JPS6255814A - 電気接点材 - Google Patents
電気接点材Info
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- JPS6255814A JPS6255814A JP19554485A JP19554485A JPS6255814A JP S6255814 A JPS6255814 A JP S6255814A JP 19554485 A JP19554485 A JP 19554485A JP 19554485 A JP19554485 A JP 19554485A JP S6255814 A JPS6255814 A JP S6255814A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気接点材に関し、特にコストダウン及び微弱
電流回路の小型高密化を目的として、電気接点部のＡｕ
、Ｐｄ又はこれらの合金の被覆厚さを薄くするも、信
頼性の優れた接点作用を行なうことができる電気接点材
を提供するものである。
電流回路の小型高密化を目的として、電気接点部のＡｕ
、Ｐｄ又はこれらの合金の被覆厚さを薄くするも、信
頼性の優れた接点作用を行なうことができる電気接点材
を提供するものである。
微弱電流回路、例えば電子回路におけるスイッチ、コネ
クター、センサーなどの電気接点には、ＡｌｌやＰｄを
始め、ＡＵ −Ｐｄ 、 ＡＵ −Ｇｏ 、Ａｕ −Ｎ
ｉ 、Ａｕ−Ａ９、Ａｕ −ｐｔ 。
クター、センサーなどの電気接点には、ＡｌｌやＰｄを
始め、ＡＵ −Ｐｄ 、 ＡＵ −Ｇｏ 、Ａｕ −Ｎ
ｉ 、Ａｕ−Ａ９、Ａｕ −ｐｔ 。
Ａｕ −Ａ９−Ｐｄ 、Ａｕ −Ａｇ−Ｐｔ 、Ａｕ
−Ａ９−ＣＩＪ 、Ｐｄ −ＣＬＩ 、Ｐｄ −Ａｇ−
Ｐｔ 。
−Ａ９−ＣＩＪ 、Ｐｄ −ＣＬＩ 、Ｐｄ −Ａｇ−
Ｐｔ 。
Ｐｄ−１ｒ−Ｐｔ等の合金（以下これらをＡｕ材と略記
）が用いられている。これらＡｕ材は実用環境における
水分や）−１２Ｓ１Ｓ０２、Ｃ（ｚ等の汚染ガスによっ
て絶縁性皮膜を生成することがなく、微弱電流（μ△〜
ｍＡオーダー）においても接点障害を起すことがない。
）が用いられている。これらＡｕ材は実用環境における
水分や）−１２Ｓ１Ｓ０２、Ｃ（ｚ等の汚染ガスによっ
て絶縁性皮膜を生成することがなく、微弱電流（μ△〜
ｍＡオーダー）においても接点障害を起すことがない。
、このようなＡｕ材を用いた電気接点材としては、一般
にＣＩＪ又はＣｕ合金からなる基材の少なくとも電気接
点部にＡｕ材を溶接、ろう付け、メッキ、クラッド等に
より被覆したものが用いられている。
にＣＩＪ又はＣｕ合金からなる基材の少なくとも電気接
点部にＡｕ材を溶接、ろう付け、メッキ、クラッド等に
より被覆したものが用いられている。
上記接点材は通常Ａｕ材を１μ以上の厚さに被覆してい
るが、これが電子回路の小型高密化を困難にするばかり
か、経済的にも大きな負担となっている。一般に微弱電
流回路における接点荷重は小さく、多くは数９から１０
０９程度であり、機械的電気的摩耗は微量である。特に
導電性ゴムを相手とするスイッチ、コネクター、センサ
ー等ではほとんど摩耗するようなことはない。しかしな
がらＡｕ材の被覆厚さを薄くすると、不可避的に存在す
るピンホールを介して基体が腐食し、その腐食物が接点
表面に浸出して絶縁性皮膜となり、これが接点特性を劣
