JPS6266641A - Die bonding method for semiconductor pellet - Google Patents

Die bonding method for semiconductor pellet

Info

Publication number
JPS6266641A
JPS6266641A JP20678685A JP20678685A JPS6266641A JP S6266641 A JPS6266641 A JP S6266641A JP 20678685 A JP20678685 A JP 20678685A JP 20678685 A JP20678685 A JP 20678685A JP S6266641 A JPS6266641 A JP S6266641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
width
preform foil
preform
semiconductor pellet
pieces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20678685A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0628268B2 (en
Inventor
Hidefumi Nagata
英史 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP60206786A priority Critical patent/JPH0628268B2/en
Publication of JPS6266641A publication Critical patent/JPS6266641A/en
Publication of JPH0628268B2 publication Critical patent/JPH0628268B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To save a using amount of preformed material without increasing reciprocating strokes at scrubbing time by preparing a plurality of preformed foil pieces to be inserted between a lead frame and a semiconductor pellet, and aligning them laterally at an interval. CONSTITUTION:When bonding a pellet 3 of width S and length L on an island 2 of width T and length X, two preformed foil pieces 4a are used, their width Wa=S/2-2A (where 2A is reciprocating stroke of scrubber) is satisfied, and the pieces are aligned at an interval 2A. The pieces 4a are elongated to be connected by scrubbing, and the pellet 3 is entirely fusion-bonded to the island 2. With this construction, expensive preformed foil pieces can be saved to reduce the bonding cost.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、第1図に示すようにリードフレーム1に形成
したアイランド部2のようにリードフレームの所定箇所
に、半導体ペレット3を、金箔又は半田箔等のような全
屈箔製のプリフォーム箔片を用いてダイボンディングす
る方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] As shown in FIG. Alternatively, the present invention relates to a die bonding method using a preform foil piece made of fully bent foil such as solder foil.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

このようにリードフレームlに形成した幅(T)で長さ
くX)のアイランド部2の上面に、幅(S)で長さくL
)の半導体ペレット3をプリフォーム箔片を使用してダ
イボンディングするに際して、従来は、第7図及び第8
図に示すように前記半導体ペレット3の幅(S)よりも
2Aだけ狭い幅(W)に形成したプリフォーム箔片用素
材テープから、前記半導体ペレット3の長さくL)と略
等しい長さくL)のプリフォーム箔片4を裁断し、この
プリフォーム箔片4を、前記半導体ペレット3と前記ア
イランド部2との間に介挿し、このプリフォーム箔片4
を加熱溶融した状態で、半導体ペレット3をアイランド
部2に対して成る圧力で押圧しながら、第8図の実線の
位置から幅方向に対して距離(A)だけ右側に離れた一
点鎖線の位置と、実線の位置から幅方向に対して距離(
、A)だけ左側に離れた二点鎖線の位置との間を複数回
にわたって往復動させることによってダイボンディング
するようにしている。
In this way, on the top surface of the island portion 2 having a width (T) and a length X) formed on the lead frame l, a
) When die-bonding the semiconductor pellet 3 using a preform foil piece, conventionally, the steps shown in FIGS. 7 and 8 were performed.
As shown in the figure, from a preform foil piece material tape formed to have a width (W) narrower than the width (S) of the semiconductor pellet 3 by 2A, a length L approximately equal to the length L) of the semiconductor pellet 3 is obtained. ) is cut out, this preform foil piece 4 is inserted between the semiconductor pellet 3 and the island part 2, and this preform foil piece 4 is cut out.
While heating and melting the semiconductor pellet 3 and pressing it against the island part 2 with pressure, move the semiconductor pellet 3 to the position indicated by the dashed-dotted line, which is a distance (A) to the right in the width direction from the position indicated by the solid line in FIG. and the distance from the position of the solid line in the width direction (
, A) The die bonding is performed by reciprocating the position indicated by the chain double-dashed line a number of times to the left.

