JPS5860588A - Te型レ−ザ− - Google Patents
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- JPS5860588A JPS5860588A JP57159413A JP15941382A JPS5860588A JP S5860588 A JPS5860588 A JP S5860588A JP 57159413 A JP57159413 A JP 57159413A JP 15941382 A JP15941382 A JP 15941382A JP S5860588 A JPS5860588 A JP S5860588A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
- H01S3/073—Gas lasers comprising separate discharge sections in one cavity, e.g. hybrid lasers
- H01S3/076—Folded-path lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
- H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明はレーザー室内部にレーザー元軸に平行に広が
った第一電極と第二電極が間隔を保って対向し、これら
の電極の間のガス室に発生下るできるだけ均等な無アー
ク・コンデンサ放電によって励起さn、るTE型レーデ
−特に高出力レーデTEレーザー(横励起レーザー)は
工業規模の光化学反応装置に特に適しているが、その定
め(=は長いパルス長と高い繰0返し数とできるだけ大
きな出力とが望まれる。同時にレーザー元発%Q)効率
が高いことが要求される。 物理的の理由からレーザーの単位体積当りの最大エネル
ギーが限定されるからできるだけ大きな容積とするのが
有利であるように考えら几る。繰り返し数?高くてる場
合二つり)レーザー元ノクルスの間でレーザー ガス乞
複数回交喪することが必要であるから、レーザー・ガス
は比較的高速度でレーデ−室の電@AO)間?流さなけ
ればならな!/)。 経済上と技術上の理由からはガス循環用のベンチレータ
の所要電力?小さくてるため通流抵抗乞最低にしなけれ
ばならない。更に高い変換効率?達成下るためには励起
回路のパルスの形状カ重要テある。そのためパルス形成
回路?プリュームライン回路又は電荷移送回路の形と下
ることは既に提案されている。 屑出力レーザーの場合一連の条件が要求されるがその一
部は互に矛盾している。例えばレーザー室とパルス回路
とレーザー室?結ぶ1腺はできるだけ低インダクタンス
のものでなければならないh−こrL、はCきるだけコ
ンパクトな構造とするこ−とに工って達成さ几ろ。しか
しこの場合切線方向り)電界成分が原因となってレーザ
ー容器の内壁面に沿って火花教室が発生する危険がある
。放電室に]’ Denイオン化用の補助電極2投ける
とこの火花・lv、七発王の危険は一層増大下る。 上記の電位と沿面放電の問題乞解決下るため個々のンー
デー電極とそれ?包囲する電流導体の聞で岐覆絶縁材料
内に空隙2作り、この空隙に遮蔽小咄を挿入して遮蔽電
極内部にあるレーデ−電極の電位に接続下ることは既に
提案されている。この公知レーデ−装置には媒質ガスが
縦に流れるものと横に流れるものとがありこの発明の出
発点とな−っているもU)であるが、予備イオン化用の
補助市αを放電室内に組合せ設置下る際電流導体との間
にそれ以上短くてることが許されない最小間隔を保持て
る必要があり、それによってレーザー室のインダクタン
スが増大しあるいはこのインダクタンスの値に使用され
た絶縁材料の絶縁破壊強度によって定まる下限界がある
ことが問題となる。 この発明の八本的な目的は、冒頭に挙げた種類のレーザ
ー特に高出力レーザーが比較的大きな枚重容積(:おい
ても極めて低い自己インダクタンス2待つようにするこ
とである。この発明によるレーザーは基本的(:1.ま
縦方向のガス流にも横方向のカス流にも使用され、縦形
式から横形式への変更およびその逆の変更が比較的簡単
な構造変えによって可能である。横流式の場合特にガス
通流抵抗が低く、比較的小さいポンプ出力によってレー
ザーパルス間に多数回り)ガス交換を実施下ることがで
きる1、この発明の別の目的はモデルポ1■1γてが可
能であるようにレーザー7a−構成することである。 上記の目的は特許請求の範囲第1項(=特徴として挙げ
た構造乞採用Tることによって達成されろ。 こ0)発明の種々の実施形態は特許請求の範囲第2項り
法王に示されている。 こび〕発明によるレーザーの七要点は部分放電室が3国
電流導体を包囲していることである。これに工って可能
となる対称構造によりレーザー・パルスが完全に一様な
挙動を示Tよう(−なる。この−発明による・湧出力レ
ーザー装置は基本的にモデル組σ形式の多重構造に適し
ているから、二つの対向下る部分電碌対に限定さ几るこ
となく、多数の構成ニーノドの多重組合せが可能である
。即ち部分−1^鴎、電流導体とその絶縁破覆、絶縁被
覆で包まれ定遮蔽Fi−1′極、予備イオン化用の補助
電極等乞溝成要素方式に従って予め製作しておくことが
できる。 この発明U)改種U〕実施例乞示した図面についてこの
発明2更に詳細に説明下る。 第1図、第2図の横励起型高出力レーデ−はレーデ−元
軸OAi二平行に広がり間隔a14保ってi−)同下る
少くとも二つの電梅即ち第一電極Elと第二電h1r、
zzの間のガス室Gに発生するできるだけ均等な無アー