化する。またこのような絶縁性皮膜は微弱電流回路にお
ける小さな接点荷重では機械的電気的にブレークするこ
とができず、電気接点材としての信頼性を低下するため
、Ａｌｌ材の皮膜厚さを薄くすることは不可能であった
。
るが、これが電子回路の小型高密化を困難にするばかり
か、経済的にも大きな負担となっている。一般に微弱電
流回路における接点荷重は小さく、多くは数９から１０
０９程度であり、機械的電気的摩耗は微量である。特に
導電性ゴムを相手とするスイッチ、コネクター、センサ
ー等ではほとんど摩耗するようなことはない。しかしな
がらＡｕ材の被覆厚さを薄くすると、不可避的に存在す
るピンホールを介して基体が腐食し、その腐食物が接点
表面に浸出して絶縁性皮膜となり、これが接点特性を劣
化する。またこのような絶縁性皮膜は微弱電流回路にお
ける小さな接点荷重では機械的電気的にブレークするこ
とができず、電気接点材としての信頼性を低下するため
、Ａｌｌ材の皮膜厚さを薄くすることは不可能であった
。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、接点部におけるＡ
ｕ材の被膜厚さを薄くするも、信頼性の優れた接点作用
を行なわせることができる電気接点材を開発したもので
ある。
ｕ材の被膜厚さを薄くするも、信頼性の優れた接点作用
を行なわせることができる電気接点材を開発したもので
ある。
即ち本発明接点材の一つは、導電性基体の少なくとも電
気接点部にＡｌｌ材を被覆した接点材において、少なく
とも基体とＡｕ材被覆層間に遷移金属のホウ化物、窒化
物、ケイ化物又は炭化物からなる中間層を形成し、該中
間層上にＡｕ材を被覆したことを特徴とするものである
。
気接点部にＡｌｌ材を被覆した接点材において、少なく
とも基体とＡｕ材被覆層間に遷移金属のホウ化物、窒化
物、ケイ化物又は炭化物からなる中間層を形成し、該中
間層上にＡｕ材を被覆したことを特徴とするものである
。
また本発明接点材の他の一つは、導電性基体の少なくと
も電気接点部に、Ａｌｌ材を被覆した接点材において、
少なくとも基体とＡｕ材被覆層間の基体上に遷移金属層
を設け、その上に遷移金属のホウ化物、窒化物、ケイ化
物又は炭化物からなる中間層を形成し、該中間層上にＡ
ｌｌ材を被覆したことを特徴とするものである。
も電気接点部に、Ａｌｌ材を被覆した接点材において、
少なくとも基体とＡｕ材被覆層間の基体上に遷移金属層
を設け、その上に遷移金属のホウ化物、窒化物、ケイ化
物又は炭化物からなる中間層を形成し、該中間層上にＡ
ｌｌ材を被覆したことを特徴とするものである。
本発明において、遷移金属、遷移金属のホウ化物、窒化
物、ケイ化物又は炭化物（以下ホウ化物等と略記）及び
Ａｕ材の被膜にはスパッタリング又はイオンブレーティ
ングを用い、Ａｕ材の被膜は接点部に局材行なうことが
望ましい。
物、ケイ化物又は炭化物（以下ホウ化物等と略記）及び
Ａｕ材の被膜にはスパッタリング又はイオンブレーティ
ングを用い、Ａｕ材の被膜は接点部に局材行なうことが
望ましい。
また導電性基体としてはＣＯやその他の金属又は合金が
用いられるが、その中でもＦｅ合金、例えばステンレス
鋼、Ｆｅ Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が好適で
あり、特にＦｅ−３０〜５５％Ｎｉ合金又はこれにＧＯ
