JPS6233311B2 - - Google Patents
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- JPS6233311B2 JPS6233311B2 JP12903579A JP12903579A JPS6233311B2 JP S6233311 B2 JPS6233311 B2 JP S6233311B2 JP 12903579 A JP12903579 A JP 12903579A JP 12903579 A JP12903579 A JP 12903579A JP S6233311 B2 JPS6233311 B2 JP S6233311B2
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Landscapes
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金型内面に、光沢、或いは半光沢を
具えた梨地面を形成する方法に関する。
具えた梨地面を形成する方法に関する。
一般に、プラスチツク成型の金型面が光沢を有
していると、成形されたプラスチツク製品は手ざ
わりが冷たく嫌われることが多い。そのため金型
の型穴の表面を、光沢を残しているが光反射の弱
い艶消し表面（半光沢面）とすることが要求され
る。
していると、成形されたプラスチツク製品は手ざ
わりが冷たく嫌われることが多い。そのため金型
の型穴の表面を、光沢を残しているが光反射の弱
い艶消し表面（半光沢面）とすることが要求され
る。
従来金属表面の艶消し加工は、サンドブラスト
法或いは化学エツチング法等、各種方法を利用し
て行なわれるが、何れも加工量の微調整が利か
ず、光沢を残した状態で上記加工を停止させるこ
とは不可能に近い。仮令、かかる状態を実現出来
たとしても、加工むらが目立ち、装飾用としては
使用目的に限度があつた。
法或いは化学エツチング法等、各種方法を利用し
て行なわれるが、何れも加工量の微調整が利か
ず、光沢を残した状態で上記加工を停止させるこ
とは不可能に近い。仮令、かかる状態を実現出来
たとしても、加工むらが目立ち、装飾用としては
使用目的に限度があつた。
本発明者は、イオンビームが電気的に制御が手
易いことに着目して、研究を行なつた結果、イオ
ンの運動エネルギーを十分減少させて、鏡面上を
イオンビームで走査させると、希望の艶有り梨地
面が得られ、しかも加工量を十分抑えることによ
り、従来では不可能であるとされてきた光沢面梨
地が実現出来ることを見出した。
易いことに着目して、研究を行なつた結果、イオ
ンの運動エネルギーを十分減少させて、鏡面上を
イオンビームで走査させると、希望の艶有り梨地
面が得られ、しかも加工量を十分抑えることによ
り、従来では不可能であるとされてきた光沢面梨
地が実現出来ることを見出した。
本発明は、金型の型穴に鏡面加工を施した後、
イオンビームで走査して鏡面をスパツタリングす
ることにより、装飾性に優れた加工面を容易に得
られる方法を提供するものである。
イオンビームで走査して鏡面をスパツタリングす
ることにより、装飾性に優れた加工面を容易に得
られる方法を提供するものである。
以下図面に示す実施例に基づき、本発明を具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本発明にかかる加工方法を実施する装
置の概略図であつて、イオン発生部１に於てイオ
ン化されたアルゴン等の不活性ガスイオンビーム
を、加速部２によつて外部に引き出し、適宜加速
して次段の加工室３内に導入する。イオン発生部
１は、例えばフリーマン型（熱陰極PIG型）イオ
ンソースが使用されており、グラフアイト製のア
ノード室１１に、該アノード室と絶縁してガス導
入管１２の一端を連通すると共に、該導入管１２
の他端からAr等の不活性ガスを室内に導入し、
更にアノード室１１の近傍には、カソード電極１
３及びソレノイド１４を配備する。アノード室１
１には約100〜300Vの電圧を印加し、カソード電
極１３にはAG5〜20Vの電圧で10〜50Aの電流を
流すことによりガス導入管１２から供給されたガ
スをアノード、カソード間で放電させてイオン化
する。なおソレノイド１４により発生する磁界の
磁束密度変化によりプラズマ発生密度は大きく変
