JPS6270591A - 電鋳、電鍍工程用めつき誘起応力制御装置および方法 - Google Patents

電鋳、電鍍工程用めつき誘起応力制御装置および方法

Info

Publication number
JPS6270591A
JPS6270591A JP61166868A JP16686886A JPS6270591A JP S6270591 A JPS6270591 A JP S6270591A JP 61166868 A JP61166868 A JP 61166868A JP 16686886 A JP16686886 A JP 16686886A JP S6270591 A JPS6270591 A JP S6270591A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
current
stress
cathode
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61166868A
Other languages
English (en)
Inventor
ロナルド・ダブリュー・ジョージ
ジェームズ・ジー・オゥマート
カート・エイチ・アールスバージェー
ローレンス・エル・マイショード
ダレル・イー・エンゲルハゥプト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Martin Marietta Corp
Original Assignee
Martin Marietta Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Martin Marietta Corp filed Critical Martin Marietta Corp
Publication of JPS6270591A publication Critical patent/JPS6270591A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属表面を正確にNHし、またはめつきするた
めの工程に関する。具体的には、めっきまたは電鋳され
つつある物体の表面上にめつぎ中または電鋳中に発生す
る応力を正確に監視し、この監視された応力に応じて電
着工程を制御するための装置及び方法が開示される。
導電体の表面を金属被覆するための電鋳法及び電気めっ
き法は当業者にとって周知である。光学技術において、
長期間にわたって安定なマスターマンドレル(主心棒)
の表面精度を有する金属表面を再生することが望ましい
電鋳法はマンドレル上に所要の金属を電着することによ
って部品を製作する、゛精密成形工作技法である。その
時、この電気めっきされた金属を所要の肉厚に肉盛りし
てマンドレルから分離する。
一方弁の25ミリ(1万分の1インチ)の精度の寸法を
有する精密機械部品を製作するための従来の°電鋳法は
公知である。しかし光学部品の電鋳は0、000152
麿(0,000006インチ)の表面精度を生ずること
のできる工程を必要とする。これまで、電解槽の化学的
性質の変化のためにこのような表面精度を得ることは不
可能であった。この電気化学的変化中に生ずる電着はめ
つきされる物体の表面上のめつき誘起応力の変化を惹き
起こす。物体上のめっき応力の変化は不均一にめっきま
たは電鋳された部品を生ずる。
従来技術において、電気めっき処理中に形成された堆積
金属の内部応力状態を測定するための装置が開発された
。ブレナー・アンド“・センダロフ(Brenner 
& 5cndcroff)のスパイラル・コントラクト
メータ(螺旋収縮計)として知られる、そのような装置
では継続する電気めっき作業中に抜取り検査しかできな
い。
よって抜取り検査の中間では金属電着工程中に生ずる応
力の指示がなく時間が経過する。光学部品の精度が得ら
れる程に充分な電気めっき作業の制御は抜取り検査では
得られない。
電気めっきされた物体が受承した堆積金属の内部応力状
態を継続的に監視することが本発明の一目的である。
電気めっきされた物体に電着された金属の内部窓ツノ状
態をゼロにづるやり方で電気めっきまたは電鋳の工程中
の電流を動的に制′nすることが本発明のいま一つの目
的である。
光学的結像の用途に充分な表面公差を有する光学部品を
製作するために電鋳工程中の電着パラメータを制御する
ことが本発明の、より具体的な目的である。
上記その他の目的は本発明による方法及び装置によって
実現される。電鋳されつつある物体上の内部応力が継続
的にストレンゲージによって監視される。ストレンゲー
ジは、電鋳または電気めっきの工程中に第2の陰極とし
て使用される金属リセプタを含む。陽極とめっきされて
いる物体との間の別個に制御自在である電流とは異なる
、別個のめっき電流が陽極と第2の陰極との間に供給さ
れる。第2の陰極上の応力がストレンゲージ変換器を金
属リセプタに結合するリンクを介して測定され、所要の
めつき応力からの応力の偏差が測定される。陽極と第1
及び第2の陰極との間のめつき電流が、所要の応力状態
を(qるように金属リセプタ上の内部窓ツノ測定値に従
って調整される。
本発明の望ましい実施例による電鋳工程において、一本
の共通の陽極と表面に電鋳すべきマンドレルとの間に第
1の電源を接続し、その陽極とストレンゲージ変換器に
結合された金属リセプタとの間に第2の電源を接続する
。各電源及びストレンゲージ読み出し回路にデータ取得
マイクロコントローラが接続される。マイクルコンピュ
ータがデータ取得マイクロコントローラに接続され、該
マイクロコントローラを介して各電源により供給される
、金属リセプタと電鋳される表面との相対面積に比例す
る電流を制御する。マイクロコンピュータは金属リセプ
タとマンドレルの電着応力をゼロにするように、2つの
電源の所要の電流比を維持り゛る。所要のアンペア時の
電着が行われて、所要の金属電着厚さが得られたことが
示された時にめっき作業を終るようにマイクロコンピュ
ータをプログラムすることができる。主電流、ゲージ電
流、測定内部応力及び温度のような種々のめつきパラメ
ータの読取りも望ましい実施例に含まれる。
内部応力をフォイル抵抗型ストレンゲージにより監視す
るのが有利である。このストレンゲージは金属リセプタ
に平行に配設されたキャリヤに結合される。キャリヤの
両端は金属り廿ブタに堅固に連結される。金属リセプタ
とキャリヤの両端の中間にある応力伝達リンクは電気め
っき材によってリセプタにかC)られる力をキャリヤに
伝達する。
フォイル抵抗型ストレンゲージは゛電気めっきの結果、
生ずる応力の指示を与える。陽極と第1及び第2の陰極
との間の電流が、応力を公称レベルに保つためにこの応
力測定値に従って制御されることができる。
以下に添付図面を参照しつつ、実施例により本発明をよ
り詳細に記載する。
第1図を参照すると、めっきされる物体上に金属材をめ
っぎづることによって誘起される応力を測定するための
装置が図示される。さらに第1図は物体上に受承された
金属電着物の誘起応力を監視することによって電気めっ
き電流を制御2(lする体系を開示1′る。第1図の体
系は精密マンドレル(13)の表面に精密光学鏡を電鋳
するのに使用して成功をJ3さめた。
第1図の方式は電気めっき溶液を入れたタンク(10)
を右する電気めっき工程に使用される。この溶液は当業
者にとって公知のように、電気めっき槽(11)として
示されるサルファメート・ニッケルのめっき溶液である
ことができる。望ましい溶液はつぎの組成を有する: 1、無水ニッケル・スルフアメ−1〜 43.60110al(327o/l)2、金属ニッケ
ル 10.20Z/gal(76g/l)3、はう酸 
    4.50Z/gal(33,75!J/I)4
、腐食剤     0.402/gal(3,0g/l
)5、ビット防止剤 0.0507/c+al(0,3
8d/l)6、1,3,6.ナフタリン・トリスルフォ
ンl (NTS八)ゼロ応力に必要な龜1 7、液状腐食添加剤 2.560Z/aal(20,0
d/l)ニッケル・スルファメートの電鋳槽は電着され
たニッケルの中の応力を減ずる公知の正確に監視された
添加剤を含む。■ナツカリン、ナフタリン・ジスルフォ
ン酸及びトリスルフォン酸のような添加物が一般的であ
る。
タンク(10)の中に陽極(12)が配設される。、陽
極(12)の隣りに陰極を構成する、電気めっきされる
物体(13)または電鋳表面を形成すべきマンドレルが
ある。長時間にわたる電気めっき中の温度変化を監視す
るために温度検知部(23)が電気めっき槽(11)の
