JPS6243244B2 - - Google Patents
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- JPS6243244B2 JPS6243244B2 JP53007256A JP725678A JPS6243244B2 JP S6243244 B2 JPS6243244 B2 JP S6243244B2 JP 53007256 A JP53007256 A JP 53007256A JP 725678 A JP725678 A JP 725678A JP S6243244 B2 JPS6243244 B2 JP S6243244B2
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- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホール素子を用いた磁気ヘツドの再生
増幅回路に関するものである。
増幅回路に関するものである。
第１図に簡単なホール素子の等価回路を示す。
第１図において、１，２はホール電流端子、３，
４はホール電圧端子、５，６はホール電流抵抗、
７，８はホール電圧抵抗、９，１０はホール出力
電圧である。ホール素子はホール電流端子１，２
間に電流ＩHを印加し、ホール素子に磁束密度Ｂ
の磁界を加えると、ホール出力電圧ＶHは第１式
で示される。
第１図において、１，２はホール電流端子、３，
４はホール電圧端子、５，６はホール電流抵抗、
７，８はホール電圧抵抗、９，１０はホール出力
電圧である。ホール素子はホール電流端子１，２
間に電流ＩHを印加し、ホール素子に磁束密度Ｂ
の磁界を加えると、ホール出力電圧ＶHは第１式
で示される。
ＶH＝ＲHBIH ………(1)
第１式でＲHはホール係数である。このホール
出力電圧ＶHは第１図に示す極性で誘起するた
め、ホール電流をバランス駆動するかホール出力
電圧をバランス増幅する必要がある。このような
ホール素子を磁気ヘツドに用いた場合、Ｓ／Ｎ向
上の点から出来るだけホール電流を増大し感度向
上を計るため電流駆動素子に大電力素子を必要と
するため、ホール電流をバランス駆動するのは得
策でない。このため一般にホール電流はアンバラ
ンス駆動を用い、ホール出力電圧をバランス増幅
する方法が採用されている。そしてホール素子の
ホール出力電圧を増幅する回路には第２図に示す
ような差動増幅回路が用いられてきた。
出力電圧ＶHは第１図に示す極性で誘起するた
め、ホール電流をバランス駆動するかホール出力
電圧をバランス増幅する必要がある。このような
ホール素子を磁気ヘツドに用いた場合、Ｓ／Ｎ向
上の点から出来るだけホール電流を増大し感度向
上を計るため電流駆動素子に大電力素子を必要と
するため、ホール電流をバランス駆動するのは得
策でない。このため一般にホール電流はアンバラ
ンス駆動を用い、ホール出力電圧をバランス増幅
する方法が採用されている。そしてホール素子の
ホール出力電圧を増幅する回路には第２図に示す
ような差動増幅回路が用いられてきた。
第２図において１１，１２は差動入力端子、１
３は増幅器出力端子、１４は電源印加端子、１５
〜１８はトランジスタ、１９〜２７は抵抗、２８
〜３２はコンデンサである。第２図の入力端子１
１，１２は第１図のホール電圧端子３，４にそれ
ぞれ接続され、ホール電流端子２は接地され、ま
たホール電流端子１は直流電流印加回路に接続さ
れる。第２図の回路の動作は、トランジスタ１
５，１６が差動構成になり差動入力端子１１，１
２の信号が引き算されるため、ホール出力電圧
９，１０およびホール電圧抵抗７，８の熱雑音が
増幅されホール電流抵抗５，６の熱雑音はキヤン
セルされる。またこの増幅器の利得は、抵抗２５
およびホール電圧抵抗８との比で定まる。このよ
うに上記の回路では、ホール電流抵抗の雑音をキ
ヤンセルしバランス出力信号を増幅できる利点は
あるが、トランジスタ１５，１６を差動構成で使
用するため、トランジスタから発生する雑音は１
個の場合に比べ3dB劣化する欠点がある。特にホ
ール電圧端子抵抗７，８が100Ω〜150Ωと低い場
合、トランジスタのベース拡散抵抗とほぼ同等に
なるため回路の雑音指数が3dB以下には設計でき
ず、低雑音に設計するにはホール電流をバランス
駆動にしホール出力電圧をアンバランス増幅しな
ければならないという欠点があつた。
３は増幅器出力端子、１４は電源印加端子、１５
〜１８はトランジスタ、１９〜２７は抵抗、２８
〜３２はコンデンサである。第２図の入力端子１
１，１２は第１図のホール電圧端子３，４にそれ
ぞれ接続され、ホール電流端子２は接地され、ま
たホール電流端子１は直流電流印加回路に接続さ
れる。第２図の回路の動作は、トランジスタ１
５，１６が差動構成になり差動入力端子１１，１
２の信号が引き算されるため、ホール出力電圧
９，１０およびホール電圧抵抗７，８の熱雑音が
増幅されホール電流抵抗５，６の熱雑音はキヤン
セルされる。またこの増幅器の利得は、抵抗２５
およびホール電圧抵抗８との比で定まる。このよ
うに上記の回路では、ホール電流抵抗の雑音をキ
ヤンセルしバランス出力信号を増幅できる利点は
あるが、トランジスタ１５，１６を差動構成で使
用するため、トランジスタから発生する雑音は１
個の場合に比べ3dB劣化する欠点がある。特にホ
ール電圧端子抵抗７，８が100Ω〜150Ωと低い場
合、トランジスタのベース拡散抵抗とほぼ同等に
なるため回路の雑音指数が3dB以下には設計でき
ず、低雑音に設計するにはホール電流をバランス
駆動にしホール出力電圧をアンバランス増幅しな
ければならないという欠点があつた。
本発明の目的は、従来技術の欠点をなくし雑音
劣化のないホール素子を用いた磁気ヘツドの再生
