JPS6248397B2 - - Google Patents
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- JPS6248397B2 JPS6248397B2 JP57159413A JP15941382A JPS6248397B2 JP S6248397 B2 JPS6248397 B2 JP S6248397B2 JP 57159413 A JP57159413 A JP 57159413A JP 15941382 A JP15941382 A JP 15941382A JP S6248397 B2 JPS6248397 B2 JP S6248397B2
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- electrode
- electrodes
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- optical axis
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
- H01S3/073—Gas lasers comprising separate discharge sections in one cavity, e.g. hybrid lasers
- H01S3/076—Folded-path lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
- H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はレーザー室内部にレーザー光軸に平
行に広がつた第一電極と第二電極が間隔を保つて
対向し、これらの電極の間のガス室に発生するで
きるだけ均等な無アーク・コンデンサ放電によつ
て励起されるTE型レーザー特に高出力レーザー
に関する。
行に広がつた第一電極と第二電極が間隔を保つて
対向し、これらの電極の間のガス室に発生するで
きるだけ均等な無アーク・コンデンサ放電によつ
て励起されるTE型レーザー特に高出力レーザー
に関する。
TEレーザー(横励起レーザー)は工業規模の
光化学反応装置に特に適しているが、そのために
は長いパルス長と高い繰り返し数とできるだけ大
きな出力とが望まれる。同時にレーザー光発生の
効率が高いことが要求される。
光化学反応装置に特に適しているが、そのために
は長いパルス長と高い繰り返し数とできるだけ大
きな出力とが望まれる。同時にレーザー光発生の
効率が高いことが要求される。
物理的の理由からレーザーの単位体積当りの最
大エネルギーが限定されるからできるだけ大きな
容積とするのが有利であるように考えられる。繰
り返し数を高くする場合二つのレーザー光パルス
の間でレーザー・ガスを複数回交換することが必
要であるから、レーザー・ガスは比較的高速度で
レーザー室の電極の間を流さなければならない。
経済上と技術上の理由からはガス循環用のベンチ
レータの所要電力を小さくするため通流抵抗を最
低にしなければならない。更に高い変換効率を達
成するためには励起回路のパルスの形状が重要で
ある。そのためパルス形成回路をブリユームライ
ン回路又は電荷移送回路の形とすることは既に提
案されている。
大エネルギーが限定されるからできるだけ大きな
容積とするのが有利であるように考えられる。繰
り返し数を高くする場合二つのレーザー光パルス
の間でレーザー・ガスを複数回交換することが必
要であるから、レーザー・ガスは比較的高速度で
レーザー室の電極の間を流さなければならない。
経済上と技術上の理由からはガス循環用のベンチ
レータの所要電力を小さくするため通流抵抗を最
低にしなければならない。更に高い変換効率を達
成するためには励起回路のパルスの形状が重要で
ある。そのためパルス形成回路をブリユームライ
ン回路又は電荷移送回路の形とすることは既に提
案されている。
高出力レーザーの場合一連の条件が要求される
がその一部は互に矛盾している。例えばレーザー
室とパルス回路とレーザー室を結ぶ導線はできる
だけ低インダクタンスのものでなければならない
が、これはできるだけコンパクトな構造とするこ
とによつて達成される。しかしこの場合切線方向
の電界成分が原因となつてレーザー容器の内壁面
に沿つて火花放電が発生する危険がある。放電室
に予備イオン化用の補助電極を設けるとこの火花
放電発生の危険は一層増大する。
がその一部は互に矛盾している。例えばレーザー
室とパルス回路とレーザー室を結ぶ導線はできる
だけ低インダクタンスのものでなければならない
が、これはできるだけコンパクトな構造とするこ
とによつて達成される。しかしこの場合切線方向
の電界成分が原因となつてレーザー容器の内壁面
に沿つて火花放電が発生する危険がある。放電室
に予備イオン化用の補助電極を設けるとこの火花
放電発生の危険は一層増大する。
上記の電位と沿面放電の問題を解決するため
個々のレーザー電極とそれを包囲する電流導体の
間で被覆絶縁材料内に空隙を作り、この空隙に遮
蔽電極を挿入して遮蔽電極内部にあるレーザー電
極の電位に接続することは既に提案されている。
この公知レーザー装置には媒質ガスが縦に流れる
ものと横に流れるものとがありこの発明の出発点
となつているものであるが、予備イオン化用の補
助電極を放電室内に組合せ設置する際電流導体と
の間をそれ以上短くすることが許されない最小間
隔を保持する必要があり、それによつてレーザー
室のイングクタンスが増大しあるいはこのイング
クタンスの値に使用された絶縁材料の絶縁破壊強
度によつて定まる下限界があることが問題とな
る。
個々のレーザー電極とそれを包囲する電流導体の
間で被覆絶縁材料内に空隙を作り、この空隙に遮
蔽電極を挿入して遮蔽電極内部にあるレーザー電
極の電位に接続することは既に提案されている。
この公知レーザー装置には媒質ガスが縦に流れる
ものと横に流れるものとがありこの発明の出発点
となつているものであるが、予備イオン化用の補
助電極を放電室内に組合せ設置する際電流導体と
の間をそれ以上短くすることが許されない最小間
隔を保持する必要があり、それによつてレーザー
室のイングクタンスが増大しあるいはこのイング
クタンスの値に使用された絶縁材料の絶縁破壊強