ク・コンデンサ教室によって励起される。電極E1とE
2はそ几ぞれ二っσ)部分電極FJll’、E12およ
びE21.p22c分割され、予備イオンfヒ装置Vl
、V2と共に第3図に示したレーザー室L K O)
気密容器2内に設けられている。予備イオン化装KV
1 、 V 2は第1図、第2因の実施例では内部導体
3と絶縁被覆4から成る棒状の補助電極であり、対応す
る部分電極E11.E12.E21.l:22+二対し
て枚重間隙a2i保ってレーザー軸に平行に置かれてい
る。 この種の予備イオン比装行の構成とその動作回路は既に
提案されているも−のであるからここではその詳細に立
ち入らない。 電極E1の部分室%E11とE12はパルス形成回路P
FNから遠い側に設けられ、ブリッジ片bli介して電
流導体e1に接続さ几、パルス回路P ’F Nに近い
電極E2の部分電極E21とE22は電流導体e2に接
続さ几ている。この電流導体e2は部分電極E21とE
22の間の導電ブリツ、>ハの杉にしても、にいが、大
きな金属板として同時に基準電位(地電位)板として使
用TることもIJJ能である。高出力レーザーの電極と
パルス回路の間の電気的結合ならびにパルス回路の接続
は西独国特許出願公開第2932781号公報に詳細に
記載されているからここではその詳細に\γ人ら7cい
が、パルス回路が例えばプリュームライン回□”を又は
電荷移送回路として構成され、例えばサイラトロン、火
花’pM N、プラズマスイッチ等の高速IW高高正圧
スイッチング間隙一種であることだけを述べておく。 レーザー室LKにはレーデ−・ガス(これは第−実弛例
では矢印G1で示すようにレーザー元軸OAに垂直に流
iする)の導入装置が設けられている。この発明の対象
である高出力レーデ−は例えばエキシマ・レーデ−又は
CO2レーザーであるが、+iif者ζ二ツイては雑誌
(physics Today”1’1lay、 1
’j 78 、 p、32 39)に詳細に記載されて
いる。 特に第1図に不丁ように対向下るレーザー室(1ハEl
、E2はそれぞル二つの部分電極Ell、E12およ
びE21.E22から成り、部分電極EllとE12は
ブリッジ片b1によって電気的ならびにit的に結合さ
れている。ブリッジ片b1はレーザー軸に平行に長く延
びた板であり、部分電極は同じくレーザー軸方向に広が
った金属帯である。 部分電極E21とE22は帰還電流導体%e2に電気的
機械的に結分され、導体板e2は部分電極E21とE2
2の中間に電流導体e1に対するブッi/7グ乞備えて
いる。良導電性の金興仮が使用されている帰還電流導体
e2はピン、棒、又はボルト状の電流導体e1との間隔
が小さいときはブッシング馨通丁孔乞備えたブリッジ板
とすることができる。図示の実施例ではelと82は別
々の板である。対乞なして対向する部分電極EllとE
21およびE12とE22はその間にガスJf!l電室
1′Pr:はさむ。このガス放電室は二つσ)部分電極
て・↑の間(二分別されて存在Tるからそれぞれ部分放
電室と呼ばれる。これらの部分放電室の間の空間fηに
はelとして示されている絶縁材料で被覆さrtた電流
導体がパルス回路PFNから遠い部分室fiiB11.
Ex2のブリッジ片b1に電冶乞導く定めに、投けられ
ている。この電7k 4体e1は部分’I&MIP21
1.2E12の間の中聞室と二つの部分放電室(1,1
)の間の空間mY通り、更に部分室(hE+z1とE2
2の中間と第二電極E2σ)帰還電流導体e2f絶、を
梁貫通してパルス回路P F N Q) −Jンデンサ
電極の■続端子f1まで延びそこに結合さ几でいる。そ
のため電流導体e1に扁平な接続片ellが作られてい
る。端子f1に所属下るコンデンサ導体層は破1lcl
で暗示されている。 allとflの間の接触は硬ろう付は又は溶接によるの
が有利であるがねじ止めとすることも基本的には可能で
ある。電流導体e1の他端においては電櫛ブリッジ片b
1との間の接触が同様にねじ止め、硬ろう付は又は溶償
に工って行われる。帰還電流導体e2は詳細には示され
ていないパルス回路PFNのコンデンサ層C2の接続端
−f−C21に接触下る。コンデンナ層C2にはブツン
ング部分に切り開きc20が作られている。 第1図と第2図に示−r、(うに絶縁被覆された電流導
体e1はレーザー軸OAの方向に間隔a34おいて配置
されているからその間に横方向ガス流G1のためのレー
ザー軸に垂直に伸びた中間室5が形成される。 第1図、第2図には更に電流導体elがピン。 棒又はボルトの形の導体棒6であり、少くとも対回部分
電極EllとE21、El2とE22の間にある部分a
1か細くなっていて導体棒6と絶縁被覆7の間C二中空
室8が形成されていることが示さ几ている。この中空室
8によって絶縁被覆の表面に発/ETる沿面放電に対T
る波動インピーダンスが高くなる。中空室8の長さはa
lより大きくしても、Aいができるだけそ几に近いもQ
)とする。 導体棒すの絶縁被覆7は耐熱性、耐紫外線性の金h’t
mq旨1刈えばPVDF (ポリフッ化ヒ゛ニリデン
)で作るalあるいは高純変のAl2O3セラミックの
手性と下る。電界分布?有利にするため導体棒6θ)両
脇の太い部分から中央部の細い部分への移行は図に一例
として示Tように連続的に−「るか又は浅いS字形と下
る。パルス回路PFN側の棒端部分では絶縁被覆7が厚
い壁乞持つ脚部7aとなっている。この脚部7aはその
一部を中空円筒形としてもよいが5図に示す工うな貫通
孔マb7持つ(角縁j戊形体としてもよい。 脚部゛zaに作らfした切り込み7Cには遮蔽電極8.
