JPS6254181A - Pattern generating device - Google Patents

Pattern generating device

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Publication number
JPS6254181A
JPS6254181A JP60194663A JP19466385A JPS6254181A JP S6254181 A JPS6254181 A JP S6254181A JP 60194663 A JP60194663 A JP 60194663A JP 19466385 A JP19466385 A JP 19466385A JP S6254181 A JPS6254181 A JP S6254181A
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JP
Japan
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pattern
address
data
pattern data
access
Prior art date
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Pending
Application number
JP60194663A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Genzo Ueda
上田 源三
Eiji Wada
和田 英二
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP60194663A priority Critical patent/JPS6254181A/en
Publication of JPS6254181A publication Critical patent/JPS6254181A/en
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Abstract

PURPOSE:To make generation of test waveform patterns easy by making update period of a clock generating circuit to each address counter progressively small. CONSTITUTION:If becomes possible to designate rise time and fall time of pattern data on a memory only by information of time by storing pattern data making access period accessing (n) address of a pattern data memory 12. Consequently, it becomes not necessary to deal with data and timing separately. Furthermore, as update period of a clock generating circuit is made progressively small as 18a, 18b, 18c, pattern data of relatively long period can be stored in the state of small storing capacity of the memory 12 by designating combining pattern data of different period of generation. Accordingly, generation of multifarious waveform patterns of relatively long period is made easy without enlarging memory capacity.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業1・、の利用分野] この発明は、パターン発生装置に関し、特に、ICM杏
のためのテスト波形パターンなど、複数のICテストピ
ンにそれぞれの波形パターンをそれぞれ発生するパター
ン発生装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application in Industry 1] The present invention relates to a pattern generator, and in particular, the present invention relates to a pattern generator that generates waveform patterns for each of a plurality of IC test pins, such as a test waveform pattern for an ICM. The present invention relates to a pattern generator.

[従来の技術] IC検査システムにおいては、ICの性能9機能試験を
行うためにそれに必要な複数ビットのテスト波形パター
ンを、テストパターンプログラム等に従って自動的に発
生する7殼がある。
[Prior Art] There are seven types of IC testing systems that automatically generate a multi-bit test waveform pattern necessary for performing a performance test of an IC according to a test pattern program or the like.

従来、そのようなテスト波形パターンの発生装置にあっ
ては、パターン発生器によって作られたパターンデータ
とタイミング発生器により作られたクロック信号・との
それぞれのうちから、ICのピンごとに必易なものを選
択して合成して所定の波形を生成している。そしてこれ
をドライブ回路に送出して、その出力をレベル変換し、
所定のICピンに供給する方法を採る。
Conventionally, in such a test waveform pattern generator, it is necessary to generate data for each pin of an IC from among pattern data created by a pattern generator and a clock signal created by a timing generator. A predetermined waveform is generated by selecting and synthesizing the waveforms. Then, send this to the drive circuit, convert the output level,
A method is adopted in which the signal is supplied to a predetermined IC pin.

その−例として、第5図に見るような具体的な回路を挙
げることができる。
As an example, a specific circuit as shown in FIG. 5 can be cited.

lは、パターン発生器であって、例えば所定のROM等
により構成されていて、所定のアドレスをアクセスして
第6図の(a) 、 (b)に見るパターンA、パター
ンBのような所定のパターンデータを発生し、データセ
レクタ2により、そのうちの7認なパターンデータが所
定のタイミングで選択され、波形フォーマツタ3に送出
される。
Reference numeral 1 denotes a pattern generator, which is composed of, for example, a predetermined ROM, and which accesses a predetermined address to generate predetermined patterns such as pattern A and pattern B shown in FIG. 6(a) and (b). The data selector 2 selects the seven most recognized pattern data at a predetermined timing and sends them to the waveform formatter 3.

一方、タイミング発生′Ei4により発生する第6図の
(d) 、 (e)のタイミング波形(1) 、 (2
)に見るような各種のタイミング信号・のうちの1つが
タイミングセレクタ5により所定のタイミングで選択さ
れて、波形フォーマツタ3に送出される。
On the other hand, the timing waveforms (1) and (2) of (d) and (e) in FIG. 6 generated by the timing generation 'Ei4
) is selected by the timing selector 5 at a predetermined timing and sent to the waveform formatter 3.

ここで、例えば、パターンA、パターンBが選択された
とすると、波形フォーマツタ3おいて、第6図の(C)
に見るパターンデータがABの合成パターンとして生成
されて、例えばタイミング波形(1)、(2)がそれぞ
れ選択され、これらに従って、第6図の(f)に見るよ
うなテスト波形パターンの波形フォマッタ出力を発生す
る。
Here, if, for example, pattern A and pattern B are selected, the waveform formatter 3 displays (C) in FIG.
The pattern data shown in FIG. 6 is generated as a composite pattern of AB, and, for example, timing waveforms (1) and (2) are selected respectively, and according to these, the waveform formatter outputs the test waveform pattern as shown in FIG. 6(f). occurs.

この波形フォーマツタ3の出力信y7は、テスト波形パ
ターンとして、次段のドライブ回路6のドライバ7に送
出される。そしてドライブ回路6を経て、設定された所
定の電圧の対応する波形パターンを、例えばハンドラ側
のソケットに挿着されている被検前ICの特定のピンに
印加するものである。
The output signal y7 of this waveform formatter 3 is sent to the driver 7 of the next stage drive circuit 6 as a test waveform pattern. Then, via the drive circuit 6, a corresponding waveform pattern of a predetermined voltage is applied to a specific pin of an IC to be tested inserted into a socket on the handler side, for example.

なお、7a、7bは、ドライバ7に供給する基環電圧諒
モジュールであって、これらにより安定な電圧VIH(
HIGHレベルの設定電圧値)。
Note that 7a and 7b are base ring voltage regulator modules that supply the driver 7, and they provide a stable voltage VIH (
HIGH level setting voltage value).

VIL(LOWレベルの設定電圧値)がドライバ7に供
給される。
VIL (low level set voltage value) is supplied to the driver 7.

[解決しようとする問題点コ さて、゛I′導体集積回路は、高機能化されるにつれて
テスト時に印加される波形パターンも複雑になる傾向に
ある。したがって、前記のようにパターン発生器とタイ
ミング発生器とにより、所定の波形パターンを発生する
ものにあっては、発生できる波形の種類がハードウェア
の構成で決定されてしまい、多様なテスト波形パターン
に対応しきれない欠点がある。
[Problems to be Solved] As I' conductor integrated circuits become more sophisticated, the waveform patterns applied during testing tend to become more complex. Therefore, in the case where a predetermined waveform pattern is generated using a pattern generator and a timing generator as described above, the types of waveforms that can be generated are determined by the hardware configuration, and various test waveform patterns are generated. There are drawbacks that cannot be addressed.

また、ピンごとにテスト波形や1Q理値に融通性をもた
せるため、それに対応する選択回路が7堡であって、ピ
ン数が多くなった場合に、回路規模が大きくなるととも
に、高速性が損なわれ、装置全体が大型化するという問
題点がある。
In addition, in order to provide flexibility in test waveforms and 1Q logical values for each pin, the corresponding selection circuit is 7-block, and when the number of pins increases, the circuit scale increases and high speed is impaired. However, there is a problem in that the entire device becomes larger.

