JPS6271252A - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents
Lead frame and semiconductor device using the sameInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置、特に、樹脂封止型半導体装置に適
用して有効な技術である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention is a technique that is effective when applied to semiconductor devices, particularly resin-sealed semiconductor devices.
一般に、樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのタ
ブ部に半導体ペレットを取り付け、かつワイヤボンディ
ングのようなボンディング技術によって半導体ペレット
の電橋とリードフレームのインナーリードとの電気的接
続を行った後、エポキシ樹脂等の樹脂からなるパンケー
ジをモールド形成し、次いでリードフレームのフレーム
部等の切断、リードの成形等を行うことによって製造さ
れる。In general, resin-sealed semiconductor devices are manufactured by attaching a semiconductor pellet to the tab portion of a lead frame, and then electrically connecting the electrical bridge of the semiconductor pellet to the inner lead of the lead frame using a bonding technique such as wire bonding. It is manufactured by molding a pancage made of resin such as epoxy resin, then cutting the frame portion of the lead frame, and molding the leads.
ところで、昨今のように半導体ペレットが大型化される
と、それに応じて、その取付部であるタブも長大化され
る。一方、上記半導体ペレット等を封入するパッケージ
のサイズは規格で定められている。そのため、パッケー
ジ樹脂に埋設されるタブ吊りリードの長さが短くなり、
それだけ該タブ吊りリードとパッケージ樹脂との界面を
伝って水分等の腐食物質が浸入し易くなってくる。特に
水分等は、上記界面に剥がれが生じると一段と浸入し易
くなるため、該界面に判がれが生じない構造にすること
が望ましい。By the way, as semiconductor pellets have become larger in size in recent years, the tabs that are the attachment portions have also become longer. On the other hand, the size of the package that encloses the semiconductor pellets and the like is determined by standards. Therefore, the length of the tab suspension lead embedded in the package resin is shortened.
Corrosive substances such as moisture are more likely to infiltrate through the interface between the tab suspension lead and the package resin. In particular, if the interface is peeled off, moisture and the like will more easily infiltrate, so it is desirable to have a structure that does not cause separation at the interface.
そこで、本発明者はタブ吊りリードの一部に、それと封
止樹脂との結合を強めるためのスルーホール等のロック
部を形成することを検討した。こうすることにより、樹
脂モールド完了後のタブ吊りリード切断時の応力や、半
導体装置が温度変化する場合のリードフレームとパッケ
ージ樹脂との熱膨張係数の差に起因して両者間に生ずる
ずれ応力にかかわらずに、該両者の界面に剥がれが生じ
ることを有効に防止できる。Therefore, the present inventor considered forming a lock portion such as a through hole in a portion of the tab suspension lead to strengthen the bond between the tab suspension lead and the sealing resin. This reduces stress when cutting the tab suspension lead after resin molding is completed, and stress caused by shearing between the lead frame and the package resin due to the difference in thermal expansion coefficient when the temperature of the semiconductor device changes. Regardless, peeling at the interface between the two can be effectively prevented.
しかしながら、本発明者等は、上記構造にするとタブ吊
りリードと封止樹脂との剥離を良好に防止できるけれど
も、半導体ペレットの周囲のうちのタブ吊りリードに近
い部分にクランクが生じ易いことを見い出した。検討の
結果、次の現象が明らかとなった。However, the present inventors found that although the above structure can effectively prevent separation between the tab suspension lead and the sealing resin, cranks are likely to occur in the area around the semiconductor pellet near the tab suspension lead. Ta. As a result of the study, the following phenomenon became clear.
