JPS6252975A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents

アモルフアス太陽電池

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JPS6252975A
JPS6252975A JP60192524A JP19252485A JPS6252975A JP S6252975 A JPS6252975 A JP S6252975A JP 60192524 A JP60192524 A JP 60192524A JP 19252485 A JP19252485 A JP 19252485A JP S6252975 A JPS6252975 A JP S6252975A
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amorphous
geh4
si2h6
amorphous sige
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Kazuhiko Sato
和彦 佐藤
Genshiro Nakamura
中村　源四郎
Takushi Itagaki
板垣　卓士
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 この発明は、アモルファス太陽電池に関し、特に長波長
光の感度の高いアモルファスＳｉＧｅ膜を用いた太陽電
池において、膜の剥離を抑制し、光照射による特性劣化
の少ない素子を製造するためのアモルファス５ｔＧｅ膜
の作製に関するものである。
〔従来の技術〕
アモルファス太陽電池の高効率化のために、アモルファ
スＳｔのみでは吸収できない長波長光の有効利用を図り
える材料としてアモルファスＳｉＧｅ膜が用いられてい
る。
第３図にステンレス基板上に作製したｐｉｎ型単層アモ
ルファスＳｉＧｅ太陽電池の断面構造図を示す。
ステンレス基板１上の素子はＰ型アモルファスＳｔ（又
はＰ型機結晶５ｔ）２．ノンドープアモルファスＳｉＧ
ｅ３．　　ｎ型アモルファスＳｉ　（又はｎ型機結晶Ｓ
ｔ）　４から構成され、その上に透明導電膜５及び金属
電極６が形成されている。
高効率化のためにはアモルファスＳｉＧｅ素子がこのよ
うに単独で用いられることは少なく、通常第４図に示す
ような多層構造素子の下層を構成する素子として用いら
れている。図中（２，３，４）はアモルファスＳｉＧｅ
素子であり、（２，８，４）。
（２，７，４）は例えばアモルファスＳｔなどの高バン
ドギャップ材料からなる素子である。
従来、良好な特性を有するアモルファスＳｉＧｅ膜は、
ＳｉＨ，とＧｅＨい又はこれらをＨｚ　、　）ｌｅ等で
希釈した混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により作製
されている。全ガス流量に対するＧｅＨ，ガスの流量比
を増してゆくと、膜中のＧｅ濃度が増し、バンドギャッ
プはアモルファスＳｉの約１．３ｅＶから連続的に減少
し、長波長光に対する感度は増加するが、膜中のＧｅ濃
度の増大とともに、キャリアの移動度が低下するために
、実用的なアモルファスＳｉＧｅ１ｇのバンドギャップ
は１．５ｅＶ以上のものとなっている。
また５ｉＨａとＧｅＨａとの混合ガスから作製する場合
は、比較的低いガス圧力で、高いＲＦパワーを加えた成
長条件のもとで、光導電度の高い、特性の良好な膜が得
られている。これらの膜をノンドープ層に用いたｐｉｎ
型又はｎｉｐ型アモルファスＳｉＧｅ太陽電池は、８０
０ｎｍ付近までの長波長光感度を有し、アモルファスＳ
ｔ層と組み合わせた多層構造素子において、１１％程度
の変換効率が得られており、更にアモルファスＳｉＧｅ
１１ｇの膜質向上により変換効率の向上が期待される。
三層構造素子による理論変換効率は１９〜２４％と算出
されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
一方、アモルファスＳｉ膜は光照射により光導電度が低
下する。いわゆる５ｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効
果がみられ、長時間の光照射により太陽電池の変換効率
も低下し、その信頼性が問題とされている。アモルファ
スＳｉＧｅ膜においても同様の効果がみられ、膜中のＧ
ｅ１１度により異なるが、その太陽電池特性も光照射を
行なうと低下する。
また別の問題点として、従来の方法で作製したアモルフ
ァスＳｉＧｅ膜は膜中に大きな内部応力を発生するため
に、厚膜化を図った場合に膜の剥離が起きやすいという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、アモルファスＳｉＧｅ膜中に発生する内部応
力を著しく低下させ、膜の剥離を抑制できるとともに、
光照射による特性劣化の少ないアモルファス太陽電池を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るアモルファス太陽電池は、アモルファス
ＳｉＧｅ膜として、５ｉＪ６　とＧｅＨ４又はこれらを
Ｈ，、Ｈｅ等で希釈したものをＧｅ１４／（ＳｉｔＨｂ
＋ＧｅＨオ）の比が０．１〜０．４となるように混合し
、この混合ガスを用いてグロー放電法により作製した膜
を用いるようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、アモルファスＳｉＧｅ膜の原料ガ