増幅回路を提供するにある。
劣化のないホール素子を用いた磁気ヘツドの再生
増幅回路を提供するにある。
本発明は、従来の欠点がトランジスタ２石を用
いて差動構成にしたことによつて生ずることに着
目し、トランジスタのベース・エミツタにバラン
ス信号を差動入力し低雑音化を計つたものであ
る。
いて差動構成にしたことによつて生ずることに着
目し、トランジスタのベース・エミツタにバラン
ス信号を差動入力し低雑音化を計つたものであ
る。
第３図に本発明によるホール素子を用いた磁気
ヘツド用再生増幅回路の具体的一実施例回路図を
示す。第３図において、１１，１２は差動入力端
子、１３は増幅器出力端子、１４は電源印加端
子、３３，３４はトランジスタ、３５〜４１は抵
抗、４２〜４６はコンデンサであり、エミツタ接
地型増幅回路が２段直列に接続されている。第３
図において、差動入力端子１１，１２は、第２図
と同様第１図のホール電圧端子３，４にそれぞれ
接続される。この場合、トランジスタ３３のベー
ス・エミツタに差動入力信号が入力されるとエミ
ツタにはベースとほぼ等しい電圧になるよう抵抗
４１を通して電流帰還される。この場合の利得は
R3｛１／Ｒ１＋１／２Ｒ２｝となる。ただしR1はホール
電圧抵 抗８、R2は抵抗３６、R3は抵抗４１のそれぞれ
の抵抗値である。ここでR2≫R1に設計できれば
利得はR3／R1となり、第２図の場合と全く同じ
になる。この回路では差動構成をトランジスタ３
３のベース・エミツタで実現できるため、トラン
ジスタ雑音は従来回路に比べ3dB下げられトラン
ジスタ１個の雑音ですむ。ホール電圧抵抗７，８
をそれぞれ150Ω、トランジスタの等価雑音抵抗
を150Ωとすると、第２図による回路では雑音指
数が3dBであるが、本発明による回路では同じト
ランジスタを用いても1.7dBと1dB以上改善でき
る。
ヘツド用再生増幅回路の具体的一実施例回路図を
示す。第３図において、１１，１２は差動入力端
子、１３は増幅器出力端子、１４は電源印加端
子、３３，３４はトランジスタ、３５〜４１は抵
抗、４２〜４６はコンデンサであり、エミツタ接
地型増幅回路が２段直列に接続されている。第３
図において、差動入力端子１１，１２は、第２図
と同様第１図のホール電圧端子３，４にそれぞれ
接続される。この場合、トランジスタ３３のベー
ス・エミツタに差動入力信号が入力されるとエミ
ツタにはベースとほぼ等しい電圧になるよう抵抗
４１を通して電流帰還される。この場合の利得は
R3｛１／Ｒ１＋１／２Ｒ２｝となる。ただしR1はホール
電圧抵 抗８、R2は抵抗３６、R3は抵抗４１のそれぞれ
の抵抗値である。ここでR2≫R1に設計できれば
利得はR3／R1となり、第２図の場合と全く同じ
になる。この回路では差動構成をトランジスタ３
３のベース・エミツタで実現できるため、トラン
ジスタ雑音は従来回路に比べ3dB下げられトラン
ジスタ１個の雑音ですむ。ホール電圧抵抗７，８
をそれぞれ150Ω、トランジスタの等価雑音抵抗
を150Ωとすると、第２図による回路では雑音指
数が3dBであるが、本発明による回路では同じト
ランジスタを用いても1.7dBと1dB以上改善でき
る。
なお上記実施例ではエミツタ接地型増幅回路を
２段直列接続した場合について述べたが、終段に
エミツタホロワを接続して３段直列接続回路を構
成し、終段トランジスタのエミツタから初段トラ
ンジスタのエミツタに交流帰還をかけるようにな
した場合にも適用できる。
２段直列接続した場合について述べたが、終段に
エミツタホロワを接続して３段直列接続回路を構
成し、終段トランジスタのエミツタから初段トラ
ンジスタのエミツタに交流帰還をかけるようにな
した場合にも適用できる。
第４図は第３図の抵抗３６をトランジスタを用
いて十分大きくした場合の具体的実施例回路図で
ある。第４図において１１，１２は差動入力端
子、１３は増幅器出力端子、１４は電源印加端
子、４７はトランジスタ、４８〜５０は抵抗、５
１はコンデンサである。第４図は第３図の抵抗３
６の代わりにトランジスタによる定電流回路を採
用し、インピーダンスを500KΩ以上とほぼホー
ル電圧抵抗８に比べ十分大きく設計した例であ
る。ホール素子との接続および動作については第
３図と同様である。
いて十分大きくした場合の具体的実施例回路図で
ある。第４図において１１，１２は差動入力端
子、１３は増幅器出力端子、１４は電源印加端
子、４７はトランジスタ、４８〜５０は抵抗、５
１はコンデンサである。第４図は第３図の抵抗３
６の代わりにトランジスタによる定電流回路を採
用し、インピーダンスを500KΩ以上とほぼホー
ル電圧抵抗８に比べ十分大きく設計した例であ
る。ホール素子との接続および動作については第
３図と同様である。
第４図で第３図と異なる点は、トランジスタ４
７および抵抗５０から発生する雑音で、この雑音
をトランジスタ３３およびホール電圧抵抗７，８
から発生する雑音に比べ低く設計する必要があ
る。この条件を第２式に示す。
７および抵抗５０から発生する雑音で、この雑音
をトランジスタ３３およびホール電圧抵抗７，８
から発生する雑音に比べ低く設計する必要があ
る。この条件を第２式に示す。
√1≫Ｒ１／Ｒ４√4＋T ………(2)
第２式でR1はホール電圧抵抗８、R4は抵抗５
０、ＲTはトランジスタ４７の等価雑音抵抗であ
る。第２式でR1／R4はトランジスタ４７の利
得、√1、√4＋Tは比例係数を乗算すること
により雑音電圧を示す。例えばR1＝150Ω、ＲT
＝150Ωとすると、R4は第３式のように設計する
必要がある。
０、ＲTはトランジスタ４７の等価雑音抵抗であ
る。第２式でR1／R4はトランジスタ４７の利
得、√1、√4＋Tは比例係数を乗算すること
により雑音電圧を示す。例えばR1＝150Ω、ＲT
＝150Ωとすると、R4は第３式のように設計する
