JPS6248358B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6248358B2 JPS6248358B2 JP57133929A JP13392982A JPS6248358B2 JP S6248358 B2 JPS6248358 B2 JP S6248358B2 JP 57133929 A JP57133929 A JP 57133929A JP 13392982 A JP13392982 A JP 13392982A JP S6248358 B2 JPS6248358 B2 JP S6248358B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- back electrode
- electrode
- thin film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は交流電界の印加に依つてEL（Electro
Luminescence）発光を呈する薄膜EL素子の電極
構造とその製造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] <Technical Field of the Invention> The present invention utilizes EL (Electro
The present invention relates to the electrode structure of a thin film EL device that emits light (luminescence) and its manufacturing method.
〈従来の技術〉
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜
EL素子の構造として、絶縁耐圧、発光効率及び
動作の安定性等を高めるために、0.1〜2.0wt％の
Mn（あるいはCu，Al，Br等）をドープした
ZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，TiO2等の
誘電体薄膜でサンドイツチした三層構造ZnS：
Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発され、発光
諸特性の向上が確かめられている。この薄膜EL
素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。<Conventional technology> Thin films conventionally used as display bodies in display devices
In the structure of the EL element, 0.1 to 2.0 wt% of
Doped with Mn (or Cu, Al, Br, etc.)
Three-layer ZnS structure in which a semiconductor light-emitting layer such as ZnS or ZnSe is sandwiched with a dielectric thin film such as Y 2 O 3 or TiO 2 :
Mn (or ZnSe:Mn) EL devices have been developed, and improvements in various light-emitting properties have been confirmed. This thin film EL
The device emits high-intensity light when an alternating current electric field of several KHz is applied, and has a long lifespan.
薄膜EL素子の１例としてZnS：Mn薄膜EL素子
の基本的構造を第１図に示す。 As an example of a thin film EL device, the basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device is shown in FIG.
第１図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に
説明すると、ガラス基板１上にln2O3，SnO2等か
ら成る多数本の帯状透明電極２、さらにその上に
積層してY2O3，TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等か
らなる第１の誘電体層３がスパツタあるいは電子
ビーム蒸着法等により重畳形成されている。第１
の誘電体層３上にはZnS：Mn焼結ペレツトを電
子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層
４が形成されている。この時蒸着用のZnS：Mn
焼結ペレツトには活性物質となるMnが目的に応
じた濃度に設定されたペレツトが使用される。
ZnS発光層４上には第１の誘電体層３と同様の材
質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にそ
の上に透明電極２に直交する方向に列設された
Al等から成る帯状背面電極６が蒸着形成されて
いる。透明電極２と背面電極６は端部の外部接続
用端子７を介して交流電源に接続され、薄膜EL
素子が駆動される。 The structure of a thin film EL element will be explained in detail based on FIG. 1. A large number of band-shaped transparent electrodes 2 made of ln 2 O 3 , SnO 2 , etc. are placed on a glass substrate 1, and Y 2 A first dielectric layer 3 made of O 3 , TiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 , etc. is formed in an overlapping manner by sputtering or electron beam evaporation. 1st
A ZnS light emitting layer 4 is formed on the dielectric layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets. At this time, ZnS for deposition: Mn
The sintered pellets used are pellets in which the concentration of Mn, which is an active substance, is set to suit the purpose.
A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and is further arranged in a row in a direction perpendicular to the transparent electrode 2.
A strip-shaped back electrode 6 made of Al or the like is formed by vapor deposition. The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to an AC power source via an external connection terminal 7 at the end, and the thin film EL
The element is driven.
電極２，６間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Mn発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色のEL光を放射する。即ち高い交流電界
で加速された自由電子が発光層の界面から他方の
界面と移動する過程でZnS発光層４中の発光セン
ターであるZnサイトに入つたMn原子の電子を励
起し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピーク
に幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。
活性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用い
た場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光
色が得られる。 When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the above AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS luminescent layer 4, and therefore the electric field generated within the ZnS luminescent layer 4 Electrons that are excited and accelerated into the conduction band and have acquired sufficient energy become free electrons and are attracted to the interface of the light emitting layer, where they are accumulated and form internal polarization. At this time, the free electrons moving at high speed directly excite the Mn emission center,
When the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow-orange EL light. In other words, in the process of free electrons accelerated by a high AC electric field moving from one interface of the luminescent layer to the other, they excite the electrons of the Mn atoms that have entered the Zn site, which is the luminescence center, in the ZnS luminescent layer 4, returning them to the ground state. When it falls, it emits strong EL light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5850 Å.
