JP2006156394A - コイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部シリンダー207の外側面を巻くコイル201と、内部シリンダー209の内側面を巻くコイル203と、接続部211の上側面に沿って直径が減少するように巻くコイル205とが全て連結されて1つのコイルを形成する。
【選択図】図2
Description
プラズマ加速器は、宇宙長距離旅行用のロケットイオンエンジン及び核融合研究などで開発されてきたが、現在では、半導体製造工程上のウェハー(wafer)エッチング(etching)に用いられている。
温度を徐々に上げると、ほとんどの物体は固体から液体、そして気体状態に変化する。数万℃での気体は、電子と原子核とに分離されプラズマ状態になる。
同図に示すように、電磁気誘導加速器は、内部及び外部円形ループコイル10、20と、内部及び外部円形ループコイル10、20が内部及び外部それぞれに配列されたチャネル40と、外部シリンダー(cylinder)30と、内部シリンダー60と、チャネル40の底部に放電コイル50と、を備える。ここで、内部及び外部円形ループコイル10、20は、円形の輪状のコイルが複数個が配列されることによりチャネル40に磁界を形成している。
従来の電磁気誘導加速器は、入口80側のコイルに大きい電流を印加する一方、出口70側のコイルには小さい電流を印加することで、生じる磁場圧力の差で加速する磁界変調方式(B−Field Modulation Method)である。
本願第3発明は、第1発明において、前記内部コイルと前記放電コイルとが1つに連結されることができる。コイル数を減らすことで、コイルの駆動回路を簡単化することができる。
本願第5発明は、第1〜第4発明のいずれかにおいて前記内部及び外部コイルは、前記プラズマを加速させる方向に向かって巻かれた間隔を広くすることで、磁場圧力の傾きを形成し前記プラズマを加速させることが好ましい。
本願第6発明は、第1発明において、前記内部及び外部コイルは、前記磁界のうち前記軸方向に直交する方向の磁界が強化されるよう形成されることが好ましい。
図2は本発明に係るコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置を示す切断斜視図である。
本発明に係る電磁気誘導加速装置(Electro−magnetic accelerator)200は、プラズマを加速させる装置であり、好ましくは、半導体製造工程のウェハー(wafer)の中性ビーム(beam)ドライエッチング(dry etching)装置に含まれる。
図2に示すように、本発明に係る電磁気誘導加速装置200は、コイル201、203、205と、誘電体である外部シリンダー(cylinder)207及び内部シリンダー209と、接続部211とを含む。
チャネル213は、プラズマが生成/移動する空間として軸方向に沿うように形成され、チャネルの上側であるチャネル上部215とチャネルの下側である出口217を含む。半導体工程上において、電磁気誘導加速装置200がウェハーのエッチングに用いられる場合、チャネルの出口217はウェハーに対向する面であることが好ましい。
コイル201、203、205はプラズマを生成し、チャネル213内部に磁場圧力(magnetic pressure)の傾斜を形成し、プラズマをチャネル上部215から出口217側に向かって加速する。
図3Aは本発明の一実施形態によるコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置を示す斜視図である。
図3Aにおいて、図2との同一参照符号は図2で図示したものと同じである。
図3Bは、図3Aの電磁気誘導加速装置において、コイルの巻き方を示す斜視図である。
同図に示すように、コイルは外部コイル201と、内部コイル203と、放電コイル205とが全て1つに連結されて全体が一体に形成されていることがわかる。
さらに、チャネル213内部に磁場圧力の傾きを形成するために、外部及び内部コイル201、203の巻き間隔を調節する。好ましくは、チャネル上部215側では外部及び内部コイル201、203を密に巻き、出口217側では外部及び内部コイル201、203をまばらに巻く。このようにコイルを疎密に巻く事によって、チャネル213内部に生成される磁場圧力の傾きを形成する。このとき、密に巻かれたチャネル上部215から疎に巻かれた出口217にかけて、磁場の圧力は徐々に小さくなる。このような磁場圧力の傾きがプラズマを加速させ、磁場圧力の大きい方から小さい方にプラズマが加速される。
また、外部コイル201と内部コイル203との巻き間隔の疎密の程度は、必ずその巻かれた位置に対応して一致する必要はない。
電磁気誘導加速装置200は外部コイル201及び内部コイル203が螺旋状に巻かれた間隔の疎密を調整することで、プラズマの加速のための磁場圧力の傾きを形成する。
図4は本発明の一実施形態によるコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置を簡略に示す断面図である。