このように半導体ペレット3をアイランド部2に対して
押圧しながらその幅方向に往復動する操作をスクラブと
称するもので、このスクラブは、半導体ペレット3を幅
方向に往復動することによって熔融状態のプリフォーム
箔片4を半導体ペレット3の幅一杯にまで引き延ばして
、リードフレーム1におけるアイランド部2に対して半
導体ペレット3をその全面にわたって溶着させるためで
ある。従って、プリフォーム箔片4の幅(W)は、半導
体ペレット3の幅(S)からスクラブにおける往復動の
ストローク(2A)を差し引いた値、つまり、S −2
A=Wに定められる。
This operation of reciprocating the semiconductor pellet 3 in the width direction while pressing it against the island portion 2 is called scrubbing, and this scrubbing is performed by reciprocating the semiconductor pellet 3 in the width direction to remove the molten state. This is to stretch the preform foil piece 4 to the full width of the semiconductor pellet 3 and weld the semiconductor pellet 3 to the island portion 2 of the lead frame 1 over its entire surface. Therefore, the width (W) of the preform foil piece 4 is the value obtained by subtracting the reciprocating stroke (2A) in scrubbing from the width (S) of the semiconductor pellet 3, that is, S −2
It is determined that A=W.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

そしてこのダイボンディングにおいては、プリフォーム
箔片4の使用量を出来る丈少なくすることがコストダウ
ンに寄与できる。このために、プリフォーム箔片4の幅
(W)を狭くすると、前記スクラブにおいて半導体ペレ
ット3の往復動させるときのストローク2Aを、大きく
しなければならないことになる。
In this die bonding, reducing the amount of preform foil pieces 4 used as much as possible can contribute to cost reduction. For this reason, if the width (W) of the preform foil piece 4 is narrowed, the stroke 2A when reciprocating the semiconductor pellet 3 during the scrubbing must be increased.

°しかじ、このようにスクラブにおける往復動のストロ
ークを大きくすることは、当該スクラブに要する時間の
増大を招来するばかりか、前記のようにアイランド部2
に対して半導体ペレット3をダイボンディングする場合
には、スクラブにおける往復動のストローク2Aが、ア
イランド部2の幅(T)から半導体ペレット&の幅(S
)を差し引いた寸法を越えることがないようにつまりT
−3>2Aにしなければならない(ストローク2AがT
−3を越えると、半導体ペレット3がアイランド部2の
幅以上に往復動することになるので、溶融状態のプリフ
ォーム箔片4が、アイランド部2における左右両端面”
la、’lbからはみ出すと言う不具合が発生する)か
ら、スクラブにおける往復動のストロークの増大、延い
てはプリフォーム箔片4の幅(W)の縮小には成る限界
値が存在するのである。
However, increasing the reciprocating stroke in scrubbing in this way not only increases the time required for scrubbing, but also increases the
When die bonding the semiconductor pellet 3 to the
) so as not to exceed the dimension minus T.
-3>2A (stroke 2A is T
-3, the semiconductor pellet 3 will reciprocate beyond the width of the island portion 2, so that the preform foil piece 4 in the molten state will be exposed to both left and right end surfaces of the island portion 2.
There is a limit value to the increase in the reciprocating stroke in scrubbing and the reduction in the width (W) of the preform foil piece 4.

また、前記従来の方法では、半導体ペレット3の幅(S
)が変わると、これに応じて、プリフォーム箔片4の幅
(W)も変えなければならず、このプリフォーム箔片4
の素材であるプリフォーム箔片用素材テープは、その幅
寸法が異なるものを複数種類も用意しておく必要がある
から、プリフォーム箔片素材テープの在庫管理及びプリ
フォーム箔片テープの取り替え等に多大の手数を要する
のであった。
Further, in the conventional method, the width of the semiconductor pellet 3 (S
) changes, the width (W) of the preform foil piece 4 must also be changed accordingly, and this preform foil piece 4
Since it is necessary to prepare multiple types of preform foil strip material tapes with different width dimensions, inventory management of preform foil strip material tapes and replacement of preform foil strip tapes, etc. This required a great deal of effort.

