JPS6251233A - 半導体素子表面不良マ−ク認識装置 - Google Patents
半導体素子表面不良マ−ク認識装置Info
- Publication number
- JPS6251233A JPS6251233A JP19106385A JP19106385A JPS6251233A JP S6251233 A JPS6251233 A JP S6251233A JP 19106385 A JP19106385 A JP 19106385A JP 19106385 A JP19106385 A JP 19106385A JP S6251233 A JPS6251233 A JP S6251233A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- mark
- magnification
- size
- bad
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子（以下ペレット）位置認識装置に関
し、特に半導体ウェハが個々のペレットに分割された後
で、前工程での不良マーク付ペレットが混在した状態に
おけるペレット表面の認識、選別装置に関する。
し、特に半導体ウェハが個々のペレットに分割された後
で、前工程での不良マーク付ペレットが混在した状態に
おけるペレット表面の認識、選別装置に関する。
個々に切断、分割されたペレット表面には前工程である
電気的検査や外観検査での不良識別用マークが付加され
ている。従来は後工程の選別工程やダイボンディング工
程において、ペレット位置認識と同時に不良マーク検出
を行い、自動選別する装置がある。
電気的検査や外観検査での不良識別用マークが付加され
ている。従来は後工程の選別工程やダイボンディング工
程において、ペレット位置認識と同時に不良マーク検出
を行い、自動選別する装置がある。
一般に、ペレット位置認識装置は、２値化されたペレッ
ト全体像をＩＴＶより得て、その位置、形状を検出する
わけであるが、その時にたとえば白い矩形情報として表
されるペレット内の黒情報を不良マークと判断している
。
ト全体像をＩＴＶより得て、その位置、形状を検出する
わけであるが、その時にたとえば白い矩形情報として表
されるペレット内の黒情報を不良マークと判断している
。
不良マークの付加方法としては、主にインク打点による
もの、金属針の打刻傷によるもの、レーザー打点による
ものがある。しかし、レーザー打点はレーザービームの
性格上、及び溶融金属飛散の問題から大マークには適さ
ず、針による打刻傷も打刻深さが浅いために２値化像と
しての安定した大マークの確保は難しい。また、インク
打点はインク飛散による周囲ペレットの汚染の問題から
、大マーク化は好ましくなく、マークサイズは小さくな
る傾向にある。
もの、金属針の打刻傷によるもの、レーザー打点による
ものがある。しかし、レーザー打点はレーザービームの
性格上、及び溶融金属飛散の問題から大マークには適さ
ず、針による打刻傷も打刻深さが浅いために２値化像と
しての安定した大マークの確保は難しい。また、インク
打点はインク飛散による周囲ペレットの汚染の問題から
、大マーク化は好ましくなく、マークサイズは小さくな
る傾向にある。
それに引き換えペレットの大型化が進み相対的に不良マ
ークの面積比が小さくなってきている。
ークの面積比が小さくなってきている。
従来のベレット像全体を認識する方法では、大ペレット
の画像取り込みのためには、光学系倍率を下げる必要が
あり、そのためＩＴＶの画像取り込み域での不良マーク
占有率はさらに小さくなり検出困難になるという問題点
があった。たとえば、レーザー打点によるマークはφ３
００μｍ程度が限界であるが、口１０ｍｍ程度のペレッ
トにあってはマーク幅ハペレットサイズの３％程度であ
り、通常の５本の走査線による画像処理系にあっては３
画素程度にしかならず、照明系の安定性、画素のちらつ
きを考慮すると安定して検出可能なマークサイズとは言
い難い。
の画像取り込みのためには、光学系倍率を下げる必要が
あり、そのためＩＴＶの画像取り込み域での不良マーク
占有率はさらに小さくなり検出困難になるという問題点
があった。たとえば、レーザー打点によるマークはφ３
００μｍ程度が限界であるが、口１０ｍｍ程度のペレッ
トにあってはマーク幅ハペレットサイズの３％程度であ
り、通常の５本の走査線による画像処理系にあっては３
画素程度にしかならず、照明系の安定性、画素のちらつ
きを考慮すると安定して検出可能なマークサイズとは言
い難い。
本発明は不良マークの付加方法に無関係に不良マーク情
報を確実に得る装置を提供するものであるＯ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のペレット認識装置は、光学系に、不良マークの
検出をペレット認識時の倍率よりも高倍率にする可変倍
率機構を設置したことを特徴とするものである。
報を確実に得る装置を提供するものであるＯ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のペレット認識装置は、光学系に、不良マークの
検出をペレット認識時の倍率よりも高倍率にする可変倍
率機構を設置したことを特徴とするものである。
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は分割後ウェハのペレット配列状態を示す説明図
である。図中、９はペレット１が配列されている樹脂シ
ートであり、シート９は支持リング１０により保持され
ている。１１は良品ペレット、１２は不良ペレットであ
り、不良ペレット１２表面には不良マーク１３が付けら
れている。
である。図中、９はペレット１が配列されている樹脂シ
ートであり、シート９は支持リング１０により保持され
ている。１１は良品ペレット、１２は不良ペレットであ