中に配設される。温度検知部(23)は処理過程中の電
気めっき槽(11)の温度の監視を可能にする。精密な
4度を維持するために検知部(23)と共に温度コント
ローラが用いられる。この電気めっき工程はまた添加剤
及びスルファメート・ニッケルめっき工程によくあるア
ゾジスルフオネート(azod i su l fon
ate)のような自然に形成される酸化または還元生成
物を精密に監視する。電気めっき溶液のこれらその他の
含有物の正確な制御を与える微小パルス・ポーラログラ
フィーがその一方法である。マンドレル(13)を掃除
して、’tRgRされた電着物を取外すことができるよ
うに電鋳作業の前処理を行う。マンドレル表面は精密な
鏡を電鋳し得るような光学的公差を有する。
本発明によれば、ゲージ(16)が電気めつき槽内に配
設される。ゲージ(16)はストレンゲージ・キャリヤ
(19)から隔置された金属リセプタ(17)を右する
。金属リセプタ(17)は両端にてストレンゲージ・キ
ャリヤ(19)に連結される。力伝達リンク(21)が
ほぼ中央の位置にて金属リセプタ(17)とストレンゲ
ージ・キャリヤ(19)を連結する。電気めっき槽(1
1)に入れる前にマンドレル(13)のように金属リセ
プタを掃除する。この形態は無関係な読取り誤差を無く
する最適設計である。
陽極(12)と陰極(13)の間に主電源(15)の正
端子(15a)と負端子(15b)が接続される。主電
源(15)は電気めっき槽(11)を通って陽極(12
)と陰極(13)の間に伝導される電気めっき電流を供
給する。
同様にゲージ電源(18)が正端子(18a)及び負端
子(18b)を介して陽極(12)と金属リセプタ(1
7)の間に接続される。この別個のゲージ電源(18)
によって、金属リセプタ(17)へ別個のめつき電流を
供給することが可能となる。陰極(13ンと、当業者に
とって自明のように第2の陰極として機能する金属リセ
プタ(17)と、のそれぞれのめつき電流はそれらの面
積に比例する呼称値をとるように選ばれる。
めっき電流はめつきされる表面の1平方吋当り約062
アンベヤ(0103Bmp/ cti )になるように
選ぶのが有利である。金属リセプタ(1γ)は、電気め
っき工程中に金属電着物を受承する時、力伝達リンク(
21)を介してストレンゲージ・キャリヤ(19)に力
を伝える。ストレングージ・キャリヤ(19)はストレ
ンゲージ指示計(25)によって読取られるのが便利で
ある。よって、金属リセプタ(17)上の金属電着物に
よって誘起される応力を監視することにより、電気めっ
きされるべき問題の実物を構成する陰極(13)上の金
属電着物から生ずる等しい応力を測定することが可能と
なる。
力伝達リンク(12)を介して金属リセプタにストレン
ゲージ・キャリヤ(19)を結合することは、単一素子
のひずみ測定装置を用いる時に生ずる無関係な信号を大
幅に減ずるという補足的な利点を与える。
電源(15,18)は公知の型式のもので、例えば主電
源(15)の場合はヒユーレット・パラカード(Hew
lett Packard)6295Bで、ゲージ電源
の場合はヒユーレット・パラカードHP6433Bであ
る。これらの電源は各々制御入力(15c、 18c)
を有し、それにより、めっき電流を正確に制御し得るよ
うに端子(15a、 15b)間及び端子(18a、 
18b)間の電流供給を設定することができる。ブ〔コ
グラム自在の電源の他の銘柄も使用し1nる。
ストレンゲージ指示計(25)はキャリヤ(19)上に
あるフォイル抵抗型ストレンゲージ・ブリッジから生ず
る信号をストレンゲージ・キャリヤ(19)から受ける
。後で第2図を参照する時、このことはより明らかとな
るであろう。ストレンゲージ・ブリッジにより発生する
抵抗の微変化がストレンゲージ指示計(25)の中でア
ナログ電圧値に変換される。利用可能のス1〜レンゲー
ジ指示計の一つは計測技術の当業者にとって公知の、B
LHエレクトロニツクス社(BLtl Electro
nics Company)の製作なるタイプBLH5
100である。前記型式のストレンゲージ指示計(25
)はストレンゲージ・ブリッジが測定する引張りまたは
圧縮応力を示すアナログ出力電圧(25b)を与える。
データ取得マイクロコントローラ(30)はI10ボー
ト(27a)を介してマイクロコンピュータ(27)と
インターフェースを与えるアナクロ/デジタル変換器を
含む。
温度指示コントローラ(31)は温度検知部(23)に
接FAされて、電気めっき槽(11)の温度を示ず信号
を与えると同時に沈漬ヒーター(33)を制御する。
槽温度は43.3±05℃に維持されるのが望ましい。
ストリップ・チャート・レコーダ(32)は入力として
、ストレンゲージ指示計(25)からの内部応力信号と
同時に、温度指示計(31)の出力信号を受取る。よっ
て、レコーダ(32)は温度及び主めっき電流の関数で
あると同時にゲージ電流の関数としてのゲージ電着物内
部応力の実時間指示を与える。
この記録から、典型的な製造作業中の電気めっき工程の
性能を目視監視することができる。
ゲージ電流及び主電流の双方の制御はヒユーレット・パ
ラカード社の製作になるHPQ826であることもでき
るマイクロコンピュータ(27)により行われる。作業
化は始動電流密度(アンベヤ/平方吋)、陰極(13)
とリセプタ(17)の表面面積比、及び主電源電流のア
ンベヤ時で表した運転時間長さを含む工程制御パラメー
タをコンピュータに投入する。20分間の陰極(13)
及びリセプタ(17)の温度常態化時間の後、コンピュ
ータ(27)は60秒間にストレンゲージ指示計出力(
25b)を油出する。抽出] で表される系統的サンプル(systematic s
ample)であることができ、サンプルの分散は、Σ
(Xi−夏> 2/(n−1) このサンプル分散がストレンゲージに及ぼず撹拌及び温
度のバイアス効果をゼロにするために、常態化応力を決
定する。
常態化の後、ゲージ電源は規定始動電流に設定され、主
電源(15)は該始動電流と陰極(13,17)の面積
比との積である電流に設定される。マイクロコンピュー
タ(27)は金属リセプタ(17)及び陰極(13)が
表す面積によって加重される並列の出力(30a、 3
0b)を与える。コンピュータ(21)により計算され
る、相対的電源電流を表すこれらの加重値を用いて、ゲ
ージ電源電流及び主電源電流の制御を行うことが可能と
なる。これもヒユーレット・パラカード社で製作される
HPマルチプログラマ6942Aであることができるデ
ータ取(qマイクロコントローラはゲージ電源(18)
及び主電源(15)への制御入力(18c、 15c)
の間のインターフェースを与える。これらの制御入力は
、金属リセプタ(17)上の検知された応力に応じて、
ゲージ電源(18)及び主電源(15)を通る電流を比
例的に増減づる。よって、陽極(12)と陰極(13)
及び、電気めっき工程中に陰極としても機能する金属リ
ヒブタ(17)との間を流れる電流は金属リセプタ(1
7)上の金属電着物から生ずる検知された応力に従って
維持されることができる。
主電源(15)及びゲージ電源(18)は最初に、スト
レンゲージ指示計(25)で読む応力が望ましくはぜ口
となるようなレベルに設定される。これを公称ひずみと
して用いて、−L’J性のあるめっきが達成されること
が実際に判った。もちろん適切であれば、主電源(15
c)及びゲージ電源(18c)の公称電流の供給を適当
に調整して、ゼロ以外の公称応力を選ぶことができる。
ストレンゲ〜ジ指示計(25)の出力信号、コンピュー
タ(27)、及びデータ取得マイクロコントローラ(3
0)はこのようにして、金属リセプタ(17)上の金1
i17fi着物を選ばれた公称応力の範囲内で生成する
ようなレベル以下にめっき電流を維持する。
ストレンゲージ出力電圧を監視して電源を調節づる過程
は所要の電着厚ざに相当づる所要の総7ンペV時が経過
するまで続く。その時点で、コンピュータは°電源(1
5,18)を切る。
つぎに第2A図及び第2B図を参照すると、本発明の望
ましい実施例によるゲージ(16)の細部が図示される
。ゲージ(16)は第1図のタンク(10)のカバー(
35)をt′lいて延在する1対のステンレスの導管(
37,38)を含む。延在する導管(37,38)は各
々の一端に切込み(37a、 38a)を右する。各ス
テンレス導管の切込み(37a、38a)は金属リセプ
タ(17)及び類似のストレンゲージ・メタル・キャリ
ヤ(39)を受承する。金属リセプタ(17)及びスト
レンゲージ・メタル・ギヤリヤ(39)を固定保持する
ために導管(37,38)は切込み(37a、38a)
