JPS6243185A

JPS6243185A - 半導体受光素子

Info

Publication number: JPS6243185A
Application number: JP60183272A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nakajima; 一雄中嶋
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1985-08-21
Filing date: 1985-08-21
Publication date: 1987-02-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕ＡｔｘＧａｌ−ＸＰ、　５ｂ１−ｙ（０≦ｘ≦１．　　
Ｏ≦ｙ≦１）、Ａ〜Ｉｎｌ−１Ｐｕ　５ｂ１−ｕ（０≦
ｚ≦１，０≦ｕ≦１）、又ハＡｌｖＩｎ１−ｖＡ８ｗＳ
ｂ１−ｗ（０≦ｖ≦１，０≦ｗ≦１）等を受光素子のウ
ィンドウ層、増倍層又は吸収層として用いる。それによ
り量子効率を向上し、優れた特性の素子を得る。

〔産業上の利用分野〕

不発明はアバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）
　、　ＰＩＮフォト・ダイオード等の受光素子に関する
。

〔従来の技術〕

従来、光通信に有用な１μｍｖ長帯の受光素子としてＩ
ｎｏ、ｓａ　”ｏ、＜ｔ　Ａｓ　を光吸収層とし、エネ
ルギ・ギャップが大きなＩｎＰ乃至これと格子整合する
Ｉ　ｎ　ｘ’　Ｇ　ａ　１−ｘ’　Ａａ　ｙ’　Ｐ　１
−ｙ　（０≦ｘ′≦１，０≦ｙ′≦１）全増倍層或いは
ウィンドウ層とした構造が採用されている。

増倍層或いはウィンドウ層に用いる半導体層はエネルギ
・ギャップがより大きいことが望ましい。

エネルギ・ギャップが大きな半導体層は、より長波長の
光を吸収することなく通過することができ、またトンネ
ル電流の発生を抑え、暗電流を減少することができる。

第７図にＩｎＸ＋　Ｇａ、−ｘｌ　Ａｓｙ＋　Ｐ、−ｙ
のｘｌ　、　ｘｌ値と格子定数、エネルギ・ギャップの
関係を図示してある。

Ｉｎ　、Ｇ　ａ　１−Ｘ’　Ａ３　ｙ’　Ｐ　１−ｙ’
は全率固溶体であって、Ｉｎ、　ＧＡ、　Ａｓ、　Ｐは
如何なる割合にでも均一に混じ（）合い、任意の組成の
化合物半導体が得られる。

全率固溶体は一般に第９図の状態図のごとく、そのＡＣ
及びＢＣなる構成元素は、如何なる割合にでも均一に混
じり合い、任意の組成の化合物（ＡｘＢｌ−ＸＣ）が得
られる。

第７図から明らかなように、Ｉｎｘ＋　Ｇａ、−ｘ□Ａ
ｓｙ＋Ｐ　）　−ｙ’　：’１．通常基板に用いること
ができるＩｎＰと格子整合することが必要であり、その
範囲において最も格子定数が大きいのはＩｎＰ　（エネ
ルギ・ギャップＥｇ　＝　１　３５　ｅＶ　）であり、
これが限界で、それ以上のエネルギ・ギャップの半導体
は用いることができない。

一方、第８図のように、共晶点を有する状態図金持つ組
合せがあり、その化合物により大きなエネルギ・ギヤツ
ブが考えられる。

しかし、共晶点を有しａ、ｂなる液相線とＣ１ｄなる固
相線を持つから、各矢印で示すように高温の液相から降
温したとき、α又はβのいずれかの領域の組成しか安定
して形成できない。すなわち、ＡＸＢ、ＸＣなる化合物
を考えたとき、α＋βなる領域（ミスシビリテイギヤツ
ブという）の組成の化合物（ミスシビリテイギャップが
ちる材料という）は安定に存在し得ない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来においては、受光素子の増倍層或はウィンドウ層と
してＩｎＰを用いた時なおトンネル電流の発生を防止し
て暗電流を下げる点で十分でない。

その改善のためには、ＩｎＰよりもエネルギ・ギャップ
が大きく、かつ間接遷移型の半導体材料の開発が必要で
あり且つ、その材料は基板に用いるＩｎＰ等に格子整合
することが必要である。しかし、今日まで適当な材料は
見出されていない。