しかも、プリフォーム箔片4の幅(W)は、半導体ペレ
ット3の幅(S)が大きくになるにつれて広幅にしなけ
ればならないが、プリフォーム箔片4の幅(W)を広幅
にすると、この広幅のプリフォーム箔片4を、プリフォ
ーム箔片用素材テープから裁断するときにカットミスが
発生するのであった。
Moreover, the width (W) of the preform foil piece 4 must be increased as the width (S) of the semiconductor pellet 3 becomes larger; however, when the width (W) of the preform foil piece 4 is increased, A cutting error occurs when cutting the wide preform foil piece 4 from the preform foil piece material tape.

本発明は、スクラブにおける往復動のストロークを増大
することなくプリフォーム箔片の使用量を節減できると
共に、幅寸法を同じにした一種類のプリフォーム箔片素
材テープで、幅寸法の異なる半導体ペレットに対応でき
るようすることを目的とするものである。
The present invention can reduce the amount of preform foil pieces used without increasing the reciprocating stroke in scrubbing, and uses one type of preform foil piece material tape with the same width dimension to handle semiconductor pellets with different width dimensions. The purpose is to be able to respond to

〔問題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

このため本発明は、リードフレームにおける所定箇所の
上面に、半導体ペレットの幅より狭い幅のプリフォーム
箔片を載置し、その上に載置した半導体ペレットを、前
記プリフォーム箔片を加熱溶融した状態でリードフレー
ムに対して押圧しながら、幅方向に往復動させるように
したダイボンディング方法において、前記プリフォーム
箔片を、細い幅の複数本のプリフォーム箔片にし、この
各プリフォーム箔片をその間に間隔を明けて並べるよう
にしたものである。
Therefore, in the present invention, a piece of preform foil having a width narrower than the width of the semiconductor pellet is placed on the upper surface of a predetermined portion of a lead frame, and the semiconductor pellet placed on the preform piece is heated and melted. In the die bonding method, the preform foil piece is made into a plurality of narrow width preform foil pieces, and each of the preform foil pieces is The pieces are arranged with spaces between them.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の実施例を図面第2図及び第3図について説
明すると、幅(T)で長さくX)のアイランド部2の上
面に、幅(S)で長さくL)の半導体ペレット3を、プ
リフォーム箔片を使用してダイボンディングするに際し
て、プリフォーム箔片として2つのプリフォーム箔片4
a、4aを使用し、この両プリフォーム箔片4aの幅(
Wa)を、半導体ペレット3の幅(S)の半分からスク
ラブにおける往復動ストローク(2A)を差し引いた寸
法、つまりWa=S/2−2Aの寸法の細幅に設定し、
この両プリフォーム箔片4aを、アイランド部2の上面
に当該両プリフォーム箔片4aの間に2Aの間隔を明け
るように並べて載置し、その上に、半導体ペレット3を
載置する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 and 3. A semiconductor pellet 3 having a width (S) and a length L) is placed on the top surface of an island portion 2 having a width (T) and a length X). , when performing die bonding using preform foil pieces, two preform foil pieces 4 are used as preform foil pieces.
a, 4a, and the width of both preform foil pieces 4a (
Wa) is set to a narrow width of half the width (S) of the semiconductor pellet 3 minus the reciprocating stroke (2A) in scrubbing, that is, Wa = S / 2 - 2A,
Both preform foil pieces 4a are placed side by side on the upper surface of the island portion 2 so as to leave an interval of 2A between the two preform foil pieces 4a, and the semiconductor pellet 3 is placed thereon.

そして、両プリフォーム箔片4aを加熱溶融した状態で
、半導体ペレット3をアイランド部2に対して成る圧力
で押圧しながら、第3図の実線の位置から幅方向に対し
て距離(A)だけ右側に離れた一点鎖線の位置と、実線
の位置から幅方向に対して距離(A)だけ左側に離れた
二点鎖線の位置との間を往復動させる所謂スクラブを行
う。
Then, while both preform foil pieces 4a are heated and melted, the semiconductor pellet 3 is pressed against the island portion 2 by a distance (A) in the width direction from the position of the solid line in FIG. So-called scrubbing is performed by reciprocating between the position indicated by the dashed-dotted line, which is spaced to the right, and the position indicated by the dashed-dotted line, which is spaced from the solid line by a distance (A) to the left in the width direction.