スとして、５ｉｚＨ，とＧｅ）Ｉ４との混合ガスを用い
、かつＧｅＨ４／　（Ｓｉ！Ｈ，＋ＧＥ１）＋４）の比
を０．１〜０．４としたことから、膜中に発生する内部
応力は低減され、厚膜化を図った素子構造において基板
からの膜の剥離が抑制され、又膜の内部応力に起因した
光照射による特性劣化が少なくなる。
〔実施例〕
以下、本発明の詳細な説明し、併せて本発明でＳｉ２Ｈ
６とＧｅｌ　ａとの混合ガスを用いた理由、及びＧｅＨ
ｓ／　（ＳｉＪ４　＋ＧｅＨ４）の比を０．１〜０．４
にした理由を本発明の実施例と従来例との比較において
述べる。
第１図は本発明の実施例によるアモルファス太陽電池に
用いるアモルファスＳｉＧｅ膜の内部応力の測定結果を
従来の場合と比較して示す。それぞれの作製条件を第１
表に示す。
第１表 従来のアモルファスＳｉＧｅ膜において、膜中のＧｅ濃
度が１０ａｔ％程度のものはＩ　Ｘ　１０”　ｄｙｎｅ
／ｃｍ”の大きな圧縮応力が発生しており、Ｇｅ？１度
の増加（バンドギャップの低下）とともに、その圧縮応
力は小さくなるが、Ｇｅ濃度が４０ａｔ％程度までは２
Ｘ１０”ｄｙｎｅ／ｃｍ”以上の応力を存している。一
方、本実施例のアモルファスＳｉＧｅ膜においては、１
０〜４０ａｔ％のＧｅ濃度（バンドギャップは１．８〜
１，５ｅＶ）のもので、Ｉ　Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／ｃｍ
”以下の小さい圧縮又は引っばり応力であった。これら
の膜の暗導電度。
光導電度は同じ光学ギャップのもので比較すると、両者
の間でほとんど差はなく、同レベルの膜質となっている
。
また第２図は従来及び本発明の実施例のアモルファス太
陽電池に用いるアモルファス５ｔＧｅ膜のＧｅ濃度が１
０ａｔ％〜５０ａ　ｔ％間のものについて、ＡＭ−１、
１００ｍ　Ｗ　７ｃｍ”の光照射を４時間行す−）　だ
時の光導電度の低下率を比較した結果を示す、同一の光
学ギャップのもので比較した場合、本発明の作製法によ
るものの方が特性劣化は少ない。またこれらのアモルフ
ァスＳｉＧｅ膜を用いて作製したＩＴＯ／ｎｉｐ　／Ｓ
、Ｓ構造の太陽電池において、ＡＭ−１、ＩＱＯｍＷ／
ｃｍ”の光照射を８時間行なったところ、本実施例によ
るアモルファスＳｉＧｅ膜を用いた素子の方が効率劣化
が少ないという結果が得られた。従来におけるＧｅ濃度
が１０ａｔ％の膜を用いた素子においては、上記光照射
後約５割の効率低下がみられ、発生している大きな内部
応力に起因していると思われる。一方本実施例における
１０ａｔ％のＧｅｆＭ度の膜を用いた素子においては、
光照射後２〜３割の効率低下になっており、従来のもの
より劣化が少なくなっていた。
以上のような本実施例にアモルファス太陽電池では、Ｓ
ｉｇｍａとＧｅｌ　＊とを所定の比率で混合した混合ガ
スを用いてアモルファスＳｉＧｅ膜を作製するようにし
たので、膜中の内部応力を低減でき、その結果厚膜化を
図った素子構造において、基板からの膜の剥離を抑制で
き、自由な膜厚を有する素子構造設計が可能となり、高
効率素子の実現を図ることができる。また膜中の内部応
力を低減できる結果、膜中の内部応力に起因した光照射
による特性劣化を軽減でき、高信頼性の素子を作製でき
る。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明に係るアモルファス太陽電池によ
れば、アモルファスＳｉＧｅ膜としてＳｉｇｍａとＧｅ
Ｈ４又はこれらをＨｚ　、　Ｈｅ等で希釈したものをＧ
ｅＨ＊／　（Ｓｉｇｍａ　＋ＧｅＨ＊）の比が０．１〜
０．４となるように混合し、この混合ガスを用いてグロ
ー放電法により作製した膜を用いるようにしたので、膜
中の内部応力を低減して、基板からの膜の剥離。
及び光照射による特性劣化を抑制できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来及び本発明の実施例によるアモルファス太
陽電池に用いるアモルファスＳｉＧｅ膜の応力測定結果
を示す図、第２図は従来及び本発明の実施例によるアモ
ルファス太陽電池に用いるアモルファスＳｉＧｅ膜にお
ける光照射による光導電度の低下率を示す図、第３図及
び第４図は各々従来のアモルファスＳｉＧｅｊｌＪｉ素
子及び三層素子の構造を示す断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アモルファスＳｉＧｅ膜として、Ｓｉ＿２Ｈ＿６
    とＧｅＨ＿４又はこれらを所定の希釈ガスで希釈したも
    のをＧｅＨ＿４／（Ｓｉ＿２Ｈ＿６＋ＧｅＨ＿４）の比
    が０．１〜０．４となるように混合し、該混合ガスを用
    いてグロー放電法により作製した膜を用いることを特徴
    とするアモルファス太陽電池。
JP60192524A 1985-08-30 1985-08-30 アモルフアス太陽電池 Pending JPS6252975A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0262079A (ja) * 1988-08-29 1990-03-01 Hitachi Ltd シリコン系アモルファス太陽電池
US8697994B2 (en) 2009-08-25 2014-04-15 Fuji Xerox Co., Ltd. Wiring holding member, electronic device and image forming apparatus

