JPS6244999A - 磁場発生装置 - Google Patents
磁場発生装置Info
- Publication number
- JPS6244999A JPS6244999A JP60183684A JP18368485A JPS6244999A JP S6244999 A JPS6244999 A JP S6244999A JP 60183684 A JP60183684 A JP 60183684A JP 18368485 A JP18368485 A JP 18368485A JP S6244999 A JPS6244999 A JP S6244999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- strip
- magnetic poles
- field generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は荷電粒子の輸送に適合し、かつこの輸送によっ
て形成される荷電粒子流の断面積を変えることのできる
磁場発生装置に関する。
て形成される荷電粒子流の断面積を変えることのできる
磁場発生装置に関する。
（従来の技術）
プラズマを所定の空間内に安定に閉じ込め、そして輸送
する技術として複数の磁極が極性を交互にしてかつ間隔
を有してらせん上に配置されたマルチカスプ型磁場発生
装置を本発明者は提案した。
する技術として複数の磁極が極性を交互にしてかつ間隔
を有してらせん上に配置されたマルチカスプ型磁場発生
装置を本発明者は提案した。
この磁場発生装置の一実施例が第３図に示されている。
この従来例においては、複数の磁石１ａ。
ｌｂ、 ・・・、１ｆ・・・がらせん上に間隔を有し
て配置されている。各磁石の中心方向側の磁極の極性は
、隣接する磁石間で交互になっている。
て配置されている。各磁石の中心方向側の磁極の極性は
、隣接する磁石間で交互になっている。
このように配置された磁石によっては軸方向に直交する
磁場は形成されない。従って、本実施例のように周当り
比較的少数個の磁石しか用いられない場合であって、中
心付近まで漏えい磁場の影響が強い場合であっても、荷
電粒子は磁場の軸方向成分により輸送されるので、高い
コンダクタンスで荷電粒子を輸送することが可能となる
。
磁場は形成されない。従って、本実施例のように周当り
比較的少数個の磁石しか用いられない場合であって、中
心付近まで漏えい磁場の影響が強い場合であっても、荷
電粒子は磁場の軸方向成分により輸送されるので、高い
コンダクタンスで荷電粒子を輸送することが可能となる
。
しかしながら、この磁場発生装置においては荷電粒子の
輸送によって形成されろ荷電粒子流の断面積は一定であ
り、変化することはない。
輸送によって形成されろ荷電粒子流の断面積は一定であ
り、変化することはない。
本発明の目的は、プラズマ等の荷電粒子を安定に保持し
つつ効率的に輸送することができ、更に輸送断面を所望
する大きさに可変できる変形マルチカスプ磁場発生装置
を提供することにある。
つつ効率的に輸送することができ、更に輸送断面を所望
する大きさに可変できる変形マルチカスプ磁場発生装置
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記目的は、複数の帯状磁極が極性を交互にしてかつ間
隔を有して径の漸増もしくは漸減する内周面」二に位置
しており、前記内周面によって形成される柱体の中心軸
に対して前記帯状磁極が傾斜している変形マルチカスプ
磁場発生装置を用いることにより達成される。
隔を有して径の漸増もしくは漸減する内周面」二に位置
しており、前記内周面によって形成される柱体の中心軸
に対して前記帯状磁極が傾斜している変形マルチカスプ
磁場発生装置を用いることにより達成される。
（作 用）
本発明の磁場発生装置においては、荷電粒子の進行方向
に直交する磁場が発生しないので、たとえ中心付近まで
強い磁場が存在しても荷電粒子は輸送される。また、輸
送にともなって荷電１ｉｆ子流の断面積が変化される。
に直交する磁場が発生しないので、たとえ中心付近まで
強い磁場が存在しても荷電粒子は輸送される。また、輸
送にともなって荷電１ｉｆ子流の断面積が変化される。
なお、荷電粒子の密度は本発明の磁場発生装置内を進行
するに従って変化し、これによって内部圧力も変化する
が、磁界に３１２行な方向のプラズマの圧力は一定であ
る。磁界に車直な方向についてはプラズマの圧力に加え
て、磁界によってつくり出される磁気圧が働きこの両者
の和が一定となる。このためプラズマの輸送断面の変化
にともなうプラズマの密度変化に従って磁極の強さを変
化させることにより、プラズマの圧力と磁気圧の和を一
定に保つことができ、プラズマをより円滑に輸送できる
。
するに従って変化し、これによって内部圧力も変化する
が、磁界に３１２行な方向のプラズマの圧力は一定であ
る。磁界に車直な方向についてはプラズマの圧力に加え
て、磁界によってつくり出される磁気圧が働きこの両者
の和が一定となる。このためプラズマの輸送断面の変化
にともなうプラズマの密度変化に従って磁極の強さを変
化させることにより、プラズマの圧力と磁気圧の和を一