この往復動のストロークが2Aのスクラブにより両プリ
フォーム箔片4aの各々は、いずれも左右方向に引き延
ばされることになるが、両プリフォーム箔片4aの幅(
Wa)を前記のようにWa=S/2−2Aにし、且つ、
両プリフォーム箔片4a間の間隔を2Aにしたことによ
り、両プリフォーム箔片4aは、半導体、ペレット3の
左右両端部3a、3bまで引き延ばされると共に、当該
両プリフォーム箔片4a間において両プリフォーム箔片
4a同志が互いに繋がるように引き延ばされるから、半
導体ペレット3をアイランド部2に対して当該半導体ペ
レット3の全面について溶着できることになる。
By scrubbing with this reciprocating stroke of 2A, each of both preform foil pieces 4a is stretched in the left-right direction, but the width of both preform foil pieces 4a (
Wa) is set to Wa=S/2-2A as described above, and
By setting the interval between both preform foil pieces 4a to 2A, both preform foil pieces 4a are stretched to both left and right ends 3a, 3b of the semiconductor pellet 3, and at the same time, between the two preform foil pieces 4a, Since both preform foil pieces 4a are stretched so as to be connected to each other, the entire surface of the semiconductor pellet 3 can be welded to the island portion 2.

この場合、両プリフォーム箔片4aの合計面積はW a
 X L X 2となり、プリフォーム箔片の面積を、
前記従来の場合におけるプリフォーム箔片の面積よりも
2AXL、つまり各プリフオーム箔片4a間の部分の面
積だけ縮小できるから、スクラブにおける往復動のスト
ロークを増大することなく、プリフォーム箔片の使用量
を節減できるのである。
In this case, the total area of both preform foil pieces 4a is W a
X L X 2, and the area of the preform foil piece is
Since the area of the preform foil pieces in the conventional case can be reduced by 2AXL, that is, the area between the preform foil pieces 4a, the amount of preform foil pieces used can be reduced without increasing the reciprocating stroke in scrubbing. It is possible to save.

そして、両プリフォーム箔片4aの幅(Wa)を前記の
ようにWa−3/2−2Aにし、且つ、両プリフォーム
箔片4a間の間隔を2Aにしたときが、プリフォーム箔
片の使用量が最少の値になるが、実際には、両プリフォ
ーム箔片4aの幅(W a )に若干の余裕を持たせる
べきであり、半導体ペレット3の幅(S)が狭くなった
場合には、両プリフォーム箔片4aの間隔を狭めること
によって、同じ幅(Wa)のプリフォーム箔片4を、幅
の狭い半導体ペレット3に対応させることができるので
ある。
Then, when the width (Wa) of both preform foil pieces 4a is set to Wa-3/2-2A as described above, and the interval between both preform foil pieces 4a is set to 2A, the width of the preform foil pieces is Although the amount used is the minimum value, in reality, there should be some margin in the width (W a ) of both preform foil pieces 4a, and if the width (S) of the semiconductor pellet 3 becomes narrower. In this case, by narrowing the distance between the two preform foil pieces 4a, the preform foil pieces 4 having the same width (Wa) can be made to correspond to the semiconductor pellet 3 having a narrow width.

また、前記両プリフォーム箔片4aの幅を、第2図のプ
リフォーム箔片の使用量が最少となるときの@(Wa)
よりも、第4図に示すように幅(Wa’)に広くするこ
とによって、この広くした分だけスクラブにおける往復
動のストロークを(2A)から(2A’)に縮小できて
、スクラブに要する時間を短縮できるのであり、また、
第5図に示すように両プリフォーム箔片4aの幅を、プ
リフォーム箔片の使用量が最少となるときの幅(W a
 )よりも幅(Wa’)に広くする一方、スクラブにお
ける往復動のストロークを前記と同様に(2A)にした
場合には、幅が(S)から幅(S′)に広くなった半導
体ペレット3に対応させることができると共に、幅が(
S)から狭くなった半導体ペレット3にも対応させるこ
とができるのである。
In addition, the width of both preform foil pieces 4a is set to @(Wa) when the amount of preform foil pieces used is the minimum as shown in FIG.
By increasing the width (Wa') as shown in Figure 4, the reciprocating stroke in scrubbing can be reduced from (2A) to (2A') by the increased width, reducing the time required for scrubbing. can be shortened, and also,
As shown in FIG. 5, the width of both preform foil pieces 4a is determined by the width (W a
), and the stroke of the reciprocating motion in the scrub is set to (2A) as above, the semiconductor pellet whose width becomes wider from (S) to width (S'). 3, and the width is (
It can also be adapted to the semiconductor pellet 3 which is narrower than S).

