JPS6230665B2 - - Google Patents

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JPS6230665B2
JPS6230665B2 JP56114532A JP11453281A JPS6230665B2 JP S6230665 B2 JPS6230665 B2 JP S6230665B2 JP 56114532 A JP56114532 A JP 56114532A JP 11453281 A JP11453281 A JP 11453281A JP S6230665 B2 JPS6230665 B2 JP S6230665B2
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JP
Japan
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signal
binary
address
counter
circuit
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Expired
Application number
JP56114532A
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English (en)
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JPS5782300A (en
Inventor
Bii Jonson Robaato
Emu Nibiii Junia Chesutaa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
Original Assignee
HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc filed Critical HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
Publication of JPS5782300A publication Critical patent/JPS5782300A/ja
Publication of JPS6230665B2 publication Critical patent/JPS6230665B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • G06F11/106Correcting systematically all correctable errors, i.e. scrubbing

Description

【発明の詳細な説明】
この発明はダイナミツク・メモリ・システムに
関するものであり、特に上記システムの信頼性を
改善することに関するものである。 最近、ダイナミツク・ランダム・アクセス・メ
モリ・チツプの製造業者は高密度メモリ・チツプ
がアルフア粒子のイオン化に起因するソフト・エ
ラーからのがれることができないということに注
目してきている。この問題に打ち勝つために、あ
る製造業者はチツプの構造を改良してソフト・エ
ラーからの免除の度合をあげている。このアプロ
ーチがこのようなソフト・エラーの可能性を減じ
る一方、このようなエラーは今だに発生してお
り、訂正不可能なエラー状態を引き起している。 他の製造業者は他のシステム・デザインを提案
している。このデザインはエラー・コンデシヨ
ン、エラー累積を防止するための訂正ロードの再
書込み、定期的メモリ・パージ、及びシステム・
リダンダンシーを含む。ソフト・エラー問題及び
上記他のデザインは刊公物“メモリ・システム・
デザイン・セミナー”1979年インテル・コーポレ
ーシヨン出版で述べられている。 上記のごとく種々のデザインが示唆されてきて
はいるが、ソフト・エラーに対して保護すること
のできるメモリ・システムが全くないことが認め
られる。 従つて、この発明の第1の目的はソフト・エラ
ーに対する保護能力を持つメモリ・システムを与
えることである。 この発明のもう1つの目的はメモリ・システム