3が挿入さ几る。この遮蔽電極は結合導rJe3?1m
して電流導体e2の地電位イニ接続さ几、第二七Sz2
の部分電極E21.E22と電流導体e1ay lL’
l i二突き出している。この場合方形又はピン列形に
作られ定遮蔽電極E3が電流導体e1の両側で空室7C
又は中間室m1に突き出した構造と下ると特に有利であ
る。遮蔽電穐は断面がほぼU字形の空室7C内に収めら
れる。図に示した方形の遮蔽電極E3は結合導体e3を
介して電流導体板e2と機械的ならびに電気的に結合下
る際その端邪乞復触端板の形にしこれを溝に押し込むよ
うにTること(二よって確実な結合が著しく簡単(二行
なわれる。 遮蔽電極E3は少くとも部分電極E21.E22および
予備イオン1ヒ電極V2が存在する範囲だけレーザー軸
に垂直の方向にガス室G、ml内に広がっているように
すると有利である。 部分電極E11.E12およびE21.E22はそ几ぞ
れ所属Tるブリッジ片b1又は電流導体板e2にねじ止
めすると有利であり、それによってそれらの接触面間の
接触乞良好にし、又必要に応じて部分市極乞簡単I:交
換することかできる。 電流導体e1α)導体棒6と絶縁被覆7の間の空室8に
より前に述べたように絶縁材料の表面に沿っての放電に
対Tる波動インピーダンスを高め、遮蔽電極E3と同様
に沿面放電の発生を阻止する。 予備イオン化用の補助型% v2が電流導体e1の電位
った第一電極と第二電極が間隔を保って対向し、これら
の電極の間のガス室に発生下るできるだけ均等な無アー
ク・コンデンサ放電によって励起さn、るTE型レーデ
−特に高出力レーデTEレーザー(横励起レーザー)は
工業規模の光化学反応装置に特に適しているが、その定
め(=は長いパルス長と高い繰0返し数とできるだけ大
きな出力とが望まれる。同時にレーザー元発%Q)効率
が高いことが要求される。 物理的の理由からレーザーの単位体積当りの最大エネル
ギーが限定されるからできるだけ大きな容積とするのが
有利であるように考えら几る。繰り返し数?高くてる場
合二つり)レーザー元ノクルスの間でレーザー ガス乞
複数回交喪することが必要であるから、レーザー・ガス
は比較的高速度でレーデ−室の電@AO)間?流さなけ
ればならな!/)。 経済上と技術上の理由からはガス循環用のベンチレータ
の所要電力?小さくてるため通流抵抗乞最低にしなけれ
ばならない。更に高い変換効率?達成下るためには励起
回路のパルスの形状カ重要テある。そのためパルス形成
回路?プリュームライン回路又は電荷移送回路の形と下
ることは既に提案されている。 屑出力レーザーの場合一連の条件が要求されるがその一
部は互に矛盾している。例えばレーザー室とパルス回路
とレーザー室?結ぶ1腺はできるだけ低インダクタンス
のものでなければならないh−こrL、はCきるだけコ
ンパクトな構造とするこ−とに工って達成さ几ろ。しか
しこの場合切線方向り)電界成分が原因となってレーザ
ー容器の内壁面に沿って火花教室が発生する危険がある
。放電室に]’ Denイオン化用の補助電極2投ける
とこの火花・lv、七発王の危険は一層増大下る。 上記の電位と沿面放電の問題乞解決下るため個々のンー
デー電極とそれ?包囲する電流導体の聞で岐覆絶縁材料
内に空隙2作り、この空隙に遮蔽小咄を挿入して遮蔽電
極内部にあるレーデ−電極の電位に接続下ることは既に
提案されている。この公知レーデ−装置には媒質ガスが
縦に流れるものと横に流れるものとがありこの発明の出
発点とな−っているもU)であるが、予備イオン化用の
補助市αを放電室内に組合せ設置下る際電流導体との間
にそれ以上短くてることが許されない最小間隔を保持て
る必要があり、それによってレーザー室のインダクタン
スが増大しあるいはこのインダクタンスの値に使用され
た絶縁材料の絶縁破壊強度によって定まる下限界がある
ことが問題となる。 この発明の八本的な目的は、冒頭に挙げた種類のレーザ
ー特に高出力レーザーが比較的大きな枚重容積(:おい
ても極めて低い自己インダクタンス2待つようにするこ
とである。この発明によるレーザーは基本的(:1.ま
縦方向のガス流にも横方向のカス流にも使用され、縦形
式から横形式への変更およびその逆の変更が比較的簡単
な構造変えによって可能である。横流式の場合特にガス
通流抵抗が低く、比較的小さいポンプ出力によってレー
ザーパルス間に多数回り)ガス交換を実施下ることがで
きる1、この発明の別の目的はモデルポ1■1γてが可
能であるようにレーザー7a−構成することである。 上記の目的は特許請求の範囲第1項(=特徴として挙げ
た構造乞採用Tることによって達成されろ。 こ0)発明の種々の実施形態は特許請求の範囲第2項り
法王に示されている。 こび〕発明によるレーザーの七要点は部分放電室が3国
電流導体を包囲していることである。これに工って可能
となる対称構造によりレーザー・パルスが完全に一様な
挙動を示Tよう(−なる。この−発明による・湧出力レ
ーザー装置は基本的にモデル組σ形式の多重構造に適し
ているから、二つの対向下る部分電碌対に限定さ几るこ
となく、多数の構成ニーノドの多重組合せが可能である
。即ち部分−1^鴎、電流導体とその絶縁破覆、絶縁被
覆で包まれ定遮蔽Fi−1′極、予備イオン化用の補助
電極等乞溝成要素方式に従って予め製作しておくことが
できる。 この発明U)改種U〕実施例乞示した図面についてこの
発明2更に詳細に説明下る。 第1図、第2図の横励起型高出力レーデ−はレーデ−元
軸OAi二平行に広がり間隔a14保ってi−)同下る
少くとも二つの電梅即ち第一電極Elと第二電h1r、
zzの間のガス室Gに発生するできるだけ均等な無アー