度によつて定まる下限界があることが問題とな
る。
この発明の基本的な目的は、冒頭に挙げた種類
のレーザー特に高出力レーザーが比較的大きな放
電容積においても極めて低い自己イングクタンス
を持つようにすることである。この発明によるレ
ーザーは基本的には縦方向のガス流にも横方向の
ガス流にも使用され、縦形式から横形式への変更
およびその逆の変更が比較的簡単な構造変えによ
つて可能である。横流式の場合特にガス通流抵抗
が低く、比較的小さいポンプ出力によつてレーザ
ーパルス間に多数回のガス交換を実施することが
できる。この発明の別の目的はモデル組立てが可
能であるようにレーザーを構成することである。
のレーザー特に高出力レーザーが比較的大きな放
電容積においても極めて低い自己イングクタンス
を持つようにすることである。この発明によるレ
ーザーは基本的には縦方向のガス流にも横方向の
ガス流にも使用され、縦形式から横形式への変更
およびその逆の変更が比較的簡単な構造変えによ
つて可能である。横流式の場合特にガス通流抵抗
が低く、比較的小さいポンプ出力によつてレーザ
ーパルス間に多数回のガス交換を実施することが
できる。この発明の別の目的はモデル組立てが可
能であるようにレーザーを構成することである。
上記の目的は特許請求の範囲第1項に特徴とし
て挙げた構造を採用することによつて達成され
る。この発明の種々の実施形態は特許請求の範囲
第2項以下に示されている。
て挙げた構造を採用することによつて達成され
る。この発明の種々の実施形態は特許請求の範囲
第2項以下に示されている。
この発明によるレーザーの主要点は部分放電室
が金属電流導体を包囲していることである。これ
によつて可能となる対称構造によりレーザー・パ
ルスが完全に一様な挙動を示すようになる。この
発明による高出力レーザー装置は基本的にモデル
組立形式の多重構造に適しているから、二つの対
向する部分電極対に限定されることなく、多数の
構成ユニツトの多重組合せが可能である。即ち部
分電極、電流導体とその絶縁被覆、絶縁被覆で包
まれた遮蔽電極、予備イオン化用の補助電極等を
構成要素方式に従つて予め製作しておくことがで
きる。
が金属電流導体を包囲していることである。これ
によつて可能となる対称構造によりレーザー・パ
ルスが完全に一様な挙動を示すようになる。この
発明による高出力レーザー装置は基本的にモデル
組立形式の多重構造に適しているから、二つの対
向する部分電極対に限定されることなく、多数の
構成ユニツトの多重組合せが可能である。即ち部
分電極、電流導体とその絶縁被覆、絶縁被覆で包
まれた遮蔽電極、予備イオン化用の補助電極等を
構成要素方式に従つて予め製作しておくことがで
きる。
この発明の数種の実施例を示した図面について
この発明を更に詳明に説明する。
この発明を更に詳明に説明する。
第1図、第2図の横励起型高出力レーザーはレ
ーザー光軸OAに平行に広がり間隔a1を保つて
対向する少くとも二つの電極即ち第一電極E1と
第二電極E2の間のガス室Gに発生するできるだ
け均等な無アーク・コンデンサ放電によつて励起
される。電極E1とE2はそれぞれ二つの部分電
極E11,E12およびE21,E22に分割さ
れ、予備イオン化装置V1,V2と共に第3図に
示したレーザー室LKの気密容器2内に設けられ
ている。予備イオン化装置V1,V2は第1図、
第2図の実施例では内部導体3と絶縁被覆4から
成る棒状の補助電極であり、対応する部分電極E
11,E12,E21,E22に対して放電間隙
a2を保つてレーザー軸に平行に置かれている。
この種の予備イオン化装置の構成とその動作回路
は既に提案されているものであるからここではそ
の詳細に立ち入らない。
ーザー光軸OAに平行に広がり間隔a1を保つて
対向する少くとも二つの電極即ち第一電極E1と
第二電極E2の間のガス室Gに発生するできるだ
け均等な無アーク・コンデンサ放電によつて励起
される。電極E1とE2はそれぞれ二つの部分電
極E11,E12およびE21,E22に分割さ
れ、予備イオン化装置V1,V2と共に第3図に
示したレーザー室LKの気密容器2内に設けられ
ている。予備イオン化装置V1,V2は第1図、
第2図の実施例では内部導体3と絶縁被覆4から
成る棒状の補助電極であり、対応する部分電極E
11,E12,E21,E22に対して放電間隙
a2を保つてレーザー軸に平行に置かれている。
この種の予備イオン化装置の構成とその動作回路
は既に提案されているものであるからここではそ
の詳細に立ち入らない。
電極E1の部分電極E11とE12はパルス形
成回路PFNから遠い側に設けられ、ブリツジ片
b1を介して電流導体e1に接続され、パルス回
路PFNに近い電極E2の部分電極E21とE2
2は電流導体e2に接続されている。この電流導
体e2は部分電極E21とE22の間の導電ブリ
ツジ片の形にしてもよいが、大きな金属板として
同時に基準電位(地電位)板として使用すること
も可能である。高出力レーザーの電極とパルス回
路の間の電気的結合ならびにパルス回路の接続は
西独国特許出願公開第2932781号公報に詳細に記
載されているからここではその詳細に立入らない
が、パルス回路が例えばブリユームライン回路又
は電荷移送回路として構成され、例えばサイラト
ロン、火花間隙、プラズマスイツチ等の高速度高
電圧スイツチング間隙の一種であることだけを述
べておく。
成回路PFNから遠い側に設けられ、ブリツジ片
b1を介して電流導体e1に接続され、パルス回
路PFNに近い電極E2の部分電極E21とE2
2は電流導体e2に接続されている。この電流導
体e2は部分電極E21とE22の間の導電ブリ
ツジ片の形にしてもよいが、大きな金属板として
同時に基準電位(地電位)板として使用すること
も可能である。高出力レーザーの電極とパルス回
路の間の電気的結合ならびにパルス回路の接続は
西独国特許出願公開第2932781号公報に詳細に記
載されているからここではその詳細に立入らない
が、パルス回路が例えばブリユームライン回路又
は電荷移送回路として構成され、例えばサイラト
ロン、火花間隙、プラズマスイツチ等の高速度高
電圧スイツチング間隙の一種であることだけを述
べておく。
レーザー室LKにはレーザー・ガス(これは第
一実施例では矢印G1で示すようにレーザー光軸
OAに垂直に流れる)の導入装置が設けられてい