を配したコバール合金がよい。尚これらが基体として導
電性が不足する場合には、Ｃｕ等を張合せるとよい。
用いられるが、その中でもＦｅ合金、例えばステンレス
鋼、Ｆｅ Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が好適で
あり、特にＦｅ−３０〜５５％Ｎｉ合金又はこれにＧＯ
を配したコバール合金がよい。尚これらが基体として導
電性が不足する場合には、Ｃｕ等を張合せるとよい。
中間層を形成するホウ化物等としては、ＴｉＢ、Ｔｉ
Ｂｚ 、Ｚｒ Ｂ、Ｚｒ Ｂｚ 、Ｈｆ Ｂ。
Ｂｚ 、Ｚｒ Ｂ、Ｚｒ Ｂｚ 、Ｈｆ Ｂ。
Ｎｂ Ｂ、Ｔａ Ｂ、Ｃｒｓ Ｂ３ 、ＭＯ２Ｂ、ＭＯ
Ｂ、ＣＯ３Ｂ、Ｎｉ ｚ Ｂ、Ｐｄ３Ｂ、Ｍｎ Ｂ＋、
ＶＢ、Ｎｉ Ｂ、Ｃｅ Ｎ、Ｌａ Ｎ、Ｔｉ Ｎ、Ｚｒ
Ｎ、Ｎｂ Ｎ、Ｃｒｚ Ｎ１Ｔａｚ Ｎ、Ｍｏ Ｎ。
Ｂ、ＣＯ３Ｂ、Ｎｉ ｚ Ｂ、Ｐｄ３Ｂ、Ｍｎ Ｂ＋、
ＶＢ、Ｎｉ Ｂ、Ｃｅ Ｎ、Ｌａ Ｎ、Ｔｉ Ｎ、Ｚｒ
Ｎ、Ｎｂ Ｎ、Ｃｒｚ Ｎ１Ｔａｚ Ｎ、Ｍｏ Ｎ。
ＶＮ、ＶｓＮ、ＰｄｚＳｉ、ＰｔＳｉ、Ｎｉ３ｉ１Ｃｏ
３ｉ２、ＷＳｉｚ、Ｍｏ５ｉｚ。
３ｉ２、ＷＳｉｚ、Ｍｏ５ｉｚ。
Ｔａ Ｓｉ ２ 、Ｎｂ Ｓｉ ｚ 、 Ｔｉ Ｓｉ
２ 、Ｚｒ３ｉ’、Ｈｆ Ｓｔ ｚ 、ＶＳｉ ｚ 、
Ｃｅ Ｃｚ、Ｐｒ ２０３、Ｎｄ Ｃｚ 、Ｄｙ Ｃ２
、Ｔｉ Ｃ１Ｚｒ Ｃ，Ｖｚ Ｃ，Ｎｂ Ｃ，Ｍｏ ｚ
Ｃ，Ｖｓ Ｃｓ、Ｔａ２Ｃ，Ｃｒ５Ｃｚ １ＶＣ等で
ある。また基体上に被覆する遷移金属としては種々のも
のが用いられるが、・特に中間層として被覆するホウ化
物等の構成金属と同種のものを用いることが望ましい。
２ 、Ｚｒ３ｉ’、Ｈｆ Ｓｔ ｚ 、ＶＳｉ ｚ 、
Ｃｅ Ｃｚ、Ｐｒ ２０３、Ｎｄ Ｃｚ 、Ｄｙ Ｃ２
、Ｔｉ Ｃ１Ｚｒ Ｃ，Ｖｚ Ｃ，Ｎｂ Ｃ，Ｍｏ ｚ
Ｃ，Ｖｓ Ｃｓ、Ｔａ２Ｃ，Ｃｒ５Ｃｚ １ＶＣ等で
ある。また基体上に被覆する遷移金属としては種々のも
のが用いられるが、・特に中間層として被覆するホウ化
物等の構成金属と同種のものを用いることが望ましい。
ホウ化物等は金属的な導電性（約０．１〜１５％ＩＡＣ
８）とセラミック的な硬度、高融点、耐熱性、耐食性を
有し、極薄な中間層としてＡｕ材からなる接点部の微弱
電流回路における接点特性の劣化を防止し、Ａｌｌ材の
極薄膜化を可能にするものである。即ちホウ化物等から
なる中間層は、Ａｕ材の極薄膜化によりピンホールを介
して起る基体金属の腐食を防止し、基体金属成分がＡｕ
材内に拡散浸入するのを防止する。こらの作用は特に基
体にＦｅ合金、例えばＦｅ −３０〜５５％Ｎｉ合金又
はこれにＣＯを配したコバール合金を用いたときに一層
効果的である。これら合金は経済的、耐食性、機械的強
度もさることながら、熱膨張率がホウ化物等と近似して
おり、熱歪を生ずることもなく、ホウ化物等との密着性
も良い。また基体とホウ化物等からなる中間層との間に
遷移金属、特に中間層を形成するボウ化物等の構成金属
と同種の金属層を設けることにより、基体とホウ化物等
からなる中間層との密着性を向上させることができる。
８）とセラミック的な硬度、高融点、耐熱性、耐食性を
有し、極薄な中間層としてＡｕ材からなる接点部の微弱
電流回路における接点特性の劣化を防止し、Ａｌｌ材の
極薄膜化を可能にするものである。即ちホウ化物等から
なる中間層は、Ａｕ材の極薄膜化によりピンホールを介