ク・コンデンサ教室によって励起される。電極E1とE
2はそ几ぞれ二っσ)部分電極FJll’、E12およ
びE21.p22c分割され、予備イオンfヒ装置Vl
、V2と共に第3図に示したレーザー室L K O)
気密容器2内に設けられている。予備イオン化装KV
1 、 V 2は第1図、第2因の実施例では内部導体
3と絶縁被覆4から成る棒状の補助電極であり、対応す
る部分電極E11.E12.E21.l:22+二対し
て枚重間隙a2i保ってレーザー軸に平行に置かれてい
る。 この種の予備イオン比装行の構成とその動作回路は既に
提案されているも−のであるからここではその詳細に立
ち入らない。 電極E1の部分室%E11とE12はパルス形成回路P
FNから遠い側に設けられ、ブリッジ片bli介して電
流導体e1に接続さ几、パルス回路P ’F Nに近い
電極E2の部分電極E21とE22は電流導体e2に接
続さ几ている。この電流導体e2は部分電極E21とE
22の間の導電ブリツ、>ハの杉にしても、にいが、大
きな金属板として同時に基準電位(地電位)板として使
用TることもIJJ能である。高出力レーザーの電極と
パルス回路の間の電気的結合ならびにパルス回路の接続
は西独国特許出願公開第2932781号公報に詳細に
記載されているからここではその詳細に\γ人ら7cい
が、パルス回路が例えばプリュームライン回□”を又は
電荷移送回路として構成され、例えばサイラトロン、火
花’pM N、プラズマスイッチ等の高速IW高高正圧
スイッチング間隙一種であることだけを述べておく。 レーザー室LKにはレーデ−・ガス(これは第−実弛例
では矢印G1で示すようにレーザー元軸OAに垂直に流
iする)の導入装置が設けられている。この発明の対象
である高出力レーデ−は例えばエキシマ・レーデ−又は
CO2レーザーであるが、+iif者ζ二ツイては雑誌
(physics Today”1’1lay、 1
’j 78 、 p、32 39)に詳細に記載されて
いる。 特に第1図に不丁ように対向下るレーザー室(1ハEl
、E2はそれぞル二つの部分電極Ell、E12およ
びE21.E22から成り、部分電極EllとE12は
ブリッジ片b1によって電気的ならびにit的に結合さ
れている。ブリッジ片b1はレーザー軸に平行に長く延
びた板であり、部分電極は同じくレーザー軸方向に広が
った金属帯である。 部分電極E21とE22は帰還電流導体%e2に電気的
機械的に結分され、導体板e2は部分電極E21とE2
2の中間に電流導体e1に対するブッi/7グ乞備えて
いる。良導電性の金興仮が使用されている帰還電流導体
e2はピン、棒、又はボルト状の電流導体e1との間隔
が小さいときはブッシング馨通丁孔乞備えたブリッジ板
とすることができる。図示の実施例ではelと82は別
々の板である。対乞なして対向する部分電極EllとE
21およびE12とE22はその間にガスJf!l電室
1′Pr:はさむ。このガス放電室は二つσ)部分電極
て・↑の間(二分別されて存在Tるからそれぞれ部分放
電室と呼ばれる。これらの部分放電室の間の空間fηに
はelとして示されている絶縁材料で被覆さrtた電流
導体がパルス回路PFNから遠い部分室fiiB11.
Ex2のブリッジ片b1に電冶乞導く定めに、投けられ
ている。この電7k 4体e1は部分’I&MIP21
1.2E12の間の中聞室と二つの部分放電室(1,1
)の間の空間mY通り、更に部分室(hE+z1とE2
2の中間と第二電極E2σ)帰還電流導体e2f絶、を
梁貫通してパルス回路P F N Q) −Jンデンサ
電極の■続端子f1まで延びそこに結合さ几でいる。そ
のため電流導体e1に扁平な接続片ellが作られてい
る。端子f1に所属下るコンデンサ導体層は破1lcl
で暗示されている。 allとflの間の接触は硬ろう付は又は溶接によるの
が有利であるがねじ止めとすることも基本的には可能で
ある。電流導体e1の他端においては電櫛ブリッジ片b
1との間の接触が同様にねじ止め、硬ろう付は又は溶償
に工って行われる。帰還電流導体e2は詳細には示され
ていないパルス回路PFNのコンデンサ層C2の接続端
−f−C21に接触下る。コンデンナ層C2にはブツン
ング部分に切り開きc20が作られている。 第1図と第2図に示−r、(うに絶縁被覆された電流導
体e1はレーザー軸OAの方向に間隔a34おいて配置
されているからその間に横方向ガス流G1のためのレー
ザー軸に垂直に伸びた中間室5が形成される。 第1図、第2図には更に電流導体elがピン。 棒又はボルトの形の導体棒6であり、少くとも対回部分
電極EllとE21、El2とE22の間にある部分a
1か細くなっていて導体棒6と絶縁被覆7の間C二中空
室8が形成されていることが示さ几ている。この中空室
8によって絶縁被覆の表面に発/ETる沿面放電に対T
る波動インピーダンスが高くなる。中空室8の長さはa
lより大きくしても、Aいができるだけそ几に近いもQ
)とする。 導体棒すの絶縁被覆7は耐熱性、耐紫外線性の金h’t
mq旨1刈えばPVDF (ポリフッ化ヒ゛ニリデン
)で作るalあるいは高純変のAl2O3セラミックの
手性と下る。電界分布?有利にするため導体棒6θ)両
脇の太い部分から中央部の細い部分への移行は図に一例
として示Tように連続的に−「るか又は浅いS字形と下
る。パルス回路PFN側の棒端部分では絶縁被覆7が厚
い壁乞持つ脚部7aとなっている。この脚部7aはその
一部を中空円筒形としてもよいが5図に示す工うな貫通
孔マb7持つ(角縁j戊形体としてもよい。 脚部゛zaに作らfした切り込み7Cには遮蔽電極8.