の区域でかしめられている。金属リセプタ(17)及び
ストレンゲージ・メタル・キャリヤ(39)はほぼ等し
い表面面積を有するステンレスの薄板である。
金属リセプタ(17)及び導管(37)のかしめ端の組
合せは室温加流される(RTV)自然加流ゴムまたは同
等の絶縁性キャリヤ(40)により支持される。絶縁性
キャリヤ(40)はストレンゲージ・キャリヤ(19)
に面した金属リセプタ(17)の側面を蔽うように成形
される。金属リセプタ(17)の反対側面に成形縁(4
0c)が付く。第2B図に示すように、金属リセプタ(
17)の露出区域が設けられる。よって、導管(37)
と陽極(12)の間に適当な電圧がかけられて金属リセ
プタ(17)が陰極になると、金属り廿ブタ(17)の
露出表面区域は電気めっき材の電着を受承する。リセプ
タとゲージ素子を絶縁することにより、無関係の信号を
除去する。
導管(37,38)はステンレス鋼の締め構造体(43
)及び連合する締め具(44,45)により結合される
締め構造体(43)は、ステンレスの導管(37,38
)の半径に等しい半径を有する1対のみぞ(43a、 
43b)を両端に有するステンレス棒を含む。締め具(
44゜45)も導管(37,38)の半径にほぼ等、し
い半径のみぞを有する。ファイバーグラスのインサート
(46゜47)が導管(37,38)の上にかぶせられ
て、締め構造体(43)のみぞ及び締め具(44,45
)のみそに絶縁性を与える。締め構造体(43)にある
ねじ部の中に受承される締めねじ(48,49)によっ
て締め具(44゜45)が固定される。このように、導
管(37,38)はその上端において締め具(44,4
5)及び締め構造体(43)により、相互に対して水平
に固定される。
ストレンゲージ・メタル・キャリヤ(39)はマイクロ
メジャメント・デビジョン社(Micro  Heas
urcment Division  Company
)の製作になるタイプHA06062^KAの抵抗型ス
トレンゲージのようなストレンゲージ・ブリッジを含む
。これらのストレンゲージ・ブリッジはストレンゲージ
・キャリヤ(39)の後側にエポキシ接着され、導体の
対(51)を介してプラグ部材(51a)に電気接続さ
れる。ストレンゲージ・メタル・キャリヤ(39)、ス
トレンゲージ・ブリッジ(50)または導管(38)の
どの部分も電気めっき槽に露出されないように、ストレ
ンゲージ・メタル・キャリヤ(39)はI’tTVハウ
ジング(52)の中に収容される。
ハウジング(52)及び絶縁性キャリヤ(40)の成形
中に、該キャリヤの中に鋳込まれて補足の連結点(40
a、 40b)が設けられる。同様にRTVハウジング
(52)の中に鋳込まれて連結点(52a、 52b)
も設けられる。これらの連結点は滑動テフロン・リンク
(53)及び力伝達リンク(21)によって結合される
金属リセプタ(17)及びストレンゲージ・メタル・キ
ャリヤ(39)の他端はHl 動テフロン・リンク(5
3)により堅固に固定される。テフロン・リンク(53
)は2つの側面に・2本の補足的な補強桿(54゜55
)を入れるみぞ(53a、 53b)を含む。補強桿(
54゜55)はステンレス鋼であり、締め構造(43)
の間口部(43C,43d)に受承される。構造要素の
熱膨張系数の違いによる見かけの応力を除去りるために
類似金属の堅固な要素を使用する必要がある。テフロン
滑動リンク(53)は金属リセプタ(17)及びストレ
ンゲージ・メタル・キャリヤ(39)の端部の間の垂直
移動を可能にするが、水平移動を制御する。
テフロン・リンク(53)はRTVハウジング(52)
と金属リセプタ絶縁ギヤリヤ(40)に鋳込まれた連結
点(52b、 40b)により結合される。
電気めっき中、ど、I管(37)と陽極(12)の間の
電圧が充分に高い時に、めっき溶液に露出された金属リ
セプタ(17)上に金属゛電着物が形成される。電むの
結果、金属リセプタ(17)上に蓄積した応力はリンク
(21)を介してRTVハウジング(52)に、さらに
はストレンゲージ・メタル・キャリヤ(39)に伝達さ
れる。そのように伝達された力は導体対(51)の間に
現れる抵抗の変化としてストレンゲージ・ブリッジ(5
0)により測定される。プラグ部材(51a)は第1図
のストレンゲージ指示計(25)に受承される。ステン
レス鋼桿(54,55)は締め構造(43)及び滑動テ
フロン・リンク(53)と連合して、金属[を物が発生
したほぼ全部の力が伝達リンク(21)を介してストレ
ンゲージ・キャリヤ(19)に伝えられるようにする。
つぎに第3A図、第3B図、第3C図及び第3D図を参
照づると、前記の本発明の実施例に対して工程制御を実
行するためのマイクロコンピュータ(21)のプログラ
ム・インストラクションのフローチャートが示される。
プログラミングは4つの基本部分を有する。■で示され
る第1の部分は準備部分である。コンピュータ・プログ
ラムのこの部分は電鋳工程を制御するために行うべき処
理性投入に関してシステム・オペレータに教える。電源
の始動電流及び所要の工程運転時間と共に、金属リセプ
タ(17)とマンドレル(13)の間の面積比の選択を
オペレータに可能にするメニューをこの部分に含む。準
備部分はまた全てのプログラム変数及びフラグをイニシ
アライズ(初期設定)する。
■はプログラムのイニシアライジング部分を表す。この
部分は全く繰返し制御の下にあり、検知応力を抽出し、
抽出した応力レベルから統計上の標準偏差を決定して、
電鋳方式の化学的性質が安定しているのでゼロ応力指示
計は受承した金属電着物の実際の応力状態の妥当な測定
を与えることを確認づる。体系の目標応力として役立つ
標準の公称応力値を導き出す。
■はプログラムの監視/制御部分を表す。この部分は条
件付きブランチング及びイベント開始プログラム制御の
双方を用いる。このブ[]ダラムの部分は継続的に応力
指示計出力を抽出し、試料上の応力を体系の目標応力に
できるだけ近く保つのに必要な電源電流を導き出す。
最後に■はこのコンピュータ・プfコグラムの報告部分
を表す。この報告部分は或る電鋳工程中に測定された関
係統計値のプリントアウトを与える。
第3A図を参照すると、コンピュータ・プログラムの準
備部分はスタート(開始)の指示(501)に始まる。
インストラクション(命令) (521)は残りのイン
ストラクションにおける全ての変数及びフラグをゼロに
設定する。ただしC−3ETPOINT及びT−3ET
POINTに設定する変数は除く。王は工程運転時間、
及びマイクロコンピュータ(27)に連合するハードコ
ピー・プリンタ上に工程統計としてプリントアウトされ
る秒数を制御する。C−3ETPOINT及びT−3E
TPONTはゲージ電源(18)に許される最高の圧縮
性電流及び最低の伸張性電流を制御する。
最大C−3ETPOINTは1.55アンベヤであり、
最小T−3ETPOINTは0.73アンベヤである。
変数及びグラフのイニシアリゼーションが完了した後、
データ取得マイク〔1コントローラの入力/出口(Il
o)ボートがサブルーチン(531)に従って設定され
、入力がマイクロ」ンピュータ(27)とインターフェ
ース1゛るように正しいフォーマットに設定されたこと
を立証するためにセルフチェックが行われる。デシジョ
ン(決定)ブロック(541)の結果はこれらのフォー
マットが正しく設定されたかどうか指示する。プログラ
ムのセルフテスト特性は単にI10ボートを通して既知
のテスト信号をコンピュータ(21)に入力し、その結
果を110ボートから読出して正しいインターフェース
のフォーマット設定を立証する。インストラクション(
581)において、方式が正しいフォーマットに設定さ
れたか否かをオペレータに指示する。
マイクロコンピュータ(27)によってセルフテストが
立証された時、段階(571)によって主工程゛電源ス
イッチを入れる。方式によるひずみ出力が一定であると
決定されるまでは、ゲージ′市源及び主電源は切ったま
まである。
オペレータは再び金属リセプタ(17)とマンドレル(
13)の面積比、及びアンベヤ時の運転時間を投入する
ように指示される。
段階(581)からのコンピュータ(27)モニター上
のメツセージはマンドレルを電気めっぎさ゛れる状態に
体系があることを示ず。第1図に示すようにマンドレル
が“電源に接続されて、統計、Fの母集団を構成する9
60個の継続サンプルとしてストレンゲージ指示計(2
5)の出力の繰返し抽出測定をコンピュータが行う。ス
トレンゲージ電流がインストラクション(59)におい
て読取られる。デシジョン・ブロック(61)にて決定