なお、使用するプリフォーム箔片4aの本数は、前記実
施例の二本に限らず、第6図に示すように3本にすれば
、プリフォーム箔片4aの使用量は、従来の場合よりも
2AXLX2だけ少なくでき、また、4本以上の複数本
にしても良く、プリフォーム箔片4aの本数を多(する
ことによって、プリフォーム箔片の使用量をより節減で
きるのである。
Note that the number of preform foil pieces 4a to be used is not limited to two as in the above embodiment, but if it is three as shown in FIG. 6, the amount of preform foil pieces 4a used can be reduced compared to the conventional case. By increasing the number of preform foil pieces 4a, the amount of preform foil pieces used can be further reduced.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の通り本発明によると、リードフレームと半導体ペ
レットとの間に介挿するプリフォーム箔片を複数本にし
て、これを幅方向に間隔を明けて並べたことにより、ダ
イボンディングにおけるスクラブに際しての往復動スト
ロークを増大することな(、高価なプリフォーム材の使
用量を、前記各プリフォーム箔片間の間隔の面積骨だけ
節減できるから、ダイボンディングに要するコストを低
減できる。
As described above, according to the present invention, a plurality of preform foil pieces are inserted between the lead frame and the semiconductor pellet, and these are arranged at intervals in the width direction, thereby making it easier to scrub during die bonding. Since the amount of expensive preform material used can be reduced by the area of the spacing between the preform foil pieces, the cost required for die bonding can be reduced without increasing the reciprocating stroke.

しかも、前記プリフォーム箔片の素材であるプリフォー
ム箔片用素材テープを成る特定の幅寸法に設定すること
により、その間隔を変えたり並べる本数を変えるだけで
、半導体ベレットの幅の変化に対応することができるか
ら、プリフォーム箔片用素材テープとしては、一種類の
ものを用意しておけば良′く、プリフォーム箔片用素材
テープの在庫管理及び取り替え作業等に要する手数を軽
減できる。
Moreover, by setting the material tape for preform foil strips, which is the material of the preform foil strips, to a specific width dimension, it is possible to adapt to changes in the width of semiconductor pellets by simply changing the interval or number of strips arranged in a row. Therefore, it is only necessary to prepare one type of material tape for preform foil pieces, and the labor required for inventory management and replacement work of material tape for preform foil pieces can be reduced. .