すなわち、半導体装置の動作時の半導体ベレットの発熱
による温度上昇によって、タブ部が熱膨張をすることに
なる。この場合、熱の流れに応じてタブ吊りリードの近
傍は比較的低温である。タブ吊りリードは、また上記の
ようにロック部によって封止樹脂と強固に結合されてい
る。それ故に、タブ部は実質的にタブ吊りリード部によ
っておさえられた状態で熱膨張されることになる。その
結果、このようにタブ部に熱応力が与えられることにな
る。その際、この応力は構成的に不連続性の強い部分、
すなわちタブ部とタブ吊り吊りリードとの接続部に集中
し、その部分に応力変形を生じさせる。これに応じて、
該接続部を中心とする半導体ペレットとの接着面に大き
な応力が加わる。That is, the tab section thermally expands due to a temperature rise due to heat generation of the semiconductor pellet during operation of the semiconductor device. In this case, the temperature near the tab suspension lead is relatively low depending on the flow of heat. The tab suspension lead is also firmly connected to the sealing resin by the lock portion as described above. Therefore, the tab portion is thermally expanded while being substantially held down by the tab suspension lead portion. As a result, thermal stress is applied to the tab portion. At that time, this stress is applied to areas with strong structural discontinuities,
In other words, the stress is concentrated on the connecting portion between the tab portion and the tab hanging lead, and stress deformation is caused in that portion. Accordingly,
A large stress is applied to the bonding surface with the semiconductor pellet centering on the connection portion.
その結果、半導体ペレットに割れ（クラック）が発生す
ることになる。As a result, cracks will occur in the semiconductor pellet.
動作温度が高温である場合、タブ部近傍の樹脂は半導体
ペレットの発熱による温度上昇によってその硬度が大き
く低下され、タブの熱変形を良好に防止しなくなる。そ
れ故に、上記のような望ましくない現象は、高温動作、
たとえば装置全体を高温加熱して動作試験を行う、いわ
ゆるエージングテスト等において特に大きな問題となる
。When the operating temperature is high, the hardness of the resin near the tab portion is greatly reduced due to the temperature increase due to the heat generated by the semiconductor pellet, and thermal deformation of the tab cannot be effectively prevented. Therefore, the above-mentioned undesirable phenomena are caused by high temperature operation,
For example, this is a particularly serious problem in so-called aging tests, in which the entire device is heated to a high temperature to perform an operation test.
なお、樹脂封止型半導体装置については、１９８０年１
月１５日、株式会社工業調査会発行、日本マイクロエレ
クトロニクス協会１１ｒｌｃ化実装技術ＪＰ１４９〜Ｐ
１５０に説明がある。Regarding resin-sealed semiconductor devices, the 1980 January
Published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd. on May 15th, Japan Microelectronics Association 11RLC Mounting Technology JP149-P
150 has an explanation.
〔発明の目的〕
本発明の目的は、半導体装置のベレット割れを防止でき
る技術を提供することにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a technique that can prevent pellet cracking in a semiconductor device.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、タブ吊りリードにロック部が形成され、該ロ
ック部より内側に応力緩和部が形成されたリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を製造することにより
、ペレット取付部であるタブが熱膨張しても、タブ吊り
リードの接続部のタブに応力が集中することを防止でき
ることにより、半導体ペレットに割れが生じることを防
止できる。In other words, by manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame in which a lock part is formed on the tab suspension lead and a stress relaxation part is formed inside the lock part, the tab, which is the pellet attachment part, is heated. Even if the semiconductor pellet expands, stress can be prevented from concentrating on the tab at the connection portion of the tab suspension lead, thereby preventing cracks from occurring in the semiconductor pellet.
〔実施例１〕
第１図は本発明による実施例１である半導体装置に適用
されるリードフレームの拡大部分平面図であり、第２図
は本実施例１の半導体装置を示す概略断面図である。ま
た、第３図は上記半導体装置に適用されるリードフレー
ムの一単位を示す概略部分平面図である。[Example 1] FIG. 1 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to Example 1 of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the semiconductor device according to Example 1. be. Further, FIG. 3 is a schematic partial plan view showing one unit of a lead frame applied to the above semiconductor device.
上記リードフレームは、特に制限されないが、枠体１お
よび仕切枠２に囲まれた四角形状の単位フレームを持つ
、単位フレームは、その複数個が、図中上下方向に連設
されてなるものである。上記単位フレームのほぼ中央に
は、ペレット取付部であるタブ３が配置され、そのタブ
３はタブ吊りリード４を介して上記外枠１に支持されて
いる。また、上記タブ３の周囲には、仕切枠２から延在
され、その途中がタイバー６によって支持されたり一ド
７が配列されている。そして、上記タブ吊りリード４に
は、ロック部を形成するところのスルーホール５が形成
されている。該スルーホール５の内側であるタブ３とタ
ブ吊りリード４との接続部に円弧部（応力緩和部）８が
設けられている。Although the lead frame is not particularly limited, it has a rectangular unit frame surrounded by a frame 1 and a partition frame 2, and a plurality of unit frames are arranged in a row in the vertical direction in the figure. be. A tab 3 serving as a pellet mounting portion is arranged approximately at the center of the unit frame, and the tab 3 is supported by the outer frame 1 via a tab hanging lead 4. Further, around the tab 3, there are arranged doors 7 extending from the partition frame 2 and supported by tie bars 6 along the way. A through hole 5 is formed in the tab suspension lead 4 to form a lock portion. A circular arc portion (stress relaxation portion) 8 is provided at the connection portion between the tab 3 and the tab suspension lead 4, which is inside the through hole 5.