定に保つことができ、プラズマをより円滑に輸送できる
。
（発明の効果）
本発明の磁場発生装置を用いるとプラズマ等の荷電粒子
が安定に保持されつつ、さらに輸送断面を可変にできる
。その結果、荷電粒子密度を所望する値に制御できる。
が安定に保持されつつ、さらに輸送断面を可変にできる
。その結果、荷電粒子密度を所望する値に制御できる。
また、本発明の磁場発生装置を電子サイクロントロン共
鳴方式のプラズマ発生装置として使用した場合も、発生
したプラズマを効率よくかつ収束あるいは膨張して外部
へ放出することが可能となる。
鳴方式のプラズマ発生装置として使用した場合も、発生
したプラズマを効率よくかつ収束あるいは膨張して外部
へ放出することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図である。複数の
帯状磁極２ａｓ ２ｂ−２Ｃ，２ａ。
帯状磁極２ａｓ ２ｂ−２Ｃ，２ａ。
２ｅ・・・が磁極を交叉にしてかつ磁化が０である中性
領域３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・を磁極の間に有して
径の漸減する円筒状の磁気的に硬い磁性材！４１０の内
周面上に位置しており、前記円錐形状体１０の中心軸に
対して前記帯状磁極が傾斜している。このように配置さ
れた磁極によっては軸方向に直交する磁場は形成されな
い。従って中心付近まで漏えい磁場の影響が強い場合で
あっても、荷電粒子は磁場の軸方向成分により輸送され
るので、高いコンダクタンスで荷電粒子を輸送すること
が可能となる。そして荷電粒子は安定にその輸送断面を
可変でき所望の目的に使用できる。
領域３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・を磁極の間に有して
径の漸減する円筒状の磁気的に硬い磁性材！４１０の内
周面上に位置しており、前記円錐形状体１０の中心軸に
対して前記帯状磁極が傾斜している。このように配置さ
れた磁極によっては軸方向に直交する磁場は形成されな
い。従って中心付近まで漏えい磁場の影響が強い場合で
あっても、荷電粒子は磁場の軸方向成分により輸送され
るので、高いコンダクタンスで荷電粒子を輸送すること
が可能となる。そして荷電粒子は安定にその輸送断面を
可変でき所望の目的に使用できる。
第２図は、本発明の磁場発生装置を一例としてイオン注
入装置に適用した部分概略図である。本発明の磁場発生
装置４はイオン源５を包囲するように配置されている。
入装置に適用した部分概略図である。本発明の磁場発生
装置４はイオン源５を包囲するように配置されている。
従って、フィラメント６と電極７とによって発生された
プラズマは確実に円錐形状体上の内周面」−に設置され
た帯状磁極により発生する変形マルチカスプ磁場発生装
置４に安定に保持して輸送されるとともに、イオン引出
し電極８によって下流側へ効率よく輸送放出される。
プラズマは確実に円錐形状体上の内周面」−に設置され
た帯状磁極により発生する変形マルチカスプ磁場発生装
置４に安定に保持して輸送されるとともに、イオン引出
し電極８によって下流側へ効率よく輸送放出される。
この時プラズマの密度の−Ｌ昇に伴ってイオン電流密度
は上昇する利点がある。
は上昇する利点がある。
なお、本発明の磁場発生装置を硬磁性材料で作られた半
円状断面を有する２つの別体を組み合わせることにより
構成してもよい。このようにすると、外部から本発明の
磁場発生装置を容易に設けることができる。また、帯状
磁極の幅を、径の漸増に従って漸増または径の漸減に従
って漸減するようにしてもよい。
円状断面を有する２つの別体を組み合わせることにより
構成してもよい。このようにすると、外部から本発明の
磁場発生装置を容易に設けることができる。また、帯状
磁極の幅を、径の漸増に従って漸増または径の漸減に従
って漸減するようにしてもよい。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２図は本発
明を使用するイオン注入装置の概略図、 第３図は従来の磁場発生装置の概略図である。 ２ａ１２ｂ２Ｃ・・・：磁極、４：本発明の磁場発生装
置、５：イオン源、６：フィラメント、８；イオン引出
電極、１０：硬磁性材料。 第１図 第２図 第３図
明を使用するイオン注入装置の概略図、 第３図は従来の磁場発生装置の概略図である。 ２ａ１２ｂ２Ｃ・・・：磁極、４：本発明の磁場発生装
置、５：イオン源、６：フィラメント、８；イオン引出
電極、１０：硬磁性材料。 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）複数の帯状磁極が、極性を交互にしてかつ間隔を
有して径の漸増もしくは漸減する内周面上に位置してお
り、前記内周面によって形成される柱体の中心軸に対し
て前記帯状磁極が傾斜している磁場発生装置。 - （２）前記複数の帯状磁極が、径の漸増もしくは漸減す
る円筒状の磁気的に硬い磁性材料の内周面に分離して設
けられた磁極であることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の磁場発生装置。 - （３）前記帯状磁極の幅が、前記径の漸増もしくは漸減