同図において、コイル201、203、205は円で表示し、コイルを通じて流れる電流の方向を表示するためにAまたはBで表示する。Aは、グランドから電流が流れ出ることを表し、Bは、グラウンドへ電流が流れ込むことを表す。図4の実施形態によれば、コイル201、203、205の電流は、外部及び内部シリンダー207、209の軸を中心にしてチャネル上部215から出口217方向に観察すると、時計周りに流れていることが分かる。
コイル201、203、205に沿って電流が流れれば、アンペアの右ネジの法則によりコイル201、203、205の周囲に磁界が形成される。外部コイル201、内部コイル203、及び放電コイル205によってチャネル213内部に生成される磁界は、位置によって互いに同じ方向または異なる方向に存在する。このとき、軸方向に生成される磁界は互いに反対方向に形成されるため、相殺・減少されてチャネルを横切る方向に生成された磁界(Br)が強く形成される。
2次電流(J)によって形成された電気場は、チャネル213内部に存在する、あるいは外部からチャネル213へ流入されるガスをプラズマ状態に変換させる。
また、下記の数1によって、誘導された2次電流(J)とチャネル213を横切る磁界(Br)によりチャネル上部215から出口217方向にプラズマを加速させる電磁気力(F)が発生する。
外部及び内部シリンダー207、209を巻く外部及び内部コイル201、203の疎密によって、プラズマに働く磁場圧力の傾きが形成されてプラズマの移動はさらに加速される。
上記構成によると、コイルは内部及び外部シリンダーを螺旋状に巻くように構成されるため、引込配線数を最小限に構成することができる。よって、内部シリンダーを小さく形成することができ、これによりプラズマの生成に関係する有効放電空間を大きくすることができる。また、コイルを上記のように構成して引込配線数を最小限とすることで、引込配線の設置が容易であるとともに、引込配線が磁界に与える影響を最小化できる。また、従来のように複数個の円形ループコイルの個々に異なる電流を印加させる構成ではなく、螺旋状のコイルを設けて同一電流を印加しているため、磁場の圧力の傾きがカップリングの影響を受けない。
また、電磁気誘導によるプラズマを加速することにおいて、コイルを巻く疎密の程度を調整することで、プラズマの生成、磁界及び2次電流の生成、そしてプラズマの加速が可能となる。
以上、本発明は上述した特定の実施形態に限定されるものではない。実際、当業者であれば、上記の説明に基づき、特許請求の範囲に記載されている本発明の技術的範囲を逸脱することなく、本発明の実施形態に対し、種々の変更及び修正を施すことが可能であろう。従って、そのような変更及び修正は当然に、本発明の技術的範囲に含まれるべきである。
201、203、205 コイル
207 外部シリンダー
209 内部シリンダー
211 接続部
213 チャネル
Claims (7)
- 同一の中心軸を有する相異なる直径の円柱状の面に沿って形成され、前記面の間の空間であるチャネルを形成する内部及び外部シリンダー(cylinder)と、
前記チャネルの上側面に沿って直径が減少するよう巻かれ、前記チャネルに磁界及び2次電流を誘導しプラズマ(plasma)を形成する放電コイルと、
前記内部シリンダーの内側面と前記外部シリンダーの外側面に沿って並ぶよう螺旋状に巻かれ、前記磁界のうち軸方向の磁界を相殺させ前記プラズマを前記軸方向に加速させる内部及び外部コイルと、を含むことを特徴とするコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。 - 前記外部コイルと前記放電コイルとが1つに連結されることを特徴とする請求項1に記載のコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。
- 前記内部コイルと前記放電コイルとが1つに連結されることを特徴とする請求項1に記載のコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。
- 前記外部コイル、内部コイル、及び放電コイルが1つに連結されることを特徴とする請求項1に記載のコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。
- 前記内部及び外部コイルは、前記プラズマを加速させる方向に向かって巻かれた間隔を広くすることで、磁場圧力の傾きを形成し前記プラズマを加速させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。
- 前記内部及び外部コイルは、前記磁界のうち前記軸方向に直交する方向の磁界が強化されるよう形成されることを特徴とする請求項1に記載のコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置。
- 請求項1におけるコイル巻線数の調節による電磁気誘導加速装置を用いて、乾式で半導体チップ製作用ウェハー(wafer)をエッチングする中性ビーム(beam)ドライエッチング(dry ethching)装置。
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