して起る基体金属の腐食を防止し、基体金属成分がＡｕ
材内に拡散浸入するのを防止する。こらの作用は特に基
体にＦｅ合金、例えばＦｅ −３０〜５５％Ｎｉ合金又
はこれにＣＯを配したコバール合金を用いたときに一層
効果的である。これら合金は経済的、耐食性、機械的強
度もさることながら、熱膨張率がホウ化物等と近似して
おり、熱歪を生ずることもなく、ホウ化物等との密着性
も良い。また基体とホウ化物等からなる中間層との間に
遷移金属、特に中間層を形成するボウ化物等の構成金属
と同種の金属層を設けることにより、基体とホウ化物等
からなる中間層との密着性を向上させることができる。
これらの遷移金属の被覆は密着性の向上が目的であり、
その被膜厚さは５００Å以下で十分である。
その被膜厚さは５００Å以下で十分である。
本発明接点材は上記の如く基体上にホウ化物等からなる
薄膜とＡｌｌ材からなる薄膜により優れた特性を得たも
ので、薄膜化によるＡｕ材の節約を始め、薄膜の被着も
スパッタリングやイオンブレーティングが効果的に利用
され、その製造が能率的に行なわれる。
薄膜とＡｌｌ材からなる薄膜により優れた特性を得たも
ので、薄膜化によるＡｕ材の節約を始め、薄膜の被着も
スパッタリングやイオンブレーティングが効果的に利用
され、その製造が能率的に行なわれる。
しかしてホウ化物等からなる中間層の厚さは１００〜５
０００人とすることが望ましく、この範囲内で特に実用
的である。またＡｕ材の被覆厚さは２００〜５０００人
とすることが望ましく、この範囲内で特に実用的である
。
０００人とすることが望ましく、この範囲内で特に実用
的である。またＡｕ材の被覆厚さは２００〜５０００人
とすることが望ましく、この範囲内で特に実用的である
。
実施例（１）
基体に５ＵＳ３１６からなる厚さ０．０６ ＃の板を用
い、その接点部に第１表に示す遷移金属、ホウ化物等及
びＡｌｌ材をスパッタリングにより順次被覆して電気接
点材を製造した。これらについて実用環境を模して下記
ＡとＢの加速劣化処理を行なってから導電ゴム接点をプ
ルーブとして１ｍＡ、１０ｇ荷重で接触抵抗を実測した
。
い、その接点部に第１表に示す遷移金属、ホウ化物等及
びＡｌｌ材をスパッタリングにより順次被覆して電気接
点材を製造した。これらについて実用環境を模して下記
ＡとＢの加速劣化処理を行なってから導電ゴム接点をプ
ルーブとして１ｍＡ、１０ｇ荷重で接触抵抗を実測した
。
その結果を第１表に併記した。
Ａ処理 Ｂ処理
（、Ｊ２ｚ ２０ｐｐｍ １５０℃大気中Ｎ
ｏ ２２００１１（ｌｌｎ ５００時間保持＋
２８ ３０ｐｐｍ 湿度７５％、温度２５℃ ９０時間保持 第１表 遷移金属 ホウ化物等 Ａｌｌ材
１ａ触（１（抗（Ω）接点材 １１Ｇ！！Ｉｉ別
厚さ 種 別 厚さ 秤 別、 厚 さ 処理
ＡＢ（Ａ） （人） （入）
ｎり 処理 処狸木発明品 １ ’
ＴＩＮ ５５０ＡＬ＋ −５％Ｐｄ Ｇｏｏ
２５ ３１１ ２６ｎ ２Ｔｉ ２０
０ ｎ ２０００ ｎ
ｎ ２８ ３５ ３Ｇｎ ３ Ｎｂ
１００ＮｂＮ ５４０Ａｕ ３０
０ ２８ ３１ ２９ｎ ４ Ｃｒ
２５０ Ｃｒ２Ｎ ３００ ｎ
２０００ ２４ ３０ ３＋’！ ５ −
−Ｚｒｒ３ｚ １ｓｏｏ ＡＵ−５％Ｐｄ ８
９０ ２３ ２９ ２８’Ｆ ６ Ｃｒ
２５０ ｃｒｓ ３５００ Ｐｄ
４００ ３８ ４５ ５３〃７ − −
ＺｒＢｚ ４０００ ＃ ８０
０ ３７ ’４２ ５０〃８ Ｔｉ ３００