3が挿入さ几る。この遮蔽電極は結合導rJe3?1m
して電流導体e2の地電位イニ接続さ几、第二七Sz2
の部分電極E21.E22と電流導体e1ay lL’
l i二突き出している。この場合方形又はピン列形に
作られ定遮蔽電極E3が電流導体e1の両側で空室7C
又は中間室m1に突き出した構造と下ると特に有利であ
る。遮蔽電穐は断面がほぼU字形の空室7C内に収めら
れる。図に示した方形の遮蔽電極E3は結合導体e3を
介して電流導体板e2と機械的ならびに電気的に結合下
る際その端邪乞復触端板の形にしこれを溝に押し込むよ
うにTること(二よって確実な結合が著しく簡単(二行
なわれる。 遮蔽電極E3は少くとも部分電極E21.E22および
予備イオン1ヒ電極V2が存在する範囲だけレーザー軸
に垂直の方向にガス室G、ml内に広がっているように
すると有利である。 部分電極E11.E12およびE21.E22はそ几ぞ
れ所属Tるブリッジ片b1又は電流導体板e2にねじ止
めすると有利であり、それによってそれらの接触面間の
接触乞良好にし、又必要に応じて部分市極乞簡単I:交
換することかできる。 電流導体e1α)導体棒6と絶縁被覆7の間の空室8に
より前に述べたように絶縁材料の表面に沿っての放電に
対Tる波動インピーダンスを高め、遮蔽電極E3と同様
に沿面放電の発生を阻止する。 予備イオン化用の補助型% v2が電流導体e1の電位
【装置つ・れているからこの電極と対応する部分′市軸
E21.E22の間には強電界が形成さ几所望のt備イ
オンrヒ乞実現する。他方電流導体e29】電位に置か
れている補助電極■1とセルに対間する部分′電極El
1 、El 2の間にも同様に強いtt界が形成され
ろ。ただしレーデ−室のこの側では電流導体el、電極
ブリッジ片1110)外電晦E11とE 12 ウ”、
はぼ等電位に置かれているから沿面放電¥閉止下る特別
な手段を必要としない。 第2図に示TJ、うに中間室5と絶縁被覆7を持つ導体
棒6がレーザー ガスG1に対して比較的低い通流抵抗
を示す構造となっている。絶縁被覆7の外形は通流抵抗
?できるだけ低くする条件に適合したものに下る。例え
ば中曲室5C:、r、つて決定される曲流路の形状はデ
ィフューザ又はベンチュリ管状と下る。このような形状
によりポンプ出力2低くTることも可能である。 電極装置El 、E2は第3図に示TJ:うに−っの容
器j司に収められている。この容器はタンクとも呼ばれ
ていて希ガスとハロゲン父はハロデノ不・含む化合物の
混合物であるかあるいは窒素と二酸化炭素の混合物であ
る侵食性のレーザー ガスに耐える材料で作られる。漏
斗状の導入口9と排出口10は送風機とガス浄化装置お
よびガス冷却装@ン含む外部ガス循環路に結ばれる。絶
縁材料の隔壁11はガスが放電室1の横7曲り抜けるこ
と馨6目止する。 この装置は第4図に示し定装置と同じく祷その他の光学
部品によって二つの放電間隙Ell−E21、E12−
E22を直列に接続すること、あるいは並列搭続して増
幅器又は発振器とすることが可能である。 第1図に対応下る断面図である第4図に示した実施例で
はガス室G父は画部分放電室〕、1?レーデ−・ガスが
矢印G2でホ丁ように元軸OAの方向C二流れる。レー
ザーが低い繰り返し数で動作する必要があり、縦方向υ
)ガス流でも続く二つのレーサー・パルスの間にガスの
交換が確実に行な4)几る場合にはこの構成が合理的で
ある。この場合准縁肢I暑さ几に電流導体e1′は切り
開きり〕ない幅の広い坂であり化インダクタンスという
長所を1゛1つている1、従って第2図に示さ几ている
中間室5がなく、絶縫被覆7は電流導体e11と同様に
連b?a L定数す)形である。第3図の矢印G1で示
した横方向Q〕レーザー ガス流の場合には電流導体e
11府〕形にし、ガス乞流丁ための貫通孔ン設け、そn
+=、<4応して適当な絶縁被覆7C包むこともこQ)
発明の枠内l二ある。 第1区乃至第3図に細部を示したレーザーの全体7慟め
て簡単(ヒした形で第5図に示T。対向Tる部分電極の
対Ell−E21およびE12−E22はビーム偏向装
置12によって光学的に縦続接f売され光学的Q〕増幅
器に形成下るからレーデ−元ビームL1は第一部分レー
ザー室LKIを通り、偏向装置12.12で2回偏向さ
れ、第二部メitレーデー室LK2を通った後増幅され
たレーザー・ビームとして外に出る。横方向のガス流は
矢印G1で示され、型締導体e1は破線で示されている
。縦万回θ〕ガス流G2の場合にも適当な板状の電流導
体el’Y使用するだけで原理的には第5図に示された
ものとなる。元ビーム偏向装置12としては鏡、プリズ
ム、格子等が考えられろ。図には二つの徐属債がレーデ
−元ビームと元学軸OAに対して45° 傾斜して設け
ら凡ている。 第6図に示した第四の実施例ではそ几ぞれ二つの対向す
る部分電極?備える複数のレーザー室LKI、LK2等
がレーザー元軸OAに垂直な方向に配列されている。各
レーザー室LK1.LK2等と部分レーザー室(LKI
1 、LKI 2)、(LK21 、LK221等は
第5図にボした元ビーム偏向装置12にエリ光学的f:
直列に後続され、レーデ−元ビームL1は鏡121と1
22で2回反射した後ビームL2として第二部分レーザ
ー室LK12乞通り抜け、暎12.3と124で2回反
射した後ビームL3として第三部分レーデ−室LK21
乞通り抜け、鏡125と126で2回反射しに後ビーム
L4として第四部分レーザー室LK22’t’通り抜は
増幅された光ビームとして外に出る。光ビームL1乃至
L4に2けた矢印で示さnる工うにこの多重系は特定の
優先方向に放射し、七〇)他の方向には放射しない。こ
の特性があらゆる動作状態において確保さ几るため元ビ
ーム偏向装置12の中間に第一方向素子として所定方向
だけに透過性である光学要素13乞設ける。こ力要素と
しては公知の可飽和光吸収体又はファラデー・回転子が
使用さ几る。図示の実施例ではこの種の光学要素131
乃至133が二つの隣り合せた偏向装置の間の光路に挿
入されている。この実施例には縦方向のガス流が有利で
あるが隣り合せたレーザー室の間に特別なガス流路?設
ければ↑黄ガ回(矢印G2)のガス流の使用も有利であ
る。 第6図において第一レーザー室LKIの部分電極は第5
図と同じ符号で示され、第二し〜ザー室]、 K 2で
は対向する部分電極がE41−fi:5xお工びE42
−E52として示されている。
E21.E22の間には強電界が形成さ几所望のt備イ
オンrヒ乞実現する。他方電流導体e29】電位に置か
れている補助電極■1とセルに対間する部分′電極El
1 、El 2の間にも同様に強いtt界が形成され
ろ。ただしレーデ−室のこの側では電流導体el、電極
ブリッジ片1110)外電晦E11とE 12 ウ”、
はぼ等電位に置かれているから沿面放電¥閉止下る特別
な手段を必要としない。 第2図に示TJ、うに中間室5と絶縁被覆7を持つ導体
棒6がレーザー ガスG1に対して比較的低い通流抵抗
を示す構造となっている。絶縁被覆7の外形は通流抵抗
?できるだけ低くする条件に適合したものに下る。例え
ば中曲室5C:、r、つて決定される曲流路の形状はデ
ィフューザ又はベンチュリ管状と下る。このような形状
によりポンプ出力2低くTることも可能である。 電極装置El 、E2は第3図に示TJ:うに−っの容
器j司に収められている。この容器はタンクとも呼ばれ
ていて希ガスとハロゲン父はハロデノ不・含む化合物の
混合物であるかあるいは窒素と二酸化炭素の混合物であ
る侵食性のレーザー ガスに耐える材料で作られる。漏
斗状の導入口9と排出口10は送風機とガス浄化装置お