されることであるが、960個のストレンゲージ測定値
がとられた時、インストラクション(62)において、
次式によりサンプル標準偏差が計算される。
サンプル標準偏差がデシジョン・ブロック(63)で決
定されて、2mV 、 (ミリボルト)未満であれば、
プログラムは進行してこの値をストレンゲージ読みの目
標体系応力点として識別しIN IT、 CENSUS
 (イニシアル・センサス)の中にこの目標決定値を記
憶させる。後のひずみ測定値はこの値に比較される。標
準偏差がデシジョン・ブロック(63)の限界内に入ら
なければ、INIT、CENSUSをゼロに設定して第
2の母集団のサンプルを採って再び標準偏差を計算する
。2つの母集団の抽出を2回行った後で標準偏差がデシ
ジョン・ブロック(63)の限界内に入らなければ、決
定ブロック(65)はストレンゲージの誤りを示し、精
密部品を電鋳し得る程充分分にストレンゲージ測定値が
信頼性をイアする点まで方式が安定していないことを示
すために、段階(581b)においてオペレータへのメ
ツピーシ指示をディスプレーする。
工程のイニシアリゼーションが完了した場合、インスト
ラクション(67、68)により、運転時間、前記の面
積比、及び電鋳されつつある特定物品の部品番号のよう
な工程パラメータを投入づるようにオペレータに指示す
る。
オペレータが要求されたパラメータを投入した後、もう
一つのデシジョン・ブロック(70)がこれらのパラメ
ータは工程の予定限界内に入っているかどうか決定する
つぎに第3B図を参照すると、プログラムの監視・制御
部分■の初めの部分をなす1組のインストラクションが
図示される。
最初のサブルーチン(72)はこのブ[コグラム部分の
電源設定部分である。ストレンゲージ電源はインストラ
クション(73)により公称電流に設定さ”れ、鏡型源
はインストラクション(74)により公称電流に設定さ
れる。工程の運転時間を追跡するようにインストラクシ
ョン(75)により工程時計を始動させる。
ひずみ測定は10秒間に62回抽取される。これら10
秒間の各々において採られたサンプルの全部の平均値が
一つのライン・セグメントの始めまたは終りを表ず点を
定義づる。
ひずみ測定の数値化された組X+ 、X2 、X3 、
  ・・・Xnの平均式は次式で表される。
] 平均値が蓄積するに従ってライン・セグメントの始点と
終点が形成される。第1の平均値は第1のライン・セグ
メントの始点となる。第2の平均値は第1のライン・セ
グメントの終点となる。一つのライン・セグメントの終
点を始点と比較することにより方向(ベクトル)の変化
を決定1ノることができる。つぎに、任意のライン・セ
グメントの終点は次のライン・セグメントの始点となる
工程の最初においては、コンバータ段階(76)は第1
のライン・セグメントの始点を第1の平均値に設定する
が、先行のセグメントがないからそれとは比較しない。
侵の記載で明らかとなるが、ストレングージ測定は10
秒間に62.5m5ec(ミリ秒)毎にとられる。
これらの測定値の10秒平均が一つのライン・セグメン
トの1個のデータ・ポイントを形成刃る。現在のセグメ
ントの終点を前のセグメントの終点に対して比較して、
体系の目標応力を達成する方向に応力が変化しているか
を見る。インストラクション(76)へ戻るプログラム
のエントリー・ポイントCは終りつつあるデータ・ポイ
ントの間でスロープが変わっていないと判った状態を表
づ。
デシジョン・ブロック(78)は経過時間の累L1を維
持し、工程の最初の1800秒間についてスl−レンゲ
ージ読み及び工程統計値をハードコピーの形で出力する
。1800秒が経過した後、バー・トコピー出力は終結
し、インストラクション(78)はインストラクション
(19)のコンピュータCRTに制御を戻して継続的な
工程のオンライン監視を行わせる。実際の運転時間が規
定運転時間に等しくなった時にデシジョン・ブロック(
80)は電鋳工程を終結する。運転時間が経過した場合
、インストラクション(82)において電源が切られ、
インストラクション(83)においてアラームが設定さ
れ、インストラクション(84)において工程統計値が
プリントアウトされる。これらの工程統計値は、第3B
図に示すように、体系オペレータに利用し得る数多くの
工程パラメータを含む。
運転中は、段階(86)においてひずみが62回/秒読
みとられ、サンプル平均値が次式により計gされる゛ 10秒間に相当する160個の読み(リンプル平均値)
の母集団が採られた後、へBSタイマー及び運転時間タ
イマーが更新される。ABSタイマー及び運転時間タイ
マーはソフトウエヤの時計(87,88)である。AB
Sタイマーはストレンゲージ出力信号の読みが取られる
時間である10秒間隔を与える。
160個の読みのf(i集団の終りに、母集団の平均値
がインストラクション(90)において次式により4算
される: μ−ΣXi/ n またナンブル分散が次の量だけ修正される:Σ(Xi−
μ)/n ただし、μは母集団の平均値。
工程の経過時間がインストラクション(91)において
更新され、ディスプレーされる。
監視・制御プログラムは第3C図に進行づる。
第3C図を参照すると、インストラクション(90)に
よって決定された修正平均ストレンゲージ読みがインス
トラクション(64)において初めに決定された目標体
系応力のストレンゲージ読みと比較される。デシジョン
・ブロック(92)において修正平均ストレンゲージ読
みを初めに決定した目標のひずみ又は応力と比較すると
、リセプタ(11)が引張りにあるか圧縮にあるかが示
される。修正平均応力読みがゼロよりも大きい場合、以
下のインストラクションにより引張り力をインストラク
ション(64)で決定された目標値に向けて減ずるため
にゲージ電流及び鏡電源電流を減ずる。修正平均ひずみ
読みが引張り状態を指示する毎に、インストラクション
(93)によりカウンターを増す。測定されたひずみが
引張りであることを示すために、インストラクション(
94)においてCフラグをゼロに設定する。サブルーチ
ン(95)はリセプタ(17)に引張り状態が存在する
時間を計算し、要求された場合に体系オペレータに正確
な工程制御情報を与える。
似たような計数が、圧縮にある平均ひずみ測定値の数を
追跡するために段階(101)において行われる。イン
ストラクション(102)によって、圧縮状態ではCフ
ラグが1に設定される。
修正平均ひずみ測定値が目標応力レベルに等しい場合に
は、デシジョン・10ツク(97)がストレンゲージ電
源を公称0,8アンベヤのレベルに設定する。第3D図
に示ずブランチFが5Jlf源(15)及びゲージ電源
(18)の双方について、インストラクション(98,
99)において゛電源電流の適切な変化を行う。
第3C図の残りのインストラクションは、なされた測定
が1゛レバウレド状態(rebound cond i
 −tion) Jによる誤差を含んだ状態にないこと
を立証づ゛ることに関係している。I゛レバウンド(よ
ストレンゲージの較正の際に見られるもので、応力指示
計の不安定な平衡をもたらし、電源電流の階段状の変化
に伴って生ずる。レバランドは前記の10秒の母集団の
平均値によって決定されるデータ・ポイントにより表さ
れるライン・セグメントのスロープを比較して検知され
る。電源電流の変化のあとのこれらライン・セグメント
のスロープが目標体系応力読みを達成する方向にあるな
らば、スロープが目標応力に交差するか的中するまで電
源電流は不変である。これらの状態はデシジョン・ブロ
ック(103゜104.105.106)において検知
される。2つのデシジョン・ブロックは、電源変化の後
、電源の再調節が生ずる前に、20秒間、すなわち10
秒の母集団の2つ分の間、応力データ・ポイントのスロ
ープをゼロから離れる方向に移動させる。これは応力指
示計の不安定な平衡から生ずる「にせ」の測定に反応す
ることを防ぐ。
ひずみ測定が圧縮から伸張に切り換った場合、デシジョ
ン・ブロック(96)において引張り応力を示す最初の
データ・ポイントが決定され、電源がインストラクショ
ン(120)において70ma (ミリアンペア)だけ
減ぜられる。次の10秒で体系がゼロ応力状態に戻るよ
うに動いたかを決定するためにデシジョン・ブロック(
103)において、後続のデータ・ポイントが点検され
る。継続するデータ・ポイントにより形成されるライン
・セグメントのスロープが公称ゼロ応力状態から離れる
体系の移動を示すならば、おそらくレバランド状態が存
在する。
レバランドは電源電流の設定が段階状の変化を受けた後
で生ずる体系の不安定である。レバランド状態は真の体
系応力状態を示さないから廃棄すべきである。