このような問題点を解決するために、この出願人は、メ
モリのn番地(nは正の整数)のアドレスをアクセスす
るアクセス周期を中位とし、発生波形パターンのタイミ
ングに対応するパターンデ−タをメモリに記憶し、この
メモリを順次アクセスして得たパターンデータに基づき
所定のテスト71U形パターンを発生し、アドレスカウ
ンタをクロック周期に対応して更新するごとに前記のア
クセスを行うという技術を先行技術として提案し、すで
に出願済みである。
In order to solve these problems, the applicant set the access period for accessing address n (n is a positive integer) in the memory to be medium, and set the pattern data corresponding to the timing of the generated waveform pattern. A technology in which data is stored in a memory, a predetermined test 71U pattern is generated based on the pattern data obtained by sequentially accessing this memory, and the above-mentioned access is performed each time the address counter is updated in accordance with the clock cycle. has been proposed as prior art and has already been filed.

しかしながら、このような方式のテストパターン発生装
置にあっては、ICのピン対応に多種多様のパターンを
用意し、これらを記憶することが必要となるため比較的
大きな容量のメモリが必要であり、特に、比較的長い周
期の波形パターンを多く記憶することになると、そのメ
モリ容量は非常に大きいものとなって、回路の小型化や
価格の点から見て問題点がある。
However, in this type of test pattern generator, it is necessary to prepare and store a wide variety of patterns corresponding to the pins of the IC, so a relatively large capacity memory is required. In particular, when a large number of waveform patterns with relatively long periods are stored, the memory capacity becomes extremely large, which poses a problem in terms of circuit miniaturization and cost.

[発明の「1的コ この発明は、このような従来技術及び先行技術の問題点
を解決するとともに、多様で複雑なテストパターンを部
用な構成により発生することができるパターン発生装置
を提供するこきを目的とする。
[One aspect of the invention] The present invention solves the problems of the prior art and prior art, and provides a pattern generator that can generate various and complex test patterns with a simple configuration. For the purpose of koki.

[問題点を解決するためのL段コ この発明は、従来のように論理信号の波形を論理データ
と波形の種類、そしてそのタイミングとで決めるもので
はなく、パルスの\yちにかり、X″I。
[L stage for solving the problem] This invention does not determine the waveform of a logic signal based on logic data, the type of waveform, and its timing, as in the past, but instead ``I.

ちドがり時点を基準点から111測するというものであ
り、メモリのアクセス周期をt、1を位時間としてタイ
ミングの時間を管理するというものである。
The difference point is measured 111 times from the reference point, and the timing is managed using the memory access cycle as t and 1 as the digit time.

しかして、−1−記[1的を達成するためにのこの発明
のパターン発生装置における手段は、メモリのn番地(
nはiEの整数)のアドレスをアクセスするアクセス周
期を中位とし、発生波形パターンのタイ・ミングに対応
するパターンデータをそれぞれ記憶する複数のメモリと
、これらのメモリ対応にそれぞれのアクセスアドレスを
記憶する複数のアドレスカウンタと、これらのアドレス
カウンタ対応にそれぞれのアドレス値を周期的に更新す
るクロック発生回路とを有し、複数のメモリをアクセス
して得たパターンデータに基づき所定の波形パターンを
発生するものであって、複数のメモリを順次段階的にア
クセスして、この段階が後になる順に対応して前記のク
ロック発生回路のそれぞれのアドレスカウンタに対する
更新周期を順次小さくしているというものである。
Therefore, the means in the pattern generator of the present invention for achieving objective 1-1 is as follows:
The access period for accessing the address (n is an integer of iE) is set to medium, and there are multiple memories each storing pattern data corresponding to the timing of the generated waveform pattern, and each access address is stored in each of these memories. It has multiple address counters and a clock generation circuit that periodically updates each address value corresponding to these address counters, and generates a predetermined waveform pattern based on pattern data obtained by accessing multiple memories. In this method, a plurality of memories are sequentially accessed in stages, and the update period for each address counter of the clock generation circuit is sequentially decreased in accordance with the order in which the stages come later. .

[作用コ このようにメモリのn番地のアドレスをアクセスするア
クセス周期を中位としてパターンデータを記憶すること
により、テスト波形パターンが、いつ−χち1・、がる
か、いつXrちドがるかを、時間情報だけでメモリ11
にて指定することが可能となる。
[Operation] By storing the pattern data with the access period for accessing the address n of the memory as a medium value, it is possible to determine when the test waveform pattern -χchi1., increases and when Xrchido increases. memory 11 with only time information.
It is now possible to specify.

その結果、データとタイミングとを別々に取り扱わなく
て済むことになる。しかもクロック発生回路の更新周期
が順次小さくなっているので、発生周期の相違するパタ
ーンデータを組合せて指定することにより、比較的長い
周期のパターンデータでも、メモリの記憶容1uが少な
い状態で記憶できる。
As a result, data and timing do not have to be handled separately. Moreover, since the update period of the clock generation circuit is gradually becoming smaller, by specifying a combination of pattern data with different generation periods, even pattern data with a relatively long period can be stored with a small memory storage capacity of 1u. .

したがって、メモリ容:I14を大きくしなくても比較
的周期の長い多様な波形パターンを発生することが可能
となり、テスト波形パターンの発生が容易となり、その
管理、制御が単純なものとなる。
Therefore, it is possible to generate various waveform patterns with relatively long cycles without increasing the memory capacity I14, making it easy to generate test waveform patterns, and simplifying their management and control.

〔実施例] 以下、図面を参照し、この発明の一実施例について説明
する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、この発明によるパターン発生装置の一実施例
の概略ブロック図、第2図(a)は、発生すべき波形パ
ターンの具体例であって、第2図(b)は、その場合の
データメモリ部の記憶内容を示す説明図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram of an embodiment of a pattern generator according to the present invention, FIG. 2(a) is a specific example of a waveform pattern to be generated, and FIG. 2(b) is a diagram showing the case in which FIG. 3 is an explanatory diagram showing the storage contents of the data memory section of the computer.

パターン発生装置10は、IC検査システムにおいてI
C検査のためのテスト波形パターンデータするもので、
パターンデータメモリ12.テストシーケンスプロセッ
サ14、アドレスカウンタ/アクセス回路16、そして
クロック発生回路18等を備えている。
The pattern generator 10 is an I
This is test waveform pattern data for C inspection.
Pattern data memory 12. It includes a test sequence processor 14, an address counter/access circuit 16, a clock generation circuit 18, and the like.

なお、テストシーケンスプロセッサ14を共通としてパ
ターンデータメモリ12、アドレスカウンタ/アクセス
回路16、クロック発生回路18、ドライブ回路6等で
構成される同一のパターン発生装置10がテストすべき
ICのピンに対応して複数個並列に設けられている。以
下の説明では、これら並列に1計けられるパターン発生
装置10については、同様であるためその説明を割愛す
る。
Note that the same pattern generation device 10, which is composed of a pattern data memory 12, an address counter/access circuit 16, a clock generation circuit 18, a drive circuit 6, etc., with a common test sequence processor 14, corresponds to the pins of the IC to be tested. A plurality of them are provided in parallel. In the following description, the pattern generators 10 that are installed in parallel will not be described because they are the same.

テストシーケンスプロセッサ14は、内部のメモリに種
々のテスト波形パターンを発生させるために必要なマイ
クロコマンドプログラムを格納しており、それを実行す
ることによりあるICピンに対応するパターンデータメ
モリ12に対するスタートアドレス情報を発生するとと
もに、クロック発生回路18を起動する。
The test sequence processor 14 stores microcommand programs necessary for generating various test waveform patterns in its internal memory, and by executing the microcommand programs, the start address for the pattern data memory 12 corresponding to a certain IC pin is determined. At the same time as generating information, the clock generation circuit 18 is activated.