る。この発明の対象である高出力レーザーは例え
ばエキシマ・レーザー又はCO2レーザーである
が、前者については雑誌(“Physics Today”
may.1978.p.32―39)に詳細に記載されている。
一実施例では矢印G1で示すようにレーザー光軸
OAに垂直に流れる)の導入装置が設けられてい
る。この発明の対象である高出力レーザーは例え
ばエキシマ・レーザー又はCO2レーザーである
が、前者については雑誌(“Physics Today”
may.1978.p.32―39)に詳細に記載されている。
特に第1図に示すように対向するレーザー電極
E1,E2はそれぞれ二つの部分電極E11,E
12およびE21,E22から成り、部分電極E
11とE12はブリツジ片b1によつて電気的な
らびに機械的に結合されている。ブリツジ片b1
はレーザー軸に平行に長く延びた板であり、部分
電極は同じくレーザー軸方向に広がつた金属帯で
ある。部分電極E21とE22は帰還電流導体板
e2に電気的機械的に結合され、導体板e2は部
分電極E21とE22の中間に電流導体e1に対
するブツシングを備えている。良導電性の金属板
が使用されている帰還電流導体e2はピン、棒、
又はボルト状の電流導体e1との間隔が小さいと
きはブツシングを通す孔を備えたブリツジ板とす
ることができる。図示の実施例ではe1とe2は
別々の板である。対をなして対向する部分電極E
11とE21およびE12とE22はその間にガ
ス放電室1をはさむ。このガス放電室は二つの部
分電極対の間に分割されて存在するからそれぞれ
部分放電室と呼ばれる。これらの部分放電室の間
の空間mにはe1として示されている絶縁材料で
被覆された電流導体がパルス回路PFNから遠い
部分電極E11,E12のブリツジ片b1に電流
を導くために設けられている。この電流導体e1
は部分電極E11とE12の間の中間室と二つの
部分放電室1,1の間の空間mを通り、更に部分
電極E21とE22の中間と第二電極E2の帰還
電流導体e22を絶縁貫通してパルス回路PFN
のコンデンサ電極の接続端子f1まで延びそこに
結合されている。そのため電流導体e1に扁平な
接続片e11が作られている。端子f1に所属す
るコンデンサ導体層は破線c1で暗示されてい
る。
E1,E2はそれぞれ二つの部分電極E11,E
12およびE21,E22から成り、部分電極E
11とE12はブリツジ片b1によつて電気的な
らびに機械的に結合されている。ブリツジ片b1
はレーザー軸に平行に長く延びた板であり、部分
電極は同じくレーザー軸方向に広がつた金属帯で
ある。部分電極E21とE22は帰還電流導体板
e2に電気的機械的に結合され、導体板e2は部
分電極E21とE22の中間に電流導体e1に対
するブツシングを備えている。良導電性の金属板
が使用されている帰還電流導体e2はピン、棒、
又はボルト状の電流導体e1との間隔が小さいと
きはブツシングを通す孔を備えたブリツジ板とす
ることができる。図示の実施例ではe1とe2は
別々の板である。対をなして対向する部分電極E
11とE21およびE12とE22はその間にガ
ス放電室1をはさむ。このガス放電室は二つの部
分電極対の間に分割されて存在するからそれぞれ
部分放電室と呼ばれる。これらの部分放電室の間
の空間mにはe1として示されている絶縁材料で
被覆された電流導体がパルス回路PFNから遠い
部分電極E11,E12のブリツジ片b1に電流
を導くために設けられている。この電流導体e1
は部分電極E11とE12の間の中間室と二つの
部分放電室1,1の間の空間mを通り、更に部分
電極E21とE22の中間と第二電極E2の帰還
電流導体e22を絶縁貫通してパルス回路PFN
のコンデンサ電極の接続端子f1まで延びそこに
結合されている。そのため電流導体e1に扁平な
接続片e11が作られている。端子f1に所属す
るコンデンサ導体層は破線c1で暗示されてい
る。
e11とf1の間の接触は硬ろう付け又は溶接
によるのが有利であるがねじ止めとすることも基
本的には可能である。電流導体e1の他端におい
ては電極ブリツジ片b1との間の接触が同様にね
じ止め、硬ろう付け又は溶接によつて行われる。
帰還電流導体e2は詳細には示されていないパル
ス回路PFNのコンデンサ層c2の接続端子c2
1に接触する。コンデンサ層c2にはブツシング
部分に切り開きc20が作られている。
によるのが有利であるがねじ止めとすることも基
本的には可能である。電流導体e1の他端におい
ては電極ブリツジ片b1との間の接触が同様にね
じ止め、硬ろう付け又は溶接によつて行われる。
帰還電流導体e2は詳細には示されていないパル
ス回路PFNのコンデンサ層c2の接続端子c2
1に接触する。コンデンサ層c2にはブツシング
部分に切り開きc20が作られている。
第1図と第2図に示すように絶縁被覆された電
流導体e1はレーザー軸OAの方向に間隔a3を
おいて配置されているからその間に横方向ガス流
G1のためのレーザー軸に垂直に伸びた中間室5
が形成される。
流導体e1はレーザー軸OAの方向に間隔a3を
おいて配置されているからその間に横方向ガス流
G1のためのレーザー軸に垂直に伸びた中間室5
が形成される。
第1図、第2図には更に電流導体e1がピン、
棒又はボルトの形の導体棒6であり、少くとも対
向部分電極E11とE21,E12とE22の間
にある部分a1が細くなつていて導体棒6と絶縁
被覆7の間に中空室8が形成されていることが示
されている。この中空室8によつて絶縁被覆の表
面に発生する沿面放電に対する波動インピーダン
スが高くなる。中空室8の長さはa1より大きく
してもよいができるだけそれに近いものとする。
導体棒6の絶縁被覆7は耐熱性、耐紫外線性の合
成樹脂例えばPVDF(ポリフツ化ビニリデン)で
作るかあるいは高純度のAl2O3セラミツクの小管
とする。電界分布を有利にするため導体棒6の両
端の太い部分から中央部の細い部分への移行は図
に一例として示すように連続的にするか又は浅い
S字形とする。パルス回路PFN側の棒端部分で
は絶縁被覆7が厚い壁を持つ脚部7aとなつてい
る。この脚部7aはその一部を中空円筒形として
もよいが、図に示すような貫通孔7bを持つ絶縁
成形体としてもよい。
棒又はボルトの形の導体棒6であり、少くとも対
向部分電極E11とE21,E12とE22の間
