JPS625598A - 薄膜el素子 - Google Patents

薄膜el素子

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JPS625598A
JPS625598A JP60144909A JP14490985A JPS625598A JP S625598 A JPS625598 A JP S625598A JP 60144909 A JP60144909 A JP 60144909A JP 14490985 A JP14490985 A JP 14490985A JP S625598 A JPS625598 A JP S625598A
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JP
Japan
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thin film
film
reflectance
thin
blackened
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JP60144909A
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JPH0371759B2 (ja
Inventor
浩司 谷口
勝 吉田
康一 田中
隆 小倉
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS625598A publication Critical patent/JPS625598A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は背面黒化薄膜EL素子に関するものである。
〈従来技術〉 薄膜EL素子は、高輝度、高い信頼性および高精細度の
故に、高度情報化社会(こおける平面情報表示素子とし
て注目を集めている。背面電極による外部光の反射に基
づく表示品質の低下を防止する目的で発光層と背面電極
間(こ光吸収層を設け、明るい環境下でも高いコントラ
ストを維持できる薄膜EL素子(背面黒化薄膜EL素子
)の研究開発が進められている。光吸収層−透明膜層界
面での反射率は零であることが理惣であるが、現状は数
%程度の反射を示す。さらに、薄膜EL素子等に於ける
ように薄膜に於いては、干渉効果により可視光全域にわ
たり同一反射率とはならず、その結果、干渉色が表われ
る。光吸収層のない通常の薄膜EL素子と比べ、反射率
の絶対値は低いが、波長による変化率が大きいため顕著
Iこ惑しられる。
図で表わすと、第2図(a)(非背面黒化薄膜EL素子
)と第2図(b)(従来技術による背面黒化薄膜EL素
子)とを比へると、(blでは緑色(こ見えるが、(a
lでは白色である。
〈発明の目的〉 本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、素子を
構成する透明膜の光路長(屈折率と膜厚の積)を変える
こと番こより外部光の反射スペクトルを制御し、背面「
黒化」の名にふされしい薄1摸EL素子を提供すること
を目的とするものである。
〈発明の構成〉 すなわち、本発明の薄膜EL素子は、背面黒化薄膜EL
素子に於いて、外部光の反射率が波長5000〜600
0Aにおいて最小となるように素子構成薄膜の光路長を
制御したことを特徴とするものである。
〈実施例〉 まず、多層構造における反射率を示し、次いで、反射率
最小波長を〜5500Aとするための光路長の条件を示
し、その後、膜厚制御による実施例を示す。
素子構造の一例である、ガラス/ITO/下部絶縁層(
Y2O2)/発光層(ZnS:Mn)/上部絶縁層(Y
2O2)/光吸収層/Alについて述べる。
第1図(alに上記構造を示す。図に於いて、lはガラ
ス基板、2は透明電極(ITO)、3は下部絶縁層(Y
2O2)、4は発光層(ZnS:Mn)、5は上部絶縁
層(Y2O2)、6は光吸収層(黒化膜)、7は背面電
極である。各界面での反射係数r及びある事が明らかで
あり、以後、第1図(blに示す素子モデルにより反射
スペクトルの導出を行う。
第1図(b)に示される多層膜に於ける反射率Rの一般
式は次のようになる。
R=1+[(γ2−1)(γ2−1)(γ22−1)/
D)〔但し、D=1+(γ0・γ、)2+(γ1・γ2
ヌ+(γ ・γ )−2γ Φγ (l+γ ) co
sε2−2γ。・r  (1−H)cost  +2r
  @7”  (cos(e、+e2)+2     
  120 +γ2cos(ε−ε ))・・・(11式%式% ところで、ε 、ε2 の値は薄膜EL素子の−般的サ
イズを考慮する必要がある。
(ただし、nY2o3=Y203の屈折率、dY2o3
−Y2O2の膜厚) −2X ]、79X(1000〜3000A)=358
0〜l0740A tル (ただし、nZn5=ZnSの屈折率、dZnS =Z
nSの膜厚) =2X2.65X(5000〜IQOOOA)=265
00〜53000A すなわち、反射率Rは、cosε1 により支配される
、波長の変化に対しゆるやかな増減の成分と、cosε
2およびcos (ε1+ε2)により支配される、波
長の少しの変化に対し増減を繰り返す成分とに分離され