ＴｉＣ＋３００ Ａｌｌ−１％Ｎｔ２９００ ２
３ ３０ ３５〃’Ｊ Ｐｄ １００ Ｐ
ｄｚＳｉ ３０００ Ａｕ ５００
２４ ３１ ３８ｒｐ １０ −−ｃｏｓｉ
２ １２００ Ｊｒ ２５０ ３８
４６ ５２Ｉ１１１−−ＴｉＳｉ ３８０
〃４０００ ２２ ２８ ３２比較品 １２
−一−−Ａｌｌ −５％Ｐｄ ６００ ３９ ＞２０
０ ＞２００ｎ １３ − − − −〃
４５００３２１５０１２Ｏｎ ＋４−− −
− − −＞２００＞２００＞２００第１
表から明らかなように、本発明品Ｎ（１１〜１１は何れ
も安定な接触抵抗を示したのに比べ、ホウ化物等からな
る中間層を形成しない比較量Ｎα１２〜１３は何れも加
速劣化処理による劣化が著しいことが判る。
ｏ ２２００１１（ｌｌｎ ５００時間保持＋
２８ ３０ｐｐｍ 湿度７５％、温度２５℃ ９０時間保持 第１表 遷移金属 ホウ化物等 Ａｌｌ材
１ａ触（１（抗（Ω）接点材 １１Ｇ！！Ｉｉ別
厚さ 種 別 厚さ 秤 別、 厚 さ 処理
ＡＢ（Ａ） （人） （入）
ｎり 処理 処狸木発明品 １ ’
ＴＩＮ ５５０ＡＬ＋ −５％Ｐｄ Ｇｏｏ
２５ ３１１ ２６ｎ ２Ｔｉ ２０
０ ｎ ２０００ ｎ
ｎ ２８ ３５ ３Ｇｎ ３ Ｎｂ
１００ＮｂＮ ５４０Ａｕ ３０
０ ２８ ３１ ２９ｎ ４ Ｃｒ
２５０ Ｃｒ２Ｎ ３００ ｎ
２０００ ２４ ３０ ３＋’！ ５ −
−Ｚｒｒ３ｚ １ｓｏｏ ＡＵ−５％Ｐｄ ８
９０ ２３ ２９ ２８’Ｆ ６ Ｃｒ
２５０ ｃｒｓ ３５００ Ｐｄ
４００ ３８ ４５ ５３〃７ − −
ＺｒＢｚ ４０００ ＃ ８０
０ ３７ ’４２ ５０〃８ Ｔｉ ３００
ＴｉＣ＋３００ Ａｌｌ−１％Ｎｔ２９００ ２
３ ３０ ３５〃’Ｊ Ｐｄ １００ Ｐ
ｄｚＳｉ ３０００ Ａｕ ５００
２４ ３１ ３８ｒｐ １０ −−ｃｏｓｉ
２ １２００ Ｊｒ ２５０ ３８
４６ ５２Ｉ１１１−−ＴｉＳｉ ３８０
〃４０００ ２２ ２８ ３２比較品 １２
−一−−Ａｌｌ −５％Ｐｄ ６００ ３９ ＞２０
０ ＞２００ｎ １３ − − − −〃
４５００３２１５０１２Ｏｎ ＋４−− −
− − −＞２００＞２００＞２００第１
表から明らかなように、本発明品Ｎ（１１〜１１は何れ
も安定な接触抵抗を示したのに比べ、ホウ化物等からな
る中間層を形成しない比較量Ｎα１２〜１３は何れも加
速劣化処理による劣化が著しいことが判る。
実施例（２）
実施例（１）における本発明品Ｎα２及びＮα８と、基
体にＦｅ−４２％Ｎｉ合金、コバール合金（Ｆｅ−２９
％Ｎｉ −１７％Ｇｏ）及び表面に厚さ２μのＮｉメッ
キを施したＣｕ合金（ＣＬＩ −９，５％Ｎｉ−２，３
％Ｓｕ）を用イ、前記本発明品ＮＱ２及びＮα８と同様
に遷移金属、ホウ化物等及びＡｕ材を被覆した本発明品
について、ＭＩＬ法に準じ一６０℃と１２０℃の温度サ
イクルを１５０回施５てから、実施例（１）におけるＡ
処理を行なって接触抵抗を実測した。
体にＦｅ−４２％Ｎｉ合金、コバール合金（Ｆｅ−２９
％Ｎｉ −１７％Ｇｏ）及び表面に厚さ２μのＮｉメッ
キを施したＣｕ合金（ＣＬＩ −９，５％Ｎｉ−２，３
％Ｓｕ）を用イ、前記本発明品ＮＱ２及びＮα８と同様
に遷移金属、ホウ化物等及びＡｕ材を被覆した本発明品
について、ＭＩＬ法に準じ一６０℃と１２０℃の温度サ
イクルを１５０回施５てから、実施例（１）におけるＡ
処理を行なって接触抵抗を実測した。