〔問題点を解決するための手段〕

不発明者は、上記問題点を解決すべく多くの材料につい
て研究をすすめた結果、ＡＡ！ＸＧａ　、　−ｘ　ｐｙ
ｓｂ、−ｙ（ｏ≦ｘ≦１．０≦ｙ≦１）、　”Ｚ　Ｉｎ
１−Ｚ　Ｐｕ５ｂ、−ｕ（ｏ≦ｌ≦１．　　Ｏ≦ｕ≦１
）、　ＡｌｖＩｎ、−ｖＡｓＷｓｂ、−ｗ（ｏ≦ｖ≦１
．０≦ｗ≦１）等のミスシビリテイギャップがある材料
が、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長）或いはＭＯＣ
ＶＤ　（有機金属気相成長）によれば安定に成長できる
こと、及びそれらが十分太き々エネルギ・ギャップを有
する組成でもってＩｎＰ等の半導体基板と格子整合でき
ること及び広い範囲でエネルギ・ギャップを変化できる
間接遷移型の半導体材料であることを見出した。そして
、それらの知見にもとづき、不発明においては、ミスシ
ビリテイギャップがある材料を受光素子の吸収層、ウィ
ンドウ層又は増倍層として用いるものである。

〔作用〕

Ａ／ＸＧａ＋−ｘ　ｐｙｓｂｖＡｓｗＳｂ１−ｗ　（０
≦ｘ≦１．０≦ｙ≦１）、ｋｌ、　Ｉｎ、−、ＰｕＳｂ
、−ｕ（０≦Ｚ≦１．０≦ｕ≦１）、ＡｌｖＩｎｌ−ｖ
ＡｓＷＳｂｌ−Ｗ（０≦ｖ≦１．０≦ｗ≦１）はｘ、ｙ
、ｚ、ｕ、ｖ、ｗ　　の値を種々変えることによりＩｎ
Ｐ基板に格子整合させることができる。その上、ＩｎＡ
ｓ、　ＧａＳｂ、　ＧａＡｓの基板にも格子整合させる
ことができる。さらにｍ−ｖ族のＺｎ５ｅ、　ＣｄＳ、
　ＣｄＳｅ。

ＺｎＴｅにも格子整合させることが可能でちる。そして
、エネルギ・ギャップはＩｎＰの１．３５　ｅＶ　　よ
ジ大きな１．９　ｅＶ　（間接遷移）ｉＩｎＰ基板と格
子整合させた状態で持つことができる。従来これらの４
元系材料はミスシビリテイ・ギャップを持つために、熱
力学的に安定に存在しないだけでなく、成長させること
も不可能であると考えられていた。

我々の実験によっても、液相エピタキシャル成長法を用
いると確かに成長できないことが判明した。

しかし、その後、稽々実験、検討を繰返しだ結果、これ
らの４元材料がＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ　＠ｆ用いた結
晶成長で初めて成長が可能であることが判明した。しか
も、得られた結晶は室温においても極めて安定に存在し
、結晶性も良好であることがわかった。

第４図〜第６図に、それぞれＡＪ　ｘ　Ｇ　ａ　１−ｘ
　Ｐｙｓｂ、ｙ（ｏ≦ｘ≦１．０≦ｙ≦１）、　ＡＡ！
２Ｉｎ１−２Ｐｕｓｂ、ｕ（ｏ≦ｚ≦１．　０≦ｕ≦１
）、　ＡｌｖＩｎ１−ｖＡＳｗＳｂｌ−Ｗ（０≦ｖ≦１
．０≦ｗ≦１）の４元組成図を表しである。これらの図
において、斜線が施しである領域カミスンビリテイギャ
ップであり、液相エピタキシャル成長等では存在し得な
い領域である。

ところが、ＭＢＥ、　ＭＯＣＶＤによればＩｎＰ等の基
板にエピタキシャル成長ができ、しかも一旦ミスジビリ
ティギヤツブの組成を形成してし１うと、本来々ら温度
を十分上げると前記第８図のようにα。

βに分解して均一な組成がえられないはずであるが、実
用上十分高温においても結晶は安定であることがわかっ
た。それは、これらの■−ｖ族混晶においては、構成元
素の拡散が遅く、■族元素とＶ族元素の結合エネルギが
大きいことに起因するものと考えられる。