必要がある。
R4≫Ｒ１＋√Ｒ〓＋４Ｒ１ＲＴ／２≒242 ………(3)
第４図の回路でR4を242Ωに設計すると雑音指
数は第２図の回路と同じく3dBとなるが、R4を
2.5KΩに設計することにより雑音指数は約1.8dB
となる。
数は第２図の回路と同じく3dBとなるが、R4を
2.5KΩに設計することにより雑音指数は約1.8dB
となる。
また第３図及び第４図ではNPNトランジスタ
を使用した例を示したが、PNPトランジスタある
いはFETを用いても同様に構成できる。
を使用した例を示したが、PNPトランジスタある
いはFETを用いても同様に構成できる。
本発明によりホール素子を用いた磁気ヘツドの
再生増幅回路の雑音を3dB低減でき、雑音指数も
1dB以上改善できた。しかもそれがきわめて簡単
な構成で実現できるため、実用に供して便利なも
のである。
再生増幅回路の雑音を3dB低減でき、雑音指数も
1dB以上改善できた。しかもそれがきわめて簡単
な構成で実現できるため、実用に供して便利なも
のである。
第１図はホール素子の等価回路を示し、第２図
はホール素子を用いた磁気ヘツドの従来の再生増
幅回路を示す。第３図及び第４図は本発明による
ホール素子を用いた磁気ヘツドの再生増幅回路の
２つの実施例回路図である。 １，２……ホール電流端子、３，４……ホール
電圧端子、５，６……ホール電流抵抗、７，８…
…ホール電圧抵抗、９，１０……ホール出力電
圧、１１，１２……差動入力端子、１３……増幅
器出力端子、１４……電源印加端子、３３，３
４，４７……トランジスタ、３５〜４１，４８〜
５０……抵抗、４２〜４６，５１……コンデン
サ。
はホール素子を用いた磁気ヘツドの従来の再生増
幅回路を示す。第３図及び第４図は本発明による
ホール素子を用いた磁気ヘツドの再生増幅回路の
２つの実施例回路図である。 １，２……ホール電流端子、３，４……ホール
電圧端子、５，６……ホール電流抵抗、７，８…
…ホール電圧抵抗、９，１０……ホール出力電
圧、１１，１２……差動入力端子、１３……増幅
器出力端子、１４……電源印加端子、３３，３
４，４７……トランジスタ、３５〜４１，４８〜
５０……抵抗、４２〜４６，５１……コンデン
サ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エミツタ接地形増幅回路を２段直列接続し２
段目のトランジスタのコレクタから初段トランジ
スタのエミツタに交流帰還をかける増幅器、また
は終段にエミツタホロワを接続した３段直列接続
の終段トランジスタのエミツタから初段トランジ
スタのエミツタに交流帰還をかける増幅器におい
て、ホール素子を用いた磁気ヘツドのホール電圧
端子を初段トランジスタのベースおよびエミツタ
に接続することを特徴とするホールヘツド用再生
増幅回路。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の増幅回路におい
て、初段トランジスタのエミツタアース間抵抗の
代わりに定電流回路を用いることを特徴とするホ
ールヘツド用再生増幅回路。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の増幅回路におい
て、上記定電流回路に使用するトランジスタのエ
ミツタアース間に接続する抵抗R4の抵抗値を、
R1をホール電圧端子間抵抗の1/2またＲTを上記
定電流回路に使用するトランジスタの等価雑音抵
抗として、Ｒ１／Ｒ４√4＋T以上にすることを特徴
と するホールヘツド用再生増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP725678A JPS54101306A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Reproduction amplifier circuit for hall head |
| US06/006,912 US4218659A (en) | 1978-01-27 | 1979-01-26 | Amplifier circuit for a hall-effect head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP725678A JPS54101306A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Reproduction amplifier circuit for hall head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54101306A JPS54101306A (en) | 1979-08-09 |
| JPS6243244B2 true JPS6243244B2 (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=11660940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP725678A Granted JPS54101306A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Reproduction amplifier circuit for hall head |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4218659A (ja) |