その結果を第２表に示す。
第２表
接点材 Ｎｉｌ 基 体 別 被 覆
接触抵抗（Ω）前 後 本発明品 ２ ５ＵＳ３１６ ２８
４２ｎ ８ ｎ ２３３８ ｎ １５ Ｆｅ ４２％Ｎｉ Ｎ１１２ト
同Ｕ ２７ ３３〃１６
順８と同じ ２３２１〃１７ コバール合金
順２と同じ ２８３゜〃１８〃 順８と同
じ ２２２６／／ １９ Ｃｕ合金
Ｎα２と同じ ２６５６〃２０〃 順８と
同じ ２２４２第２表から明らかなように本発明Ｎｎ２
、随８、順１５〜２０は何れも優れた特性を示すも、基
体により劣化の程度が異なり、中でも基体がＣＬＩ合金
の場合に一番劣り、次にステンレス鋼が劣り、ｔ”ｅ−
Ｎｉ合金及びコバール合金が最も安定していることが判
る。尚基体にＣＬＩ合金を用いた本発明品船１９〜２０
でも、第１表に示す比較量と対比すれば判るようにはる
かに優れている。
接触抵抗（Ω）前 後 本発明品 ２ ５ＵＳ３１６ ２８
４２ｎ ８ ｎ ２３３８ ｎ １５ Ｆｅ ４２％Ｎｉ Ｎ１１２ト
同Ｕ ２７ ３３〃１６
順８と同じ ２３２１〃１７ コバール合金
順２と同じ ２８３゜〃１８〃 順８と同
じ ２２２６／／ １９ Ｃｕ合金
Ｎα２と同じ ２６５６〃２０〃 順８と
同じ ２２４２第２表から明らかなように本発明Ｎｎ２
、随８、順１５〜２０は何れも優れた特性を示すも、基
体により劣化の程度が異なり、中でも基体がＣＬＩ合金
の場合に一番劣り、次にステンレス鋼が劣り、ｔ”ｅ−
Ｎｉ合金及びコバール合金が最も安定していることが判
る。尚基体にＣＬＩ合金を用いた本発明品船１９〜２０
でも、第１表に示す比較量と対比すれば判るようにはる
かに優れている。
このように本発明によれば、Ａｕ材を最小限の使用量で
信頼性に優れた接点作用を行なわせることができるもの
で、特にエレクトロ平りス機器における微弱電流回路又
はデジタル回路のスイッチ、コネクター、センサーとし
て好適であり、かつ該回路の小型高密化を可能にする等
工業上顕著な効果を奏するものである。
信頼性に優れた接点作用を行なわせることができるもの
で、特にエレクトロ平りス機器における微弱電流回路又
はデジタル回路のスイッチ、コネクター、センサーとし
て好適であり、かつ該回路の小型高密化を可能にする等
工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (6)
- （１）導電性基体の少なくとも電気接点部に、Ａｕ、Ｐ
ｄ又はこれらの合金を被覆した接点材において、少なく
とも基体とＡｕ、Ｐｄ又はこれらの合金の被覆層間に、
遷移金属のホウ化物、窒化物、ケイ化物又は炭化物から
なる中間層を形成し、該中間層上にＡｕ、Ｐｄ又はこれ
らの合金を被覆したことを特徴とする電気接点材。 - （２）中間層を１００〜５０００Åの厚さに形成し、そ
の上にＡｕ、Ｐｄ又はこれらの合金を２００〜５０００
Åの厚さに被覆する特許請求の範囲第１項記載の電気接
点材。 - （３）基体にＦｅ合金を用いる特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の電気接点材。 - （４）導電性基体の少なくとも電気接点部に、Ａｕ、Ｐ
ｄ又はこれらの合金を被覆した接点材において、少なく
とも基体とＡｕ、Ｐｄ又はこれらの合金被覆層間の基体
上に遷移金属層を設け、その上に遷移金属のホウ化物、
窒化物、ケイ化物又は炭化物からなる中間層を形成し、
該中間層上にＡｕ、Ｐｄ又はこれらの合金を被覆したこ
とを特徴とする電気接点材。 - （５）中間層を１００〜５０００Åの厚さに形成し、そ
の上にＡｕ、Ｐｄ又はこれらの合金を２００〜５０００
Åの厚さに被覆する特許請求の範囲第４項記載の電気接
点材。 - （６）基体にＦｅ合金を用いる特許請求の範囲第４項又
は第５項記載の電気接点材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554485A JPS6255814A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気接点材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554485A JPS6255814A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気接点材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255814A true JPS6255814A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16342861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19554485A Pending JPS6255814A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気接点材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246831A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電気接点 |
| US5409762A (en) * | 1989-05-10 | 1995-04-25 | The Furukawa Electric Company, Ltd. | Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these |
| US5597064A (en) * | 1989-05-10 | 1997-01-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these |
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| JPS5444746A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Multilayer contact structure |
| JPS56159016A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-08 | Yaskawa Denki Seisakusho Kk | Lead switch |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19554485A patent/JPS6255814A/ja active Pending
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