JPS6269518A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6269518A JPS6269518A JP60209405A JP20940585A JPS6269518A JP S6269518 A JPS6269518 A JP S6269518A JP 60209405 A JP60209405 A JP 60209405A JP 20940585 A JP20940585 A JP 20940585A JP S6269518 A JPS6269518 A JP S6269518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- exposed
- detection mark
- mark
- converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば、半導体ウェハあるいはフォトマスク
等の基板上に電子ビームを照射して露光することにより
微細パターンを形成する電子ビーム露光方法に関するも
のである。
等の基板上に電子ビームを照射して露光することにより
微細パターンを形成する電子ビーム露光方法に関するも
のである。
半導体集積回路等の半導体装置を製造する際には、写真
製版工程は必要不可欠なものである。最近、微細パター
ン形成には電子ビーム露光装置あるいはＸＳ露光装置等
が用いられ、高精度に作成されるようになっている。
製版工程は必要不可欠なものである。最近、微細パター
ン形成には電子ビーム露光装置あるいはＸＳ露光装置等
が用いられ、高精度に作成されるようになっている。
ここで、従来の電子ビーム露光方法の一例を第３図を参
照して説明する。
照して説明する。
電子ビーム露光においては半導体ウェハ、フォトマスク
等の基板、すなわち被露光材１を露光する場合、それ以
前に露光した位置に対応して正確に露光する必要がある
が、被露光材１を前回露光した位置に完全に一致させて
露光することは現実には不可能であるため、被露光材１
を設置したステージ２の一部に電子ビーム検出装置３（
例えばファラデーカップ）等を設置し、ステージ２に設
けられた検出マーク４からの信号を電子ビーム検出装置
３で検出し、電子ビーム５を正確に位置決めしている。
等の基板、すなわち被露光材１を露光する場合、それ以
前に露光した位置に対応して正確に露光する必要がある
が、被露光材１を前回露光した位置に完全に一致させて
露光することは現実には不可能であるため、被露光材１
を設置したステージ２の一部に電子ビーム検出装置３（
例えばファラデーカップ）等を設置し、ステージ２に設
けられた検出マーク４からの信号を電子ビーム検出装置
３で検出し、電子ビーム５を正確に位置決めしている。
露光時には乙の電子ビーム検出装置３からの信号を検出
し、増幅器６．ＡＤ変換器７を通し電子計算機８により
処理し、各スキャンごとに電子ビーム５の制御をＤＡ変
換器９．増幅器１０を経て偏向器１１により制御し位置
決めして露光している。
し、増幅器６．ＡＤ変換器７を通し電子計算機８により
処理し、各スキャンごとに電子ビーム５の制御をＤＡ変
換器９．増幅器１０を経て偏向器１１により制御し位置
決めして露光している。
ところが、上記のような電子ビーム検出器Ｍ３はステー
ジ２自身に設置されているため、被露光材１が機械的移
動等で動いた場合には、この被露光材１の移動は全く検
知されず、正常な位置にあるものとして被露光材１に電
子ビーム５が描画される。このため、微細パターン描画
に対し精度よく被露光材１に電子ビーム５が描画されず
精度低下を招き、高精度パターン描画ができないという
欠点があった。
ジ２自身に設置されているため、被露光材１が機械的移
動等で動いた場合には、この被露光材１の移動は全く検
知されず、正常な位置にあるものとして被露光材１に電
子ビーム５が描画される。このため、微細パターン描画
に対し精度よく被露光材１に電子ビーム５が描画されず
精度低下を招き、高精度パターン描画ができないという
欠点があった。
この発明は、以上のような従来の問題点を除去するため
になされたもので、被露光材表面の所定パターンを走査
しその位置を検出後、検出信号に従って電子ビーム露光
する方法を提供することを目的としている。
になされたもので、被露光材表面の所定パターンを走査
しその位置を検出後、検出信号に従って電子ビーム露光
する方法を提供することを目的としている。
この発明に係る電子ビーム露光方法は、被露光材表面の
縁部にあらかじめ検出マークを形成しておきこの検出マ
ークを電子ビームで走査し、これｌｔ） から得られる信号（こより、被露光材表面上の位置に対
応して被露光材表面を電子ビームにより露光するように
したものである。
縁部にあらかじめ検出マークを形成しておきこの検出マ
ークを電子ビームで走査し、これｌｔ） から得られる信号（こより、被露光材表面上の位置に対
応して被露光材表面を電子ビームにより露光するように
したものである。
この発明においては、電子ビームで露光する被露光材表
面に検出マークを設け、この検出マークを検出すること
により正確な位置決めが行われる。
面に検出マークを設け、この検出マークを検出すること
により正確な位置決めが行われる。
従って、被露光材が機械的に移動してもその移動分は正
確に検出されるので、電子ビーム描画のずれは全く生じ
なくなる。
確に検出されるので、電子ビーム描画のずれは全く生じ
なくなる。
次に、この発明の一実施例を第１図を参照して説明する
。この図において、第３図と同一部分には同一符号を付
しである。偏向器１１には電子計算機８からのＸ方向お