パターンデータメモリ12は、被検査デバイス(IC)
の性能9機能試験に必要なパターンデータを内部のメモ
リに格納していて、第1.第2゜第3の順で段階的にア
クセスされる第1.第2゜第3のメモリとして第1のデ
ータメモリ部12a。
The pattern data memory 12 is a device under test (IC).
The pattern data necessary for the performance 9 function test of the 1. The first page is accessed step by step in the order of second and third. A first data memory section 12a serves as a second and third memory.

第2のデータメモリ部12b、第3のデータメモリ部1
2cの3つのブロックを有しており、AND回路13を
備えている。そして段階的にアクセスされた第1.第2
.第3のデータメモリ部12at  12 b、l 2
 cの3つのブロックからの出力がこのANI)回路1
3でA N +)が採られて、AN1〕条件が成S7.
したときに、ANI)回路13の出力を波形エツジ発生
回路20に送出する。
Second data memory section 12b, third data memory section 1
It has three blocks of 2c, and is equipped with an AND circuit 13. The first page was accessed in stages. Second
.. Third data memory section 12at 12b, l2
The outputs from the three blocks of c are this ANI) circuit 1
3, A N +) is taken, and the AN1] condition is met.S7.
At this time, the output of the ANI) circuit 13 is sent to the waveform edge generation circuit 20.

1)11記の段階的なアクセスとしては、例えば、スタ
ート時点でまず第1のデータメモリ部12aのアクセス
が開始される。そして特定のビ・ソトデータが読み出さ
れた場合に第2のデータメモリ部12bのアクセスが開
始され、このとき第1のデータメモリ部12aのアクセ
スが停止上する。
1) As for the stepwise access described in item 11, for example, at the start time, access to the first data memory section 12a is first started. Then, when specific bi-soto data is read out, access to the second data memory section 12b is started, and at this time, access to the first data memory section 12a is stopped.

次に、第2のデータメモリ部12bのアクセスにおいて
特定のビットデータが読み出された場合に第すのデータ
メモリ部12cのアクセスが開始され、第2のデータメ
モリ部12bのアクセスが停止する。
Next, when specific bit data is read in the access to the second data memory section 12b, access to the second data memory section 12c is started, and access to the second data memory section 12b is stopped.

次に、第3のデータメモリ部12cがアクセスされて、
特定のビットデータが読み出された場合に、これが前記
第1.第2のデータメモリ12a。
Next, the third data memory section 12c is accessed, and
When specific bit data is read, this is the first bit data. Second data memory 12a.

12bから読み出された特定ビットデータ(例えばフラ
グビット)とのAND条件のドに波形エツジ発生回路2
0に送出されて、波形パターンの立ち十、かり又は立ち
下がり時点を指定するものである。
The waveform edge generation circuit 2 is applied to the AND condition with the specific bit data (for example, flag bit) read from 12b.
0 to designate the rising, rising, or falling points of the waveform pattern.

そして、この時点で、第3のデータメモリ部12cのア
クセスが停止1.シて、第1のデータメモリ?a< 1
2 aのアクセスがIIrび開始されて同様な処理が行
われて、次には、立ち上がりの特定ビットデータが読み
出されてX”fちドがり時点が指定される。
At this point, access to the third data memory section 12c is stopped.1. Is it the first data memory? a< 1
The access of 2a is started a second time, similar processing is performed, and next, specific bit data on the rising edge is read out and the point in time when X''f minus is specified.

さて、アドレスカウンタ/アクセス回路16は、同様に
第1.第2.第3のアドレスカウンタ/アクセス部18
 al  l 6 be  16 cの3つのブロック
から構成されていて、これらは、段階的に動作し、それ
ぞれ第1.第2.第3のデータメモリ部12 al  
l 2 be  12 cのそれぞれに対応している。
Now, the address counter/access circuit 16 similarly operates at the first . Second. Third address counter/access section 18
It is composed of three blocks: al l 6 be 16 c, which operate in stages, with the first . Second. Third data memory section 12 al
It corresponds to each of l 2 be 12 c.

そしてこれらは、それぞれに対応するデータメモリ部の
アドレス情報を記憶し、与えられたアドレス情報が更新
ごとにその更新アドレスにおいて読み出し制御信号を対
応する第1.第2.第3のデータメモリ部12 at 
 l 2 be  l 2 cに対して送出して指定さ
れたアドレスから町1次データを読み出す。
Each of these stores the address information of the corresponding data memory section, and each time the given address information is updated, a read control signal is sent to the corresponding first . Second. Third data memory section 12 at
The primary data of the town is read from the specified address by sending it to l 2 be l 2 c.

ここで、アドレスカウンタ/アクセス回路16の第1.
第2.第3の各アドレス/アクセス回路部lea、18
b+  leeに格納されるアドレス値は、それぞれテ
ストシーケンスプロセッサ14からストアされ、これら
は、第1.第2.第3のデータメモリ部12 al  
l 2 b、12 cの各先頭アクセスアドレス値を示
すことになる。
Here, the first .
Second. Third each address/access circuit section lea, 18
The address values stored in the first . Second. Third data memory section 12 al
This indicates the respective start access address values of l 2 b and 12 c.

また、第2のアドレスカウンタ/アクセス回路部18b
は、第1のデータメモリ部12aから特定ビットデータ
(フラグビット)を受けると、クロック発生回路18に
制御信号を送出する。同様に、第3のアドレスカウンタ
/アクセス回路部16bは、第2のデータメモリ部12
bから特定ビットデータ(フラグビット)を受けると、
クロック発生回路18に制御信号を送出する。
In addition, a second address counter/access circuit section 18b
When receiving specific bit data (flag bit) from the first data memory section 12a, it sends a control signal to the clock generation circuit 18. Similarly, the third address counter/access circuit section 16b is connected to the second data memory section 12.
When receiving specific bit data (flag bit) from b,
A control signal is sent to the clock generation circuit 18.

クロック発生回路18に対するこれらの制御信号は、発
生しているクロックの停止1−と新たなりロックの発生
を行うものである。
These control signals to the clock generation circuit 18 are for stopping the currently generated clock (1-) and generating a new lock.

クロック発生回路18は、テストシーケンスプロセッサ
14により起動され、まず、第1のクロック信号をクロ
ック発生端’f’18aに発生して、第1のアドレスカ
ウンタ/アクセス部16aのアドレスf1°lを・定の
周期で1アドレスづつ更新する。
The clock generation circuit 18 is activated by the test sequence processor 14, and first generates a first clock signal at the clock generation terminal 'f' 18a to read the address f1°l of the first address counter/access section 16a. Updates one address at a time.

そして、クロック発生回路18は、第2のアドレスカウ
ンタ/アクセス部16bからの前記の制御信ジノ・を受
けて、第1のクロック信壮を停止1−シて第2のクロッ
クイ、iジノをクロック端子18bに発生する。この第
2のクロック信号をアドレスカウンタ/アクセス部18
bが受けてアドレスカウンタ/アクセス部18bは、そ
のアドレス値が前記と異なる一定の周期で1アドレスづ
つ!J!9frさせられる。
Then, the clock generation circuit 18 receives the control signal Gino from the second address counter/access section 16b, stops the first clock signal, and starts the second clock signal I and i. The signal is generated at the clock terminal 18b. This second clock signal is input to the address counter/access section 18.
In response to this, the address counter/access unit 18b outputs one address at a time at a constant cycle, the address value of which is different from the above! J! I was made to pay 9fr.