When a rare earth fluoride other than Mn is used as an active substance, green and other luminescent colors characteristic of this rare earth element can be obtained.
第１図における背面電極６は、蒸着されたAl
膜をフオトエツチング法で適当なストライプに加
工することにより形成されている。電極取り出し
用端子７は、背面電極６をストライプに加工形成
した後、透明電極２と背面電極６の形状に合わせ
てメタルマスクを用いてAlとNiの積層膜をマス
ク蒸着することにより形成される。しかしなが
ら、このような従来の背面電極６及び電極取り出
し端子７の形成法は次の欠点を有する。 The back electrode 6 in FIG.
It is formed by processing the film into appropriate stripes using a photoetching method. The electrode extraction terminal 7 is formed by processing and forming the back electrode 6 into stripes, and then mask-depositing a laminated film of Al and Ni using a metal mask in accordance with the shapes of the transparent electrode 2 and the back electrode 6. . However, such a conventional method of forming the back electrode 6 and the electrode lead-out terminal 7 has the following drawbacks.
(1) メタルマスクを用いたマスク合せという非常
に作業性の悪い工程を有する。(1) It involves a process of mask alignment using a metal mask, which is extremely difficult to work with.
(2) メタルマスクを用いるため、高精細度に対応
しにくく、蒸着装置にもマスクずれ防止の対策
が必要である等の制約が生じる。(2) Since a metal mask is used, it is difficult to support high definition, and there are restrictions such as the need for measures to prevent mask displacement in the evaporation equipment.
(3) 蒸着工程がAl膜とAl―Ni積層膜の２工程必
要となる。(3) Two vapor deposition steps are required: the Al film and the Al-Ni laminated film.
〈発明の目的〉
本発明は、背面電極膜と電極取り出し端子膜を
同一のAlとNiの蒸着による積層膜とし、フオト
エツチングによつて同時にストライプ状に加工
し、その後背面電極部のNi膜のみをフオトエツ
チングにより除去することによつて、素子の信頼
性を全く損うことなく、上述の問題点を解決した
新規有用な薄膜EL素子の電極形成方法を提供す
ることを目的とするものである。<Object of the invention> In the present invention, the back electrode film and the electrode lead-out terminal film are made into a laminated film by depositing the same Al and Ni, and are simultaneously processed into a stripe shape by photo-etching, and then only the Ni film on the back electrode portion is processed. The object of the present invention is to provide a new and useful method for forming electrodes of thin film EL devices, which solves the above-mentioned problems without impairing the reliability of the device by removing the oxides by photoetching. .
〈発明の構成〉
本発明では、メタルマスクを用いたマスク蒸着
による電極取り出し端子形成を行なわず、フオト
エツチング工程で背面電極ストライプ形成と同時
に電極取り出し端子を形成するものであり作業性
にすぐれ、高精細度に対応できるとともに、蒸着
工程がAl―Ni積層膜の１回だけであり、一般的
に高価な蒸着装置が少なくなつてコストダウンを
計ることができる。背面電極部のNiをフオトエ
ツチングで除去するのは、次に詳説する様に背面
電極をAl―Ni積層膜とした場合、Ni膜厚が2000
Å以上になると素子の微小絶縁破壊点が大きくな
り、素子の信頼性が低下するためである。電極取
り出し端子のNi膜厚はハンダ付けの点から2000
Å以上あるのが望ましく、この観点より蒸着時の
背面電極部のNi膜厚は2000Å以上に設定されて
いる。従つて背面電極部のNi膜はエツチングに
より除去することが必要となる。この背面電極部
のNiを除去するには、ポジタイプのレジストを
用いて二重露光の手法を利用することにより、簡
単に行なえる。従つて工程の複雑化にはならな
い。<Structure of the Invention> In the present invention, the electrode lead-out terminals are not formed by mask vapor deposition using a metal mask, but the electrode lead-out terminals are formed at the same time as the back electrode stripe is formed in the photo-etching process. In addition to being able to handle high definition, the evaporation process requires only one Al--Ni laminated film, reducing the need for generally expensive evaporation equipment and reducing costs. Removing Ni on the back electrode part by photo-etching is effective when the Ni film thickness is 2000 mm when the back electrode is made of an Al-Ni multilayer film, as detailed below.
This is because when the thickness exceeds Å, the micro dielectric breakdown point of the device becomes large and the reliability of the device decreases. The Ni film thickness of the electrode terminal is 2000 mm for soldering.