よびＹ方向の偏向信号がＤＡ変換器９．増幅器１０を介
して供給され、電子ビーム５は被露光材１の表面の所定
の位置に設けられた検出マーク１２に照射される。被露
光材１の検出マーり１２の表面の法線に対し互いに異な
った側には反射電子検出器１３Ａ、１３Ｂが設けられ、
反射電子検出Ｎ１３Ａ、１３Ｂの出力信号は各々増幅器
６Ａ、６Ｂ、ＡＤ変換器７Ａ、７Ｂを介してフィルタ回
路、微分回路等の各種回路１４を経て電子計算機８に供
給される。
。この図において、第３図と同一部分には同一符号を付
しである。偏向器１１には電子計算機８からのＸ方向お
よびＹ方向の偏向信号がＤＡ変換器９．増幅器１０を介
して供給され、電子ビーム５は被露光材１の表面の所定
の位置に設けられた検出マーク１２に照射される。被露
光材１の検出マーり１２の表面の法線に対し互いに異な
った側には反射電子検出器１３Ａ、１３Ｂが設けられ、
反射電子検出Ｎ１３Ａ、１３Ｂの出力信号は各々増幅器
６Ａ、６Ｂ、ＡＤ変換器７Ａ、７Ｂを介してフィルタ回
路、微分回路等の各種回路１４を経て電子計算機８に供
給される。
一方、検出マーク１２は第２図（ａ）、 （ｂ）に示す
ように、被露光材１に異種物質１５を形成するもの、あ
るいは第２図（ｅ）、 （ｄ）に示すように凸部。
ように、被露光材１に異種物質１５を形成するもの、あ
るいは第２図（ｅ）、 （ｄ）に示すように凸部。
凹部を形成はであるもの、さらには第２図（ｅ）に示す
ように平面状に形成しであるもの等がある。
ように平面状に形成しであるもの等がある。
以上のようにして、電子ビーム露光の各スキャンごとに
被露光材１の検出マーク１２をスキャンし、その位置を
上記方法により正確に検出し描画することができる。そ
のため、被露元利１が機械的に移動しても、移動分は検
出マーク１２により検出されたうえて、偏向器１１にＪ
：り偏向されて制御されるため、電子ビーム描画のずれ
は全くなくなり、高精度な電子ビーム描画が可能となる
。
被露光材１の検出マーク１２をスキャンし、その位置を
上記方法により正確に検出し描画することができる。そ
のため、被露元利１が機械的に移動しても、移動分は検
出マーク１２により検出されたうえて、偏向器１１にＪ
：り偏向されて制御されるため、電子ビーム描画のずれ
は全くなくなり、高精度な電子ビーム描画が可能となる
。
半導体ウェハ等においては、電子ビームによる露光を一
部採用し描画されているが、フォトマスク等においては
検出マーク１２の検出方法、検出材（４ン 質、描画スピード等の問題があり実行されていない。
部採用し描画されているが、フォトマスク等においては
検出マーク１２の検出方法、検出材（４ン 質、描画スピード等の問題があり実行されていない。
この発明においては、前述したように７第１・マスク上
の一点に異種物質１５等により検出マーク１２を容易に
形成することができ、かつフィルタ回路、微分回路を設
けであるため容易にマーク検出することができるため、
高速で高精度の電子ビーム描画が可能である。
の一点に異種物質１５等により検出マーク１２を容易に
形成することができ、かつフィルタ回路、微分回路を設
けであるため容易にマーク検出することができるため、
高速で高精度の電子ビーム描画が可能である。
従来のステージ２上での電子ビーム５の検出では、電子
ビーム５の描画前後で約１．０μｍ程度のずれが生ずる
こともあったが、この発明によれば約０．２μｍ内に収
Ｊ：す極めて安定した高精度な描画が可能である。検出
マーク１２自身の形成はフォトマスク描画前にあらかじ
め異種材料を形成する必要があるが、形成方法は蒸着、
エツチング、現像方法等で極めて容易に作成でき、かっ
フォトマスクの品質上何ら影響を及ぼさない。
ビーム５の描画前後で約１．０μｍ程度のずれが生ずる
こともあったが、この発明によれば約０．２μｍ内に収
Ｊ：す極めて安定した高精度な描画が可能である。検出
マーク１２自身の形成はフォトマスク描画前にあらかじ
め異種材料を形成する必要があるが、形成方法は蒸着、
エツチング、現像方法等で極めて容易に作成でき、かっ
フォトマスクの品質上何ら影響を及ぼさない。
なお、上記実施例では、検出マーり１２の検出は反射電
子による検出方法について述べたが、２次電子等の検出
による方法でもよく、同様の効果を奏する。また検出マ
ーク１２は被露光材１の一点において検出する方法につ
いて述べたが、それ以上でもよく同様の効果を奏する。
子による検出方法について述べたが、２次電子等の検出
による方法でもよく、同様の効果を奏する。また検出マ
ーク１２は被露光材１の一点において検出する方法につ
いて述べたが、それ以上でもよく同様の効果を奏する。
さらに、検出マーク１２の形状については第２図（ａ）
〜（ｅ）に述へたような方法に限らず、これ以外のもの
でもよく同様の効果を奏する。
〜（ｅ）に述へたような方法に限らず、これ以外のもの
でもよく同様の効果を奏する。
この発明は以上説明したとおり、被露光材表面の検出マ
ークを電子ビームで走査し、前記被露光材表面から得ら
れる信号により前記被露光材表面上の位置に対応して前
記被露光材表面を前記電子ビームにより露光するように
したので、被露光材が機械的に移動した場合でも、その
露光位置を正確に位置合せすることができるので、極め
て正確に、かつ能率よく微細パターンを形成する乙とが
できる利点が得られる。
ークを電子ビームで走査し、前記被露光材表面から得ら
れる信号により前記被露光材表面上の位置に対応して前
記被露光材表面を前記電子ビームにより露光するように
したので、被露光材が機械的に移動した場合でも、その
露光位置を正確に位置合せすることができるので、極め