に対する最少の装置の付加によつてソフト・エラ
ー保護能力を与えることである。 上記目的を達成するために本発明では、ソフ
ト・エラーの検出と訂正は、周期的なリフレツシ
ユの実行の頻度に比べてはるかに小さくしてもよ
いことに着目した。即ち、単一ビツトエラーが2
ビツトエラーへ伝播する前であれば、各リフレツ
シユ毎にソフトエラーの検出と訂正をする必要は
なく、リフレツシユの実行頻度に比べて少ない頻
度で実行すればよいことがわかつた。 本発明はこのような知見に基づいてなされたも
ので、そのために次のような構成を有する。 即ち、本発明のダイナミツク・メモリ・システ
ムは (i) それぞれが複数ビツトからなる複数のデータ
セル210−10,210−40がアドレス可
能な行および列に排列されてなるダイナミツ
ク・メモリ210−2,210−4と、 (ii) リフレツシユ命令信号(REFCOM)を周期
的に発生する手段205と、 (iii) 行(または列)アドレスの最も大きな値を表
わす容量を持つており、各リフレツシユ命令信
号(REFCOM)によつて付勢されて1ずつ歩
進するアドレス用の第1のカウンタ207−6
0/61と、 (iv) リフレツシユ命令信号(REFCOM)に応答
して第1のカウンタによつて示されているアド
レスの行(または列)にあるデータセルをリフ
レツシユするためのリフレツシユ手段(204、
208)と、 (v) 受け取つたデータワード内の単一ビツトエラ
ーを検出し訂正するためのエラー検出・訂正手
段(206−12、206−14)と、 を具備したソフトエラー再書込み制御システムを
有するダイナミツク・メモリ・システムにおい
て、 (a) 列(または行)アドレスの最も大きな値を表
わす容量を持つており、第1のカウンタが予め
定めたカウント値に達したとき付勢されて1ず
つ歩進するアドレス用の第2のカウンタ207
−62/63/64、 (b) 各リフレツシユ命令信号(REFCOM)によ
つて付勢されて1ずつ歩進し、且つ、予め定め
たカウント値に達したとき再書込み信号
(ALPCOM)を発生する第3のカウンタ214
−10/12/14、 (c) 再書込み信号(ALPCOM)に応答して、 第1および第2のカウンタによつて表わさ
れている結合アドレスのデータセルからデー
タを読み出し、 そのようなデータをエラー検出・訂正手段
に供給し、および エラー検出・訂正手段によつて取り出され
た訂正されたデータを、それが読み出された
同じデータセルに、再書込み するための再書込み制御手段(214−24、25、
26)を備えたことを特徴とするものである。 動作原理及び動作方法の双方に関してこの発明
の特徴を示していると思われる新規な構造は、さ
らに他の目的及び利点と共に、添付の図面に関連
して考察する時以下の説明からよりよく理解でき
るであろう。 メモリ・サブシステム・インターフエース 第1図の制御装置を説明する前に、制御装置と
バスの間のインターフエースを構成する多数のラ
インについて説明する。以下に説明するごとく、
インターフエース・ラインは多数のアドレス・ラ
イン(BSAD00−23、BSAP00)、2組のデ
ータ・ライン(BSDT00−15、BSDP00、
BSDP08)並びに(BSDT16−31、BSDP1
6、BSDP24)、多数の制御ライン(BSMREF
−BSMCLR)、多数のタイミング・ライン
(BSREQT−BSBAKR)、及び多数のタイ・ブレ
ーキ・ネツトワーク・ライン(BSAUOK−
BSIUOK、BSMYOK)を含む。 上記インターフエース・ラインを以下の項でよ
り触細に説明する。 メモリ・サブシステム・インターフエース・ライ
名 称 説 明 アドレス・ライン BSAD00−BSAD23 当該バス・アドレス・
ラインは24ビツト幅のパスを構
成し、バス・メモリ・リフアレ
ンス・ラインBSMREFと共に
(スレイブ・ユニツトが受信す
るために)24ビツト・アドレス
を制御装置200へ、または16
ビツトの照合子を制御装置20
0からバスへ転送する。当該ア
ドレス・ラインBSAD00−
BSAD23をメモリをアドレス
するために使用する時、ライン
BSAD00−BSAD03に加え
られる信号は1個の512Kワー