本実施例１の半導体装置は、次のように製造される。ま
ず、上記リードフレームのタブ３に半導体ペレット９を
金−シリコン共晶からなるような結合材１０を介して取
り付け、次に半導体ペレット９の図示しないポンディン
グパッドとリードとの相互をワイヤボンディング技術に
よって電気的に結合させる。その後、エポキシ樹脂１１
を用いてパッケージがモールド形成される。パッケージ
のサイズは、たとえば第３図に２点鎖線２０によって示
したようにされる。その後、プレス機等によるリードフ
レームの枠体１．仕切枠２．タイバー６の切断、成形を
行うことにより完成される。The semiconductor device of Example 1 is manufactured as follows. First, a semiconductor pellet 9 is attached to the tab 3 of the lead frame via a bonding material 10 made of gold-silicon eutectic, and then a bonding pad (not shown) of the semiconductor pellet 9 and a lead are bonded to each other using a wire bonding technique. electrically coupled by After that, epoxy resin 11
A package is formed using a mold. The size of the package is, for example, as indicated by the chain double-dashed line 20 in FIG. After that, the frame body 1 of the lead frame is formed using a press machine or the like. Partition frame 2. It is completed by cutting and forming the tie bars 6.
第２図は、上記半導体装置を、タブ吊りリード４のほぼ
中心を切る面における断面図で示すものであり、いわゆ
るＤＩＰ型半導体装置である。FIG. 2 shows the above-mentioned semiconductor device in a cross-sectional view along a plane cut approximately at the center of the tab suspension lead 4, and is a so-called DIP type semiconductor device.
本実施例１の半導体装置では、前記の如くタブ３とタブ
吊りリード４にスルーホール５が形成されてし）る、し
たがって、パンケージのモールド形成時に上記スルーホ
ール５の中にも樹脂１１が入り込み、タブ吊りリード４
の動きが完全に止められる。そのため、タブ吊りリード
４とパッケージ樹脂１１との接着が極めて強固に達成さ
れる。In the semiconductor device of Example 1, the through-hole 5 is formed in the tab 3 and the tab suspension lead 4 as described above. Therefore, the resin 11 also enters into the through-hole 5 when molding the pan cage. , tab hanging lead 4
movement is completely stopped. Therefore, extremely strong adhesion between the tab suspension lead 4 and the package resin 11 is achieved.
ところが、半導体装置の動作時に半導体ペレットの発熱
に伴い、タフ３が弄温して該タブが熱膨張する場合、前
記の如くタブ吊りリード４が強固に固定されているため
、タブ３に該タブ吊りリード４が接続される接続部にそ
の応力が集中することになる。However, when the tab 3 thermally expands due to the heat generation of the semiconductor pellet during the operation of the semiconductor device, the tab 3 will not attach to the tab 3 because the tab suspension lead 4 is firmly fixed as described above. The stress will be concentrated at the connection portion to which the suspension lead 4 is connected.
したがって、上記タブ３とタブ吊りリード４との接続部
の巾が狭い場合は、それだけ強い応力がその接続部に集
中することになる。その結果、タブ３は該タブの面に対
し垂直方向に強い応力を受けることになり、該面に強く
接着されている半導体ペレットに割れを生じさせること
になる。Therefore, if the width of the connecting portion between the tab 3 and the tab suspension lead 4 is narrow, a correspondingly stronger stress will be concentrated on the connecting portion. As a result, the tab 3 is subjected to a strong stress in the direction perpendicular to the surface of the tab, causing cracks in the semiconductor pellet that is strongly adhered to the surface.