It is desirable that the thickness is 2000 Å or more, and from this point of view, the Ni film thickness of the back electrode portion during vapor deposition is set to 2000 Å or more. Therefore, it is necessary to remove the Ni film on the back electrode portion by etching. Removal of the Ni on the back electrode can be easily done by using a double exposure method using a positive type resist. Therefore, the process will not be complicated.
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。<Example> Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to an example with reference to the drawings.
第２図は、本発明の１実施例を示す薄膜EL素
子の構成図である。 FIG. 2 is a configuration diagram of a thin film EL device showing one embodiment of the present invention.
ガラス基板１上に透明電極２、第１の誘電体層
３、ZnS発光層４、第２の誘電体層５を順次積層
する。次に、第２の誘電体層５上に4000〜8000Å
のAl膜８との上に厚さ2000〜8000ÅのNi膜９を
蒸着形成する。この時、同時に透明電極２の露呈
している端部と、背面電極取り出し端部にも、
Ni膜とAl膜の２層膜を蒸着形成する。この工程
において、メタルマスクによる位置合せに伴う特
殊な熟練は必要としない。次に周知のフオトエツ
チング法を用いてAl膜とNi膜をストライプに加
工する。以上の工程で形成される電極構造を第３
図に示す。 A transparent electrode 2, a first dielectric layer 3, a ZnS light emitting layer 4, and a second dielectric layer 5 are sequentially laminated on a glass substrate 1. Next, a layer of 4000 to 8000 Å is applied on the second dielectric layer 5.
A Ni film 9 with a thickness of 2000 to 8000 Å is formed by vapor deposition on the Al film 8. At this time, at the same time, the exposed end of the transparent electrode 2 and the lead-out end of the back electrode are also exposed.
A two-layer film of Ni film and Al film is formed by vapor deposition. This process does not require any special skill associated with alignment using a metal mask. Next, the Al film and Ni film are processed into stripes using a well-known photoetching method. The electrode structure formed in the above steps is
As shown in the figure.
更にフオトエツチングにより、第２図に示すよ
うに背面電極部のNi膜９を除去する。このフオ
トエツチングの工程について以下説明する。 Furthermore, the Ni film 9 on the back electrode portion is removed by photoetching, as shown in FIG. This photoetching process will be explained below.
フオトレジストとして、ポジタイプのレジスト
（例えばシプレイ社のAZ系レジスト）を用いて第
３図のパターンが形成できるようにレジストでパ
ターン形成する。次に、常温の希硝酸系のエツチ
ング液を用いて、Ni膜をエツチングする。次
に、40〜60℃に加熱したリン酸、硝酸混合液から
なるAl膜用のエツチング液でAl膜をエツチング
する。この段階でレジストを剥離すれば第３図に
示すAlとNiの積層膜のパターンが形成される。
本発明では、この段階で剥離せずに、背面電極部
のみ再露光し現像することによつて、端子部のみ
レジストを残す。この二重露光の手法はポジ型レ
ジストを用いることによつて可能となる。次に再
び、常温の希硝酸系のエツチング液によつて、背
面電極部のNi膜のみをエツチングする。Al膜は
このエツチング液に対しては、エツチングレート
が遅いのでNi膜のみをエツチングすることが可
能である。次に、レジストを剥離すれば、第２図
に示す構造の電極が形成される。本実施例では、
露光・現像・エツチングを２回する必要がある
が、背面電極部のレジストを除去するための再露
光時に用いるマスクは、精度は必要でなく、工程
の複雑化にはならず、蒸着工程の短縮等の利点が
大きい。 A positive type resist (for example, AZ series resist manufactured by Shipley Co., Ltd.) is used as the photoresist, and a pattern is formed using the resist so that the pattern shown in FIG. 3 can be formed. Next, the Ni film is etched using a dilute nitric acid-based etching solution at room temperature. Next, the Al film is etched with an etching solution for Al film consisting of a mixed solution of phosphoric acid and nitric acid heated to 40 to 60°C. If the resist is peeled off at this stage, a pattern of a laminated film of Al and Ni as shown in FIG. 3 will be formed.
In the present invention, only the back electrode portion is re-exposed and developed without peeling at this stage, leaving only the terminal portion of the resist. This double exposure method is made possible by using a positive resist. Next, only the Ni film on the back electrode portion is etched again using a dilute nitric acid-based etching solution at room temperature. Since the etching rate of the Al film is slow with this etching solution, it is possible to etch only the Ni film. Next, by peeling off the resist, an electrode having the structure shown in FIG. 2 is formed. In this example,
Although it is necessary to perform exposure, development, and etching twice, the mask used for re-exposure to remove the resist on the back electrode does not require precision, does not complicate the process, and shortens the deposition process. There are many advantages such as
以下、上記実施例の薄膜EL素子における信頼
性について説明する。 The reliability of the thin film EL device of the above example will be explained below.