にある部分a1が細くなつていて導体棒6と絶縁
被覆7の間に中空室8が形成されていることが示
されている。この中空室8によつて絶縁被覆の表
面に発生する沿面放電に対する波動インピーダン
スが高くなる。中空室8の長さはa1より大きく
してもよいができるだけそれに近いものとする。
導体棒6の絶縁被覆7は耐熱性、耐紫外線性の合
成樹脂例えばPVDF(ポリフツ化ビニリデン)で
作るかあるいは高純度のAl2O3セラミツクの小管
とする。電界分布を有利にするため導体棒6の両
端の太い部分から中央部の細い部分への移行は図
に一例として示すように連続的にするか又は浅い
S字形とする。パルス回路PFN側の棒端部分で
は絶縁被覆7が厚い壁を持つ脚部7aとなつてい
る。この脚部7aはその一部を中空円筒形として
もよいが、図に示すような貫通孔7bを持つ絶縁
成形体としてもよい。
脚部7aに作られた切り込み7cには遮蔽電極
E3が挿入される。この遮蔽電極は結合導線e3
を通して電流導体e2の地電位に接続され、第二
電極E2の部分電極E21,E22と電流導体e
1の間に突き出している。この場合刃形又はピン
列形に作られた遮蔽電極E3が電流導体e1の両
側で空室7c又は中間室m1に突き出した構造と
すると特に有利である。遮蔽電極は断面がほぼU
字形の空室7c内に収められる。図に示した刃形
の遮蔽電極E3は結合導体e3を介して電流導体
板e2と機械的ならびに電気的に結合する際その
端部を接触端板の形にしこれを溝に押し込むよう
にすることによつて確実な結合が著しく簡単に行
なわれる。
E3が挿入される。この遮蔽電極は結合導線e3
を通して電流導体e2の地電位に接続され、第二
電極E2の部分電極E21,E22と電流導体e
1の間に突き出している。この場合刃形又はピン
列形に作られた遮蔽電極E3が電流導体e1の両
側で空室7c又は中間室m1に突き出した構造と
すると特に有利である。遮蔽電極は断面がほぼU
字形の空室7c内に収められる。図に示した刃形
の遮蔽電極E3は結合導体e3を介して電流導体
板e2と機械的ならびに電気的に結合する際その
端部を接触端板の形にしこれを溝に押し込むよう
にすることによつて確実な結合が著しく簡単に行
なわれる。
遮蔽電極E3は少くとも部分電極E21,E2
2および予備イオン化電極V2が存在する範囲だ
けレーザー軸に垂直の方向にガス室G,m1内に
広がつているようにすると有利である。
2および予備イオン化電極V2が存在する範囲だ
けレーザー軸に垂直の方向にガス室G,m1内に
広がつているようにすると有利である。
部分電極E11,E12およびE21,E22
はそれぞれ所属するブリツジ片b1又は電流導体
e2にねじ止めすると有利であり、それによつて
それらの接触面間の接触を良好にし、又必要に応
じて部分電極を簡単に交換することができる。電
流導体e1の導体棒6と絶縁被覆7の間の空室8
により前に述べたように絶縁材料の表面に沿つて
の放電に対する波動インピーダンスを高め、遮蔽
電極E3と同様に沿面放電の発生を阻止する。予
備イオン化用の補助電極V2が電流導体e1の電
位に置かれているからこの電極と対応する部分電
極E21,E22の間には強電界が形成され所望
の予備イオン化を実現する。他方電流導体e2の
電位に置かれている補助電極V1とそれに対向す
る部分電極E11,E12の間にも同様に強い電
界が形成される。ただしレーザー室のこの側では
電流導体e1、電極ブリツジ片b1の外電極E1
1とE12がほぼ等電位に置かれているから沿面
放電を阻止する特別な手段を必要としない。
はそれぞれ所属するブリツジ片b1又は電流導体
e2にねじ止めすると有利であり、それによつて
それらの接触面間の接触を良好にし、又必要に応
じて部分電極を簡単に交換することができる。電
流導体e1の導体棒6と絶縁被覆7の間の空室8
により前に述べたように絶縁材料の表面に沿つて
の放電に対する波動インピーダンスを高め、遮蔽
電極E3と同様に沿面放電の発生を阻止する。予
備イオン化用の補助電極V2が電流導体e1の電
位に置かれているからこの電極と対応する部分電
極E21,E22の間には強電界が形成され所望
の予備イオン化を実現する。他方電流導体e2の
電位に置かれている補助電極V1とそれに対向す
る部分電極E11,E12の間にも同様に強い電
界が形成される。ただしレーザー室のこの側では
電流導体e1、電極ブリツジ片b1の外電極E1
1とE12がほぼ等電位に置かれているから沿面
放電を阻止する特別な手段を必要としない。
第2図に示すように中間室5と絶縁被覆7を持
つ導体棒6がレーザー・ガスG1に対して比較的
低い通流抵抗を示す構造となつている。絶縁被覆
7の外形は通流抵抗をできるだけ低くする条件に
適合したものにする。例えば中間室5によつて決
定される通流路の形状はデイフユーザ又はベンチ
ユリ管状とする。このような形状によりポンプ出
力を低くすることも可能である。
つ導体棒6がレーザー・ガスG1に対して比較的
低い通流抵抗を示す構造となつている。絶縁被覆
7の外形は通流抵抗をできるだけ低くする条件に
適合したものにする。例えば中間室5によつて決
定される通流路の形状はデイフユーザ又はベンチ
ユリ管状とする。このような形状によりポンプ出
力を低くすることも可能である。
電極装置E1,E2は第3図に示すように一つ
の容器内に収められている。この容器はタンクと
も呼ばれていて希ガスとハロゲン又はハロゲンを
含む化合物の混合物であるかあるいは窒素と二酸
化炭素の混合物である侵食性のレーザー・ガスに
耐える材料で作られる。漏斗状の導入口9と排出
口10は送風機とガス浄化装置およびガス冷却装
置を含む外部ガス循環路に結ばれる。絶縁材料の
隔壁11はガスが放電室1の横を通り抜けること
を阻止する。
の容器内に収められている。この容器はタンクと
も呼ばれていて希ガスとハロゲン又はハロゲンを
含む化合物の混合物であるかあるいは窒素と二酸
化炭素の混合物である侵食性のレーザー・ガスに
耐える材料で作られる。漏斗状の導入口9と排出
口10は送風機とガス浄化装置およびガス冷却装
置を含む外部ガス循環路に結ばれる。絶縁材料の
隔壁11はガスが放電室1の横を通り抜けること
を阻止する。
この装置は第4図に示した装置と同じく鏡その
他の光学部品によつて二つの放電間隙E11―E
21、E12―E22を直列に接続すること、あ