| JP (1) | JPS54101306A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671819A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-15 | Olympus Optical Co Ltd | Multichannel magnetic head and its manufacture |
| JPS56101617A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Olympus Optical Co Ltd | Multichannel magnetic head and its manufacture |
| US4524331A (en) * | 1982-09-13 | 1985-06-18 | Orion Industries, Inc. | High input impedance amplifier circuit |
| US4916409A (en) * | 1988-06-15 | 1990-04-10 | Tracy Daniel L | Signal conditioner system for musical instruments |
| US4982155A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-01 | Sprague Electric Company | Hall sensor with high pass hall voltage filter |
| US4994731A (en) * | 1989-11-27 | 1991-02-19 | Navistar International Transportation Corp. | Two wire and multiple output Hall-effect sensor |
| US5270882A (en) * | 1992-07-15 | 1993-12-14 | International Business Machines Corporation | Low-voltage, low-power amplifier for magnetoresistive sensor |
| GB2272122B (en) * | 1992-10-28 | 1996-07-17 | Plessey Semiconductors Ltd | Wideband constant impedance amplifiers |
| US5442283A (en) * | 1993-09-03 | 1995-08-15 | Allegro Microsystems, Inc. | Hall-voltage slope-activated sensor |
| US6392400B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-05-21 | Schlumberger Resource Management Services | High linearity, low offset interface for Hall effect devices |
| US6246290B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-06-12 | National Semiconductor Corporation | High gain, current driven, high frequency amplifier |
| EP1875157A4 (en) | 2005-01-18 | 2010-06-23 | Teleflex Inc | RETROGRADATION MECHANISM FOR A PEDAL AND MECHANISM FOR FIXING A PEDAL |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3452291A (en) * | 1965-11-26 | 1969-06-24 | Ibm | Differential amplifier |
| JPS50110254A (ja) * | 1974-02-05 | 1975-08-30 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3267386A (en) * | 1964-02-06 | 1966-08-16 | Ampex | Two stage direct-coupled transistor amplifier utilizing d. c. positive feedback and d. c.-a. c. negative feedback |
-
1978
- 1978-01-27 JP JP725678A patent/JPS54101306A/ja active Granted
-
1979
- 1979-01-26 US US06/006,912 patent/US4218659A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3452291A (en) * | 1965-11-26 | 1969-06-24 | Ibm | Differential amplifier |
| JPS50110254A (ja) * | 1974-02-05 | 1975-08-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54101306A (en) | 1979-08-09 |
| US4218659A (en) | 1980-08-19 |
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