しかしながら、前記の如く本実施例１の半導体装置にお
いては、タブ３とタブ吊りリード４との接続部に円弧部
を設け、該接続部の巾を大きく広げである。たとえば、
タブ３の巾が約４ｆｉ、タフ゛吊すリード４の巾が約１
．５ ｍの場合、円弧部の曲率半径は約１ｍとされる。However, as described above, in the semiconductor device of the first embodiment, an arcuate portion is provided at the connection portion between the tab 3 and the tab suspension lead 4, and the width of the connection portion is greatly increased. for example,
The width of the tab 3 is approximately 4fi, and the width of the lead 4 for hanging the tough is approximately 1.
．． 5 m, the radius of curvature of the circular arc portion is approximately 1 m.
上記の如く、接続部の巾が広いために、それだけ応力を
分散させることができ、その結果前記応力集中に起因す
るペレットの割れを有効に防止できるものである。As described above, since the width of the connecting portion is wide, stress can be dispersed accordingly, and as a result, cracking of the pellet due to the stress concentration can be effectively prevented.
本実施例１の半導体装置に適用されるリードフレームは
、タブ３とタブ吊りリード４との接続部が円弧状になっ
ている。そのため、その製造に用いられるプレス金型の
摩耗が少なく、それだけリードフレームのコストを低減
することができる利点がある。In the lead frame applied to the semiconductor device of Example 1, the connecting portion between the tab 3 and the tab suspension lead 4 is arcuate. Therefore, there is less wear on the press mold used for manufacturing the lead frame, which has the advantage that the cost of the lead frame can be reduced accordingly.
〔実施例２〕
第４図は本発明による実施例２である半導体装置に適用
されるリードフレームの拡大部分平面図である。[Embodiment 2] FIG. 4 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention.
本実施例２の半導体装置においては、タブ３とタブ吊り
リード４との接続部に巾広部（応力緩和部）１２が設け
られている。その他は、前記実施例１０半導体装置とほ
ぼ同一である。In the semiconductor device of the second embodiment, a wide portion (stress relaxation portion) 12 is provided at the connection portion between the tab 3 and the tab suspension lead 4. The rest is almost the same as the semiconductor device of Example 10.
前記の如く巾広部１２を設けることにより、接続部に生
じる応力を分散させることができるので、前記実施例１
と同様にベレットの割れを有効に防止できるものである
。By providing the wide portion 12 as described above, the stress generated in the connection portion can be dispersed.
Similarly, cracking of the pellet can be effectively prevented.
〔実施例３〕
第５図は本発明による実施例３である半導体装置に適用
するリードフレームの拡大部分平面図である。[Embodiment 3] FIG. 5 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to Embodiment 3 of the present invention.
本実施例３の半導体装置においては、タブ吊りリード４
との接続部の内側のタブ３にスリット形状のスルーホー
ル（応力緩和部）１３が設けられている。その他につい
ては、前記実施例１の場合とほぼ同じである。In the semiconductor device of the third embodiment, the tab suspension lead 4
A slit-shaped through hole (stress relaxation part) 13 is provided in the tab 3 inside the connection part with the . Other aspects are almost the same as in the first embodiment.
前記の如くスルーホール１３をタブ３に設けることによ
幻、タブ吊りリード４が接続されているはり部１４のた
わみにより応力を吸収することができる。したがって、
タブ３の一点に応力が集中することにより半導体ペレッ
トの割れが生じることを有効に防止できるものである。By providing the through hole 13 in the tab 3 as described above, stress can be absorbed by the deflection of the beam 14 to which the tab suspension lead 4 is connected. therefore,
This effectively prevents the semiconductor pellet from cracking due to concentration of stress at one point on the tab 3.
（り、タブ吊りリードにロック部が形成され、該ロック
部より内側に応力緩和部が形成されたリードフレームを
用いて樹脂封止型半導体装置を製造することにより、タ
ブの熱膨張に伴いタブ吊りリードの接続部のタブに応力
が集中することを防止できるので、半導体ベレットに割
れが生じることを防止できる。(By manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame in which a lock part is formed on the tab suspension lead and a stress relaxation part is formed inside the lock part, the tab hangs due to thermal expansion of the tab.) Since it is possible to prevent stress from concentrating on the tab of the connection part of the suspension lead, it is possible to prevent the semiconductor pellet from being cracked.
