を示すフローチャート。 1・・・原稿走査部、2・・・フレームメモリ、3・・
・切換部、4・・・符号化回路、5・・・間引き回路、
6・・・バッファメモリ、7・・・記憶装置、8・・・
制御部、1)・・・起動信号、12・・・切換信号、1
3・・・符号化終了信号、14・・・画情報信号。 実施例の構成図 第 1 図
Claims (1)
- (1)送信する原稿上の総画素数を圧縮したビット数の
信号に符号化する符号化回路(4)と、この符号化回路
の出力する画情報を一時蓄積する第一の記憶手段(6)
と、 この第一の記憶手段の出力する画情報を格納する第二の
記憶手段(7)と、 上記総画素数と上記符号化信号のビット数の比率に基づ
いて自装置の制御を行う制御手段とを備えたファクシミ
リ装置において、 上記原稿の一枚について符号化終了時に、上記第二の記
憶手段に格納されている画情報の量と上記第一の記憶手
段に一時蓄積のできる画情報の量との和に基づいて上記
比率を予測する演算手段を備え、 上記制御手段は、 この演算手段の出力に基づいて次原稿の読み取りを起動
する制御手段を含むことを特徴とするファクシミリ装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14611785A JPS627268A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | フアクシミリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14611785A JPS627268A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | フアクシミリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS627268A true JPS627268A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15400539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14611785A Pending JPS627268A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | フアクシミリ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS627268A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
US6171974B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | High selectivity oxide etch process for integrated circuit structures |
US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
US6440866B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6444085B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-09-03 | Applied Materials Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an antenna adjacent a window electrode |
US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
US6518195B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
US6623596B1 (en) | 1992-12-01 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14611785A patent/JPS627268A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
US6171974B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | High selectivity oxide etch process for integrated circuit structures |
US6399514B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | High temperature silicon surface providing high selectivity in an oxide etch process |
US6440866B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6444085B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-09-03 | Applied Materials Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an antenna adjacent a window electrode |
US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
US6518195B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
US6623596B1 (en) | 1992-12-01 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
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