るいは並列接続して増幅器又は発振器とすること
が可能である。
他の光学部品によつて二つの放電間隙E11―E
21、E12―E22を直列に接続すること、あ
るいは並列接続して増幅器又は発振器とすること
が可能である。
第1図に対応する断面図である第4図に示した
実施例ではガス室G又は両部分放電室1,1をレ
ーザー・ガスが矢印G2で示すように光軸OAの
方向に流れる。レーザーが低い繰に返し数で動作
する必要があり、縦方向のガス流でも続く二つの
レーザー・パルスの間にガスの交換が確実に行な
われる場合にはこの構成が合理的である。この場
合絶縁被覆された電流導体e1′は切り開きのな
い幅の広い板であり低インダクタンスという長所
を持つている。従つて第2図に示されている中間
室5がなく、絶縁被覆7は電流導体e1′と同様
に連続した板の形である。第3図の矢印G1で示
した横方向のレーザー・ガス流の場合には電流導
体e1の板の形にし、ガスを流すための貫通孔を
設け、それに対応して適当な絶縁被覆7で包むこ
ともこの発明の枠内にある。
実施例ではガス室G又は両部分放電室1,1をレ
ーザー・ガスが矢印G2で示すように光軸OAの
方向に流れる。レーザーが低い繰に返し数で動作
する必要があり、縦方向のガス流でも続く二つの
レーザー・パルスの間にガスの交換が確実に行な
われる場合にはこの構成が合理的である。この場
合絶縁被覆された電流導体e1′は切り開きのな
い幅の広い板であり低インダクタンスという長所
を持つている。従つて第2図に示されている中間
室5がなく、絶縁被覆7は電流導体e1′と同様
に連続した板の形である。第3図の矢印G1で示
した横方向のレーザー・ガス流の場合には電流導
体e1の板の形にし、ガスを流すための貫通孔を
設け、それに対応して適当な絶縁被覆7で包むこ
ともこの発明の枠内にある。
第1図乃至第3図に細部を示したレーザーの全
体を極めて簡単化した形で第5図に示す。対向す
る部分電極の対E11―E21およびE12―E
22はビーム偏向装置12によつて光学的に縦続
接続され光学的の増幅器を形成するからレーザー
光ビームL1は第一部分レーザー室LK1を通
り、偏向装置12,12で2回偏向され、第二部
分レーザー室LK2を通つた後増幅されたレーザ
ー・ビームとして外に出る。横方向のガス流は矢
印G1で示され、電流導体e1は破線で示されて
いる。縦方向のガス流G2の場合にも適当な板状
の電流導体e1′を使用するだけで原理的には第
5図に示されたものとなる。光ビーム偏向装置1
2としては鏡、プリズム、格子等が考えられる。
図には二つの金属鏡がレーザー光ビームと光学軸
OAに対して45゜傾斜して設けられている。
体を極めて簡単化した形で第5図に示す。対向す
る部分電極の対E11―E21およびE12―E
22はビーム偏向装置12によつて光学的に縦続
接続され光学的の増幅器を形成するからレーザー
光ビームL1は第一部分レーザー室LK1を通
り、偏向装置12,12で2回偏向され、第二部
分レーザー室LK2を通つた後増幅されたレーザ
ー・ビームとして外に出る。横方向のガス流は矢
印G1で示され、電流導体e1は破線で示されて
いる。縦方向のガス流G2の場合にも適当な板状
の電流導体e1′を使用するだけで原理的には第
5図に示されたものとなる。光ビーム偏向装置1
2としては鏡、プリズム、格子等が考えられる。
図には二つの金属鏡がレーザー光ビームと光学軸
OAに対して45゜傾斜して設けられている。
第6図に示した第四の実施例ではそれぞれ二つ
の対向する部分電極を備える複数のレーザー室
LK1,LK2等がレーザー光軸OAに垂直な方向
に配列されている。各レーザー室LK1,LK2等
と部分レーザー室LK11,LK12,LK21,
LK22等は第5図に示した光ビーム偏向装置1
2により光学的に直列に接続され、レーザー光ビ
ームL1は鏡12.1と12.2で2回反射した
後ビームL2として第二部分レーザー室LK12
を通り抜け、鏡12.3と12.4で2回反射し
た後ビームL3として第三部分レーザー室LK2
1を通り抜け、鏡12.5と12.6で2回反射
した後ビームL4として第四部分レーザー室LK
22を通り抜け増幅された光ビームとして外に出
る。光ビームL1乃至L4につけた矢印で示され
るようにこの多重系は特定の優先方向に放射し、
その他の方向には放射しない。この特性があらゆ
る動作状態において確保されるため光ビーム偏向
装置12の中間に第一方向素子として所定方向だ
けに透過性である光学要素13を設ける。この要
素としては公知の可飽和光吸収体又はフアラデ
ー・回転子が使用される。図示の実施例ではこの
種の光学要素13.1乃至13.3が二つの隣り合せた偏
向装置の間の光路に挿入されている。この実施例
には縦方向のガス流が有利であるが隣り合せたレ
ーザー室の間に特別なガス流路を設ければ横方向
(矢印G2)のガス流の使用を有利である。第6
図において第一レーザー室LK1の部分電極は第
5図と同じ符号で示され、第二レーザー室LK2
では対向する部分電極がE41―E51およびE
42―E52として示されている。
の対向する部分電極を備える複数のレーザー室
LK1,LK2等がレーザー光軸OAに垂直な方向
に配列されている。各レーザー室LK1,LK2等
と部分レーザー室LK11,LK12,LK21,
LK22等は第5図に示した光ビーム偏向装置1
2により光学的に直列に接続され、レーザー光ビ
ームL1は鏡12.1と12.2で2回反射した
後ビームL2として第二部分レーザー室LK12
を通り抜け、鏡12.3と12.4で2回反射し
た後ビームL3として第三部分レーザー室LK2
1を通り抜け、鏡12.5と12.6で2回反射
した後ビームL4として第四部分レーザー室LK
22を通り抜け増幅された光ビームとして外に出
る。光ビームL1乃至L4につけた矢印で示され
るようにこの多重系は特定の優先方向に放射し、
その他の方向には放射しない。この特性があらゆ
る動作状態において確保されるため光ビーム偏向
装置12の中間に第一方向素子として所定方向だ
けに透過性である光学要素13を設ける。この要
素としては公知の可飽和光吸収体又はフアラデ
ー・回転子が使用される。図示の実施例ではこの
種の光学要素13.1乃至13.3が二つの隣り合せた偏
向装置の間の光路に挿入されている。この実施例
には縦方向のガス流が有利であるが隣り合せたレ