る。ここで、cos(ε1−ε2)の項は、界面の反射
係数の4次の係数γ211γ0す、が乗ぜられているの
で無視できる。すなわち、白色の外部光に対する反射光
の色度を決定するのは、上記fl+式における、−2γ
。・γ1(1+γi )cosε1の項であることがわ
かる。
各層の屈折率の大小および金属物質表面での反射光の位
相反転を考慮すると、反射係数γ0.γ1およびγ は
、それぞれγ。く0.γ1 〉0およびγ2 〈0であ
り、したがって、cosε1=−1の場合、Rは最小に
なる。
すなわち、cosε1 =−1を満たす波長が視感度の
最も高い5500Aであれば、反射光の輝度が最小にな
り、且つ緑色成分が除去され、色度的にも都合がよ(な
る。
さらに、J@dl  を小さくすれば、cosε1−1
(Rが最大)を満たす波長を赤外および紫外にする事が
可能となり、実質的に黒化背面を有する薄膜EL素子が
得られる。
すなわち、 になるように、上部絶縁層(Y2O2)膜厚の制御を行
う事により、光吸収層表面での反射係数が零でない現実
においても十分な黒化が可能であることがわかる。
m −1となるように、n   IId  −4l25
Y 20 a  Y20a Aとした場合の反射率スペクトルを第3図4こ示す。
本発明によらず、光路長の制御を行わないと、緑色、黄
色、赤色等、種々の反射光が生じ、素子の品質低下が著
しい。
〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、背面「黒
化」の名にふされしい表示品質の優れた薄膜EL素子を
得ることができるものである。
なお、多層膜中の界面での反射係数自体を低減すれば、
光路長の制御の重要性は少なくなるが、反射係数を決め
る屈折率は物質固有であり、材料の選択もしくは無反射
コーティングのための層の数の増加による素子作成コス
ト等、種々の問題が残り、実用性の点で本発明の有効性
は明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図(alは背面黒化薄膜EL素子の構造並びに同素
子に於ける各構成層間界面の反射係数及び反射率を示す
図、第1図(bJは第1図fa)に於ける反射率スペク
トルを求めるために簡単化した薄膜EL素子構造を示す
図、第2図は非背面黒化薄膜EL素子(a)と従来技術
による背面黒化薄膜EL素子(blの反射率スペクトル
を示す図、第3図は本発明の実施例による反射率スペク
トルを示す図である。 符号の説明 1・・・ガラス基板、2・・透明電極(ITO)、3・
・・下部絶縁層(Y2O3)、4・・・発光層(ZnS
:M n )、5・・・上部絶縁層(Y2O3)、6・
・・光吸収層(黒化膜)、7・・・背面電極(An)。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)/−m−方
゛ラズ茎不欠 2−3可【で(fTO) 3=−下*Itll/l (Y2O3>4−−−111
)t CZnSoMn)5− 上好着材(冷o3) 第1図CG) 藺粍IR順(L朴槽1g訂目 第1図(b) 坂&<nm> 第2rM

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.背面黒化薄膜EL素子に於いて、外部光の反射率が
    波長5000〜6000Åに於いて最小になるように素
    子構成薄膜の光路長を制御したことを特徴とする薄膜E
    L素子。
JP60144909A 1985-07-01 1985-07-01 薄膜el素子 Granted JPS625598A (ja)

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JP60144909A JPS625598A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 薄膜el素子

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JPS625598A true JPS625598A (ja) 1987-01-12
JPH0371759B2 JPH0371759B2 (ja) 1991-11-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02250291A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5650374A (en) * 1979-09-29 1981-05-07 Sharp Kk Thin film el element
JPS5657089A (en) * 1979-10-15 1981-05-19 Sharp Kk Thin film el element
JPS5858583A (ja) * 1981-09-21 1983-04-07 サン・ケミカル・コ−ポレ−シヨン 改良薄層エレクトロルミネセント表示デバイス
JPS61220293A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 日産自動車株式会社 薄膜el素子

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