JPS6270739A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPS6270739A
JPS6270739A JP21164585A JP21164585A JPS6270739A JP S6270739 A JPS6270739 A JP S6270739A JP 21164585 A JP21164585 A JP 21164585A JP 21164585 A JP21164585 A JP 21164585A JP S6270739 A JPS6270739 A JP S6270739A
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JP
Japan
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wavelength
foreign matter
laser beam
inspected
incident
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Pending
Application number
JP21164585A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Ryoji Nemoto
亮二 根本
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP21164585A priority Critical patent/JPS6270739A/ja
Publication of JPS6270739A publication Critical patent/JPS6270739A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、パターン付きウェハ、ホトマスクなど、パ
ターンが形成された而の異物検査に好適な異物検査装置
に関する。
[従来の技術] 半導体デバイスの製造に用いられるウェハ、ホトマスク
などは、異物の何首を極度に嫌うため、異物検査装置を
用いて表面の′)υ物検査を行っている。
そのような異物検査装置として、ウェハ而(一般的には
被検査面)にS偏光ビームを照射し、つエバ而からの反
射光のP偏光成分を7u気信号に変換し、この電気信弓
−に基づきウェハ而における異物を検出する方式のもの
が知られている。
S偏光ビームの照射スポット内にパターンが存在しても
、そのパターンの而は微視的にl 滑であるため、反射
光は殆どS偏光成分だけである。これに対し、異物の表
面には一般に微小な凹凸があるため、照射スポット内に
異物が存在すると、照射されたS偏光ビームは散乱して
偏光面が乱れ、反射光には、P偏光成分がかなり含まれ
ることになる。したがって、P偏光成分の光電変換信号
をある閾値とレベル比較し、その閾値を光電変換信′−
)が−L回ったときに、異物と判定するようにすれば、
異物をパターンから弁別して検出できる。
[解決しようとする問題点コ しかし、このような従来の異物検査!A置は、パターン
付きウェハなどの異物検査を行うと、ウェハ而の一部で
検査結果が異常となり、そのウェハの検査を正常に行い
得ない場合があった。
[発明の[1的コ この発明の目的は、そのような問題を解決し、多様なパ
ターンを有する被4QA而に適用「’+f能な異物検査
装置を提供することにある。
[問題点を解決するためのP段コ 発明者の研究によれば、従来の異物検査装置において検
査が不可能になるのは、照射光ビームに対して、被検査
面」−のパターン列が回折格子として作用した場合であ
ることが判明した。ウェハなどでは、特定方向に微小パ
ターンが微小間隔で連続配列される場合が多いため、そ
のような回折現象が起こりやすい。
このような点に着目し、この発明は、被検査面に光ビー
ムを照射する照射系と、前記光ビームの反射光を受光し
、その反射光に基づき前記被検査面七の異物を検出する
検出系とを備える異物検査装置において、前記照射系は
2種以」−の異波長の光ビームを照射することができ、
前記検出系は前記2種以上の異波長の光ビームの中から
選択した特定波長の光ビームに対する反射光を質物検出
に利用するようにしてなるものである。
[作用コ ある波長で被検査面のパターン部分において回折現象が
起こっても、他の波長では回折現象が起こらなくなる。
したがって、+lf述のように照射系と検出系を構成す
れば、パターン列の回折作用による影響を同道して、様
々なパターンを有する被検査面の異物検査がIIf能と
なる。
[実施例コ 以ド、図面を参r!((L 、この発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。
第1図は、この発明が適用されたウェハ用異物検査装置
の機構部分や光学部分などの構成を簡略化して示す斜視
図である。この図において、l。
はX方向に摺動可能にベース12に支持されたXステー
ジである。このXステージ゛10には、ステッピングモ
ータ14の回転軸に直結されたスクリュー16が螺合し
ており、ステッピングモータ14を作動させることによ
り、Xステージ1oをX方向に進退させることができる
。工iはXステージlOのX方向位置Xに対応したコー
ド信シ」を発生スるリニアエンコーダである。
Xステージ10には、Zステージ20がZ方向に移動可
能に取り付けられている。その駆動手段は図中省略され
ている。また、2ステージ20には、被検査物としての
ウェハ30が載置される回転ステージ22が回転II工
能に支持されている。
この回転ステージ22は、直流モー924と連結されて