化する。イオン化されたガスは加速部２によつて
ビーム状に引出される。
置の概略図であつて、イオン発生部１に於てイオ
ン化されたアルゴン等の不活性ガスイオンビーム
を、加速部２によつて外部に引き出し、適宜加速
して次段の加工室３内に導入する。イオン発生部
１は、例えばフリーマン型（熱陰極PIG型）イオ
ンソースが使用されており、グラフアイト製のア
ノード室１１に、該アノード室と絶縁してガス導
入管１２の一端を連通すると共に、該導入管１２
の他端からAr等の不活性ガスを室内に導入し、
更にアノード室１１の近傍には、カソード電極１
３及びソレノイド１４を配備する。アノード室１
１には約100〜300Vの電圧を印加し、カソード電
極１３にはAG5〜20Vの電圧で10〜50Aの電流を
流すことによりガス導入管１２から供給されたガ
スをアノード、カソード間で放電させてイオン化
する。なおソレノイド１４により発生する磁界の
磁束密度変化によりプラズマ発生密度は大きく変
化する。イオン化されたガスは加速部２によつて
ビーム状に引出される。
加速部２はイオンソースから生成イオンを有効
に引き出せる様に二重の電極２１，２２を平行に
並べて構成される。両電極２１，２２はイオンビ
ーム７の通路中に、該ビーム７の進行方向に対し
直角に向け、イオン発生部１に接近して配備され
る。更に、イオン発生部１と対向する側の電極２
１には、DC−300V程度の電圧を印加して、イオ
ンの引出し電極を構成し、他方の電極２２には
DC2KV程度の電圧を印加して、加速電極を構成
する。加速電極２２によつて十分大きな運動エネ
ルギーを与えられたイオンビーム７は、イオン発
生部１から約50cm程度離れた箇所に形成された加
工室３内に設置された金型８に照射される。
に引き出せる様に二重の電極２１，２２を平行に
並べて構成される。両電極２１，２２はイオンビ
ーム７の通路中に、該ビーム７の進行方向に対し
直角に向け、イオン発生部１に接近して配備され
る。更に、イオン発生部１と対向する側の電極２
１には、DC−300V程度の電圧を印加して、イオ
ンの引出し電極を構成し、他方の電極２２には
DC2KV程度の電圧を印加して、加速電極を構成
する。加速電極２２によつて十分大きな運動エネ
ルギーを与えられたイオンビーム７は、イオン発
生部１から約50cm程度離れた箇所に形成された加
工室３内に設置された金型８に照射される。
加工室３は、金型８等の大型な被加工物が三次
元的な移動をするだけの十分広い作業空間３１を
持ち更に室内を常時10-5〜10-6Torr或いはそれ以
上の真空度に保つことが可能な真空容器であつ
て、部屋の中央には、金型８を保持しながら移動
するホルダー４が配備されている。
元的な移動をするだけの十分広い作業空間３１を
持ち更に室内を常時10-5〜10-6Torr或いはそれ以
上の真空度に保つことが可能な真空容器であつ
て、部屋の中央には、金型８を保持しながら移動
するホルダー４が配備されている。
ホルダー４は、上面に金型８の取付部（図示せ
ず）を具え、下面には移動装置５を配備し、該装
置５を後記する制御部６で操作する。移動装置５
はホルダー４上面の揺動、及びイオンビーム７の
進行方向と直角なxy面内でのホルダー４の自由
な移動を可能とするものであつて、制御部６から
の信号により、移動装置５は駆動される。
ず）を具え、下面には移動装置５を配備し、該装
置５を後記する制御部６で操作する。移動装置５
はホルダー４上面の揺動、及びイオンビーム７の
進行方向と直角なxy面内でのホルダー４の自由
な移動を可能とするものであつて、制御部６から
の信号により、移動装置５は駆動される。
制御部６は従来のシーケンス制御装置、或いは
小型電子計算機を用いた数値制御装置であつて、
ホルダー４上に固定される金型８の形状及びビー
ムのスポツト径、或いは加工必要箇所等に応じて
決定されるプログラムに従い、移動装置５の作動
をオンオフ制御して、移動装置５の動きを規制す
る。例えば第２図の如く、金型８の型面８４を加
工する場合、加工面をイオンビーム７に対し直角
に向けた後、ｙ軸正方向へ金型８の幅だけホルダ
ー４を移動させ、更にｘ軸正方向へビームのスポ
ツト径分だけホルダー４を進ませ、更にｙ軸負方
向へ順次ホルダー４を移動させるプログラムを制
御部６に入力することにより、金型８型面は端縁