さらに、第3のアドレスカウンタ/アクセス部leeか
らの+lif記制御信号を受けたクロック発生回路18
は、第2のクロック信号を停止して第3のクロック信ジ
ノ・をクロック端j’18cに発生して、同様にこれに
より第3のアドレスカウンタ/アクセス?J< 16 
eのアドレス値を前記と異なる一定の周期で1アドレス
づつ更新する。
Further, a clock generation circuit 18 receives a +lif control signal from a third address counter/access unit lee.
stops the second clock signal and generates a third clock signal at clock terminal j'18c, which likewise causes the third address counter/access? J< 16
The address value of e is updated one address at a time at a constant cycle different from the above.

ここで、これら第1.第2.第3のクロックの周期は、
第1.第2.第3の順で小さくなっていて、例えば第1
の周期が84nsに設定され、第2の周期が8nsに設
定され、第3の周期が1 nSに設定されているもので
ある。
Here, these first. Second. The period of the third clock is
1st. Second. For example, the first
The period is set to 84 ns, the second period is set to 8 ns, and the third period is set to 1 ns.

そして、第1.第2.第3の各アドレス/アクセス回路
部1 b a、16 b+  l 8 cは、それぞれ
アドレスが更新されるごとに、第1.第2.第3のデー
タメモリ部12 al  l 2 b+  l 2 c
に対して更新アドレス対応に読み出し制御信号を送出す
る。したがって、データメモリ部12 a、12 b+
12cから読み出されるパターンデータの発生タイミン
グは、アドレスカウンタ/アクセス回路16、の第1−
 第2 t 第3の各アドレス/アクセス回路部l 8
 a +  l 6 b +  18 cがそれぞれメ
モリをアクセスする速度の組合せ合計で決定され、それ
は、クロック発生回路18の第1.第2.第3のクロッ
クの周期で決定されることになる。
And the first. Second. Each of the third address/access circuit units 1 b a, 16 b + l 8 c is connected to the first . Second. Third data memory section 12 al l 2 b + l 2 c
A read control signal is sent to the update address corresponding to the update address. Therefore, data memory sections 12a, 12b+
The generation timing of the pattern data read from the address counter/access circuit 12c is determined by the first -
2nd t 3rd address/access circuit section l 8
a + l 6 b + 18 c are respectively determined by the combined sum of memory access speeds, which are determined by the first . Second. It will be determined by the period of the third clock.

さて、波形エツジ発生回路20は、例えばフリップフロ
ップ回路により構成され、パターンデータメモリ12か
ら出力されるデータに対応して波形をqちLげ又は立ち
下げてテスト波形パターンに変換して、それをドライブ
回路6(そのドライバ7)へと出力する。
Now, the waveform edge generation circuit 20 is constituted by, for example, a flip-flop circuit, and converts the waveform to a test waveform pattern by lowering or lowering the waveform in response to the data output from the pattern data memory 12, and converts it into a test waveform pattern. It outputs to the drive circuit 6 (its driver 7).

次に、テスト波形パターンの発生動作について説明する
Next, the operation of generating a test waveform pattern will be explained.

第2図(a)に見るように基準点Oから150nsll
で旭°fち1−げる波形パターンを発生する場合を考え
て見ると、第1のデータメモリ部12aに対してこの波
形パターンデータを発生する先頭アドレスを、例えば第
2図(b)に見るように、1000番地とすると、10
00番地から“00100・・拳”のデータを記憶して
おき、このときの、同様な第2のデータメモリ部12b
の先頭アドレスを、例えば500番地とすると、500
番地から“00100・書・”のデータを記憶しておき
、同様にして、第3のデータメモリ部12cの先頭アド
レスを、例えば1200番地とすると、1200番地か
ら°“000000100・働・”のデータを記憶して
おく。なお、第1.第2.第3の各データメモリ部12
 a +  l 2 b *  12 cの前記の各先
頭アドレス値、1000,500.1200は、それぞ
れテストシーケンスプロセッサ14から発生波形パター
ン選択時にストアされる。
150nsll from the reference point O as shown in Figure 2(a)
If we consider the case where a waveform pattern of 100 degrees Fahrenheit is to be generated, the start address at which this waveform pattern data is generated for the first data memory section 12a is set as shown in FIG. 2(b), for example. As you can see, if the address is 1000, then 10
Data from address 00 to "00100...fist" is stored in the second data memory section 12b.
For example, if the start address of is 500, then 500
If data "00100・Writing" is stored from address 1200 and the first address of the third data memory section 12c is, for example, address 1200, data of "000000100・Work" starting from address 1200 is stored in the same way. Remember. In addition, 1. Second. Each third data memory section 12
The respective start address values 1000, 500.1200 of a + l 2 b * 12 c are respectively stored from the test sequence processor 14 when the generated waveform pattern is selected.

ここで、この第2図(a)の基準点0は、データメモリ
部12aの先頭アドレスのアクセス開始時間に対応させ
て、各1yち」―かり時間又は−yちドがり時間を各デ
ータメモリ部の1番地をアクセスするアクセス周期で計
測すれば、前記波形が表現できることになる。なお、こ
こでデータメモリ部12cから読み出された最初のフラ
グビット“l”は、qちLがり(若しくはHIGHレベ
ルの状態)を意味し、次のフラグビット“1”が立ち下
がり(若しくはLOWレベルの状態)を、伍味するもの
とする。そしてフラグ0”を前の状態を維持するものと
して使用する。
Here, the reference point 0 in FIG. 2(a) corresponds to the access start time of the first address of the data memory section 12a, and the reference point 0 corresponds to the access start time of the first address of the data memory section 12a. The above waveform can be expressed by measuring the access cycle for accessing address 1 of the section. Note that the first flag bit "l" read from the data memory section 12c means q-low (or HIGH level state), and the next flag bit "1" means falling (or LOW level state). level). Then, the flag 0'' is used to maintain the previous state.

ところで、パターンデータメモリ12のアクセス時間の
11− 位は、アドレスカウンタ/アクセス回路16の
アドレス更新時間により計測でき、それは、最初のアク
セス又は次のアクセスが開始されたときからクロック発
生回路18の第1.第2゜第3の各クロック周期の合計
値で決定されるので、次の式で表すことができる。
By the way, the access time of the pattern data memory 12 can be measured by the address update time of the address counter/access circuit 16, and it is determined by the address update time of the clock generation circuit 18 from the time when the first access or the next access is started. 1. Since it is determined by the total value of the second and third clock cycles, it can be expressed by the following equation.

64 Cn1−1)+8 (n2−1)+na−1[n
s] ただしsfl/・ n2.n3は、それぞれフラグ“1
”が現れるまでの“0”のビットの数である。
64 Cn1-1)+8 (n2-1)+na-1[n
s] However, sfl/・n2. n3 is the flag “1”
This is the number of “0” bits until ” appears.

なお、各データメモリ部12 at  12 be  
12 cの段階的なアクセスの移行には時間がかからな
いものとする。したがって、これらの間での開始アドレ
スのアクセスは、1段前のデータメモリ部のアドレスア
クセスとほぼ等しいものとし、これらはほぼ同時的にな
される。
Note that each data memory section 12 at 12 be
It is assumed that the gradual access transition of 12c does not take much time. Therefore, the start address access between them is almost the same as the address access of the data memory section one stage before, and these are performed almost simultaneously.