ド・モジユールを選択し、ライ
ンBSAD04−BSAD22に加
えられる信号は当該モジユール
内の512Kワードの中の1ワー
ドを選択する。そして、ライン
BSAD23に加えられる信号は
当該選択されたワード内の1バ
イトを選択する(例えば、
BSAD23=1の時右バイト;
BSAD23=0の時右バイトを
選択する)。このアドレス・ラ
インBSAD00−BSAD23を
照合に用いる時、ラインBSAD
00−BSAD07は使用されな
い。ラインBSAD08−BSAD
23は前のメモリ読出しリクエ
ストの期間中受信ユニツトの照
合子を制御装置200に伝送す
るために搬送する。 BSAD00 バス・アドレス・パリテ
イ・ラインは2方向性ラインで
あり、ラインBSAD00−
BSAD07に加えられるアドレ
ス信号に対して奇数パリテイを
与える。 データ・ライン BSDT00−BSDT15、 BSDT16−BSDT31 当該2組のバス・デー
タ・ラインは32ビツトまたは2
ワード幅の2方向性パス構造で
あり、制御装置200とバスと
の間でデータまたは照合情報を
転送して動作サイクル機能を実
行する。書込み動作のサイクル
の期間中、当該バス・データ・
ラインはラインBSAD00−
BSAD23に加えられるアドレ
ス信号によつて特定されるメモ
リ・ロケーシヨンに書込むため
の情報を転送する。読出し動作
の第1の半サイクルの期間中、
当該データ・ラインBSDT00
−BSDT15は制御装置200
に照合情報(チヤネル番号)を
転送する。読出し動作の第2の
半サイクルの期間中、当該デー
タ・ラインはメモリから読出さ
れた情報を転送する。 BSDP00−BSDP08、 当該バス・データ・
パリテイ・ラインは2組の2方
向性ラインであり、以下のよう
にコード化された奇数パリテイ
信号を与える: ラインBSDT00−BSDT0
7(左バイト)に加えられる信
号に対してBSDP00=奇数パ
リテイ; ラインBSDT08−BSDT1
5(右バイト)に加えられる信
号に対してBSDP=奇数パリテ
イ; ラインBSDT16−BSDT2
3に加えられる信号に対して
BSDP16=奇数パリテイ; そして、ラインBSDT24−
BSDT31に加えられる信号に
対してBSDP24=奇数パリテ
イ。 制御・ライン BSMREF 当該バス・メモリ・リフ
アレンス・ラインはバスからメ
モリ・制御装置200までのび
ている。当該バス・メモリ・リ
フアレンス・ラインは、真状態
にセツトされると、制御装置2
00に信号を送り、BSAD00
−BSAD23に全てのメモリ制
御装置アドレスが存在し、特定
のロケーシヨン上での書込みま
たは読出し動作を実行している
ことを示す当該バス・メモリ・
リフアレンス・ラインは、偽状
態にリセツトされると、制御装
置200に信号を送り、ライン
BSAD00−BSAD23に制御
装置200ではなく、もう1つ
のユニツトへ送る情報が存在す
ることを示す。 BSWRIT 当該バス書込みラインは
バスからメモリ制御装置200
にのびている。このラインは、
真状態にセツトされ、しかもラ
インBSMREFが真になると、
制御装置200に信号を送り、
書込み動作サイクルを実行す
る。当該ラインは、偽状態にリ
セツトされ、しかもライン
BSMREFが真になると、制御
装置200に信号を送り、読出
し動作サイクルを実行する。 BSBYTE 当該バス・バイト・ライ
ンはバスから制御装置200に
のびている。このラインは、真
状態にセツトされると、制御装
置200に信号を送り、ワード
動作ではなく、バイト動作を実
行させる。 BSLOCK 当該バス・ロツク・ライ
ンはバスから制御装置200に
のびている。このラインは、真
状態にセツトされると、制御装
置200にリクエスト信号を送
り、テストの実行または制御装
置200に含まれているメモ
リ・ロツク・フリツプフロツプ
の状態を変更する。 BSSHBC 当該バス第2半バス・サ
イクル・ラインはユニツトに信
号を送り、前の読出しリクエス
トによりリクエストされた一連
の情報が制御装置200よりバ
スに供給された情報であること
を示すために用いられる。この
場合、制御装置200及び情報
を受けるユニツトの双方とも、