よびガス冷却装@ン含む外部ガス循環路に結ばれる。絶
縁材料の隔壁11はガスが放電室1の横7曲り抜けるこ
と馨6目止する。 この装置は第4図に示し定装置と同じく祷その他の光学
部品によって二つの放電間隙Ell−E21、E12−
E22を直列に接続すること、あるいは並列搭続して増
幅器又は発振器とすることが可能である。 第1図に対応下る断面図である第4図に示した実施例で
はガス室G父は画部分放電室〕、1?レーデ−・ガスが
矢印G2でホ丁ように元軸OAの方向C二流れる。レー
ザーが低い繰り返し数で動作する必要があり、縦方向υ
)ガス流でも続く二つのレーサー・パルスの間にガスの
交換が確実に行な4)几る場合にはこの構成が合理的で
ある。この場合准縁肢I暑さ几に電流導体e1′は切り
開きり〕ない幅の広い坂であり化インダクタンスという
長所を1゛1つている1、従って第2図に示さ几ている
中間室5がなく、絶縫被覆7は電流導体e11と同様に
連b?a L定数す)形である。第3図の矢印G1で示
した横方向Q〕レーザー ガス流の場合には電流導体e
11府〕形にし、ガス乞流丁ための貫通孔ン設け、そn
+=、<4応して適当な絶縁被覆7C包むこともこQ)
発明の枠内l二ある。 第1区乃至第3図に細部を示したレーザーの全体7慟め
て簡単(ヒした形で第5図に示T。対向Tる部分電極の
対Ell−E21およびE12−E22はビーム偏向装
置12によって光学的に縦続接f売され光学的Q〕増幅
器に形成下るからレーデ−元ビームL1は第一部分レー
ザー室LKIを通り、偏向装置12.12で2回偏向さ
れ、第二部メitレーデー室LK2を通った後増幅され
たレーザー・ビームとして外に出る。横方向のガス流は
矢印G1で示され、型締導体e1は破線で示されている
。縦万回θ〕ガス流G2の場合にも適当な板状の電流導
体el’Y使用するだけで原理的には第5図に示された
ものとなる。元ビーム偏向装置12としては鏡、プリズ
ム、格子等が考えられろ。図には二つの徐属債がレーデ
−元ビームと元学軸OAに対して45° 傾斜して設け
ら凡ている。 第6図に示した第四の実施例ではそ几ぞれ二つの対向す
る部分電極?備える複数のレーザー室LKI、LK2等
がレーザー元軸OAに垂直な方向に配列されている。各
レーザー室LK1.LK2等と部分レーザー室(LKI
1 、LKI 2)、(LK21 、LK221等は
第5図にボした元ビーム偏向装置12にエリ光学的f:
直列に後続され、レーデ−元ビームL1は鏡121と1
22で2回反射した後ビームL2として第二部分レーザ
ー室LK12乞通り抜け、暎12.3と124で2回反
射した後ビームL3として第三部分レーデ−室LK21
乞通り抜け、鏡125と126で2回反射しに後ビーム
L4として第四部分レーザー室LK22’t’通り抜は
増幅された光ビームとして外に出る。光ビームL1乃至
L4に2けた矢印で示さnる工うにこの多重系は特定の
優先方向に放射し、七〇)他の方向には放射しない。こ
の特性があらゆる動作状態において確保さ几るため元ビ
ーム偏向装置12の中間に第一方向素子として所定方向
だけに透過性である光学要素13乞設ける。こ力要素と
しては公知の可飽和光吸収体又はファラデー・回転子が
使用さ几る。図示の実施例ではこの種の光学要素131
乃至133が二つの隣り合せた偏向装置の間の光路に挿
入されている。この実施例には縦方向のガス流が有利で
あるが隣り合せたレーザー室の間に特別なガス流路?設
ければ↑黄ガ回(矢印G2)のガス流の使用も有利であ
る。 第6図において第一レーザー室LKIの部分電極は第5
図と同じ符号で示され、第二し〜ザー室]、 K 2で
は対向する部分電極がE41−fi:5xお工びE42
−E52として示されている。
第1図はこの発明の第一の実築例の部分断面図、第2図
は第1図の■−■線に沿った断面図。 第5図は第一の実施例の簡略化した全体図、第4図は第
二の実施例、第5図は第三の実施例、第6図は第畠施例
のそれぞれ概略四である。 El、E2・・・レーデ−電極、 Ell、El2 。 E21 、E22・・・レーザー電極の部分電場、 b
l・・・ブリッジ片、 と・・・部分放電室、eel。 e2.・、電?Mm体、PF’N・・・パルス回路。 fl・・・コンデンサ接触面、 Gl 、G2・・・
レーザー・ガス流。 (6118)代理人fF理士富村 辱
は第1図の■−■線に沿った断面図。 第5図は第一の実施例の簡略化した全体図、第4図は第
二の実施例、第5図は第三の実施例、第6図は第畠施例
のそれぞれ概略四である。 El、E2・・・レーデ−電極、 Ell、El2 。 E21 、E22・・・レーザー電極の部分電場、 b
l・・・ブリッジ片、 と・・・部分放電室、eel。 e2.・、電?Mm体、PF’N・・・パルス回路。 fl・・・コンデンサ接触面、 Gl 、G2・・・
レーザー・ガス流。 (6118)代理人fF理士富村 辱
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 IHx)対向−「るレーザー電橋IE、1.E2)がそ
れぞれ少くとも二つの部分電極(Ell、El2父はE
21 、E2−21かf’)511411、パルス回路
(PF’N)から遠い第一部分電極(El 1 、El
21がブリッジ片(bl)によって結合されているこ
と。 (2)一対となって対向下る部分電極(EllとE21
又はEl2とE22)の間に部分放電室(1)が形「戊
されていること、4s1 部分1孜電室の間の中間4
(m)に絶縁物で包まれた電〃f導体(el)がブリッ
ジ片(b1〕に対して設けられ、こQ−電流導体がパル
ス回路(PFN)に接続された第一部分電極(E21と
ビ22)に対する電流導体(e2)’2絶縁貫通してパ
ルス回路(PFNlのコンデンサ接帥面(fl)まで1
tシていること ?特徴とするレーデ−の光柚に平?1に広がりj1領し
保って対向する第−電梅と第二電極の間のガス室に発/
−tETる無アーク・コンデンサh(電によって励起さ
れるTE型レーデ−0、シ) 絶縁物で包まれた電流
導体(el)がセルぞfL単独体として構成されてレー
ザー元軸(OA+の方向に相互間隔f831%’保って
配置されるかあるいは切り開きをもつ板状の連′−ん体
として構成され、それによってレーザー元軸を横切って
広がる中間室(5)が横方向ガス流u)y’6めに形成
されていることを特徴と−「るレーデ−元軸に対して横
方向にレーザーガスが冶i%る特許請求の範囲第1項記
載0)レ−f−,。 ・3) 他イ4物で包まnた電流導体(e ]’ )が
切り開き0)ない板状体であること乞特徴とTるし、−
デー元軸に平行にレーザーガスが流れる特許1:n求υ
〕範囲第1項記絨のレーデ−84) 第二電極(E2)
の部分電極(E21゜E22)の間の中間室(ml)と
電流導体(el)の間に絶縁物で包まれた/遮蔽室tl
iii(E3)が突き出し、この電極が電流導体(e2
〕の地電位に接続されていること乞特徴とする特許請求
の範囲第1項乃至第3項の一つに記載のレーデ−8 5) 少くとも部分電極(E21.E22)とそれに所
属する予備イオン化電極の碩謔がレーザー元軸を横切っ
て広がっている範囲内において遮蔽電極(E3)がガス
室(G)内に突き出していること?特徴とTる電極表面
から僅かの間隔を保ってレーザー元軸に平行に設けられ
た予備イオン化電Av備える特許請求の範囲第4項記載
のレーザー。 6) 電流導体(el)の両側C:あってメサ形又はピ
ン列の形C二作ら1また遮蔽電極(E3)が第二部分電
極[E21.E22)の電流導体(e2)からガス室内