ーザー室の間に特別なガス流路を設ければ横方向
(矢印G2)のガス流の使用を有利である。第6
図において第一レーザー室LK1の部分電極は第
5図と同じ符号で示され、第二レーザー室LK2
では対向する部分電極がE41―E51およびE
42―E52として示されている。
第1図はこの発明の第一の実施例の部分断面
図、第2図は第1図の―線に沿つた断面図、
第3図は第一の実施例の簡略化した全体図、第4
図は第二の実施例、第5図は第三の実施例、第6
図は第四の実施例のそれぞれ概略図である。 E1,E2……レーザー電極、E11,E1
2,E21,E22……レーザー電極の部分電
極、b1……ブリツジ片、1……部分放電室、e
1,e2……電流導体、PFN……パルス回路、
f1……コンデンサ接触面、G1,G2……レー
ザー・ガス流。
図、第2図は第1図の―線に沿つた断面図、
第3図は第一の実施例の簡略化した全体図、第4
図は第二の実施例、第5図は第三の実施例、第6
図は第四の実施例のそれぞれ概略図である。 E1,E2……レーザー電極、E11,E1
2,E21,E22……レーザー電極の部分電
極、b1……ブリツジ片、1……部分放電室、e
1,e2……電流導体、PFN……パルス回路、
f1……コンデンサ接触面、G1,G2……レー
ザー・ガス流。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (イ) 対向するレーザー電極E1,E2がそれ
ぞれ少くとも二つの部分電極E11,E12又
はE21,E22から成り、パルス回路PFN
から遠い第一部分電極E11,E12がブリツ
ジ片b1によつて結合されていること、 (ロ) 一体となつて対向する部分電極E11とE2
1又はE12とE22の間に部分放電室1が形
成されていること、 (ハ) 部分放電室の間の中間室mに絶縁物で包まれ
た電流導体e1がブリツジ片b1に対して設け
られ、この電流導体がパルス回路PFNに接続
された第二部分電極E21とE22に対する電
流導体e2を絶縁貫通してパルス回路PFNの
コンデンサ接触面f1まで達していること を特徴とするレーザーの光軸に平行に広がり間
隔を保つて対向する第一電極と第二電極の間の
ガス室に発生する無アーク・コンデンサ放電に
よつて励起されるTE型レーザー。 2 絶縁物で包まれた電流導体e1がそれぞれ単
独体として構成されてレーザー光軸OAの方向に
相互間隔a3を保つて配置されるかあるいは切り
開きをもつ板状の連続体として構成され、それに
よつてレーザー光軸を横切つて広がる中間室5が
横方向ガス流のために形成されていることを特徴
とするレーザー光軸に対して横方向にレーザーガ
スが流れる特許請求の範囲第1項記載のレーザ
ー。 3 絶縁物で包まれた電流導体e1′が切り開き
のない板状体であることを特徴とするレーザー光
軸に平行にレーザーガスが流れる特許請求の範囲
第1項記載のレーザー。 4 第二電極E2の部分電極E21,E22の間
の中間室m1と電流導体e1の間に絶縁物で包ま
れた遮蔽電極E3が突き出し、この電極が電流導
体e2の地電位に接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第3項の一つに記載
のレーザー。 5 少くとも部分電極E21,E22とそれに所
属する予備イオン化電極の領域がレーザー光軸を
横切つて広がつている範囲内において遮蔽電極E
3がガス室G内に突き出していることを特徴とす
る電極表面から僅かの間隔を保つてレーザー光軸
に平行に設けられた予備イオン化電極を備える特
許請求の範囲第4項記載のレーザー。 6 電流導体e1の両側にあつてメサ形又はピン
列の形に作られた遮蔽電極E3が第二部分電極E
21,E22の電流導体e2からガス室内に突き
出していること、この遮蔽電極がほぼU字形の絶
縁被覆7で包まれていることを特徴とする特許請
求の範囲第4項又は5項記載のレーザー。 7 電流導体e1がピン形又はボルト形の導体棒
であり対向する部分電極E11とE21,E12
とE22の間において細くなり、導体棒6とその
絶縁被覆7の間に空室8が形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載のレーザ
ー。 8 導体棒6の太い部分から細い部分への移行6
a,6bが連続的であることを特徴とする特許請
求の範囲第7項記載のレーザー。 9 空室8が少くともパルス回路から遠い部分電
極E11,E12の表面のレーザー光軸に垂直な
部分からパルス回路に近い部分電極E21,E2
2の表面のレーザー光軸に垂直な部分まで広がつ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第7項又
は第8項記載のレーザー。 10 電流導体e1の絶縁被覆が、遮蔽電極E3
が存在する区域で壁が厚い脚部と一体に結合さ
れ、この脚部の壁に遮蔽電極を収容する室が作ら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第2項
乃至第8項の一つに記載のレーザー。 11 電極対として対向する部分電極E11とE
21,E12とE22の間に作られた二つの部分
放電室1が鏡、プリズム、格子等の光線偏向装置
により光学的に縦続接続されていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項乃至第10項の一つに
記載のレーザー。 12 それぞれ二つの対向する部分電極対を備え
るレーザー室の複数個がその光学軸に対して横方
向に並べられ多重レーザー系を構成することを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第11項の一
つに記載のレーザー。 13 多重レーザー系の各レーザー室が光線偏向
装置によつて光学的に直列接続されていることを
特徴とする特許請求の範囲第11項又は第12項
記載のレーザー。 14 縦方向のレーザー媒質ガス流を作る装置が
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第13項記載のレーザー。 15 光線偏向装置の間の光線路に所定の光線方
向において透明な光学素子(単方向素子)が可飽
和吸収体、フアラデー回転子等の形で挿入されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第11項乃