から順次ビームの下を通過し、イオンビーム７で
一様に走査される。
小型電子計算機を用いた数値制御装置であつて、
ホルダー４上に固定される金型８の形状及びビー
ムのスポツト径、或いは加工必要箇所等に応じて
決定されるプログラムに従い、移動装置５の作動
をオンオフ制御して、移動装置５の動きを規制す
る。例えば第２図の如く、金型８の型面８４を加
工する場合、加工面をイオンビーム７に対し直角
に向けた後、ｙ軸正方向へ金型８の幅だけホルダ
ー４を移動させ、更にｘ軸正方向へビームのスポ
ツト径分だけホルダー４を進ませ、更にｙ軸負方
向へ順次ホルダー４を移動させるプログラムを制
御部６に入力することにより、金型８型面は端縁
から順次ビームの下を通過し、イオンビーム７で
一様に走査される。
なおイオン発生部１は、上記したPIG型に限ら
れることなく、電子衝撃型、デユオプラズマトロ
ン型、スパツタ型、アーク放電を利用したものな
ど、適宜変更出来る。又、加速部２と加工室３間
に、イオンビームの減速用電極２３を具え、該電
極２３に印加する電圧を適宜調節可能とすること
により、平滑仕上げ、或いはイオン注入等加工条
件に応じたイオンエネルギーが得られ、各加工を
同一装置で連続して行なうことも出来る。
れることなく、電子衝撃型、デユオプラズマトロ
ン型、スパツタ型、アーク放電を利用したものな
ど、適宜変更出来る。又、加速部２と加工室３間
に、イオンビームの減速用電極２３を具え、該電
極２３に印加する電圧を適宜調節可能とすること
により、平滑仕上げ、或いはイオン注入等加工条
件に応じたイオンエネルギーが得られ、各加工を
同一装置で連続して行なうことも出来る。
又、イオンビーム７のスポツト径及び焦点距離
は、イオン発生部１の構造により、ある程度決定
されるが、ビーム収束用のレンズをビーム通路中
に配備し、或いはビーム径を規制するシールド板
を加工面近傍に具えて被加工面に照射されるビー
ムのスポツト径を適宜変更する様にしても可い。
は、イオン発生部１の構造により、ある程度決定
されるが、ビーム収束用のレンズをビーム通路中
に配備し、或いはビーム径を規制するシールド板
を加工面近傍に具えて被加工面に照射されるビー
ムのスポツト径を適宜変更する様にしても可い。
然して、金型８の溝内面をラツピングして鏡面
仕上げした後、加工室３内のホルダー４上に該金
型８を固定する。更に制御部６に、加工範囲に対
応したプログラムを書き込むと共に、イオン発生
部１及び加工部２を作動して、イオンビーム７を
加工室３内に照射する。
仕上げした後、加工室３内のホルダー４上に該金
型８を固定する。更に制御部６に、加工範囲に対
応したプログラムを書き込むと共に、イオン発生
部１及び加工部２を作動して、イオンビーム７を
加工室３内に照射する。
金型８表面上にイオンビーム７が照射される
と、イオンの種類、イオン粒子のもつ運動エネル
ギー及び金型の形成物質に関係したスパツタ率で
被照射物質はスパツタされる。従つて、スパツタ
率が判ると、該値に対応させてイオン流密度及び
走査スピードを設定することにより、鏡面は設定
値に応じた量だけ表面が荒される。上記イオンビ
ーム照射では、鏡面をスパツタする各粒子のサイ
ズが極めて小さく、更にスパツタ粒子の分布が均
一である為、加工を終えた鏡面上には、比較的鋭
角部分が少なく、深さの揃つた一様な凹凸が形成
され、従つて表面粗さが0.8μｍ或いはそれ以上
となつても、加工面は光沢を残したまま、表面粗
さに応じたくもりが生じるのである。
と、イオンの種類、イオン粒子のもつ運動エネル
ギー及び金型の形成物質に関係したスパツタ率で
被照射物質はスパツタされる。従つて、スパツタ
率が判ると、該値に対応させてイオン流密度及び
走査スピードを設定することにより、鏡面は設定
値に応じた量だけ表面が荒される。上記イオンビ
ーム照射では、鏡面をスパツタする各粒子のサイ
ズが極めて小さく、更にスパツタ粒子の分布が均
一である為、加工を終えた鏡面上には、比較的鋭
角部分が少なく、深さの揃つた一様な凹凸が形成
され、従つて表面粗さが0.8μｍ或いはそれ以上
となつても、加工面は光沢を残したまま、表面粗
さに応じたくもりが生じるのである。
なお金型８の垂直壁８３を加工する場合、溝８
４の開口８５が第３図の如くビーム幅に比して十
分広いと、移動装置５を作動させてホルダー４を