に突き出していること。 二の遮蔽電極がほぼU字形のチ色縁練^(1)で包まれ
ていること乞特徴とTる特許請求の範囲第4項又は第5
項記載のレーザー。 7) 電/71f導体(el)がピン形又はボルト形の
導体棒であり対向する部分室h”fi(ElxとE21
、E12とE22〕の間において細くなり、導体棒(6
)とその絶縁被覆(7)の間に空室(8)が形成されて
いること乞特徴とする特許請求の範囲第2項記載のレー
ザー。 8)導体棒(6)の太い部分から細い部分への移1iH
a、ab)が連続旧であること乞特徴と下る特許請求の
範囲第7項記載のレーザO す〕 空4<8)が少くともペルス回路から遠い部分電
極(Ell、E12)の表面のレーザー元軸に垂直な部
分からパルス回路に近い部分電極(E21.E22)の
表面のレーデ−元軸に垂直な部分まで広がっていること
乞特徴と下る特許請求の範囲第1項又は@8項記載のレ
ーデ10) 電流導体(el)の絶縁被覆が、遮蔽電
極(E3)が存在下る区域で壁が厚い脚部と一体に結合
さル、この脚部の壁に遮蔽室tJl収容する室が作られ
ていること乞特徴と下る特許請求の範囲@2項乃至第8
項の一つに記載のレーザー。 11) 電抛対として対向する部分室t−>(E’l
lとE21.E12とE22)の間に作られた二つの部
分放電室(1)が鏡、プリズム、格子等の光線偏向装置
にエリ元学的に縦続廣続されていること乞特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第10項の一つに記載のレーザ
ー。 12)それぞれ二つG・)対向Tる部分電極対乞備える
レーザー室の複数個がその元学軸に対して横方向に並べ
られ多用レーデー系を構成下ること乞特徴と下る特許請
求の範囲第1項乃至第11q4の一つに記載のレーザー
。 −13) 多重レーザー系の各レーザー室
が光線偏向装置によって元学俺に直列接続されているこ
と乞特徴と下る特許請求の範囲@11項又は第12項記
載のレーザー。 14) 縦方向のレーザー媒質ガス151fY作る装
置が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
13項記載のレーザー。 15) 光線偏向装置の間の元線路に所定の元線方回
において透明な光学素子(用方向素子)が1可飽和吸収
体、ファラデー回転子等の形で挿入されていることを特
徴とする特許請求の節回Ig11項乃至第14項の一つ
に記載のレーザー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3136447.0 | 1981-09-14 | ||
DE19813136447 DE3136447A1 (de) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | Laser des te-typs, insbesondere hochenergielaser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5860588A true JPS5860588A (ja) | 1983-04-11 |
JPS6248397B2 JPS6248397B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=6141633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57159413A Granted JPS5860588A (ja) | 1981-09-14 | 1982-09-13 | Te型レ−ザ− |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4556981A (ja) |
EP (1) | EP0074586B1 (ja) |
JP (1) | JPS5860588A (ja) |
AT (1) | ATE32965T1 (ja) |
AU (1) | AU550589B2 (ja) |
CA (1) | CA1180432A (ja) |
DE (2) | DE3136447A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3314157A1 (de) * | 1982-04-19 | 1983-12-08 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Anregungskreis fuer lasersysteme, insbesondere fuer te-hochenergielaser, mit einstellung der vorionisierung |
DE3240372A1 (de) * | 1982-11-02 | 1984-05-03 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Anregungssystem zur erzeugung einer schnellen, gepulsten hochspannungsentladung, insbesondere zur anregung eines hochleistungslasers |
IT1197768B (it) * | 1983-12-29 | 1988-12-06 | Selenia Ind Elettroniche | Preionizzatore ad effetto corona per laser a gas |
DE3403841A1 (de) * | 1984-02-03 | 1985-08-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gaslaser, insbesondere te-laser |
DE3669625D1 (de) * | 1985-08-21 | 1990-04-19 | Siemens Ag | Hochleistungs-impulsuebertrager fuer kurze impulse hoher spannung und/oder hoher stroeme. |
US4947415A (en) * | 1986-05-09 | 1990-08-07 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flash x-ray apparatus |
US4905250A (en) * | 1987-11-13 | 1990-02-27 | The European Atomic Energy Community | Pre-ionizing electrode arrangement for a gas discharge laser |
AT394645B (de) * | 1988-07-04 | 1992-05-25 | Trumpf Gmbh & Co | Laengsgestroemter co2-leistungslaser |
US6407382B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-06-18 | Technispan Llc | Discharge ionization source |
US6965215B2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-11-15 | General Atomics | Capacitor pulse forming network with multiple pulse inductors |