り、不良ペレット１２表面には不良マーク１３が付けら
れている。
第１図において、１は第２図で説明した対象ペレットで
あり、ペレット１は移動ステージ２上にセットされる。
あり、ペレット１は移動ステージ２上にセットされる。
３は認識用ＩＴＶカメラであり、光学系４を通してペレ
ット像を得ている。光学系４はズーム機構５を持ち、ペ
レットサイズ変更時の倍率調整及び不良マーク検出用倍
率変更がコントローラー７の指示ニ従って、ズームドラ
イバー６により自動的に行われる。
ット像を得ている。光学系４はズーム機構５を持ち、ペ
レットサイズ変更時の倍率調整及び不良マーク検出用倍
率変更がコントローラー７の指示ニ従って、ズームドラ
イバー６により自動的に行われる。
ＩＴＶカメラ３により得られたペレット像は画像処理部
８により位置ズレ量を算出されコントローラー７を通し
て移動ステージ２の動作により位置出しされる。
８により位置ズレ量を算出されコントローラー７を通し
て移動ステージ２の動作により位置出しされる。
その後、ズーム機構５の倍率切換えによりペレット１上
の不良マーク存在部分をズームアツプし、ペレットの良
否判定を行う。
の不良マーク存在部分をズームアツプし、ペレットの良
否判定を行う。
マークサイズはペレットサイズによらず、はとんど一定
なので、マーク検出用の倍率変更にはレンズの切換等に
よる固定倍率切換を行っても良い。
なので、マーク検出用の倍率変更にはレンズの切換等に
よる固定倍率切換を行っても良い。
以上説明したように本発明によれば、可変倍率機構によ
り検出倍率を上げて不良マークを検出するようにしたの
で、ペレットサイズ、マークサイズ、マーキング方法を
問わず、容易に安定したマーク情報を得ることができ、
しかもマークの大きさを最小限のサイズにすることがで
きるから、周囲ペレットをマーキングによる汚染から保
護できるという副次的な効果をも有するものである。
り検出倍率を上げて不良マークを検出するようにしたの
で、ペレットサイズ、マークサイズ、マーキング方法を
問わず、容易に安定したマーク情報を得ることができ、
しかもマークの大きさを最小限のサイズにすることがで
きるから、周囲ペレットをマーキングによる汚染から保
護できるという副次的な効果をも有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は検出
対象である半導体ペレットの配置状態を示す説明図であ
る。
対象である半導体ペレットの配置状態を示す説明図であ
る。
Claims (1)
- （１）半導体素子上の不良マーク検出機能を有する半導
体素子位置認識装置において、光学系に、半導体素子認
識時より高倍率にて不良マークの画像取り込みを行う可
変倍率機構を設置したことを特徴とする半導体素子表面
不良マーク認識装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19106385A JPS6251233A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体素子表面不良マ−ク認識装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19106385A JPS6251233A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体素子表面不良マ−ク認識装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251233A true JPS6251233A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16268261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19106385A Pending JPS6251233A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体素子表面不良マ−ク認識装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718057B1 (en) | 1998-12-22 | 2004-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Position error measurement method and device using positioning mark, and machining device for correcting position based on result of measuring position error using positioning mark |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19106385A patent/JPS6251233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718057B1 (en) | 1998-12-22 | 2004-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Position error measurement method and device using positioning mark, and machining device for correcting position based on result of measuring position error using positioning mark |
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