略５０〜70゜附近まで傾斜させ、更に金型８の
xy方向の位置決めを行なつて、イオンビーム７
を垂直壁面８３に合せ、該壁面の伸び方向に金型
８を移動して行くことにより、壁面８３は加工さ
れる。
４の開口８５が第３図の如くビーム幅に比して十
分広いと、移動装置５を作動させてホルダー４を
略５０〜70゜附近まで傾斜させ、更に金型８の
xy方向の位置決めを行なつて、イオンビーム７
を垂直壁面８３に合せ、該壁面の伸び方向に金型
８を移動して行くことにより、壁面８３は加工さ
れる。
又、第４図の如く、放電加工法で形成されたイ
オンのビーム幅と同程度の幅を具えた比較的深い
細溝８４の垂直壁８３を加工する場合、対向壁８
７によるイオンビームの影が出来ない程度に金型
８を傾ける。ここで壁面８３に照射されるイオン
７は、溝開口部８８と底部８９附近とでは、イオ
ン発生部１からの移動距離は相違するが、加工室
３内は10-6Torr程度の高真空に保たれているか
ら、残留ガス分子との衝突による運動エネルギー
のロスもなく、壁面８３は全体に亘つて一様に加
工されていく。
オンのビーム幅と同程度の幅を具えた比較的深い
細溝８４の垂直壁８３を加工する場合、対向壁８
７によるイオンビームの影が出来ない程度に金型
８を傾ける。ここで壁面８３に照射されるイオン
７は、溝開口部８８と底部８９附近とでは、イオ
ン発生部１からの移動距離は相違するが、加工室
３内は10-6Torr程度の高真空に保たれているか
ら、残留ガス分子との衝突による運動エネルギー
のロスもなく、壁面８３は全体に亘つて一様に加
工されていく。
更に又、本実施例に於いては、イオンビーム７
の方向を一定にして被加工物を動かしているが、
イオン発生部１を動かしてイオンビーム７で金型
８表面上を走査させ、或いはビーム通路を取り囲
んで電子ビームの場合と同様な偏向電極を配備し
て、ビーム自体を電気的に偏向させて金型８上を
走査させても可い。
の方向を一定にして被加工物を動かしているが、
イオン発生部１を動かしてイオンビーム７で金型
８表面上を走査させ、或いはビーム通路を取り囲
んで電子ビームの場合と同様な偏向電極を配備し
て、ビーム自体を電気的に偏向させて金型８上を
走査させても可い。
又、走査位置の進行に応じて、イオン流密度を
零から漸次増加させる等、適宜変更する様に構成
すれば、鏡面状態から完全な艶消しの状態にまで
無段階的に変化する艶消し面が得られ、更に高い
装飾効果が期待出来る。
零から漸次増加させる等、適宜変更する様に構成
すれば、鏡面状態から完全な艶消しの状態にまで
無段階的に変化する艶消し面が得られ、更に高い
装飾効果が期待出来る。
本発明は上記の如く、金型の型面を予め鏡面仕
上げした後、該鏡面にイオンビームを照射して表
面を荒し艶有り梨地面を形成する様にしたので、
従来の技術では不可能とされてきた、鏡面と完全
艶消し梨地では表現出来ない様な光沢面梨地又は
半光沢面梨地面が形成され、この金型にて樹脂成
形を行なうと、型穴の表面状態が成形品にそのま
ま写され、従来にない効果が期待出来る。更にイ
オンビームは、電気的に制御が容易なので、微小
な区域もマスキングを用いることなく選択的に加
工出来、加工時の手間が減少する等、多くの優れ
た効果を有する。
上げした後、該鏡面にイオンビームを照射して表
面を荒し艶有り梨地面を形成する様にしたので、
従来の技術では不可能とされてきた、鏡面と完全
艶消し梨地では表現出来ない様な光沢面梨地又は
半光沢面梨地面が形成され、この金型にて樹脂成
形を行なうと、型穴の表面状態が成形品にそのま
ま写され、従来にない効果が期待出来る。更にイ
オンビームは、電気的に制御が容易なので、微小
な区域もマスキングを用いることなく選択的に加
工出来、加工時の手間が減少する等、多くの優れ
た効果を有する。
第１図は本発明を実施する装置の一例を示す概
略図、第２図はイオンビームの走査状況を示す平
面図、第３図及び第４図は溝部分の加工状況を示
す説明図である。 １……イオン発生部、７……イオンビーム。
略図、第２図はイオンビームの走査状況を示す平
面図、第３図及び第４図は溝部分の加工状況を示
す説明図である。 １……イオン発生部、７……イオンビーム。
Claims (1)
- １ 金型の型面を鏡面仕上げした後、該金型を真
空室内に設置し、型面にイオンビームを照射して
型面の鏡面状態を保ちつつ曇り加工を施すことを