て正確に、かつ能率よく微細パターンを形成する乙とが
できる利点が得られる。
第１図はこの発明の一実施例の電子ビーム描画方法を説
明する概略図、第２図（ａ）〜（ｅ）は検出マークの構
成例を示す断面図、第３図は従来の電子（ｑ） ビーム描画方法を説明する概略図である。 図において、１は被露光材、２ばステージ、５は電子ビ
ーム、６Ａ、６Ｂ、１０は増幅器、７Ａ。 ７ＢはＡＤ変換器、８は電子計算機、９はＤＡ変換器、
１１は偏向器、１２は検出マーク、１３Ａ。 １３Ｂは反射電子検出器、１４は各種回路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 ｋイｔ （外２名）第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和６１年６ 月゛６Ｅ□ １、事件の表示 特願昭６０−２０９４０５号２、
発明の名称 電子ビーム露光方法３、補正をする者 代表者 志 岐 守 哉 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説明の欄お
よび図面 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 （２）同じく第２頁６行の「半導体ウェハ、」を削除す
る。 （３）第３図を別紙のように補正する。 以 １− ２、特許請求の範囲 被露光材表面に電子ビームを照射して露光し微細パター
ンを形成する露光方法において、前記被露光材表面の縁
部に検出マークを設けておき、この検出マークを各スキ
ャンごとに電子ビームで走査して得られる信号により前
記被露光材表面上の位置に対応して、前記被露光材表面
を前記電子ビームにより露光することを特徴とする電子
ビーム露光方法。
明する概略図、第２図（ａ）〜（ｅ）は検出マークの構
成例を示す断面図、第３図は従来の電子（ｑ） ビーム描画方法を説明する概略図である。 図において、１は被露光材、２ばステージ、５は電子ビ
ーム、６Ａ、６Ｂ、１０は増幅器、７Ａ。 ７ＢはＡＤ変換器、８は電子計算機、９はＤＡ変換器、
１１は偏向器、１２は検出マーク、１３Ａ。 １３Ｂは反射電子検出器、１４は各種回路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 ｋイｔ （外２名）第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和６１年６ 月゛６Ｅ□ １、事件の表示 特願昭６０−２０９４０５号２、
発明の名称 電子ビーム露光方法３、補正をする者 代表者 志 岐 守 哉 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説明の欄お
よび図面 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 （２）同じく第２頁６行の「半導体ウェハ、」を削除す
る。 （３）第３図を別紙のように補正する。 以 １− ２、特許請求の範囲 被露光材表面に電子ビームを照射して露光し微細パター
ンを形成する露光方法において、前記被露光材表面の縁
部に検出マークを設けておき、この検出マークを各スキ
ャンごとに電子ビームで走査して得られる信号により前
記被露光材表面上の位置に対応して、前記被露光材表面
を前記電子ビームにより露光することを特徴とする電子
ビーム露光方法。
Claims (1)
- 被露光材表面に電子ビームを照射して露光し微細パター
ンを形成する露光方法において、前記被露光材表面の縁
部に検出マークを設けておき、この検出マークを電子ビ
ームで走査して得られる信号により前記被露光材表面上
の位置に対応して、前記被露光材表面を前記電子ビーム
により露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209405A JPS6269518A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209405A JPS6269518A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269518A true JPS6269518A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16572341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209405A Pending JPS6269518A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269518A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118777A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of exposing pattern |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60209405A patent/JPS6269518A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118777A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of exposing pattern |
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