おり、これを作動させることにより回転させられるよう
になっている。このモータ24には、回転ステージ22
の回転方向位置0に対応したコード信号を出力するロー
クリエンコーダが内蔵されている。
なお、ウェハ30は、回転ステージ22に負圧吸着によ
り位置決め固定されるが、そのための手段は図中省かれ
ている。
31は照射系でありる。この実施例では、照射系31は
、異波長のS偏光レーザ光ビームをウェハ而に同時に照
射する構成であり、S偏光レーザ発振Z32A、32B
とシリンドリカルレンズ36.38からなる。〜方のS
偏光レーザ発振器32Aはある波長λlのS偏光レーザ
光ビームを発生するもので、例えば波長が約8300オ
ングストロームの゛1′、導体レーザ発振器である。他
方のS偏光レーザ発振器34Bは、他の波長λ2のS偏
光レーザ光ビーt、を発生するものであり、例えば波長
が6328オングストロームのHe−Neレーザ発振器
である。
波長λlのS偏光レーザ光ビームは、Y方向よりウェハ
30の1−而に約2°の照射角度φでj;(1射される
。このように照射角度が小さいため、円形断面のS偏光
レーザ光のビームを照射した場合、ウェハ而におけるス
ポットが長く延びてしマイ、ヒ分な照射密度を得られな
い。そこでS偏光レーザ発振Z32A、32Bの前方に
シリンドリカルレンズ36を配置し、そのS偏光レーザ
光ビームをZ方向につぶれた扁平な断面形状のビームに
絞ってから、ウェハ而に照射するようにしている。
波長λ2のS偏光レーザ光ビームは、波長λlのS偏光
レーザ光ビームと反対方向から、ウニノル面に対し約2
@のに1射角度φで照射される。このS偏光レーザ光ビ
ームも、シリンドリカルレンズ38によりZ方向に絞ら
れてから、ウニ/%面に照射される。
40は検出系である。各S偏光レーザ光ビームに対する
ウェハ而からのZ方向への反射レーザ光は、対物レンズ
44を介して検出系40に入射する。この入射光はスリ
ット46を経由し、波長分離用のダイクロイックミラー
48に達する。波長がλlの反射レーザ光は、ダイクロ
イックミラー48によりS偏光カットフィルタ(偏光板
)50側へ反射される。波長がλ2の反射レーザ光は、
ダイクロイックミラー48を透過してS偏光カットフィ
ルタ54に入射する。
S偏光カットフィルタ50は、入射レーザ光のP偏光成
分だけを透過してホトマルチプライヤ52へ入射せしめ
る。同様に、S偏光カットフィルタ54は1、入射レー
ザ光のP偏光成分だけをホトマルチプライヤ56に入射
させる。各ホトマルチプライヤは、その入射レーザ光の
強さに応じた電気信号(検出信号)を出力する。この信
号は、検出系40の信−ノ・処理部(第2図)に人力さ
れる。
ここで、異物検査は、前述のようにウェハを回転させつ
つX方向(゛1′径方向)に送りながら行われる。・そ
のようなウェハ30の同転移動に従い、S偏光レーザ光
のスポットはウェハ30の[−而を外側より中心へ向か
って螺旋状に移動する。スリット46の視野は、常にそ
のスポット内に含まれ、スポットに追従して移動する。
すなわち、ウェハ而は螺旋走査されながら検査される。
第2図は、検出系40に含まれる信号処理部のブロック
図である。この図において、前記ホトマルチプライヤ5
2.58の出力信号は、増幅器100.102により増
幅されて、スイッチ回路104に人力される。このスイ
ッチ回路104は、2つの入力信号の中から、図示しな
いデータ処理システムにより制御される選択信号SEL
に従って・方の大カイハ号・を選択し、それを比較回路
106に送る。つまり、このスイッチ回路104により
、一方の波長のS偏光レーザ光ビームに対する反射光が
、異物検査のために選択利用されることになる。比較回
路106は、人力信−」・のレベルを特定の閾値と比較
し、その閾値以l−のレベルの人力信号を!j、えられ
た時に論理“1”レベルの信−3・を出力する。この信
シlは、データ処理システムに人力される。
なお、前記リニアエンコーダ18およびロータリエンコ
ーダの出力信号も、そのデータ処理システムに人力され
る。
以l−の構成の異物検査装置の異物検査動作を説明する
。まず、データ処理システムの制御ドにおいて、前記螺
旋走査を行うようにモータ14,24が駆動され、検査
が始まる。
走査点からの反射光が、波長分離され、各波長の反射光
のP偏光成分が抽出されてホトマルチプライヤ52.5
8により光電変換される。ホトマルチプライヤ52.5
6の出力信号のうち、選択信号SELで指定された一方
の信げがスイッチ回路104を介して比較回路106に
入力される。
ある大きさ以上の異物が走査点に異物が存在している場
合、選択されて比較回路106に人力された信弓・のレ
ベルが閾値以1・、となり、比較回路106の出力信号
が“1”レベルになる。データ処理システム側では、比
較回路106から“1″信>、−を受けると、その走査
点に異物が検出されたと判断し、その時の走査位置情報
(x + 0)を内部メモリド、の異物テーブルに格納
する。
このようにしてウェハ而の検査が終了した後、または検
査の途中で、データ処理システム側で検出した異物の個
数などを調べ、その個数が異常に多い場合など、現在選
択している波長で回折現象が起こっている可能性があれ
ば、あるいは、オペレータによりデータ処理システムに
波長の切替が指示されると、データ処理システム側で選
択信号・SELにより他方の波長の選択をスイッチ回路
104に指示するとともに、走査点を初期位置へ移動さ
せる制御を1テい、同ウェハに対する異物検査を改めて
実行させる。
このように、−・方の波長でパターン列が同折格rとし
て作用し、検査が不1’lJ能な場合、波長を切り替え
て検査を11うことができる。パターン列が回折を起こ