US7514820B2 (en) * | 2004-02-04 | 2009-04-07 | General Atomics | Capacitor pulse forming network with multiple pulse inductors |
CN106129785B (zh) * | 2016-08-08 | 2019-03-08 | 海南师范大学 | 一种并列导通开关结构及具有该结构的脉冲气体激光器 |
CN106129783B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-07-26 | 海南师范大学 | 一种高压大电流单脉冲放电开关及高能准分子激光器 |
DE102017127963A1 (de) | 2017-11-27 | 2019-05-29 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Schaltungsanordnung zum Erfassen von Licht |
JP7169359B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2022-11-10 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | レーザチャンバにおける放電性能を調整する装置 |
CN114514477A (zh) * | 2019-10-11 | 2022-05-17 | 西默有限公司 | 用于放电激光器的传导构件 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE788846A (fr) * | 1971-09-24 | 1973-03-15 | D Comp Gen | Dispositif de generateur laser |
US4041414A (en) * | 1973-05-30 | 1977-08-09 | Canadian Patents And Development Limited | Multiple arc radiation preionizer for gas lasers |
US4449220A (en) * | 1977-12-27 | 1984-05-15 | United Technologies Corporation | Apparatus and method for deposition of electrical power in an electric discharge laser |
DE2932781C2 (de) * | 1979-08-13 | 1985-10-31 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Vorrichtung zur Erzeugung schneller gepulster Kondensatorentladungen in einem Laser |
JPS5673484A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | Voiceless discharge gas laser device |
US4342114A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-27 | Raytheon Company | TEA Laser configuration |
US4380079A (en) * | 1980-09-12 | 1983-04-12 | Northrop Corp. | Gas laser preionization device |
DE3035730A1 (de) * | 1980-09-22 | 1982-05-13 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Hochenergielaser des tea-typs mit laser-achsparrallel angeordneten vorionisierungsstaeben |
US4412333A (en) * | 1980-10-17 | 1983-10-25 | Mclellan Edward J | Three-electrode low pressure discharge apparatus and method for uniform ionization of gaseous media |
IT1170739B (it) * | 1981-02-20 | 1987-06-03 | Selenia Ind Elettroniche | Integratore di preionizzazione con interruttore a.t. per laser a gas impulsato |
US4417342A (en) * | 1981-03-03 | 1983-11-22 | Lumonics Inc. | Laser |
-
1981
- 1981-09-14 DE DE19813136447 patent/DE3136447A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-09-03 AT AT82108156T patent/ATE32965T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-09-03 DE DE8282108156T patent/DE3278228D1/de not_active Expired
- 1982-09-03 EP EP82108156A patent/EP0074586B1/de not_active Expired
- 1982-09-08 US US06/416,017 patent/US4556981A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-13 CA CA000411338A patent/CA1180432A/en not_active Expired
- 1982-09-13 JP JP57159413A patent/JPS5860588A/ja active Granted
- 1982-09-13 AU AU88334/82A patent/AU550589B2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3278228D1 (en) | 1988-04-14 |
ATE32965T1 (de) | 1988-03-15 |
EP0074586A2 (de) | 1983-03-23 |
JPS6248397B2 (ja) | 1987-10-13 |
DE3136447A1 (de) | 1983-03-24 |
AU550589B2 (en) | 1986-03-27 |
EP0074586A3 (en) | 1986-03-12 |
US4556981A (en) | 1985-12-03 |
CA1180432A (en) | 1985-01-02 |
EP0074586B1 (de) | 1988-03-09 |
AU8833482A (en) | 1983-03-24 |
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