そして、第４図〜第６図において囚、　（Ｂｌ　、　（
Ｃ１と指示した線分に沿った４元組成においてＩｎＰ基
板と格子整合が可能であり・Ｘ・ｙ、ｚ・Ｕ・又はＶ・
Ｗの値を変えることにより広範囲に格子定数を変化する
ことができる。

本発明は、以上の知見のもとに、Ａｌ　ｘ　Ｇ　ａ　１
−ｘＰＳｂ、−ｙ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）、ＡＪＩ
！、　Ｉｎ、−２Ｐｕ５ｂ１−ｕ（Ｏ≦ｚ≦１．０≦ｕ
≦１　）　、ＡｌｖＩｎ、−。

ＡｓＷＳｂ、−ｗ（０≦ｖ≦１．０≦ｗ≦１）等のミス
シビリテイギャップがある材料をＩｎＰ等の半導体基板
に成長させＩｎ０，８８　ＧａＯ，４□Ａｓ　　の元吸
収層をもつ１．５５μｍ迄の光に感度がある受光素子の
増倍層として、或いはウィンドウ層として用いている。

それにより、トンネル電流の発生全防止し、暗電流が少
なく、光吸収の損失の少ない受光素子を製作することが
可能になる。

又、ＩｎＰ基板に成長するだけでなく、前記ミスシビリ
テイギャップがある材料を他の■−ｖ族のＩｎＡｓ、　
Ｇａｒｂ、　ＧａＡｓ　　等の基板にも格子整合するこ
とが可能である。さらに［１−Ｖ族の基板だけでなく、
■−■族のＺｎＳ、　ＣｄＳ、　ＣｄＳｅ、　ＺｎＴｅ
にも格子整合することができる。

〔実施例〕（実施例１）第１図Ａ、Ｈに不発明ｉ　ＰＩＮフォト・ダイオードに
適用しＡ匂Ｇａ　１−　ｘ　Ｐｙ　Ｓ　ｂ　１−ｙ　（
０≦ｘ≦１．０≦ｙ≦１）を用いた実施例を示す。

第１図Ａにおいて、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＭＯＣＶＤ法
で順にｎ　　ＩｎｏｖＡｓｗＳｂ１−ｗｉ　ＧａＯ，４
？　Ａｓ　’ｌ　（キャリア濃度ｎ＝Ｉ　Ｘ　１０”／
　Ｃｍ”　、膜厚ｄ＝＋μｍ）。

”　−工ｎＯ，７Ｇａ０．８　”０，６４　ＰＱ、ｌｌ
＠　３（キャリア濃度ｎ＝　５　Ｘ　１０１５／　Ｃｍ
”　、膜厚ｄ　＝　０．５　ｐｍ　）　。

ｎ”ｏ、ｅ　Ｇａｏ、１Ｐｏ、ａａｓ　ＳｂＯ，１！１
４４　（キャリア濃度ｎ＝　５　Ｘ　１０”／　Ｃｍ”
　、膜厚ｄ＝１．５　ｐ＋ｎ）　　ｆ成長する。

”　　”Ｏｊ　”０．Ｉ　Ｐｏ、８８６　ＳｂＯ，８１
４４はウィンドウ層であり、エネルギ・ギャップが大き
い為に長波長の元を吸収することなく効率良く通過させ
ることができる。ｎ”Ｏ，？　ＧａＯ，ｉ　”Ｏｊ４　
ＰＯ１１６３はＩｎ６，５ｓＧＡ＠、ｉｙ　Ａｓ　２と
”　”０．１　”０．Ｉ　Ｐｏ、８８８　Ｓｂ０．６１
４　’との間にあってその中間のエネルギ・ギャップ金
持ち（Ｉ　ｎ　ｏ　、ｓＢ　Ｇａ　６．４？　Ａｓが０
．７５　ｅ　Ｖ　、Ｉ　ｎ　０．７　Ｇａ　＠　、Ｂ”
０．６４　ＰＯ，８＠が０．９５　ｅＶ　、　ＡＡ！Ｑ
、９　ＧａＯ，ｌ　ｐｏ、５ｓｓＳｂ０．６１４が１．
８４ｅＶ）、　ＩｎＧａＡｓで吸収された元によって発
生したキャリアが通過しやすいようにして高周波特性が
よくなるように配慮している。