制御装置200が当該転送を完
了するまで、開始サイクルのス
タート時点から全ユニツトに対
してビジーとなる。このライン
はラインBSLOCKと共にメモ
リ・ロツク・フリツプフロツプ
をセツトまたはリセツトするた
めに用いられる。ユニツトが読
出しまたは書込みをリクエスト
しており、ラインBSLOCKが
真で、ラインBSSHBCが真の
とき、ラインBSSHBCは制御
装置200にロツク・フリツプ
フロツプのリセツト信号を送
る。 BSMCLR 当該バス・マスター・ク
リア・ラインはバスから制御装
置200にのびている。このラ
インが真状態にセツトされる
と、制御装置200は内部のバ
ス回路をゼロにクリアする。 BSYELO 当該バス・イエロー・ラ
インは双方向性ラインで、ソフ
ト・エラー状態を明示する。当
該ラインが読出し命令に応答し
て、第2半バス・サイクル期間
中に、真状態にセツトされる
と、転送された情報はうまく訂
正されたことを表示する。 当該ラインは、メモリ読出し
リクエスト期間中真状態にセツ
トされると、読出しリクエスト
が診断命令と解釈されたことを
表示する。 バス・ハンドシエーク/タイミング・ライン BSREQT 当該バス・リクエスト・
ラインは双方向性ラインで、制
御装置200とバスの間にのび
ている。 当該ラインは真状態にセツト
されると、制御装置200に信
号を送り、もう1つのユニツト
がバス・サイクルをリクエスト
中であることを示す。 当該ラインは、偽状態にセツ
トされると、制御装置200に
信号を送り、ペンデングのバ
ス・リクエストがないことを示
す。このラインは制御装置20
0によつて真状態に駆動され、
読出し第2半バス・サイクルを
リクエストする。 BSDCNN 当該データ・サイクル・
ラインは双方向性ラインで、バ
スと制御装置200間にのびて
いる。 当該ラインは、真状態に駆動
されると、制御装置200に信
号を送り、ユニツトがリクエス
トされたバス・サイクルを受け
入れ、もう1つのユニツトに転
送するためにバス上に情報を送
出したことを示す。 制御装置200は当該ライン
を真状態に駆動して、リクエス
トされたデータをユニツトに送
りかえしていることを示す信号
を送出する。これに先立ち、制
御装置200はバス・サイクル
をリクエストし、バス・サイク
ルを許可されている。 BSACKR 当該バス承認ラインは双
方向性ラインで、バスと制御装
置200間にのびている。 当該ラインは、制御装置20
0により2進1にセツトされる
と、信号を送り、読出し第1半
バスサイクルまたは書込みサイ
クル期間中にバス転送を受け入
れていることを示す。読出し第
2半バスサイクル期間中に、こ
のラインは、リクエストを発し
たユニツトによつて2進1にセ
ツトされると、制御装置200
に対し転送受け入れ信号を送
る。 BSWAIT 当該バス待ちラインは双
方向性ラインで、バスと制御装
置200の間にのびている。当
該ラインは、制御装置200に
より真または2進1状態にセツ
トされると、リクエストをして
いるユニツトに信号を送り、制
御装置200がこの時刻に転送
を受け入れることが出来ないこ
とを示す。その後、当該ユニツ
トは、制御装置200が転送を
受け入れるまで、続けてリトラ
イを開始する。制御装置200
は以下の条件のもとに
BSWAITラインを真にセツト
する。 1 初期読出しまたは書込み動
作サイクルを実行していてビジ
ーである。 2 読出し第2半バスサイクル
をリクエスト中である。 3 リフレツシユ動作を行おう
としている。 4 リフレツシユ動作を実行中
である。 5 初期設定モードにあり、ビ
ジーである。 6 ソフト・エラー再書込みサ
イクルを実行中である。 BSWAITラインは、ユニツ
トによつて真または2進1状態
にセツトされると、制御装置2
00に信号を送り、データがリ
クエストしているユニツトで受
信されずに今回のバス動作サイ
クルを終了しなければならない
ことを示す。 BSNAKR 当該バス不承認ラインは
双方向性ラインで、バスと制御
装置200間にのびている。こ
のラインは、制御装置200に
よつて真または2進1状態にセ
ツトされると、信号を送り、特
定の転送を拒否していることを