薄膜EL素子は、積層する膜にピンホール等の
微小欠陥があると通電時にこの微小欠陥から絶縁
破壊をおこし、微小損傷領域が生じる。この絶縁
破壊が大きくなると表示装置としての信頼性が失
なわれる。 In a thin film EL element, if there is a microscopic defect such as a pinhole in the laminated films, this microscopic defect causes dielectric breakdown when electricity is applied, resulting in a microdamaged area. When this dielectric breakdown becomes large, reliability as a display device is lost.
第４図に、第３図の電極構造を有する薄膜EL
素子の平均的絶縁破壊の大きさとNi膜厚の関係
を示す。ここでAlの膜厚は6000Åである。第４
図から、明らかなように、背面電極部にNiが残
存している場合、Ni膜厚が2000Å以上になると
急激に絶縁破壊が大きくなる。この原因としては
Ni膜がAl膜に比較して融点が高く（Al融点659
℃、Ni融点1455℃）、絶縁破壊時のガスエネルギ
ーがAl膜中に伝播しやすくNi膜中へあまり伝播
しないため、Ni膜厚が厚くなると絶縁破壊が大
きくなると考えられる。電極端子のハンダ付の観
点からNi膜厚は2000Å以上必要であり、この点
で問題を生じるが、本発明の如く背面電極部の
Niを除去することにより解決することができ
る。第５図は第２図に示す構造の薄膜EL素子に
於ける平均的絶縁破壊の大きさと、エツチング前
のNi膜厚との関係を示す説明図である。Al膜厚
は6000Åである。第５図から、Ni膜厚が8000Å
以下のときは、エツチングによつて除去すること
により、平均的絶縁破壊点の大きさは、約90μｍ
となり、第４図のNiが残つている場合と明らか
な差がある。この値は、背面電極として、蒸着時
からAlのみで形成した場合（第１図の構造）と
差がない。第５図において、Ni膜厚が１μｍ以
上になると平均的絶縁破壊点が大きくなり、エツ
チングによつて、Ni膜を除去しても信頼性が低
い、この原因としては１μｍ以上のNi膜の場合
Ni膜蒸着時に、その内部応力により、その下地
であるAl膜や誘電体膜に歪みが生じ、その影響
が、Ni膜を除去した後も残るためと考えられ
る。以上より本発明におけるNi膜厚として2000
〜8000Åが適当である。 Figure 4 shows a thin film EL with the electrode structure shown in Figure 3.
The relationship between the average dielectric breakdown size of the device and the Ni film thickness is shown. Here, the Al film thickness is 6000 Å. Fourth
As is clear from the figure, when Ni remains in the back electrode portion, dielectric breakdown rapidly increases when the Ni film thickness exceeds 2000 Å. The cause of this is
Ni film has a higher melting point than Al film (Al melting point 659
℃, Ni melting point 1455℃), the gas energy at the time of dielectric breakdown propagates easily into the Al film and does not propagate much into the Ni film, so it is thought that the thicker the Ni film, the greater the dielectric breakdown. From the viewpoint of soldering the electrode terminal, the Ni film thickness must be at least 2000 Å, which poses a problem.
This problem can be solved by removing Ni. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the average dielectric breakdown size and the Ni film thickness before etching in the thin film EL device having the structure shown in FIG. 2. The Al film thickness is 6000 Å. From Figure 5, the Ni film thickness is 8000Å.
In the following cases, the size of the average dielectric breakdown point is approximately 90 μm by removing it by etching.
There is a clear difference from the case in which Ni remains in Fig. 4. This value is the same as when the back electrode is formed of only Al from the time of vapor deposition (the structure shown in FIG. 1). In Figure 5, when the Ni film thickness is 1 μm or more, the average dielectric breakdown point increases, and even if the Ni film is removed by etching, the reliability is low.
This is thought to be because the internal stress caused by the Ni film deposition causes distortion in the underlying Al film and dielectric film, and this effect remains even after the Ni film is removed. From the above, the Ni film thickness in the present invention is 2000.
~8000 Å is suitable.