すか否かは、波長に関係するから、波長切り替えにより
、回折現象の影響を回避し、屯営な異物検出がI14能
となる。
第3図および第4図により、この発明の他の実施例を説
明する。なお、第3図および第4図において、第1図お
よび第2図と同様部分には同一符号が付されるいる。
この実施例においては、第3図に示すように、反射レー
ザ光は、波長分離されることなく、S偏光カットフィル
タ54に入射し、そのP偏光成分が抽出されてホトマル
チプライヤ56に入射せしめられる。その代わり、λl
波長のS偏光レーザ光ビームと、λ2波長のS偏光レー
ザ光ビームは、−・方だけが選択的に照射される。この
ようなS偏光レーザ光ビームの選択照射は、S偏光レー
ザ発振器32A、32Bを選択的に動作させることによ
り行われるが、各S偏光レーザ光ビームの照射経路中に
、遮光板などを介在させるなどの方法により行うことも
できる。
信づ・処理部について説明すれば、第4図に示すように
、ホトマルチプライヤ56の出力信号は、増幅器102
によって増幅された後、レベル比回路106に人力され
る。この実施例では、照射系31側で・方の波長のS偏
光レーザ光ビームを選択して照射するので、検出系40
の信ぢ・処理部側では、自動的に利用波長が決まるため
、前記実施例におけるスイッチ回路104のような選択
手段は設けられていない。
なお、この発明は前記各実施例たけに限定されるもので
はなく、適宜変形して実施し得るものである。
例えば、3種以」二の波長に切り替え得るようにしても
よく、その波長選択の方式も適宜変更してよい。
ホトマルチプライヤは、他の光電変模索rにより置き換
えることもできる。
光電変換信Sjのレベル比較をデータ処理システム側で
ソフトウェアにより実行してもよい。
検査のための走査は螺旋走査に限らず、直線走査として
もよい。但し、直線走査は走査端で停車するため、走査
時間が増加する傾向があり、また、ウェハのような円形
などの被検査面を走査する場合、走査端の位置制御が複
雑になる傾向がある。
したがって、ウェハなどの異物検査の場合、螺旋走査が
一般に有利である。
また、偏光レーザ光以外の光ビームを利用する同様なウ
ェハ用異物検査装置にも、この発明は適用iII能であ
る。
さらに、この発明は、ウェハ以外の被検査物、例えばマ
スク、レチクル、ペリクル膜などの異物を検査する装置
にも適用できるものである。
[発明の効果] 以−1−詳述したように、この発明によれば、照射系は
2種以上の異波長の光ビームを照射することができ、検
出系は前記2種以−11の異波長の光ビームの中から選
択した特定波長の光ビームに対する反射光を異物検出に
利用するように構成されるため、ある波長が選択された
時に被検査面のパターン部分において回折現象が起こっ
ても、他の波長が選択された時には回折現象が起こらな
くなるから、パターンの回折作用による影響を回避し1
常な〃S物検りを?I’うことができ、しかして様々な
パターンを有する被検前曲の異物検査に適用IIJ能な
異物検杏装置を実現できる。
4、図面の曲中な、iQ IIJI 第1図はこの発明の・実施例の1:、要部の構成を示す
概略斜視図、第2図は同実施例の信号処理部のブロック
図、第3図はこの発明の他の実施例のL’、’a部の構
成を示す概略斜視図、第4図は同地の実施例の信号処理
部のブロック図である。
10・・・Xステージ、14.24・・・モータ、22
・・・回転ステージ、30・・・ウェハ、31・・・照
射系、32A、32B・・・S偏光レーザ発振器、40
・・・検出系、44・・・対物レンズ、46・・・スリ
ット、50゜54・・・S偏光カーy トフィルタ、5
2.56・・・ホトマルチブラフイヤ、104・・・ス
イッチ回路、106・・・比較回路。
第1図 +00 第 3 図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査面に光ビームを照射する照射系と、前記光
    ビームの反射光を受光し、その反射光に基づき前記被検
    査面上の異物を検出する検出系とを備え、前記照射系は
    2種以上の異波長の光ビームを照射することができ、前
    記検出系は前記2種以上の異波長の光ビームの中から選
    択した特定波長の光ビームに対する反射光を異物検出に
    利用することを特徴とする異物検査装置。
  2. (2)前記照射系は異波長の2つ以上の光ビームを同時
    に被検査面の同一の点に照射し、前記検出系は前記点か
    らの反射光を波長毎に分離して受光することを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の異物検査装置。
  3. (3)前記照射系は各波長の光ビームを選択的に照射し
    、前記検出系は前記照射系により選択的に照射された光
    ビームの反射光を異物検出に利用することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の異物検査装置。
  4. (4)前記光ビームはS偏光ビームであり、前記検出系
    は反射光のP偏光成分を抽出して光電素子に入射させる
    手段と、前記光電素子の出力信号のレベルによって異物
    の有無を判定する出力とを備えてなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれか1項に記
    載の異物検査装置。
JP21164585A 1985-09-25 1985-09-25 異物検査装置 Pending JPS6270739A (ja)

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