示す。 制御装置200は以下のごと
くしてラインBSNAKRを真状
態にセツトする。すなわち、 1 メモリ・ロツク・フリツプ
フロツプが2進1にセツトさ
れ、そして、 2 リクエストがロツク・フリ
ツプフロツプをテストし、セツ
トすることである(BSLOCK
が真、BSSHBCが偽)。 全ての他の場合において、メ
モリ・ロツク・フリツプフロツ
プがセツトされると、制御装置
200はBSACKRラインまた
はBSWAITラインを通して応
答を発生するか、応答を発生し
ない。BSNAKRラインがユニ
ツトによつて真に駆動される
と、制御装置200に信号を送
り、データがユニツトによつて
受け入れられずにその動作サイ
クルを終了しなければならない
ことを示す。 タイ・ブレーキング制御ライン BSAUOK−BSIUOK 当該タイ・ブレーキン
グ・ネツトワーク・ラインはバ
スから制御装置200にのびて
いる。これらのラインは制御装
置200に信号を送り、より優
先順位の高いユニツトがバス・
リクエストを行つたか否かを示
す。これらのライン上の信号が
全て2進1になると、制御装置
200に信号を送り、
BSDCNNラインを2進1に駆
動することができるバス・サイ
クルが許可されたことを示す。
これらのライン上のいずれか1
つの信号が2進0になる、制御
装置200に信号を送り、バ
ス・サイクルが許可されず、ラ
インBSDCNNを2進1に駆動
することが禁止されていること
を示す。 BSMYOK 当該タイ・ブレーキン
グ・ネツトワーク・ラインは制
御装置200からバスにのびて
いる。制御装置200はこのラ
インを偽または2進0状態に駆
動してバス・リクエストの優先
順位のより低い他のユニツトに
信号を送る。 第1図のシステムの一般的な説明 第1図はメモリ制御装置(コントローラ)20
0の好適な実施例を示す。メモリ制御装置200
はこの発明の原理を用いて構成されたものであ
る。第1図において、制御装置200がメモリ・
セクシヨン210の2個の256Kワード・メモ
リ・モジユール・ユニツト210−2及び210
−4を制御することがわかる。当該モジユール・
ユニツト・ブロツク210−2及び210−4は
ブロツク210−20及び210−40に対応す
るハイ・スピードのMOSランダム・アクセス・
メモリ集積回路、及びブロツク210−22〜2
10−26及び210−42〜210−46に対
応するアドレス・バツフア回路を含む。各256K
メモリ・ユニツトは第7図により詳細に図示され
ている1ビツト×65Kワード・ダイナミツク
MOS・RAMチツプで構成されている。より特定
すると、第1図において、各22ビツト×256Kワ
ードメモリ・モジユールが88個の1ビツト×
65.536(64K)ワード・チツプを含んでいる。各
チツプ内には256行×256列の蓄積セル・マトリク
スからなる多数の蓄積アレイがある。 制御装置200はタイミング信号を発生する回
路、リフレツシユ動作を実行する回路、再書込み
制御動作を実行する回路、データ転送動作を実行
する回路、アドレス分配及びデコード動作を実行
する回路及びバス・インターフエース動作を実行
する回路を含んでいる。これらの回路は第1図の
色々なセクシヨンの1部として含まれている。 当該セクシヨンはタイミング・セクシヨン20
4、リフレツシユ制御セクシヨン205、ソフ
ト・エラー再書込み制御セクシヨン214、デー
タ制御セクシヨン206、アドレス・セクシヨン
207、読出し/書込み制御セクシヨン208、
データ入力セクシヨン209、バス制御回路セク
シヨン211、メモリ初期設定回路セクシヨン2
12、及びバス駆動/受信回路セクシヨン213
を含んでいる。 バス制御セクシヨン211は論理回路を含んで
いる。当該論理回路はシングル・ワード動作及び
ダブル・ワード動作のためのバス・サイクル・リ
クエストを発生及び受信するための信号を発生す
る。第1図よりわかるように、他のセクシヨンの
回路と同様にこれらの回路はセクシヨン213の
駆動/受信回路を通してバスに接続されている。
セクシヨン213は従来通りのデザインである。
セクシヨン211はタイ・ブレーキング・ネツト
ワーク回路を含んでいる。タイ・ブレーキング・
ネツトワーク回路はバス上のユニツトの物理的位