デシジョン・ブロック(104)は、最初の引張り応力
の指示に続き電源変化を行って20秒あとに、次のデー
タ・ポイントのスロープを最初のデータ・ポイントと比
較検討する。もしもこのスロープがデシジョン・ブロッ
ク(103)にてテストされた、前のライン・セグメン
トのスロープよりも小さ′ければ、このスロープはゼロ
応力レベルに向う正しい方向に指向していると判定され
る。ノイズ・フラグ(NOISE FLAG)(115
)はゼロに設定され、電源(15,18)の電源設定は
変えられない。
最新のデータ・ポイントと最初のデータ・ポイントによ
って画成されるこのライン・セグメントが前のライン・
セグメントよりも大きなスロープを有する場合は、ノイ
ズ・フラグ(NOISE FLAG)を1に設定する。
20秒後のデータ・ポイントに相当するが、ノイズ・フ
ラグが1に設定されて初めて、デシジョン・ブロック(
112+はその読取りを不良と判定する。最終の゛市源
゛泊流の変化から30秒後の、次に続くデータ・ポイン
トと最初のデータ・ポイントにより形成されるライン・
セグメントがデシジョン・ブロック(104)において
点検される。この最も新しいデータ・ポイントを有する
セグメントのスロープがその前のライン・セグメントよ
りも依然として大きいならば、段階(109)にてノイ
ズ・フラグを増加し、再びデシジョン・ブロック(11
2)にて点検する。2つの継続するライン・セグメント
がゼロ応力から応力が離れることを示すと、デシジョン
・ブロック(112)にY(イエス)の決定が生じて、
段階(117)にて電源電流をもう1段階変化させる。
前記の結果は、電源電流の一段階変化の後の、公称ゼロ
応力から応力がさらに増すことを示す2つの継続する応
力測定値を廃棄することになる。
第3の応力測定が応力誤差の拡がりを示すならば、電源
電流を増す。
応力が圧縮状態に切り換った場合も、同じ型式の、レバ
ランド状態及び対応する方式制御の点検を行う。
平均測定応力がゼロ、よりも小さいならば、10秒間に
とった160個のひずみサンプルを含む、次のデータ・
ポイントが段階(101)において採られ、段階(10
2)においてCフラグ(CFLAG)が1に設定される
。デシジョン・ブロック(96,103,104)が伸
張応力について行ったのと同様な判定をデシジョン・ブ
ロック(100,105,106)が圧縮測定値につい
て行う。電源変化の後の2つの10秒期間についてレバ
ランド状態は効果的に棄却される。第2゜第3または第
4のデータ・ポイントが最初のデータ・ポイントと共に
形成するライン・セグメントのスロープの2つの継続す
る読みが方式の圧縮応力誤差の拡がりを示す時は、段階
(i14)にてノイズ・フラグ(NOISE FLAG
)を1に設定し、段階(116)にてta源電流を増す
。第3D図を参照すると、ゲージ′、ji源と鏡゛市l
電源につぎ゛電源゛1′R流を決定するサブルーチンの
残りの部分が図示される。
■により示されるように、工程の始点における最初の1
0秒の母集団のサンプルが採られた場合、インストラク
ション(120,121)において通常の段階状変化で
ある140ミリアンベヤの半分の70ミリアンベヤに公
称電源が設定される。最大及び最小の設定を用いて、デ
シジョン・ブロック(122,123)においで電源設
定が点検される。この決定の結果、すなわち最初の母集
団サンプルが測定された状態が、インストラクション(
124a、 124b)においてゲージ電源を最小また
は最大の状態に設定する。各母集団サンプルの後、その
位置が前のRi集団サンプルに対して点検され、レバラ
ンド状態を廃棄ずべくス[]−ブ測測定に照して電源か
調節される時、制御は制御用の■に戻り、ここで10秒
間隔で補足の母集団が採られ、全運転時間が経過し終る
までこれらの母集団サンプルの統計的平均値に基づいて
電流が設定される。制御が■に移る度毎に、プリントア
ウトされるべき工程統計値がインストラフクシ」ン(1
2G)において更新される。
第4図は、前記コンピュータ・インストラクションがど
のようにして、電鋳作業中に一定の測定応力を維持する
ように電鋳工程を制御するかの一例を図解する。始めの
方式始動点において、インストラクション(120,1
21)により電源電流が公称レベルに設定される。最初
の10秒母集団ナンブル期間の統計的平均値を表すデー
タ・ポイントDPA2が測定される時、引張り応力が決
定される。第2の10秒母集団期間中にゲージ電源電流
を増して第2のデータ・ポイントが決定される。第3デ
ータ・ポイントと第2データ・ポイントの間のスロープ
は公称応力から遠ざかって増え続けていると判定され、
レバランド状態の可能性を示すので、電源は変化さt!
ない。次の圧縮データ・ポイントDPA4はDP^2よ
りも大きくてレバランド状態を示すので、電源電流は変
えない。第4の10秒母集団期間中、DPA5はDPA
2より小さく、方式はゼロ公称応力の方に向っていると
判定すべきであるので、電源電流の設定変更を行わない
データ・ポイントDPA6から判るように、応力は圧縮
から伸張に変ったので、電流を減ずる。新たなスロープ
始点が決定され、そして次の10秒B1集団期間中に、
DPA7がDPA6よりも大きいので、レバランド状態
が検知される。データ・ポイントDPA7に続き、第7
の10秒母集団期間中のDPA8はDPA6よりも大ぎ
く、再びレバランド状態を示す。
第8の10秒母集団期間中、応力データ・ポイントDP
へ9はDPA8よりも小さく測定され、ゼロに向ってい
ると検知される。このスロープは正しい方向にあるので
電源設定の変化は生じない。
よって、電源の再調整が生ずる前に10秒期間の2つの
継続するデータ・ポイントを経過づる必要があると判る
。2つの10秒期間の経過後、3つの継続づる期間によ
り表されるライン・セグメントにつきスロープが決定さ
れる。ス[1−ブがピロを指向していると判定されるな
らば、゛を流の変化は許されない。電流の変化が間違っ
た方向、すなわち2つの継続づる10秒期間におい′C
ゼロまたはL4準応力から遠ざかる方向にあるとスロー
プが示す時に、応力を公称の所要レベルに戻すために電
源を増減ずる。
電鋳工程にJ3いて形成される金属電着物によって生ず
る応力を測定するための装置及び方法が記載された。当
業者は特許請求の範囲によって、より具体的に記載され
る、他の実施例を認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の望ましい実施例による、電気めっき工
程を制御するための装置のブロック図、 第2Δ図は望ましい実施例による応力測定ゲージの側面
図、 第2B図は第2A図の応力測定ゲージのいま一つの側面
図、 第3A図は工程パラメータをイニシアライズするための
コンピュータの第1のプログラミング部分のフローチャ
ート、 第3B図は該コンピュータ・ブ「1グラムの監視、制御
部分のフローチャート、 第3C図は該コンピュータ・プ1」ダラムの監視、制御
部分の残りのインストラクションのフローチャート、 第3D図は電源電流を制御するためのプログラム部分の
フロ−1tノート、 第4図は金属電着物応力を所要の最小レベルに保つため
の、1回の運転時間にわたる体系の作動サイクルの図で
ある。 11・・・めっき(電鋳)槽   12・・・陽極  
 13・・・物体(陰極)15・・・主電源   16
・・・ゲージ(ストレンゲージ測定装置)11・・・金
属リセプタ   18・・・ゲージ電源   19・・
・ひずみ測定装置   23・・・温度検知部   2
5・・・ストレンゲージ指示計   27・・・マイク
ロコンピュータ30・・・マイクロコントローラ 特許出願代理人 弁理士  山  崎  行  造 2μ云=−/ F逼ヲt=s       F逼〒gBFIG、 3D

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)陽極を有するめっき槽内に物体が陰極として配設
    され、該陽極と該陰極との間に電圧を印加する方式のめ
    っきを制御する装置であって、 めっき材を受承するための前記槽内の金属リセプタと、 前記陽極と陰極との間に第1の電位差を、 また前記金属リセプタ及び陽極の間に第2の電位差を印
    加し、前記陰極及び金属リセプタにめっき電着物を受承
    させる装置と、 力伝達リンクによって前記金属リセプタに結合され、前
    記めっき電着物によって前記金属リセプタにかけられる
    応力を示す電気信号を与えると同時に無関係の信号を最
    少にするひずみ測定装置と、 前記ひずみ測定装置と、前記陽極、陰極及び金属リセプ
