JPS6266668A - 光電子集積回路 - Google Patents
光電子集積回路Info
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- JPS6266668A JPS6266668A JP60207087A JP20708785A JPS6266668A JP S6266668 A JPS6266668 A JP S6266668A JP 60207087 A JP60207087 A JP 60207087A JP 20708785 A JP20708785 A JP 20708785A JP S6266668 A JPS6266668 A JP S6266668A
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- integrated circuit
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子集積回路(C1:IC)に関し、LSI
チヴプ間の相互配線あるいは入出力インターフェースに
光を用いることにより高性能化を図ることに関するもの
である。
チヴプ間の相互配線あるいは入出力インターフェースに
光を用いることにより高性能化を図ることに関するもの
である。
本発明は、単結晶シリコン基板上にシリ;ンーゲルマニ
ウム系超格子sitを用いて、レーザ・ダイオード、7
オトeダイオード、トランジスタをBiLBエチププ上
に集積化し、光入出力インターフェースを持几せること
により、18工チツプ間の相互接続を行い、LEiエチ
ヴプ間の信号伝達を高速化、かつ大規模なシステム化を
実現させるものである。
ウム系超格子sitを用いて、レーザ・ダイオード、7
オトeダイオード、トランジスタをBiLBエチププ上
に集積化し、光入出力インターフェースを持几せること
により、18工チツプ間の相互接続を行い、LEiエチ
ヴプ間の信号伝達を高速化、かつ大規模なシステム化を
実現させるものである。
従来のL8ニジステム用光相互接続方法け、J。
W、GOODMAN、 ’0pfiCa、l工nte
rconnactions forVLl’?工sy
stgrns’、 Proceeding of工El
!iP!、 VOI 72167 PF35O−86
6、Jull 1984 等いくつかのものbt提案
されているが、基本的には、Siが間接遷移型の半導体
であるため、8fflLSIチツプにOa As する
いはZnPの0BIOを張りあわせるハイブリッド構成
またはCkL kB系あるいはInP系を使り之モノリ
シック構成の2種類であった。
rconnactions forVLl’?工sy
stgrns’、 Proceeding of工El
!iP!、 VOI 72167 PF35O−86
6、Jull 1984 等いくつかのものbt提案
されているが、基本的には、Siが間接遷移型の半導体
であるため、8fflLSIチツプにOa As する
いはZnPの0BIOを張りあわせるハイブリッド構成
またはCkL kB系あるいはInP系を使り之モノリ
シック構成の2種類であった。
〔本発明が解決しよ)とする問題点及び目的〕シカし、
血υ系あるいはInP系は欠陥の無イ大ロ径の基板を得
ることが困難であり、価格的にも高価となる。また、
IID、 LID等、電流密度の大きなデバイスを集積
化する友めには、基板の熱伝導率6を大きい事が非常に
重要であるが、CkLA、I系はs<ic較べ熱伝導率
が約3分の1.InP系は眞A8系よりさらに小さい。
血υ系あるいはInP系は欠陥の無イ大ロ径の基板を得
ることが困難であり、価格的にも高価となる。また、
IID、 LID等、電流密度の大きなデバイスを集積
化する友めには、基板の熱伝導率6を大きい事が非常に
重要であるが、CkLA、I系はs<ic較べ熱伝導率
が約3分の1.InP系は眞A8系よりさらに小さい。
これらの事は(kz A8系あるいはInP系のモノリ
シックoB工0化を難しいものとしている。ハイプリヴ
ド構成のO2工Cは小規模のシステムとしては可能であ
ると考えられるが、数十数百チップのシステム構築を考
えると、非現実的である。
シックoB工0化を難しいものとしている。ハイプリヴ
ド構成のO2工Cは小規模のシステムとしては可能であ
ると考えられるが、数十数百チップのシステム構築を考
えると、非現実的である。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはLSIチップ間の大規模かつ、高
速な光相互接続を安価に提供゛することである。
の目的とするところはLSIチップ間の大規模かつ、高
速な光相互接続を安価に提供゛することである。
本発明の光電子集積回路は、シリコン基板上に形成され
た集積回路への入出力信号の少なくとも1個以上が前記
集積回路と同一基板上に形成され之シリコンーゲルマニ