第１図Ｂにおいて、基板表面にＳｉｎｇ　ｙＡ５　ｆ形
成し、これ全パターニングし拡散窓を形成し、Ｚｎ　ｆ
拡散してｐ＋拡散領域６を作りその後、電極７及び８を
形成し、ＰＩＮフォト・ダイオードが完成する。

この素子の量子効率は９０％以上にも達し元が無駄なく
ウィンドウｐＪｋ通過し、ＩｎＧａＡｓ　Ｎで有効に吸
収されること全売している。これによりＡＡ’ＧａＰ５
）ｌは受光素子用材料として極めて有効であることがわ
かった。

次に、第１図Ｃにアバランシェ・フォト・ダイオードの
実施例を示している。各部の符号は統一しておるので特
に説明しない。第１図Ｃのようにｐ＋拡散領域６の端が
ＡＪｏｏ、Ｇａ。、１Ａ３゜、Ｈ６ＳｂＯ，６１４層（
４）の内に残るようにしく残った層が増倍層になる）、
更にｐ＋拡散層６の両端にＢｅ　ｆイオン注入してガー
ド・リング（傾斜接合領域９）を形成スルト、アバラン
シェ・フォト・ダイオードを作製することができる。そ
れにより、約３０倍の大きな増倍率が得られ、暗電流も
５ｎＡと極めて低かった１、本実施例ではＩｎＰ基板全用いたが、ＩｎＡｓ、　　Ｇ
ａＳｂ、　ＧａＡｓ、　Ａ１Ｓｂ　　の何れの基板でも
本質的に同様の効果が得られる。

（実施例２）第２図Ａ、ＢにＡ１７．Ｉｎ、−７ＰｕＳｂ、−ｕ（０
≦ｚ≦１゜０≦ｕ≦１）ｋｐｘＮフォト・ダイオードに
適用した実施例を示す。

第２図Ａにおいて、ｎ−ＩｎＰ基板２１上にＭＯＣＶＤ
法で６川にｎ−Ｉｎ。、５８Ｇａ、４７Ａｓ　　２２　
（キャリア濃度ｎ＝　Ｉ　Ｘ　１０　”／　Ｃｍ８．膜
厚ｄ　＝　４　ｐｍ　）　。

ｎ　　Ｉｎｏ４　ＧａＯ，８ＡＳＯ，８４ＰＧ、８ｇ　
２３　（キャリア濃度ｎ＝　５　Ｘ　１０１５／　Ｃｍ
８．膜厚ｄ＝０．５　ｐｍ　）　。

ｎ−Ａｌ０．９　工ｎＯ，Ｉ　ＰＯ，４５ＳｂＯ，５５
２’　（キャリア濃度ｎ＝　５　Ｘ　１０１５／　Ｃｍ
８．膜厚ｄ　＝　１．５μｍ）ｋ成長する。

ｎ　　Ａｌｏ、ｇ　１ｎＯ，Ｉ　Ｐ。、４５　Ｓｂｏ、
５５２４はウィンドウ層であり、やはりエネルギ・ギャ
ップが大きい為に長波長の光音吸収することなく効率良
く通過させることができる。ｎ　　Ｉｎ。、７　ＧＩＬ
ｏ、ｇ　ＡｓＯ，６４ＰＯ，８８２３はＩｎ。ｖＡｓｗ
Ｓｂ１−ｗ　Ｇａ、４７Ａｓ　２２とｎ−Ａｌ、９Ｉｎ
０．Ｉ　ＰｖＡｓｗＳｂ１−ｗ、　Ｓｂ０．５゜２４と
の間にあってその中間のエネルギ・ギャップを持つ（Ｉ
ｎ（ｖＡｓｗＳｂ１−ｗｓｓ　Ｇａ０．４７　”がＯ−
７５ｅＶ　、Ｉ　ｎ　ｏ　、　７ＧａＯ，８ＡＳＯ，６
４ＰＯ，８ｇが０．９５ｅＶ、　　Ａｌｏ、＠　Ｉｎ。