このように最初の立ち上がり時間は、アドレスカウンタ
/アクセス回路部16aの先頭アドレス位置から最初に
読み出されたフラグ1”までのアドレス数−1+アドレ
ス力ウンタ/アクセス回路部18bの先頭アドレス位置
から最初に読み出されたフラグ“1”までのアドレス数
−1+アドレス力ウンタ/アクセス回路部16cの先頭
アドレス位置から最初に読み出されたフラグ1”までの
アドレス数−1の総合計により決定され、クロック発生
回路18で発生した第1.第2.第3のそれぞれのクロ
ックの周期数がそれぞれのアドレスの更新数に対応し、
各アドレス更新数と時間とが1対1で対応している。
In this way, the first rise time is the number of addresses from the first address position of the address counter/access circuit section 16a to the first read flag 1'' - 1 + the first rise time from the first address position of the address power counter/access circuit section 18b. It is determined by the total sum of the number of addresses up to the flag “1” read out in the first minus 1+the number of addresses up to the first flag “1” read out from the first address position of the address power counter/access circuit section 16c-1, The first . Second. The number of cycles of each third clock corresponds to the number of updates of each address,
There is a one-to-one correspondence between the number of address updates and the time.

また、次の波形かへγちドがる時間は、次に第1のデー
タメモリ部12aのアドレスのアクセスが開始されたと
きから同様な計算をして、これを最初のアクセス開始時
間に加算してこれらの合計値を算出することにより11
1算される。
In addition, the time required for γ to change to the next waveform is calculated in the same way from the next time access to the address of the first data memory section 12a is started, and this is added to the first access start time. By calculating these total values, 11
It is counted as 1.

したがって、テスト波形パターンが立ち−Lがる場合に
は、それぞれの第1.第2.第3のデータメモ゛す部1
2 al  l 2 t)+  12 cの先頭アドレ
スからアクセス周期X番地数+1番地のところで立ちl
−がりを示すフラグを立てればよい。
Therefore, when the test waveform pattern rises to -L, each of the first . Second. Third data memo section 1
2 al l 2 t) + 12 Stand at address number of access cycle X addresses + 1 from the start address of c
- All you have to do is set a flag to indicate the difference.

ここで、第1.第2.第3のデータメモリ部12 a、
  12 be  12 cは、それぞれビットメモリ
を使用するものであり、第2図(b)には、そのうちの
データメモリK 12 aの具体例を示してい   ・
るが、他のものは、その記憶データが相違するだけで、
その構成は同様である。したがって、その同量、説明は
割愛する。
Here, the first. Second. third data memory section 12a,
12 be 12 c each uses a bit memory, and FIG. 2(b) shows a specific example of the data memory K 12 a.
However, other things differ only in their memory data,
The configuration is similar. Therefore, the explanation of the same amount will be omitted.

第2図(b)は、この1ビツトによる場合のデータメモ
リ部12aの記憶状態を示していて、■アドレスに1ビ
ツトの情報が記憶されている。
FIG. 2(b) shows the storage state of the data memory section 12a in this 1-bit case, where 1-bit information is stored at the (2) address.

このような場合に、先の第2図(a)に見るパターンデ
ータとしては、第1のデータメモリ部12aの1000
番地を基準に、1000番地〜1001番地までの間フ
ラグ“0”を記憶し、1002番地にフラグ°“1”を
記憶しておくものである。同様に、図示はしないが、第
2のデータメモリ部12bには、その500番地を基準
に、500番地〜501番地までの間フラグ0”を記憶
し、503番地にフラグ1”を記憶しておく。
In such a case, the pattern data shown in FIG. 2(a) is 1000 in the first data memory section 12a.
Based on the address, a flag "0" is stored between addresses 1000 and 1001, and a flag "1" is stored at address 1002. Similarly, although not shown, the second data memory section 12b stores a flag 0" from address 500 to address 501, and stores a flag 1" at address 503, based on address 500. put.

さらに、図示はしないが、第3のデータメモリ部12c
には、1200番地〜1205番地までの間フラグ0”
を記憶し、1008番地にフラグ“1”を記憶してお(
ものである。
Furthermore, although not shown, a third data memory section 12c
The flag is 0 between addresses 1200 and 1205.
, and store the flag “1” at address 1008 (
It is something.

その結果、データメモリ部12cの1006番地をアク
セスした時点でAND回路13のでAND条件が成S’
/、 して立ち上がりパルスが発生して波形エツジ発生
回路20に\γちI−かり指令信号が送出される。
As a result, when address 1006 of the data memory section 12c is accessed, the AND condition is satisfied in the AND circuit 13.
/, a rising pulse is generated, and a command signal is sent to the waveform edge generation circuit 20.

・方、次の\rちドがり時点としては、第3のデータメ
モリ部12cの1ooert=地をアクセスした時点で
、第1のデータメモリ部12aのアクセスが開始される
ので、この時点からデータメモリ部12aのクロック周
期をかけて計算した時間に対応した時点84X (m−
1)(mは、正の整数)まで、フラグ0”をJFき込み
、64Xmの時点で立ちFがりに対応するフラグl”を
書き込む。
- On the other hand, as for the next \r difference point, access to the first data memory section 12a starts when the 1ooert= ground of the third data memory section 12c is accessed, so from this point on, the data is A time point 84X (m-
1) Write the flag 0'' until JF (m is a positive integer), and write the flag l'' corresponding to the rising edge at the time of 64Xm.

これが例えば第2図(a)に見るデータメモリ部12a
の1005番地に記憶されたフラグ1”である。そして
次の1006番地にフラグ1”が記憶されている場合に
は、84ns以下で次の\γち上がりが来ることを意味
している。
This is, for example, the data memory section 12a shown in FIG. 2(a).
The flag 1" is stored at the next address 1005. If the flag 1" is stored at the next address 1006, it means that the next \γ rise will occur in 84 ns or less.

以1−のようにすれば、パターンデータメモリ12の第
1.第2.第3の各データメモリ部12a。
If the above 1- is done, the first . Second. Each third data memory section 12a.

12b、12cのメモリ1−のフラグ記憶位置がパルス
波形の立ち−にかり(若しくはHIGHレベルの状!!
J)又は立ち一ドがり(若しくはLOWレベルの状態)
を指事することになるので、これにより而111. (
こ波形パターンを設定できる。しかも、波形の周期が長
くても、各メモリアクセス周期の合計値が発生波形パタ
ーンの周期に対応するので、これに応して時間1没定が
できる。その結果、メモリ容1i1が少なくて済むこと
になる。
The flag storage location in memory 1 of 12b and 12c is the key to the rise of the pulse waveform (or the state of HIGH level!!
J) or stand-up (or LOW level state)
111. (
This waveform pattern can be set. Moreover, even if the period of the waveform is long, the total value of each memory access period corresponds to the period of the generated waveform pattern, so that the time can be reduced accordingly. As a result, the memory capacity 1i1 can be reduced.

ところで、パターンデータメモリ12にビットメモリを
使用することにより、ICのピン対応に同一のデータメ
モリ部を設けて、これにそれぞれのICビンに対応する
それぞれのパターンデータを記憶させておけば、回路構
成が単純化し、その制御も而り1なものとなる。
By the way, by using a bit memory in the pattern data memory 12, if the same data memory section is provided corresponding to the pins of the IC and each pattern data corresponding to each IC bin is stored in this, the circuit The configuration is simplified and its control is also simple.