至第14項の一つに記載のレーザー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813136447 DE3136447A1 (de) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | Laser des te-typs, insbesondere hochenergielaser |
| DE3136447.0 | 1981-09-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860588A JPS5860588A (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6248397B2 true JPS6248397B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=6141633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159413A Granted JPS5860588A (ja) | 1981-09-14 | 1982-09-13 | Te型レ−ザ− |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4556981A (ja) |
| EP (1) | EP0074586B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5860588A (ja) |
| AT (1) | ATE32965T1 (ja) |
| AU (1) | AU550589B2 (ja) |
| CA (1) | CA1180432A (ja) |
| DE (2) | DE3136447A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3314157A1 (de) * | 1982-04-19 | 1983-12-08 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Anregungskreis fuer lasersysteme, insbesondere fuer te-hochenergielaser, mit einstellung der vorionisierung |
| DE3240372A1 (de) * | 1982-11-02 | 1984-05-03 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Anregungssystem zur erzeugung einer schnellen, gepulsten hochspannungsentladung, insbesondere zur anregung eines hochleistungslasers |
| IT1197768B (it) * | 1983-12-29 | 1988-12-06 | Selenia Ind Elettroniche | Preionizzatore ad effetto corona per laser a gas |
| DE3403841A1 (de) * | 1984-02-03 | 1985-08-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gaslaser, insbesondere te-laser |
| EP0215286B1 (de) * | 1985-08-21 | 1990-03-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochleistungs-Impulsübertrager für kurze Impulse hoher Spannung und/oder hoher Ströme |
| US4947415A (en) * | 1986-05-09 | 1990-08-07 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flash x-ray apparatus |
| US4905250A (en) * | 1987-11-13 | 1990-02-27 | The European Atomic Energy Community | Pre-ionizing electrode arrangement for a gas discharge laser |
| AT394645B (de) * | 1988-07-04 | 1992-05-25 | Trumpf Gmbh & Co | Laengsgestroemter co2-leistungslaser |
| US6407382B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-06-18 | Technispan Llc | Discharge ionization source |
| US7514820B2 (en) * | 2004-02-04 | 2009-04-07 | General Atomics | Capacitor pulse forming network with multiple pulse inductors |
| US6965215B2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-11-15 | General Atomics | Capacitor pulse forming network with multiple pulse inductors |
| CN106129785B (zh) * | 2016-08-08 | 2019-03-08 | 海南师范大学 | 一种并列导通开关结构及具有该结构的脉冲气体激光器 |
| CN106129783B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-07-26 | 海南师范大学 | 一种高压大电流单脉冲放电开关及高能准分子激光器 |