（２）、応力緩和部をタブとタブ吊りリードとの接続部
に形成された円弧部とすることにより、接続部の巾を拡
大することができるのでタブの熱膨張に伴う応力を分散
させることができる。(2) By making the stress relaxation part an arcuate part formed at the connection part between the tab and the tab suspension lead, the width of the connection part can be expanded, thereby dispersing stress caused by thermal expansion of the tab. I can do it.
（３）、応力緩和部をタブとタブ吊りリードとの接続部
に形成された巾広部とすることにより、前記（２）と同
様の理由により応力を分散させることができ（４）、応
力緩和部をタブ吊りリードの接続部近傍のタブに形成さ
れたスルーホールとすることにより、タブ吊りリードの
接続するタブ部のたわみによりタブの熱膨張に伴う応力
を吸収させることができる。(3) By making the stress relaxation part a wide part formed at the connection part between the tab and the tab suspension lead, stress can be dispersed for the same reason as in (2) above (4). By forming the relaxation portion as a through hole formed in the tab near the connecting portion of the tab suspension lead, stress caused by thermal expansion of the tab can be absorbed by the deflection of the tab portion to which the tab suspension lead is connected.
（５）、タブとタブ吊りリードとの接続部を円弧形状に
することにより、該リードフレームの製造に用いるプレ
ス金型の核部の摩耗を減少させることができるので、結
果としてリードフレームのコストを低減することができ
る。(5) By making the connection part between the tab and the tab suspension lead into an arc shape, it is possible to reduce the wear of the core part of the press die used to manufacture the lead frame, resulting in a reduction in the cost of the lead frame. can be reduced.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
たとえば、応力緩和部は実施例に示したものに限るもの
でなく、ロック部の内側に同目的のために設けた構造で
あれば如何なるものであってもよいことはいうまでもな
い。For example, the stress relaxation part is not limited to that shown in the embodiments, and it goes without saying that any structure may be used as long as it is provided inside the lock part for the same purpose.
また、タブ吊りリードのロック部としてはスルーホール
についてのみ説明したがこれに限るものでなく、パフケ
ージ樹脂をからませてタブ吊りリードのずれを防止でき
るようにした凹部や凸部を持つような構造であれば如何
なるものであってもよい。In addition, although we have only described a through hole as the lock part of the tab suspension lead, it is not limited to this, but a structure with a concave or convex part that can be entangled with puff cage resin to prevent the tab suspension lead from shifting. It may be anything.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるＤＩＰ型
の樹脂封止型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定され、るものではなく、たとえば、フ
ラットバ、ケージ型等のパフケージが樹脂モールドで形
成される半導体装置であればいかなるものについても適
用して有効な技術である。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to a so-called DIP type resin-sealed semiconductor device, which is the background field of application, but the invention is not limited thereto. For example, this is an effective technique that can be applied to any semiconductor device in which a puff cage such as a flat bar or cage type is formed by resin molding.
第１図は本発明による実施例１である半導体装置に適用
されるリードフレームの拡大部分平面図、第２図は本実
施例１の半導体装置を示す概略断面図、
第３図は上記半導体装置に通用されるリードフレームの
一単位を示す概略部分平面図、第４図は本発明による実
施例２である半導体装置に適用されるリードフレームの
拡大部分平面図、第５図は本発明による実施例３である
半導体装置に適用するリードフレームの拡大部分平面図
である。
１・・・外枠、２・・・仕切枠、３・・・タブ、４・・
・タブ吊りリード、５・・・スルーホール（ロック部）
、６・・・タイバー、７・・・リード、８・・・円弧部
（応力緩和部）、９・・・半導体ベレット、１０・・・
金−シリコン共晶、ＩＩ・・・バフケージ樹脂、１２・
・・巾広部（応力緩和部）、１３・・・スルーホール（
応力緩和部）、１４・・・はり部。
第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図
第 ４ 図
４マ
第 ５ 図FIG. 1 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the semiconductor device of the first embodiment, and FIG. 3 is a diagram of the semiconductor device described above. FIG. 4 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic partial plan view showing one unit of a lead frame used in the present invention. FIG. 7 is an enlarged partial plan view of a lead frame applied to a semiconductor device according to Example 3; 1... Outer frame, 2... Partition frame, 3... Tab, 4...