なお、前記の場合−γち上がりフラグと〜γちドがリフ
ラグとは、交(Tに7ラグ1”を使用することで切り分
けているが、第1.第2.第3のデータメモリ部12 
a、l 2 b+  12 cをそれぞれ2ビア)構成
のメモリとすれば、“6例えば11”をもって)′Lち
!−がりフラグとすることができ、例えば10”父は°
“01゛をもって17.ちドがりフラグとすることがで
きる。
In the above case, the -γ rising flag and the -γ rising flag are separated by using 7 lags 1" for T, but the 1st, 2nd, and 3rd data memory sections 12
If a, l 2 b + 12 c are memories with a 2-via) configuration, then with "6, for example, 11")'Lchi! - Can be flagged, for example 10”
“01” can be used as a 17. difference flag.

このように2ビツト又はそれ以りの複数のビットにより
〜yちLがり及び\γちドがりを表現することもできる
In this way, ~y-difference and \gamma-difference can also be expressed using 2 bits or a plurality of bits more than 2 bits.

第3図は、この発明のパターンデータ発生装置、の他の
一実施例を示すものであって、第1図に示すものと同様
なものは、同一の符号で示す。
FIG. 3 shows another embodiment of the pattern data generating device of the present invention, and the same parts as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

この実施例では、テスト波形パターンの立ち−上がりと
立ち下がりの位置をそれぞれ別々のメモリにパターンデ
ータとして記憶したものであって、パターンデータメモ
リ12に代えて、データメモリ部21が立ちヒがりの位
置をフラグ゛°1”として記・憶し、データメモリ部2
2がケちドがりの位置を7ラグ1”として記憶している
。そして、波形エツジ発生回路20がそれぞれのデータ
メモリ部21.22からフラグl Isが読み出された
タイミングで、発生波形を)′1.ちI−げ、又は\γ
ちドげる動作をする。なお、第1図に見る実施例と同様
に、パターンデータメモリ21は、段階的にアクセスさ
れる第1.第2.第3のメモリ部とANl)回路とから
なり、パターンデータメモリ22も、同様に、段階的に
アクセスされる第1.第2.第3のメモリ部とANl)
回路とからなる。
In this embodiment, the rising and falling positions of the test waveform pattern are stored as pattern data in separate memories, and instead of the pattern data memory 12, the data memory section 21 is used to detect the rising and falling positions of the test waveform pattern. The position is memorized as a flag ゛°1'', and the data memory section 2
2 is memorized as a 7 lag 1". Then, the waveform edge generation circuit 20 records the generated waveform at the timing when the flag lIs is read from each data memory section 21.22. )′1.chiI-ge, or \γ
Make a chilling motion. Note that, similar to the embodiment shown in FIG. 1, the pattern data memory 21 is accessed in stages. Second. Similarly, the pattern data memory 22 consists of a third memory section and an ANl) circuit, and the first... Second. 3rd memory part and ANl)
It consists of a circuit.

そして、その動作としては、例えば、パターンデータメ
モリ21の3つのメモリnくの短い周期の第3のメモリ
部の基をアクセス位置から3番地11にフラグ“1″を
記憶し、パターンデータメモリー 22の短い周期の第
3のメモリ部の基準アクセス位置から6散地11にフラ
グ“l”を記憶した場合には、最終段の第3のメモリ部
の4サイクル[1にフラグl”が読み出され、図に見る
ような“0001”のビットパターンが発生する。
The operation includes, for example, storing a flag "1" at address 3 11 from the access position of the third memory section of the three memories n times in the pattern data memory 21, and storing the flag "1" in the pattern data memory 22. When the flag "l" is stored in 6 scattered locations 11 from the reference access position of the third memory section with a short period of A bit pattern of "0001" as shown in the figure is generated.

−−一方、パターンデータメモリ22では、最終段の第
3のメモリ部の7サイクル1.1にフラグ1”が読み出
され、図に見るような“0000001”のピントパタ
ーンが発生する。これをパターンデータのX″1.ち上
がり及び1′/、ちドがりの指令信号として、これらが
順次波形エツジ発生回路20に入力されて、それぞれの
サイクルに相当する時間位置でドライブ回路6のドライ
バ7(第5図参照)を高レベル又は低レベルにセットす
るものである。
--Meanwhile, in the pattern data memory 22, the flag 1" is read out in the 7th cycle 1.1 of the third memory section at the final stage, and a focus pattern of "0000001" as shown in the figure is generated. Pattern data X″1. These are sequentially input to the waveform edge generation circuit 20 as rising, 1'/, and falling command signals, and the driver 7 of the drive circuit 6 (see FIG. 5) is activated at the time position corresponding to each cycle. It can be set to high or low level.

第4図は、この発明のパターンデータ発生装置のさらに
他の一実施例を示すものであって、第1図に示すものき
同様なものは、同一の符号で示す。
FIG. 4 shows still another embodiment of the pattern data generating device of the present invention, and parts similar to those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

この実施例では、パターンデータメモリ23の第1.第
2.第3のデータメモリ部23a、23b、23cのそ
れぞれの1アドレスから読み出されるパターンデータを
例えば1バイトとして、それをビットパラレルに読み出
して−・lそれぞれのシフトレジスタl 5 as  
15 b+  l 5 cに格納する。
In this embodiment, the first . Second. For example, the pattern data read from one address of each of the third data memory sections 23a, 23b, and 23c is taken as 1 byte, and it is read out in bit parallel.
Store in 15 b+ l 5 c.

ここで、シフトレジスタ15aは、クロック発生回路1
8aにより64nsのクロック周期でシフトされ、シフ
トレジスタ15bは、クロック発生回路18bにより8
nsのクロック周期でシフトされ、シフトレジスタ15
cは、クロック発生回路18bによりinsでシフトさ
れるものである。
Here, the shift register 15a includes the clock generation circuit 1
8a with a clock cycle of 64 ns, and the shift register 15b is shifted with a clock cycle of 64 ns by the clock generating circuit 18b.
The shift register 15 is shifted with a clock period of ns.
c is shifted by ins by the clock generation circuit 18b.

そして、各シフトレジスタ15a、15b、15cから
フラグ1″が読み出されてAND条件が成立したときに
、AND回路13から立ち11がり又は17ちドがりの
指令信ぢ°が発生して、これが波形工、ノジ光生回路2
0へと送出される。
Then, when flag 1'' is read from each shift register 15a, 15b, 15c and the AND condition is satisfied, a command signal of 11 on the rising edge or 17 on the opposite side is generated from the AND circuit 13, and this is Corrugated work, Noji light production circuit 2
sent to 0.

なお、各データメモリ部23a、23b、23Cの関係
と、起動とその停止1・、動作は、データメモリ部12
 a、  l 2 b、  12 cと対応するもので
あって、ビット構成のメモリとしてのデータメモリ部1
2 al  l 2 b+  12 cをバイト構成の
メモリにした相違がある。
The relationship between each data memory section 23a, 23b, 23C, starting and stopping 1., and operation are as follows:
a, l 2 b, 12 c, and corresponds to a data memory section 1 as a bit-configured memory.
The difference is that 2 all 2 b + 12 c is a byte-structured memory.

第1図に示す実施例と同様に、150ns口に発生パル
スを\γち1−がらせる場合には、データメモリ部23
aの先頭番地に“00100000”のデータを記憶し
て、データメモリ部23bの先頭番地に“001000
00”のデータを記憶して、データメモリ部23cの先
頭番地に“000oooio”のデータを記憶する。
Similar to the embodiment shown in FIG.
The data “00100000” is stored in the first address of a, and the data “001000” is stored in the first address of the data memory section 23b.
The data "00" is stored, and the data "000oooio" is stored at the first address of the data memory section 23c.