置に基づいてリクエストの優先順位を決定する。
バスの一番左または底位置に位置するメモリ制御
装置は最も高い優先順位を割り当てられ、一方一
番高いまたはトツプ位置に位置する中央処理ユニ
ツト(CPU)は最も低い優先順位を割り当てら
れる。更に詳細な情報関連バス動作に関しては
1976年12月28日に発行されたU.S.特許No.4000485
を参照することができる。 タイミング・セクシヨン204は、第3図に詳
細に示されている様に、メモリの読出や書込動作
サイクルから、必要な一連のタイミング信号を発
生する回路で構成されている。第1図から分る様
に、このセクシヨンは、セクシヨン205,20
6,207,208,211,214に対する信
号を入力し、出力している。 アドレス・セクシヨン207は、第2a図から
第2c図に詳細に示されている様に、リフレツシ
ユ動作、初期設定、読出書込選択に必要なアドレ
ス信号をデコードし、発生し、分配する回路で構
成されている。セクシヨン207は、信号・ライ
ンBSAD08−BSAD23やアドレス・ライン
BSAD00−BSAD07とBSAP00からのアド
レス信号と、BSMREFラインからのメモリ・リ
フレツシユ制御信号を入力する。その上、セクシ
ヨン207は、セクシヨン204,212,20
5からの制御信号、タイミング信号を入力してい
る。 メモリ初期設定セクシヨン212は、メモリ・
サブ・システムを初期値や設定値にクリヤするた
めの通常の回路で構成されている。 読出・書込制御セクシヨン208は、通常のレ
ジスタや制御回路で構成されている。レジスタ回
路は、BSWRIT、BSBYTEやアドレス・ライン
BSAD23の状態に応じて信号を入力し、記憶す
る。制御回路は、レジスタ回路からの信号をデコ
ードし、セクシヨン204,207,210に印
加する信号を発生し、サブシステムが、読出、書
込や書込サイクル後の読出動作(即ち、バイト・
コマンドのため)の実行するかどうかを決めてい
る。 リフレツシユ・セクシヨン205は、周期的に
メモリの内容をリフレツシユするための回路で構
成されている。セクシヨン205は、セクシヨン
204からのタイミング信号と制御信号を入力
し、セクシヨン204,207,208,212
へ、リフレツシユ命令制御信号を供給している。
詳細については、リフレツシユ命令
(REFCOM)信号を発生する回路が開示されてい
る米国特許第4185323号明細書を参照されたい。 セクシヨン209内の回路ブロツク209−4
は、2つのマルチプレクサ回路と、アドレスレジ
スタから構成され、セクシヨン206からの信号
を入力する様に接続されている。 マルチプレクサ回路は、通常の回路であり、2
組のバス信号ラインBSDT00−15とBSDT1
6−31からデータ・ワードを受取り、出力ライ
ンMDIE000−015とMDIO000−015
を介して、特定のワードを書込動作サイクルの間
に適切なメモリ・モジユールに入力している。即
ち、マルチプレクサ回路は、アンド・ゲート20
9−10で生成される信号MOWTES000によ
り選択的に作動する。その時は、212からの初
期設定信号INITTM310は2進0(言換える
と、初期設定モードでない。)である。アンド・
ゲート209−10は、バス・アドレス・ビツト
22(信号BSA22)の値とメモリ・サブシス
テムが書込動作かどうか(信号BSWRIT)によ
り、信号MOWTES000を発生している。書込
動作中、信号MOWTES000は、適切なデー
タ・ワード(バス・ラインBSDT00−15か
BSDT16−31に供給されているワード)を選
択し、適切なメモリ・ユニツトに印加する。これ
は、書込動作がどんなワード境界でも開始できる
様にしている。 読出期間中、マルチプレクサ回路は、バス・ラ
インBSDT00−15から受取つたモジユール指
定情報をバス・ラインBSAD08−23へ供給す
る様に動作する。これは、バス・ラインBSDT0
0−15に入力されている信号をセクシヨン20
6の偶数データ・レジスタ206−8へ印加して
行われる。次に、バス・ラインBSDT00−15
を経由して出力されたモジユール指定情報が、回
路ブロツク209−4のアドレス・レジスタ・ラ