に従って漸増もしくは漸減することを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の磁場発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183684A JPH0658837B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 磁場発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183684A JPH0658837B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 磁場発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244999A true JPS6244999A (ja) | 1987-02-26 |
| JPH0658837B2 JPH0658837B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16140117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183684A Expired - Lifetime JPH0658837B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 磁場発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658837B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP60183684A patent/JPH0658837B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658837B2 (ja) | 1994-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5014028A (en) | Triangular section permanent magnetic structure | |
| JP3672488B2 (ja) | 負イオンフィルタ | |
| US2193602A (en) | Device for accelerating electrons to very high velocities | |
| US4265729A (en) | Magnetically enhanced sputtering device | |
| JP4858743B2 (ja) | 粒子光学静電レンズ | |
| US4312731A (en) | Magnetically enhanced sputtering device and method | |
| US20040175953A1 (en) | Apparatus for generating planar plasma using concentric coils and ferromagnetic cores | |
| CN1135061C (zh) | 电子流加速方法和装置 | |
| JP2005032728A (ja) | 閉じた電子ドリフトプラズマ加速器 | |
| US20030222742A1 (en) | Magnetic field generator for magnetron plasma | |
| JPH11505058A (ja) | 閉鎖電子ドリフトによるプラズマ加速器 | |
| CN1219279A (zh) | 霍尔效应等离子加速器 | |
| JP2006156394A (ja) | コイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置 | |
| US6783638B2 (en) | Flat magnetron | |
| JPS6244999A (ja) | 磁場発生装置 | |
| JPH0658836B2 (ja) | 磁場発生装置 | |
| Mehdian et al. | Electron trajectories in a free-electron laser with planar wiggler and ion-channel guiding | |
| GB1461521A (en) | Focusing magnet | |
| JP2003234199A (ja) | アプライドプラズマダクトシステム | |
| JPS5927499A (ja) | 簡単で高能率なシ−トプラズマの生成法 | |
| JPS6244996A (ja) | 磁場発生装置 | |
| JPS6244997A (ja) | 磁場発生装置 | |
| US3020440A (en) | Electron beam device | |
| JPS62140398A (ja) | 磁場発生装置 | |
| JPH06223998A (ja) | 非接触プラズマ形状制御装置 |