その動作としては、まず、データメモリ部23aをアク
セスして、1バイトのデータをシフトレジスタ15aに
格納して、これを64nsごとにシフトするとともに、
AND回路13へ送出し、フラグ°“1”が検出された
ときに、データメモリ部23aのアクセスを停止する。
The operation is as follows: First, the data memory section 23a is accessed, 1 byte of data is stored in the shift register 15a, and this is shifted every 64 ns.
The data is sent to the AND circuit 13, and when the flag "1" is detected, access to the data memory section 23a is stopped.

そしてこのフラグによりデータメモリ部23bのアクセ
スを開始してシフトレジスタ15bに1バイトのデータ
を格納する。
Then, based on this flag, access to the data memory section 23b is started and 1 byte of data is stored in the shift register 15b.

次に、これを8 n sごとにシフトするとともに、A
ND回路13へ送出し、シフトレジスタ15bにおいて
シフトの結果、フラグ1”が検出されたときに、データ
メモリ部23aのアクセスを停止する。そしてこのフラ
グにより今度はデータメモリ部23cをアクセスしてシ
フトレジスタ15Cに1バイトのデータを格納する。そ
してこれをl・nsごとにシフトする。そしてこのシフ
トした結果、フラグ“1”が検出されたときにAND回
路13へ送出し、データメモリ部23cのアクセスを停
止1−する。その結果、波形エツジ発生回路20にqち
上がり指令信号が送出される。
Next, while shifting this every 8 ns, A
When the flag 1'' is detected as a result of the shift in the shift register 15b, access to the data memory section 23a is stopped.Then, this flag is used to access the data memory section 23c and shift the data to the ND circuit 13. One byte of data is stored in the register 15C.Then, this is shifted every l·ns.As a result of this shifting, when a flag "1" is detected, it is sent to the AND circuit 13 and stored in the data memory section 23c. The access is stopped by 1-.As a result, a q rise command signal is sent to the waveform edge generation circuit 20.

一方、このとき同時に、データメモリ部23aが起動さ
れてアドレスが次へと更新され、次の1バイトのデータ
がシフトレジスタ15aに格納される。
Meanwhile, at the same time, the data memory section 23a is activated, the address is updated to the next, and the next 1 byte of data is stored in the shift register 15a.

以下同様にして動作して11・<ことになる。The following operations are performed in the same manner, resulting in 11.<.

ところで、テストシーケンスプロセッサ14の内部にお
けるマイクロコマンドプログラムの実行動作それ自体は
、一般的なマイクロプログラムの実行動作と同様である
。ここで大切なことは、パターンデータメモリにテスト
波形パターンの−yちI−かり(若しくはX′1.ちl
−かり状態、若しくはHIGHレベル)又は旭χち下が
り(若しくは1′lちドがり状態1名しくはLOWレベ
ル)の時間位置が特定の情報として記憶されていて、メ
モリのアクセス周期が時間計測の基をとなることである
。したがって、マイクロコマンドにより先頭アドレスを
それぞれのアドレスカウンタ/アクセス回路部にセット
するだけで・連のテスト波形パターンが生成できる。
Incidentally, the execution operation of the microcommand program within the test sequence processor 14 itself is similar to the execution operation of a general microprogram. What is important here is that the test waveform pattern is stored in the pattern data memory.
- The time position of the falling state (or HIGH level) or falling (or falling 1'l falling state or LOW level) is stored as specific information, and the memory access cycle is the same as the time measurement. It is the foundation. Therefore, a series of test waveform patterns can be generated simply by setting the start address in each address counter/access circuit section using a microcommand.

以1・、説明してきたが、各実施例におけるデータメモ
リ部は、3つのブロックとなっているが、これは、3つ
に限定されるものではなく、複数であればよい。
As described above in 1., the data memory section in each embodiment has three blocks, but this is not limited to three blocks and may be any number of blocks.

実施例では、データメモリ部は、先頭アドレスを指定し
て特定の波形パターンに対応するパターンデータを読み
出すものであり、データメモリ部の領域の分割は、波形
発生パターンの1つの!114位長さに対応している。
In the embodiment, the data memory section reads out pattern data corresponding to a specific waveform pattern by specifying the start address, and the area of the data memory section is divided into one of the waveform generation patterns! It corresponds to the 114th length.

そして各領域には相違するパターンデータが記憶されて
いる。したがって、他の領域の先頭アドレスをアドレス
カウンタ/アクセス回路にストアすることにより、他の
波形パターンを発生させることができる。
Different pattern data is stored in each area. Therefore, by storing the start address of another area in the address counter/access circuit, other waveform patterns can be generated.

この場合、同じ波形パターンを繰り返し発生するときに
は、テストシーケンスプロセッサがそのマイクロプログ
ラムにより繰り返し同じ先頭アドレスをアドレスカウン
タ/アクセス回路にストアすることにより行う。
In this case, when the same waveform pattern is repeatedly generated, the test sequence processor repeatedly stores the same start address in the address counter/access circuit using its microprogram.

なお、パターンデータメモリをこのように領域分割する
ことなく、0番地から発生波形パターン対応にパターン
データを記憶することも可能である。この場合には、比
較的長い複雑なパターンデータを記憶しておくこともが
できる。これは、パターンデータメモリ1つが1波形パ
タ一ン発生回路となり、0番地から特定の最終番地まで
がlっの波形パターンに対応する。
Note that it is also possible to store pattern data corresponding to generated waveform patterns starting from address 0 without dividing the pattern data memory into areas in this manner. In this case, relatively long and complex pattern data can be stored. In this case, one pattern data memory becomes one waveform pattern generation circuit, and the area from address 0 to a specific final address corresponds to one waveform pattern.

また、フラグは、“1°゛の状態に限らす、′0”の状
態をへ1ち1・、かり又は17.ちドがりデータとして
ず重用するこ七ができるものである。
Also, the flag is limited to the state of "1°", and the state of '0' is set to 1, 1, or 17. This is something that you can use without treating it as unique data.

さらに、実施例では、1アドレスのアクセス周期を中位
として発生波形のタイミングを計測しているが、これは
、■アドレスに1ビツトのデータを占き込むものに限定
されるものではな(、例えば2アドレスに2ビツトのデ
ータを、’F込み、2アドレスrll (!:にアクセ
ス周期を決定してもよく、−・般にncnは1[:の整
数〕を基本91位としたアクセス周期をノAをとしてそ
のタイミングを計測してもよいことはもちろんである。
Furthermore, in the embodiment, the timing of the generated waveform is measured using the access cycle of one address as the middle value, but this is not limited to the case where one bit of data is inserted into an address. For example, if you put 2 bits of data in 2 addresses, 'F is included, and 2 addresses rll (!:), the access cycle may be determined, and generally, ncn is an access cycle where 1 [an integer of :] is basically the 91st place. Of course, the timing may also be measured by using A as A.

また、データメモリ部は、RAMであっても、ROMを
用いてもよいことはもちろんである。
Further, it goes without saying that the data memory section may be a RAM or a ROM.

[発明の効果コ 以1−説明から理解できるようにこの発明にあっては、
メモリのn番地のアドレスをアクセスするアクセス周期
を単位としてパターンデータを記憶することにより、テ
スト波形パターンが、いっ1″Lち11がるか、いつ立
ちドかるかを、時間情報だけでメモリ1−にて指定する
ことがi+J能となる。
[Effects of the Invention (1) As can be understood from the description, this invention has the following effects:
By storing pattern data in units of access cycles for accessing address n in memory, it is possible to determine whether the test waveform pattern goes up or down by 1"L using only time information. - is specified as i+J function.