| DE102017127963A1 (de) | 2017-11-27 | 2019-05-29 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Schaltungsanordnung zum Erfassen von Licht |
| WO2019143433A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Cymer, Llc | Apparatus for tuning discharge performance in a laser chamber |
| JP7381728B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2023-11-15 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 放電レーザ用導電部材 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE788846A (fr) * | 1971-09-24 | 1973-03-15 | D Comp Gen | Dispositif de generateur laser |
| US4041414A (en) * | 1973-05-30 | 1977-08-09 | Canadian Patents And Development Limited | Multiple arc radiation preionizer for gas lasers |
| US4449220A (en) * | 1977-12-27 | 1984-05-15 | United Technologies Corporation | Apparatus and method for deposition of electrical power in an electric discharge laser |
| DE2932781C2 (de) * | 1979-08-13 | 1985-10-31 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Vorrichtung zur Erzeugung schneller gepulster Kondensatorentladungen in einem Laser |
| JPS5673484A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | Voiceless discharge gas laser device |
| US4342114A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-27 | Raytheon Company | TEA Laser configuration |
| US4380079A (en) * | 1980-09-12 | 1983-04-12 | Northrop Corp. | Gas laser preionization device |
| DE3035730A1 (de) * | 1980-09-22 | 1982-05-13 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Hochenergielaser des tea-typs mit laser-achsparrallel angeordneten vorionisierungsstaeben |
| US4412333A (en) * | 1980-10-17 | 1983-10-25 | Mclellan Edward J | Three-electrode low pressure discharge apparatus and method for uniform ionization of gaseous media |
| IT1170739B (it) * | 1981-02-20 | 1987-06-03 | Selenia Ind Elettroniche | Integratore di preionizzazione con interruttore a.t. per laser a gas impulsato |
| US4417342A (en) * | 1981-03-03 | 1983-11-22 | Lumonics Inc. | Laser |
-
1981
- 1981-09-14 DE DE19813136447 patent/DE3136447A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-09-03 DE DE8282108156T patent/DE3278228D1/de not_active Expired
- 1982-09-03 EP EP82108156A patent/EP0074586B1/de not_active Expired
- 1982-09-03 AT AT82108156T patent/ATE32965T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-09-08 US US06/416,017 patent/US4556981A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-13 CA CA000411338A patent/CA1180432A/en not_active Expired
- 1982-09-13 JP JP57159413A patent/JPS5860588A/ja active Granted
- 1982-09-13 AU AU88334/82A patent/AU550589B2/en not_active Ceased
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| AU8833482A (en) | 1983-03-24 |
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