〈発明の効果〉
以上の如く本発明は薄膜EL素子の電極構造に
対して、素子の信頼性を全く損うことなく工程を
簡略化して量産性を付与し、かつ電極が高精細度
の薄膜EL素子を実現することができる製造技術
を確立したものであり、その技術的効果は極めて
有用なものである。<Effects of the Invention> As described above, the present invention simplifies the process for the electrode structure of a thin-film EL element to facilitate mass production without compromising the reliability of the element. A manufacturing technology that can realize EL elements has been established, and its technical effects are extremely useful.
第１図は従来の薄膜EL素子の構成図である。
第２図は、本発明の１実施例を示す薄膜EL素子
の構成図である。第３図は、薄膜EL素子の電極
構造の１例を示す構成図である。第４図は、第３
図の構造の素子のNi膜厚と平均的絶縁破壊の大
きさの関係を示す説明図である。第５図は、本発
明の構造の素子のエツチングで除去前のNi膜厚
と平均的絶縁破壊の大きさの関係を示す説明図で
ある。
１…ガラス基板、２…透明電極、３…第１の誘
電体層、４…ZnS発光層、５…第２の誘電体層、
６…背面電極、７…電極取り出し端子、８…Al
膜、９…Ni膜。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional thin film EL device.
FIG. 2 is a configuration diagram of a thin film EL device showing one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of the electrode structure of a thin film EL element. Figure 4 shows the third
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the relationship between the Ni film thickness and the average dielectric breakdown size of the element having the structure shown in the figure. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the Ni film thickness before removal by etching and the average dielectric breakdown of the element having the structure of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Glass substrate, 2... Transparent electrode, 3... First dielectric layer, 4... ZnS light emitting layer, 5... Second dielectric layer,
6... Back electrode, 7... Electrode extraction terminal, 8... Al
Membrane, 9...Ni membrane.
Claims (1)
に重畳されるNi膜を積層した後フオトエツチン
グにより前記Al膜とNi膜を帯状に加工しかつそ
の端部を延在させて外部接続用の電極端子とする
工程と、背面電極部の前記Ni膜のみをフオトエ
ツチングにより除去又はその膜厚を2000Å以下に
薄くする工程と、を具備して成ることを特徴とす
る薄膜EL素子の電極形成方法。1. After laminating an Al film and a Ni film superimposed on the Al film as a back electrode of a thin film EL element, the Al film and Ni film are processed into a band shape by photo etching, and the ends thereof are extended for external connection. forming an electrode terminal for a thin film EL device, and removing only the Ni film on the back electrode portion by photoetching or reducing the film thickness to 2000 Å or less. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133929A JPS5923492A (en) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | Method of forming electrode of thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133929A JPS5923492A (en) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | Method of forming electrode of thin film el element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923492A JPS5923492A (en) | 1984-02-06 |
| JPS6248358B2 true JPS6248358B2 (en) | 1987-10-13 |
Family
ID=15116373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57133929A Granted JPS5923492A (en) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | Method of forming electrode of thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923492A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110987U (en) * | 1985-12-27 | 1987-07-15 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP57133929A patent/JPS5923492A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5923492A (en) | 1984-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3537591B2 (en) | Manufacturing method of organic EL display | |
| JPH08505257A (en) | Low resistance and thermally stable electrode structure for EL display | |
| JPS6248358B2 (en) | ||
| JPS6248359B2 (en) | ||
| JP2844964B2 (en) | Manufacturing method of EL display device | |
| JPH01276592A (en) | Manufacture of multi-color display thin film el element | |
| WO1989001730A1 (en) | Production of thin-film el device | |
| JPS6313187B2 (en) | ||
| JPH056318B2 (en) | ||
| JPS61176011A (en) | Formation of transparent electrode | |
| JPS61107696A (en) | Thin film el element | |
| JP4102776B2 (en) | Display device | |
| JPS6091385A (en) | Thin film electrochroluminescence display panel | |
| JPH10106751A (en) | Electrode structure of organic thin film electroluminescent display device | |
| JPS61176093A (en) | Manufacture of thin film el panel | |
| JPS61203591A (en) | Manufacture of thin film el element | |
| JPH02306580A (en) | Manufacture of thin film electroluminescence element | |
| JPH01194289A (en) | Membranous electroluminescence element and its manufacture | |
| JPH02281594A (en) | Manufacture of thin film electroluminescence panel | |
| JPS62115692A (en) | Thin film el display device | |
| JPS61188890A (en) | Formation of dielectric film | |
| JPS63241846A (en) | Heat-proof black electrode | |
| KR970004496B1 (en) | A method for manufacture for electric luminecence device | |
| JPH02207487A (en) | Forming method for thin film el element | |
| JPS6134889A (en) | Thin film el panel |