    タの間に電圧をかけるための前記測定装置と、に結合さ
    れ、前記陽極、陰極間及び前記陽極、金属リセプタ間の
    電流を制御して前記金属リセプタ上に一定のめっき誘起
    応力を生じさせる制御装置とを含む制御装置。
  2. (2)前記めっき槽の温度を測定するための温度モニタ
    ーをさらに含む、特許請求の範囲第(1)項に記載の装
    置。
  3. (3)前記金属リセプタのめっき中に、前記ひずみ測定
    装置からの信号及び前記温度モニターからの信号を記録
    するためのレコーダをさらに含む、特許請求の範囲第(
    2)項に記載の装置。
  4. (4)陽極及びめっきする物体が電気めっき溶液内に配
    置される電鋳または電気めっき方式により、前記物体上
    に誘起される応力を制御するための装置であって、 電気めっき電流を与えるために前記陽極と陰極との間に
    接続された直流調整式のプログラム自在電源と、 既知の表面面積を有する第2の平らな陰極と、 前記陽極と第2の陰極の間に接続されるプログラム自在
    の第2DC電流と、 前記第2の陰極に結合され、前記第2の陰極上のめっき
    誘起応力に応じて電気的パラメータの変化を与えるスト
    レンゲージ・ブリッジと、 前記めっき誘起応力を表わす信号を与えるために前記ス
    トレンゲージ・ブリッジに接続されるストレンゲージ・
    モニターと、 前記信号を受けると共に前記電源の各々を制御するよう
    に接続され、一定レベルのめっき誘起応力を生ずるよう
    なめっき電流を前記各陰極を通して維持するコンピュー
    タ・コントローラとを含む制御装置。
  5. (5)前記第2の平らな陰極に平行に配設されるキャリ
    ヤ上に前記ストレンゲージ・ブリッジが支持され、前記
    キャリヤは第1及び第2の端にて前記第2の平らな陰極
    に堅固に結合され、ほぼ中央位置にて一つの力伝達リン
    クに結合されているので、前記平らな陰極に誘起される
    めっき応力が前記ストレンゲージ・キャリヤに伝達され
    、電着される金属の応力レベルを測定するのに用いられ
    る単一素子の装置によく生ずる無関係な信号を大幅に減
    ずるようにされている、特許請求の範囲第(4)項に記
    載の装置。
  6. (6)陽極と、陰極としてめっきすべき物体とを槽内に
    配設した電鋳めっき槽と、前記陽極と前記陰極の間に電
    流を発生する電源とを有する電気めっき方式のめっき速
    度を制御するための方法であって、 前記槽内に金属リセプタを配設し、 前記陽極及び金属リセプタの間に電流を確立し、 力伝達リンクを介してストレンゲージ変換器に結合する
    ことにより、前記金属リセプタ上のめっき誘起応力を測
    定し、 前記変換器からの前記応力測定に応じて、 前記陽極、陰極間の電流及び前記陽極、金属リセプタ間
    の電流を制御することを含む制御方法。
  7. (7)前記めっき槽の温度を測定し、 前記温度測定値及び前記応力測定値を記録することをさ
    らに含む、特許請求の範囲第(6)項に記載の方法。
  8. (8)前記陽極、陰極間及び前記陽極、金属リセプタ間
    の電流が別々の電源によって供給される、特許請求の範
    囲第(6)項に記載の方法。
  9. (9)前記別々の電源は前記電源が発生するそれぞれの
    電流を制御するための電流制御入力を含んでいる、特許
    請求の範囲第(7)項に記載の方法。
  10. (10)前記電流が前記陰極及び金属リセプタの面積に
    比例して制御される、特許請求の範囲第(9)項に記載
    の方法。
  11. (11)金属表面に電着される物質を含む陽極と、前記
    陽極から精密電着物を受けるための、 光学素子を画成する表面を有するマンドレルと、 前記陽極から金属電着物を受ける前記マンドレル表面の
    面積に対して既知の比率の金属電着物受承表面を有する
    金属リセプタと、 前記金属リセプタに結合されて、前記金属リセプタ上の
    電着物誘起応力を表す信号を発生するストレンゲージ測
    定装置と、 前記陽極、マンドレル及び金属リセプタを配設するスル
    ファメート・ニッケルの電鋳槽と、 前記陽極及びマンドレルの間に接続される第1の電流制
    御される電源と、 前記陽極及び金属リセプタの間に接続される第2の電流
    制御される電源と、 前記ストレンゲージ測定装置が発生する信号を受け、前
    記既知の表面面積比に比例して前記電源電流を制御する
    ために、前記第1及び第2の電流制御電源に第1及び第
    2の電流設定指令を与えるように接続されるコンピュー
    タ・コントローラにして、前記ストレンゲージ発生信号
    を定期的に抽出し、前記電着物誘起応力を既定レベルに
    保つ電流指令を発生するためのプログラミング命令を含
    んでいるコンピュータ・コントローラとを含む光学素子
    用精密電鋳方式。
  12. (12)公称ひずみを決定するために、前記電源のゼロ
    電流レベル設定にて前記ストレンゲージ発生信号を抽出
    する命令を前記コンピュータ・コントローラがさらに含
    んでいる、特許請求の範囲第(11)項に記載の方式。
  13. (13)前記既定の電鋳物誘起応力が測定可能のひずみ
    出力を生ずる、特許請求の範囲第(12)項に記載の方
    法。
  14. (14)或る一つの抽出期間に複数回の前記ストレンゲ
    ージ発生信号を抽出し、各期間の前記抽出信号の統計的
    平均値を作るためのインストラクションを前記コンピュ
    ータ・コントローラが含んでいる、特許請求の範囲第(
    11)項に記載の方式。
  15. (15)前記電着物誘起応力が前記既定レベルから増大
    していることを前記ストレンゲージ発生信号の2つの継
    続する統計的平均値が示すまでは新しい電流設定指令の
    発生を抑える命令を前記コンピュータ・コントローラが
    さらに含む、特許請求の範囲第(14)項に記載の方式
  16. (16)前記ニッケル・サルファメートを含む電鋳槽が
    電着ニッケル内の応力を減ずる既知の精密に監視される
    添加物を含んでいる、特許請求の範囲第(6)項に記載
    の方法。
  17. (17)前記添加物及び電鋳中に発生した任意の酸化ま
    たは還元化合生成物のレベルを精密に監視することをさ
    らに含む特許請求の範囲第(16)項に記載の方法。
  18. (18)前記精密に監視する段階が微差パルス・ポーラ
    ログラフィーにより行われる、特許請求の範囲第(17
    )項に記載の方法。
JP61166868A 1985-07-18 1986-07-17 電鋳、電鍍工程用めつき誘起応力制御装置および方法 Pending JPS6270591A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/756,214 US4648944A (en) 1985-07-18 1985-07-18 Apparatus and method for controlling plating induced stress in electroforming and electroplating processes
US756214 1985-07-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6270591A true JPS6270591A (ja) 1987-04-01

Family

ID=25042504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61166868A Pending JPS6270591A (ja) 1985-07-18 1986-07-17 電鋳、電鍍工程用めつき誘起応力制御装置および方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4648944A (ja)
EP (1) EP0210011A3 (ja)
JP (1) JPS6270591A (ja)
IL (1) IL79429A0 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231422B1 (en) 1999-05-21 2001-05-15 Bong Kyu Choi Toy automobile