ｖＡｓｗＳｂ１−ｗ　ＰｏｖＡｓｗＳｂ１−ｗ。

ｓｂｏ、ｓａが１．９ｅＶ）。

第２図Ｂにおいて、基板表面にＳＩＯ！膜２５全２５全
形成ＰＩＮフオトオードが完成する。

この素子の量子効率も９０％以上あり、光が無駄なくウ
ィンドウ層を通過し、ＩｎＧａＡｓ層で有効に吸収され
ることを示している。これによりＡｌＩｎＰｓｂも受光
素子用材料として極めて有効であることがわかった。

なお、第２図Ｃのようにｐ＋拡散領域２６の端がＡｌＧ
ａＡｓＳｂ層（２４）の内に残るようにし、第１図Ｃと
同様に両端にＢｅ　ｆイオン注入してガード・リング（
傾斜接合２９）全形成しアバランシェ・フォト・ヨ゛・
イオード全作裂したとき、約３０倍の大きな増倍率が得
られ、暗電流も５ｎＡと極めて低かった。

本実施例ではＩｎＰ基板を用いたが、ＩｎＡｓ、　Ｇａ
Ｓｂ、　ＧａＡｓ、　ＡｌＳｂ　　の何れの基板でも不
質的に同様の効果が得られた。

（実施例３）ＡｌＶＩｎｌ−ｖＡ３ＷＳｂ１−ｗ（０≦ｖ≦１．　０
≦ｗ≦１）を用いた実施例を第３図Ａ、Ｈに示している
。

第３ｔＥＡにおいて、ＭＯＣＶＤ法でｎ−ＩｎＰ基板３
１にｎ　−ＩｎｖＡｓｗＳｂ１−ｗ５８ＧａｖＡｓｗＳ
ｂ１−ｗ□Ａｓ　３２　（キャリア濃度ｎ＝１×１０　
”　Ｃｍ　’　＋膜厚ｄ　＝　４　ｐｍ　）、ｎ　　Ｉ
ｎ。、７　Ｇａｏ、ａ　Ａｌｌ。、６４Ｐ０．８６３Ｊ
　（キャリア濃度ｎ　＝　５　Ｘ　１０１５／　Ｃｍ３
．膜厚ｄ　＝　０．５　ｐｍ　）、ｎ　　”０．９　Ｉ
ｎＯ，Ｉ　ＡｓＯ，６６Ｓｂ０．８５３４（キャリア濃
度ｎ＝　５　Ｘ　１０１５／　Ｃｍ８．　　膜厚ｄ　＝
　１．５μｍ）ｅ成長している。ｎ　　”０．９　Ｉｎ
Ｏ，Ｉ　Ａｓｏ、６５ＳｂＯ，ｇ５３４はウィンドウ層
であり、やはりエネルギ・ギャップが大きい為に長波長
の光を吸収することなく効率良く通過させることができ
る。ｎ　　Ｉ　ｎ　Ｏ、７Ｇ　ａ　ｏ、　ｇ　Ａ　３　
ｏ、　６４ＰｏｖＡｓｗＳｂ１−ｗ６３３は”ｏ、ｓｓ
　Ｇａ０．４７　Ａｓ　３２とｎ−ＡｌｏｖＡｓｗＳｂ
１−ｗ　Ｉｎ０．ＩＡｓｏｖＡｓｗＳｂ１−ｗ３Ｓｂｏ
、８５３４との間にあってその中間のエネルギ・ギャッ
プを持つ（Ｉｎ（ｒ、ｓＢ　Ｇａｏ、ａ□Ａｓが帆７５
ｅＶ。

”０．７　ＧａＯ，８Ａ３０．６４　ＰＯ，８６が０．
９５　ｅＶ　、　ｋｌｏｖＡｓｗＳｂ１−ｗ　Ｉｎｏｌ
ＡＳＯ，６５ＳｂＱ、８Ｓが１．９　ｅＶ　）。

第３図Ｂにおいて、基板表面に５ｉＯｚ膜３５を形成し
、これをパターニングし拡散窓全形成し、　Ｚｎを拡散
してｐ＋拡散領域３６を作り、その後、Ｎ極３７及び３
８ｉ形成し、ＰＩＮフォト・ダイオードが完成する。

この素子の量子効率は９０チ以上あり、元が無駄なくウ
ィンドウ層を通過し、ＩｎＧａＡｓ層で有効に吸収され
ることを示している。これによりＡｌＩｎＡｓＳｂは受
光素子用材料として極めて有効であることがわかった。