特徴とする金型の型面の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12903579A JPS5651322A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Formation of lustrous satin surface for decoration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12903579A JPS5651322A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Formation of lustrous satin surface for decoration |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651322A JPS5651322A (en) | 1981-05-08 |
| JPS6233311B2 true JPS6233311B2 (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=14999491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12903579A Granted JPS5651322A (en) | 1979-10-04 | 1979-10-04 | Formation of lustrous satin surface for decoration |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5651322A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163389A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-22 | Mitsubishi Metal Corp | スパッタリングによる表面装飾処理法 |
| JP2934133B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-08-16 | 株式会社メニコン | ソフトコンタクトレンズ |
| JP3298810B2 (ja) * | 1997-07-09 | 2002-07-08 | 株式会社新川 | ダイボンディング装置 |
| CN102369082B (zh) * | 2009-03-30 | 2016-04-06 | 伯格利-格拉维瑞斯股份有限公司 | 用于使用激光器借助于掩模和光阑构造具有硬质涂覆的固体表面的方法和设备 |
| EP2414130B2 (en) | 2009-03-30 | 2019-04-24 | Boegli-Gravures S.A. | Method and device for structuring a solid body surface with a hard coating with a first laser with pulses in the nanosecond field and a second laser with pulses in the pico- or femtosecond field ; packaging foil |
| AU2014273707B2 (en) * | 2013-05-30 | 2017-12-07 | Chow Tai Fook Jewellery Company Limited | Method of marking material and system therefore, and material marked according to same method |
-
1979
- 1979-10-04 JP JP12903579A patent/JPS5651322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651322A (en) | 1981-05-08 |
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