ツチに入いることになる。これに関しては、本願
発明の理解には関係がないので、ここでは、これ
以上説明しないこととする。 メモリ制御セクシヨン206は、3個の3状態
動作のデータ・レジスタ206−8,206−1
0や、マルチプレクサ回路206−16,206
−18から構成されており、付随している制御回
路により、データをセクシヨン210の偶数・奇
数メモリ・ユニツト210−20や210−40
に対して書込、読出ができる。例えば、2倍長読
取動作サイクルでは、オペランドや命令信号が、
ユニツト210−20と210−40から、偶
数・奇数出力レジスタ206−8と206−10
へ読出される。書込動作サイクル中、バイト・オ
ペランド信号は、セクシヨン209−4を介して
バスから、1対のレジスタ206−8,206−
10の左側の部分へ印加され、セクシヨン210
の偶数又は奇数ユニツトへ書込まれる。 制御装置200は、エラー検出・訂正
(EDAC)回路を有している。各ワードは、16デ
ータ・ビツトと6チエツク・ビツトで構成され、
データ・ワード中の1ビツト・エラーを検出・訂
正でき、又、データワード中の2ビツト・エラー
を検出(訂正はできない)する。EDAC回路は、
2組のEDACエンコーダ・デコーダ回路206−
12と206−14で構成されている。これらの
回路は、1978年2月7日発行の米国特許第
4072853号明細書で公開された回路の構成をとる
ことができる。なお、セクシヨン206は、デー
タ・ラインBSDT00−15から受了し、レジス
タ209−4に保持された識別情報を、アドレ
ス・ラインBSAD08−23を介して返送するこ
とができる。 本願発明においては、ソフト・エラー再書込制
御セクシヨン214は、メモリ・セクシヨン21
0内の各メモリ位置を周期的にアクセスし、各メ
モリ位置から読出しては訂正された情報を再書込
みする回路で構成されており、アルフア粒子やそ
の他のシステムの騒擾により生成したソフト・エ
ラーに対してメモリ210が影響を受けにくくし
ている。第1図に示している様に、セクシヨン2
14は、制御信号をセクシヨン205,212,
213から入力している。このセクシヨンは、制
御信号をセクシヨン204,206,207へ出
力している。 上記のセクシヨンに関する部分は、第2a図か
ら第7図を参照しつつ、次に詳細に説明する。 制御装置のセクシヨンの詳細な説明 ここでは、本願発明の理解に必要と思われるセ
クシヨンのみ説明されている。その他のセクシヨ
ンに関する説明については、関連特許出願や米国
特許第4185323号明細書を参照されたい。 セクシヨン204及びセクシヨン206 図面第3図は、タイミングセクシヨン204を
詳細に説明している。この回路は、入力タイミン
グ・パルス信号TTAP01010とTTAP020
10を通常の図示していない遅延線タイミング発
生回路から入力している。この回路は、米国特許
第4185323号明細書に示されているタイミング発
生回路を使用できる。タイミング発生回路は、信
号MYACKR10が2進“1”に変化するのに反
応して1対の直列に接続された200nsの遅延線か
ら一連のタイミング・パルスを発生する。これら
のパルスは、セクシヨン204によりメモリ動作
サイクルの間、他のセクシヨンのタイミングを設
定する。 又、セクシヨン204は、境界信号MYBNDY
010、アドレス信号LSAD22200とLSAD
22210をセクシヨン207から入力し、ソフ
ト・エラー再書込制御信号ALPCNT010をセ
クシヨン214から入力する。そして、セクシヨ
ン212は初期設定信号INITMM100をセクシ
ヨン204へ出力する。境界信号MYBNDM01
0とソフトエラー再書込制御信号ALPCNT01
0は、ノア・ゲート204−5に印加され、どち
らかが2進1となつた時、信号RASINH010を
2進“0”とする。これに直列に接続されたアン
ド・ゲート204−7は、初期設定信号INITMM
100、図示されていないセクシヨン205内の
回路で発生したリフレツシユ命令信号REFCOM
100の論理積をとり、信号RASINH000を発
生する。ナンド・ゲート204−8は、信号