なお、第３図Ｃのようにｐ＋拡散領域Ｉの端がｋｌ　Ｉ
　ｎＡｓ　Ｓｂ層（３４）の内に残るようにし、第１図
Ｃ２第２図Ｃと同様に両端にＢｅ　ｆイオン注入してガ
ード・リング（傾斜接合領域３９）を形成しアバランシ
ェ・フォト・ダイオード金作製したとき、約３０倍の大
きな増倍率が得られ、暗電流も５　ｎＡと極めて低かっ
た。

本実施例ではＩｎＰ基板を用いたが、ＩｎＡｓ、　Ｇａ
Ｓｂ、　ＧａＡｓ、　ＡＪＳｂの何れかの基板でも不質
的に同様の効果が得られる。

以上不発明について各実施例を示し、主にミスシビリテ
イギャップがある材料をウィンドウ層とキャリアの増倍
層に用いたときの有用性について述べたが、本発明にお
いては、ミスシビリテイギャップがある材料のエネルギ
・ギャップが広範囲に変化できるものであり、光吸収層
に用いることも有用である。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、不発明によれば、ＡＩｔ
ｘＧａｌ−ｘ　ｐｙｓｂ、−ｙ（０≦ｘ≦１．０≦ｙ≦
１）、ＡＡｌ、ＬＩｎｌ−１Ｐｕ５ｂ１−ｕ（０≦ｚ≦
１．０≦ｕ≦１）、ＡＪ　ｖＩ　ｎ　１−　ｖ　Ａｓ　
ｗ　Ｓ　ｂ　１　イ（０≦ｖ≦１．　　Ｏ≦ｗ≦１）上
受元素子のウィンドウ層、増倍層、或いは光吸収層に用
いることにより、暗電流を少なくし、光吸収の損失全低
減し、量子効率が大きな素子特性を得ることを可能とす
る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ、Ｂは本発明の実施例１のＰＩＮフォト・ダイ
オードの製造工程図、第１図Ｃは実施例１のアバランシェ・フォト・ダイオー
ドの要部断面図、第２図Ａ、Ｂは本発明の実施例２のＰＩＮフォト・ダイ
オードの製造工程図、第２図Ｃは実施例２のアバランシェ・フォト・ダイオー
ドの要部断面図である。第３図Ａ、Ｂは本発明の実施例３０ＰＩＮフオト・ダイ
オードの製造工程図、第３図Ｃは実施例３のアバランシェ・フォト・ダイオー
ドの要部断面図、第４図〜第６図はミスシビリテイギャップを示す４元組
成図、第７図はエネルギ・ギャップと格子定数全売す図、第８図は共晶点を有する状態図、第９図は全率固溶体の状態図である。１　、２１　、３１−　ＩｎＰ基板２　＋　２２　＋　３２　”’　ｎ　−Ｉｎ０．ｖＡｓ
ｗＳｂ１−ｗＧａ０，４．　Ａｓ３　＋　２３．３３　
・・’　ｎ　　Ｉｎ６．７　Ｇａｏ４　Ａｓ　Ｏ，ａ４
　Ｐ　Ｏ，８＋１４　・・・・・・・・・・・・”ＯＪ
　ＧａＯ，Ｉ　ＰＯ，Ｉｎ８６　Ｓｂ０．６１４５．２
５．３５・・・５ｉｎ２膜６．２６．３６・・・ｐ＋拡散層７．２７．３７・・・電極８．２８．３
８・・・電極９．２９．３９・・・ガード・リング（傾斜接合）”　
　””””””　”０．９　”０．Ｉ　ＰＯ，４３Ｓｂ
Ｏ，Ｓ。

Claims

【特許請求の範囲】

Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＰ＿ｙＳｂ＿１＿−＿ｙ（０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ａｌ＿ｚＩｎ＿１＿−＿ｚＰ
＿ｕＳｂ＿１＿−＿ｕ（０≦ｚ≦１、０≦ｕ≦１）、又
はＡｌ＿ｖＩｎ＿１＿−＿ｖＡｓ＿ｗＳｂ＿１＿−＿ｗ
（０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）等のミスシビリテイギヤツ
プがある材料でウィンドウ層、増倍層又は光吸収層が構
成されていることを特徴とする受光素子。