ウム超格子構造を用いて作られたレーザーeダイオード
あるいけ7オト・ダイオードあるいは7オト・トランジ
スタを経由して行なわれることを特徴とする。
た集積回路への入出力信号の少なくとも1個以上が前記
集積回路と同一基板上に形成され之シリコンーゲルマニ
ウム超格子構造を用いて作られたレーザーeダイオード
あるいけ7オト・ダイオードあるいは7オト・トランジ
スタを経由して行なわれることを特徴とする。
シリコン−ゲルマニウム超格子構造を用いて。
量子井戸の幅、繰り返し回数等のパラメータを変えるこ
とにより、エネルギー帯構造を変えることができる。適
当な構造を形成すれば直接遷移型の半導体としての性質
を示す。それを利用して、L8エチップ上に光入出力イ
ンター7エース、つまり、レーザm−ダイオード、7オ
ト・ダイオード等を作り退入。Lllix間の光相互接
続を行うことが可能である。すなわち、cm AsやI
nP等の熱伝導率が小さく、結晶性もシリコンに較べて
悪い材料を用いなくても、LSIチヅプ間の光による接
続が可能になる。
とにより、エネルギー帯構造を変えることができる。適
当な構造を形成すれば直接遷移型の半導体としての性質
を示す。それを利用して、L8エチップ上に光入出力イ
ンター7エース、つまり、レーザm−ダイオード、7オ
ト・ダイオード等を作り退入。Lllix間の光相互接
続を行うことが可能である。すなわち、cm AsやI
nP等の熱伝導率が小さく、結晶性もシリコンに較べて
悪い材料を用いなくても、LSIチヅプ間の光による接
続が可能になる。
(実施例〕
以下1本発明について実施例に基ずいて、詳細に説明す
る。
る。
11E1図は本発明の光電子集積回路のチップ端面図で
ある。EijL8エチップ周辺にシリコン−ゲルマニウ
ム系超格子構造を用いたDIPB−LDtoるいはDB
R−I、D等の回折格子を利用したレーザー・ダイオー
ドと、7オト・ダイオードを形成する。
ある。EijL8エチップ周辺にシリコン−ゲルマニウ
ム系超格子構造を用いたDIPB−LDtoるいはDB
R−I、D等の回折格子を利用したレーザー・ダイオー
ドと、7オト・ダイオードを形成する。
レーザー・ダイオードとフォト・ダイオードは。
バイアス電圧と、回折格子の有無で決まり、基本的には
、同一構造のものを用いることが可能である。11は金
属電極、12はシリコン窒化膜、13Hp−シリコンで
ある。14がシリコン−ゲルマニウムの多重量子井戸で
あり、活性層となる。15はN−シリコン、16は素子
分離用シリコン酸化膜、17はシリコン基板であるが、
シリコン窒化膜等の材料を変えることや、横方向への井
戸の形成など種々の変形は、当然可能である。
、同一構造のものを用いることが可能である。11は金
属電極、12はシリコン窒化膜、13Hp−シリコンで
ある。14がシリコン−ゲルマニウムの多重量子井戸で
あり、活性層となる。15はN−シリコン、16は素子
分離用シリコン酸化膜、17はシリコン基板であるが、
シリコン窒化膜等の材料を変えることや、横方向への井
戸の形成など種々の変形は、当然可能である。
112図は、前記光入出力インターフェースを有するB
i L B Iチク1間の相互接続の概念図である。
i L B Iチク1間の相互接続の概念図である。
21けレーザー・ダイオードおよび7オト・ダイオード
のブロックであり、レーザー・ダイオードは回折格子の
定数を変えて、発振波長が異なる数種のものを集積し、
フォト・ダイオードにも波長選択性をも九せる。第2図
では、このブロックをss L 8工チツプ22周辺に
(644)X2個集積し、各グロック毎に、クロス・ト
ークを押さえる遮光板23を設けて、光導波路を用いず
KL8エチップの相互接続を空間的に行っている。この
L8エチップ22をマトリクス状に配置し、電源以外の
入出力信号を全て光によって行う。
のブロックであり、レーザー・ダイオードは回折格子の
定数を変えて、発振波長が異なる数種のものを集積し、
フォト・ダイオードにも波長選択性をも九せる。第2図
では、このブロックをss L 8工チツプ22周辺に
(644)X2個集積し、各グロック毎に、クロス・ト
ークを押さえる遮光板23を設けて、光導波路を用いず
KL8エチップの相互接続を空間的に行っている。この
L8エチップ22をマトリクス状に配置し、電源以外の
入出力信号を全て光によって行う。
〔発明の効果〕
シリコン−ゲルマニウム系超格子構造により。
0MO8,EOL、B1−0MOs等の一般的SイーL
ETエチップ上に、光入出力インター7エースを同一チ
ップに作り込むことは、大規模なシステム構築に大きな
効果がある。近年si工0のフルウェハLSI化が進め
られているが、欠陥救済、冗長構成等の理由により、実
現が疑問視されている。しかし本発明の光入出力インタ
ー7エースを用いて、空間的に信号の入出力を行えば1
.G(LAJ系あるいけInP系の01n工0に較べ、