・Tab suspension lead, 5...Through hole (lock part)
, 6... Tie bar, 7... Lead, 8... Arc part (stress relaxation part), 9... Semiconductor pellet, 10...
Gold-silicon eutectic, II... Buff cage resin, 12.
...Wide part (stress relaxation part), 13...Through hole (
stress relaxation part), 14...beam part. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
合を強めるように作用するロック部が形成され、該ロッ
ク部とタブ部との間に応力緩和部が形成されてなること
を特徴とするリードフレーム。 ２、上記ロック部がタブ吊りリードに形成されたスルー
ホールであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のリードフレーム。 ３、上記応力緩和部が、タブ吊りリードの上記タブ部に
接する部分に形成された円弧部からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ４、上記応力緩和部が、タブ吊りリードの上記タブ部に
接する部分に形成された巾広部からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ５、上記応力緩和部がタブ吊りリードの近傍のタブ部に
形成されたスルーホールによって構成されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム
。 ６、タブ吊りリードの一部に該タブ吊りリードと封止樹
脂との結合を強めるように作用するロック部が形成され
、かつ半導体ペレットが取り付けられるタブ部と該ロッ
ク部との間に応力緩和部が形成されたリードフレームを
用いて樹脂封止により製造されてなることを特徴とする
半導体装置。 ７、上記ロック部がタブ吊りリードに形成されたスルー
ホールであることを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の半導体装置。 ８、上記応力緩和部が、タブ吊りリードの上記タブ部に
接する部分に形成された円弧部からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の半導体装置。 ９、上記応力緩和部が、タブ吊りリードの上記タブ部に
接する部分に形成された巾広部からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の半導体装置。 １０、上記応力緩和部が、タブ吊りリードの近傍のタブ
部に形成されたスルーホールによって構成されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の半導体装置
。[Claims] 1. A lock portion is formed on the tab suspension lead and acts to strengthen the bond between the tab suspension lead and the sealing material, and a stress relaxation portion is formed between the lock portion and the tab portion. A lead frame characterized by: 2. The lead frame according to claim 1, wherein the lock portion is a through hole formed in the tab suspension lead. 3. The lead frame according to claim 1, wherein the stress relaxation portion is formed of a circular arc portion formed in a portion of the tab suspension lead that is in contact with the tab portion. 4. The lead frame as set forth in claim 1, wherein the stress relaxation portion comprises a wide portion formed in a portion of the tab suspension lead that is in contact with the tab portion. 5. The lead frame according to claim 1, wherein the stress relaxation portion is constituted by a through hole formed in the tab portion near the tab suspension lead. 6. A lock part is formed on a part of the tab suspension lead and acts to strengthen the bond between the tab suspension lead and the sealing resin, and stress is relaxed between the tab part to which the semiconductor pellet is attached and the lock part. 1. A semiconductor device characterized in that it is manufactured by resin sealing using a lead frame having a portion formed thereon. 7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the lock portion is a through hole formed in the tab suspension lead. 8. The semiconductor device according to claim 6, wherein the stress relaxation portion is formed of a circular arc portion formed in a portion of a tab suspension lead that is in contact with the tab portion. 9. The semiconductor device according to claim 6, wherein the stress relaxation portion is a wide portion formed in a portion of a tab suspension lead that is in contact with the tab portion. 10. The semiconductor device according to claim 6, wherein the stress relaxation section is constituted by a through hole formed in the tab section near the tab suspension lead.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209951A JPS6271252A (en) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Lead frame and semiconductor device using the same |
| KR1019860007346A KR950000204B1 (en) | 1985-09-25 | 1986-09-03 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209951A JPS6271252A (en) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271252A true JPS6271252A (en) | 1987-04-01 |
Family
ID=16581365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209951A Pending JPS6271252A (en) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271252A (en) |
| KR (1) | KR950000204B1 (en) |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60209951A patent/JPS6271252A/en active Pending
-
1986
- 1986-09-03 KR KR1019860007346A patent/KR950000204B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950000204B1 (en) | 1995-01-11 |
| KR870003567A (en) | 1987-04-18 |
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