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055141A (en) * 1990-01-19 1991-10-08 Solarex Corporation Enhancement of short-circuit current by use of wide bandgap n-layers in p-i-n amorphous silicon photovoltaic cells
EP0462047B1 (de) * 1990-06-13 1997-11-26 Sulzer Metco AG Verfahren zum Herstellen von Oberflächenschichten auf Werkstücken, Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens sowie Werkstück mit nach dem Verfahren hergestellter Oberflächenschicht
US6166318A (en) 1998-03-03 2000-12-26 Interface Studies, Inc. Single absorber layer radiated energy conversion device
US8093488B2 (en) 2008-08-28 2012-01-10 Seagate Technology Llc Hybrid photovoltaic cell using amorphous silicon germanium absorbers with wide bandgap dopant layers and an up-converter
US20100147380A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Seagate Technology Llc Hybrid Photovoltaic Cell Using Amorphous Silicon Germanium Absorbers and Wide Bandgap Dopant Layers
EP3125305A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-01 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method for manufacturing germanium based thin film solar cells with improved light induced degradation properties

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0262079A (ja) * 1988-08-29 1990-03-01 Hitachi Ltd シリコン系アモルファス太陽電池
US8697994B2 (en) 2009-08-25 2014-04-15 Fuji Xerox Co., Ltd. Wiring holding member, electronic device and image forming apparatus

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