熱伝導率の大きく、安価なシリコン基板を用いて、大規
模なシステムを作ることができろ。ま友、液冷化等も可
能である之め、KCL等のL8工用にも応用で伴る。
ETエチップ上に、光入出力インター7エースを同一チ
ップに作り込むことは、大規模なシステム構築に大きな
効果がある。近年si工0のフルウェハLSI化が進め
られているが、欠陥救済、冗長構成等の理由により、実
現が疑問視されている。しかし本発明の光入出力インタ
ー7エースを用いて、空間的に信号の入出力を行えば1
.G(LAJ系あるいけInP系の01n工0に較べ、
熱伝導率の大きく、安価なシリコン基板を用いて、大規
模なシステムを作ることができろ。ま友、液冷化等も可
能である之め、KCL等のL8工用にも応用で伴る。
第1図は本発明の光1.子集積回路チップの端面の拡大
図。 第2図は本発明の光電子集積回路チップをマトリクス状
に配置し几モジエール構成図である。 以 上
図。 第2図は本発明の光電子集積回路チップをマトリクス状
に配置し几モジエール構成図である。 以 上
Claims (2)
- (1)シリコン基板上に形成された集積回路への入出力
信号の少なくとも1個以上が前記集積回路と同一基板上
にシリコン−ゲルマニウム系超格子構造を用いて作られ
たレーザーダイオードあるいはフォト・ダイオードある
いはフォト・トランジスタを経由して行なわれることを
特徴とする光電子集積回路。 - (2)マトリクス状に配置された集積回路チップに於い
て、入出力信号に光を用いることを特徴とする前記第1
項記載の光電子集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207087A JPS6266668A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光電子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207087A JPS6266668A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光電子集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6266668A true JPS6266668A (ja) | 1987-03-26 |
Family
ID=16533980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60207087A Pending JPS6266668A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光電子集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6266668A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5793060A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-11 | Nec Corporation | SOI Optical semiconductor device |
JPWO2015146108A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-04-13 | 日本電気株式会社 | 受光素子、光モジュール及び光受信器 |
CN110429474A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 天津工业大学 | 一种全四族硅基c波段半导体激光器 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60207087A patent/JPS6266668A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5793060A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-11 | Nec Corporation | SOI Optical semiconductor device |
JPWO2015146108A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-04-13 | 日本電気株式会社 | 受光素子、光モジュール及び光受信器 |
CN110429474A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 天津工业大学 | 一种全四族硅基c波段半导体激光器 |
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