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786376A (en) * 1988-01-05 1988-11-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Electrodeposition without internal deposit stress
US4986130A (en) * 1989-10-19 1991-01-22 Engelhaupt Darell E Apparatus and method for monitoring stress as a coating is applied
GB9303202D0 (en) * 1993-02-17 1993-03-31 Pritchard Declan N Electrolysis module
US6752584B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-22 Semitool, Inc. Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US6749391B2 (en) 1996-07-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece transfer devices and methods of using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US6921467B2 (en) * 1996-07-15 2005-07-26 Semitool, Inc. Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6749390B2 (en) 1997-12-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Integrated tools with transfer devices for handling microelectronic workpieces
TWI223678B (en) * 1998-03-20 2004-11-11 Semitool Inc Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper
US6565729B2 (en) * 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
JP2000002598A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Yamamoto Mekki Shikenki:Kk 高速電気めっきの内部応力試験装置
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US6406611B1 (en) * 1999-12-08 2002-06-18 University Of Alabama In Huntsville Nickel cobalt phosphorous low stress electroplating
US7189318B2 (en) * 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
US6368475B1 (en) * 2000-03-21 2002-04-09 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7351315B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7020537B2 (en) * 1999-04-13 2006-03-28 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7438788B2 (en) * 1999-04-13 2008-10-21 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7351314B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7585398B2 (en) * 1999-04-13 2009-09-08 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US20030038035A1 (en) * 2001-05-30 2003-02-27 Wilson Gregory J. Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7264698B2 (en) * 1999-04-13 2007-09-04 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
WO2000061837A1 (en) * 1999-04-13 2000-10-19 Semitool, Inc. Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6238539B1 (en) * 1999-06-25 2001-05-29 Hughes Electronics Corporation Method of in-situ displacement/stress control in electroplating
US6623609B2 (en) 1999-07-12 2003-09-23 Semitool, Inc. Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
US20050183959A1 (en) * 2000-04-13 2005-08-25 Wilson Gregory J. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece
US7347572B1 (en) * 2000-05-23 2008-03-25 Media Lario S.R.L. Telescope mirror for high bandwidth free space optical data transmission
WO2001090434A2 (en) * 2000-05-24 2001-11-29 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
AU2001282879A1 (en) * 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
EP1481114A4 (en) 2001-08-31 2005-06-22 Semitool Inc DEVICE AND METHOD FOR ELECTROCHEMICAL PROCESSING OF MICROELECTRONIC WORKPIECES
US6630360B2 (en) 2002-01-10 2003-10-07 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced process control (APC) of copper thickness for chemical mechanical planarization (CMP) optimization
US6991710B2 (en) * 2002-02-22 2006-01-31 Semitool, Inc. Apparatus for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US20030159921A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Randy Harris Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US6893505B2 (en) * 2002-05-08 2005-05-17 Semitool, Inc. Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids
US7114903B2 (en) * 2002-07-16 2006-10-03 Semitool, Inc. Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