その結果、データとタイミングとを別々に取り扱わなく
て済むことになる。しかもクロック発生回路の更新周期
が順次小さくなっているので、発生周期の相違するパタ
ーンデータを組合せて指定することにより、比較的長い
周期のパターンデータでも、メモリの記憶容l−d、が
少ない状態で記憶できる。
As a result, data and timing do not have to be handled separately. Moreover, since the update period of the clock generation circuit is gradually becoming smaller, by specifying a combination of pattern data with different generation periods, even if the pattern data has a relatively long period, the storage capacity of the memory ld is small. You can memorize it with

したがって、メモリ容はを人きくしなくても比較的周期
の長い多様な波形パターンを発生することがI−II能
となり、テスト波形パターンの発生が容易さなり、その
管理、制御が9純なものとなる。
Therefore, it is possible to generate various waveform patterns with relatively long cycles without consuming memory capacity, and test waveform patterns can be easily generated, and their management and control are simple. becomes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明によるパターン発生装置の一実施例
の概略ブロック図、第2図(a)は、発生ずべき波形パ
ターンの具体例の説明図、第2図(b)は、その場合の
データメモリ部の記憶内容を示す説明図、第3図は、こ
の発明のパターンデータ発生装置の他の一実施例の概略
ブロック図、第4図は、この発明のパターンデータ発生
装置のさらに他の・実施例の概略ブロツク図、第5図は
、従来のパターンデータ発生装置のブロック図、第6図
は、それぞれその波形発生タイミングチャートである。 1・・・パターン発生器、2・・・データセレクタ、3
・・・波形フォーマツタ、 4・・・タイミング発生器、 6・・・次段のドライブ回路、7・・・ドライバ、? 
a + 7 b・・・基準電圧源モジュール、lO・・
・パターン発生装置、 12a、12b+  12c、23a、23b、23c
・・・データメモリ部、13・・・A N D回路、1
4・・・テストシーケンスプロセッサ、15・・・シフ
トレジスタ、 16・・・アドレスカウンタ/アクセス回路、18あ、
18b、IE3c・・・アドレスカウンタ/アクセス回
路部、18・・・クロック発生回路。 20・・・波形エツジ発生回路。
FIG. 1 is a schematic block diagram of an embodiment of a pattern generator according to the present invention, FIG. 2(a) is an explanatory diagram of a specific example of a waveform pattern that should be generated, and FIG. FIG. 3 is a schematic block diagram of another embodiment of the pattern data generating device of the present invention, and FIG. 4 is a schematic block diagram of another embodiment of the pattern data generating device of the present invention. FIG. 5 is a block diagram of a conventional pattern data generator, and FIG. 6 is a waveform generation timing chart thereof. 1... Pattern generator, 2... Data selector, 3
... Waveform formatter, 4... Timing generator, 6... Next-stage drive circuit, 7... Driver, ?
a + 7 b...Reference voltage source module, lO...
・Pattern generator, 12a, 12b+ 12c, 23a, 23b, 23c
...Data memory section, 13...A N D circuit, 1
4...Test sequence processor, 15...Shift register, 16...Address counter/access circuit, 18A,
18b, IE3c...Address counter/access circuit section, 18...Clock generation circuit. 20... Waveform edge generation circuit.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)メモリのn番地(nは正の整数)のアドレスをア
クセスするアクセス周期を単位とし、発生波形パターン
のタイミングに対応するパターンデータをそれぞれ記憶
する複数のメモリと、これらのメモリ対応にそれぞれの
アクセスアドレスを記憶する複数のアドレスカウンタと
、これらのアドレスカウンタ対応にそれぞれのアドレス
値を周期的に更新するクロック発生回路とを有し、前記
複数のメモリをアクセスして得たパターンデータに基づ
き所定の波形パターンを発生するものであって、前記複
数のメモリは順次段階的にアクセスされ、この段階が後
になる順に対応して前記クロック発生回路のそれぞれの
アドレスカウンタに対する更新周期が順次小さくなって
いることを特徴とするパターン発生装置。
(1) A plurality of memories each storing pattern data corresponding to the timing of a generated waveform pattern, each having an access cycle for accessing address n (n is a positive integer) of the memory, and each corresponding to each of these memories. It has a plurality of address counters that store access addresses of the memory, and a clock generation circuit that periodically updates the respective address values corresponding to these address counters, and generates data based on pattern data obtained by accessing the plurality of memories. A predetermined waveform pattern is generated, and the plurality of memories are sequentially accessed in stages, and the update period for each address counter of the clock generation circuit becomes sequentially smaller in accordance with the order in which the stages become later. A pattern generator characterized in that:
(2)発生波形パターンは、ICのテストをするための
テスト波形パターンであり、複数の各メモリはビットメ
モリであって、その1ビット単位がICの1つのピンに
対応するパターンデータを形成し、ICの1つのピン対
応に設けられたドライブ回路に対応して設けられ、前記
パターンデータは、テスト波形パターンのHIGHレベ
ル又はLOWレベルの状態に対応して、所定の番地を基
準に前記HIGHレベル又はLOWレベルのタイミング
対応にアクセス周期を中位として計測されるアドレス位
置に特定のデジタル信号の情報を記録することにより形
成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
パターン発生装置。
(2) The generated waveform pattern is a test waveform pattern for testing an IC, and each of the plurality of memories is a bit memory, and each bit forms pattern data corresponding to one pin of the IC. , is provided corresponding to a drive circuit provided corresponding to one pin of the IC, and the pattern data is set to the HIGH level based on a predetermined address in response to the HIGH level or LOW level state of the test waveform pattern. Alternatively, the pattern generating device according to claim 1 is formed by recording information of a specific digital signal at an address position measured with an intermediate access cycle corresponding to the timing of the LOW level. .
(3)発生波形パターンは、ICのテストをするための
テスト波形パターンであり、複数の各メモリはビットメ
モリであって、その1ビット単位がICの1つのピンに
対応するパターンデータを形成し、ICピン対応に設け
られたドライブ回路に対応して設けられ、前記パターン
データは、テスト波形パターンの立ち上がり又は立ち下
がりの状態に対応して、所定の番地を基準に前記立ち上
がり又は立ち上がりのタイミング対応にアクセス周期を
単位として計測されるアドレス位置に特定のデジタル信
号の情報を記録することにより形成されることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のパターン発生装置。
(3) The generated waveform pattern is a test waveform pattern for testing the IC, and each of the plurality of memories is a bit memory, and each bit unit forms pattern data corresponding to one pin of the IC. , is provided corresponding to the drive circuit provided corresponding to the IC pin, and the pattern data corresponds to the rising or falling timing of the test waveform pattern based on a predetermined address. 2. The pattern generating device according to claim 1, wherein the pattern generating device is formed by recording information of a specific digital signal at an address position measured in units of access cycles.
(4)パターンデータは、立ち上がりの状態を2値信号
の一方の値に対応させ、立ち下がりの状態を2値信号の
他方の状態に対応させた情報として形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第3項記載のパターン発生装置
(4) A patent claim characterized in that the pattern data is formed as information in which a rising state corresponds to one value of a binary signal and a falling state corresponds to the other state of the binary signal. The pattern generator according to item 3.
JP60194663A 1985-09-03 1985-09-03 Pattern generating device Pending JPS6254181A (en)

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