その上、各プリフォーム箔片の幅の設定によって、スク
ラブにおける往復動のストロークを短くすることが可能
であり、また、各プリフォーム箔片はその幅が狭いから
、プリフォーム箔片用素材テープよりプリフォーム箔片
を裁断するときにおけるカットミスの発生を低減できる
利点をも有する。
Furthermore, by setting the width of each preform foil piece, it is possible to shorten the reciprocating stroke in scrubbing, and since each preform foil piece has a narrow width, the preform foil material tape It also has the advantage of reducing the occurrence of cutting errors when cutting preform foil pieces.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はリードフレームの平面図、第2図は本発明にお
ける第1実施例の方法を示す拡大平面図、第3図は第2
図のm−m面断面図、第4図は本発明の第2実施例の方
法を示、す拡大平面図、第5図は本発明の第3実施例の
方法を示す拡大平面図、第6図は本発明の第4実施例の
方法を示す拡大平面図、第7図は従来の方法を示す拡大
平面図、第8図は第7図の■−■視断面断面図る。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド部、3・
・・半導体ベレット、4a・・・プリフォーム箔片。
FIG. 1 is a plan view of the lead frame, FIG. 2 is an enlarged plan view showing the method of the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of the lead frame.
Fig. 4 is an enlarged plan view showing the method of the second embodiment of the present invention; Fig. 5 is an enlarged plan view showing the method of the third embodiment of the invention; 6 is an enlarged plan view showing a method according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 7 is an enlarged plan view showing a conventional method, and FIG. 1...Lead frame, 2...Island part, 3...
... Semiconductor pellet, 4a... Preform foil piece.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)、リードフレームにおける所定箇所の上面に、半
導体ペレットの幅より狭い幅のプリフォーム箔片を載置
し、その上に載置した半導体ペレットを、前記プリフォ
ーム箔片を加熱溶融した状態でリードフレームに対して
押圧しながら、幅方向に往復動させるようにしたダイボ
ンディング方法において、前記プリフォーム箔片を、細
い幅の複数本のプリフォーム箔片にし、この各プリフォ
ーム箔片をその間に間隔を明けて並べたことを特徴とす
る半導体ペレットのダイボンディング方法。
(1) A preform foil piece with a width narrower than the width of the semiconductor pellet is placed on the upper surface of a predetermined location in the lead frame, and the semiconductor pellet placed on top of the preform foil piece is heated and melted. In the die bonding method, the preform foil pieces are made into a plurality of narrow width preform foil pieces, and each preform foil piece is A die bonding method for semiconductor pellets, characterized in that semiconductor pellets are arranged with spaces between them.
JP60206786A 1985-09-19 1985-09-19 Die bonding method for semiconductor pellets Expired - Lifetime JPH0628268B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60206786A JPH0628268B2 (en) 1985-09-19 1985-09-19 Die bonding method for semiconductor pellets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60206786A JPH0628268B2 (en) 1985-09-19 1985-09-19 Die bonding method for semiconductor pellets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6266641A true JPS6266641A (en) 1987-03-26
JPH0628268B2 JPH0628268B2 (en) 1994-04-13

Family

ID=16529069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60206786A Expired - Lifetime JPH0628268B2 (en) 1985-09-19 1985-09-19 Die bonding method for semiconductor pellets

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0628268B2 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49126267A (en) * 1973-04-04 1974-12-03
JPS50160773A (en) * 1974-06-18 1975-12-26
JPS5940537A (en) * 1982-08-28 1984-03-06 Rohm Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59106124A (en) * 1982-12-11 1984-06-19 Toshiba Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49126267A (en) * 1973-04-04 1974-12-03
JPS50160773A (en) * 1974-06-18 1975-12-26
JPS5940537A (en) * 1982-08-28 1984-03-06 Rohm Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59106124A (en) * 1982-12-11 1984-06-19 Toshiba Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0628268B2 (en) 1994-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6266641A (en) Die bonding method for semiconductor pellet
US4912546A (en) Lead frame and method of fabricating a semiconductor device
JPH03296254A (en) Lead frame
JPH06104364A (en) Lead frame and method and metallic mold for molding semiconductor chip using it
JPS61135145A (en) Lead frame
JPH01125963A (en) Lead frame
JPS63169753A (en) Lead frame
JPS62168615A (en) Die pat forming metal die for semiconductor device
JPS6116701Y2 (en)
JPH06232304A (en) Lead frame for full mold package
US20030054591A1 (en) Semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
JP2737356B2 (en) Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same
JPH0618218B2 (en) Method of fixing semiconductor element
JPH0525739U (en) Lead frame
JPH0766350A (en) Lead frame for semiconductor device
JP3005503B2 (en) Punch guide for tie bar cutting die and cutting method
JPH0425059A (en) Lead frame for semiconductor device and its production
JPS60121747A (en) Semiconductor device
JPH0425053A (en) Manufacture of lead frame
JPH03216222A (en) Manufacture of lead frame for semiconductor device
JP2011146736A (en) Leadframe and semiconductor device
JPH0233955A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS60121750A (en) Lead frame
JPH02159752A (en) Lead frame
JPH0864737A (en) Resin-sealed semiconductor device and lead frame