JP4074592B2 (ja) * 2004-02-03 2008-04-09 株式会社山本鍍金試験器 電極カートリッジ及びめっき内部応力測定システム
JP2005281803A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Yamamoto Mekki Shikenki:Kk めっき内部応力測定プログラムおよびめっき内部応力測定システム
AU2011238427B2 (en) * 2010-04-07 2015-05-14 Mipac Pty Ltd Monitoring device
US8425751B1 (en) * 2011-02-03 2013-04-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Systems and methods for the electrodeposition of a nickel-cobalt alloy
JP6177065B2 (ja) * 2013-09-11 2017-08-09 株式会社クラレ 金属レプリカ及びスタンパの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2568713A (en) * 1949-04-06 1951-09-25 Brenner Abner Instrument for use in determining the stress in an electrodeposit
US2829517A (en) * 1954-01-06 1958-04-08 Joseph B Kushner Measuring stress in an electrodeposit or other coating
US3215609A (en) * 1962-12-04 1965-11-02 Conversion Chem Corp Electroplating test cell and method
US3356597A (en) * 1965-02-18 1967-12-05 Gen Electric Method and apparatus for measuring electrofinishing stresses
US3437568A (en) * 1966-07-18 1969-04-08 Electro Optical Systems Inc Apparatus and method for determining and controlling stress in an electroformed part
US3356605A (en) * 1967-03-02 1967-12-05 Gen Electric Electrodeposition monitor
US3570449A (en) * 1969-03-13 1971-03-16 United Aircraft Corp Sensor system for a vacuum deposition apparatus
US4086153A (en) * 1975-10-09 1978-04-25 Toyo Kohan Co., Ltd. Method of producing a composite coated steel sheet
US4086154A (en) * 1976-07-26 1978-04-25 The Boeing Company Apparatus for determining stress in an electrodeposit
US4479980A (en) * 1983-12-16 1984-10-30 International Business Machines Corporation Plating rate monitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231422B1 (en) 1999-05-21 2001-05-15 Bong Kyu Choi Toy automobile

Also Published As

Publication number Publication date
EP0210011A2 (en) 1987-01-28
IL79429A0 (en) 1986-10-31
US4648944A (en) 1987-03-10
EP0210011A3 (en) 1989-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6270591A (ja) 電鋳、電鍍工程用めつき誘起応力制御装置および方法
EP0242530B1 (en) Method for analyzing additive concentration
US4986130A (en) Apparatus and method for monitoring stress as a coating is applied
US4917777A (en) Method for analyzing additive concentration
JP2002532681A (ja) 腐食用電気化学的ノイズ技術
US4647365A (en) Stress monitoring apparatus for use in electroforming and electroplating processes
EP0194530B1 (en) Method for controlling the plating rate in an electroless plating process
JPH0432342B2 (ja)
US4692346A (en) Method and apparatus for controlling the surface chemistry on objects plated in an electroless plating bath
RU2005122641A (ru) Мониторинг толщины стенки
EP0151236A1 (en) Apparatus for and method of monitoring the operations of a plating process
US20050237818A1 (en) Plating internal stress measurement program and plating internal stress measurement system
US4882537A (en) Method and apparatus for reducing interference in an electrical resistance probe during electrolytic plating
US4842886A (en) Method for electroless plating
JP2638283B2 (ja) 無電解めっき析出速度測定装置
US4060461A (en) Method and apparatus for correcting error in corrosion rate measurements
EP0090407A1 (en) Apparatus and methods for control in plating
JP2512178B2 (ja) 腐食環境き裂進展試験装置
RU2720035C1 (ru) Измеритель локальной коррозии промысловых нефтегазопроводов
Weil The Measurement of Internal Stress in Electrodeposits
HU180405B (en) Device for individual feeding winding units to winding machines
SU775197A1 (ru) Способ контрол средней толщины гальванических покрытий на детал х
Moore On-line electroplating thickness monitor
SU783371A2 (ru) Устройство дл непрерывного контрол толщины гальванического покрыти
SU775196A1 (ru) Система контрол средней толщины гальванических покрытий на детал х