RASINH000とアドレス信号LSAD22210
の論理積をとり、偶数行ストローブ禁止信号
ERASIH000を発生する。この信号は、アン
ド・ゲート204−10に印加され、アンド・ゲ
ート204−1を介して信号TTAP01010か
ら派生したタイミング信号MRASTT010と論
理積をとる。その結果の出力信号MRASTE01
0は、偶数スタツク・ユニツト210−20の
RASタイミング入力へ印加される。 ナンド・ゲート204−14は、信号RASINH
010とLSAD22200との論理積をとり、奇
数行禁止信号ORASIH000を発生する。この信
号は、アンド・ゲート204−17でタイミング
信号MRASTT010と論理積をとられ、行タイ
ミング信号MRAST0010が生成する。この信
号は奇数スタツク・ユニツト210のRASタイ
ミング入力へ印加される。 第3図に示されている様に、アンド・ゲート2
04−11は、タイミング信号MDECT0010
を、偶数データ・レジスタ206−8の中央部分
のG入力端子へ、リフレツシユ命令がない時(信
号REFCOM=1)に、印加する。同時に、アン
ド・ゲート204−15は、タイミング信号
MDOCT0010を奇数データレジスタの中央部
分のG入力端子へ印加する。遅延線網204−1
9は、アンド・ゲート204−3,204−1
8,204−20に直列に接続されて、タイミン
グ信号MCASTS010を生成する。信号
MCASTS010は、偶数や奇数のスタツク・ユ
ニツト210−20や210−40のCASタイ
ミング入力に印加される。 偶数、奇数データ・レジスタ206−8と20
6は、3状態に動作する。特に、レジスタは、
TT製のSN74S373の様な、D型透過ラツチ回路で
構成されている。レジスタ回路の透過とは、G入
力端子への信号が2進1の間、Q出力端子の信号
はD入力端子に印加されている信号に随つて変化
することを意味する。即ち、G入力端子への信号
が0へ変化する時、Q出力端子の信号は、ラツチ
する。 レジスタ206−8,206−10の出力端子
は、1対のデータ・ワード信号を多重にすること
ができる様に、ワイヤード・オアとして共通に接
続されている。この多重は、第1図に示されてい
るレジスタ206−8,206−10のそれぞれ
の部分の出力制御(OC)入力端子に入力されて
いる信号MDOTSC000,MDOTSC010,
MDRELB000の状態を制御することで行われ
る。この動作は、G入力端子への信号に応動して
作動するレジスタのフリツプフロツプのラツチ動
作とは独立して行われる。 直列に接続されたゲート群204−22から2
04−28は、信号MDOTSC100とMDOTSC
010の状態を制御する。アンド・ゲート204
−22は、読出か書込サイクルの開始時に、タイ
ミング信号DLYINN010とDLY02100を入
力してパルスから識別信号の記憶できる様にして
いる。本願発明の理解には関連がないので、信号
PULS20210は、2進0と考えることができ
る。読出動作中、読出命令信号READCM000
は、2進0にされ、これは、アンド・ゲート20
4−26の出力信号MDOTSC100を2進0と
し、アンド・ゲート204−28の出力信号
MDOTSC010を2進0とする。 信号MDOTSC100は、2進0の時、レジス
タ206−8と206−10の中央部分の内容を
出力端子へ出力可能とする。信号MDOTSC01
0は、2進1のとき、レジスタ206−8と20
6−10の右側部分の内容を出力端子に出力する
ことを禁止する。書込サイクル間、読出命令信号
READCM000が2進1とされている時、アン
ド・ゲート204−26は、信号MDOTSC10
0を2進1としている。一方ナンド・ゲート20
4−28は、信号ALPCNT000が2進1の
時、信号MDOTSC010を2進0とする。これ
により、上記のことと逆の結果が生じる。即わち
信号MDOTSC100は、エネルギ206−8と
206−10の中央部分の内容を出力端子に出力
することを禁止している。同時に、信号
MDOTSC010はレジスタ206−8と206
−10の右側部分の内容を出力可能とする。信号
ALPCNT000が2進0ならば、ナンド・ゲー
ト204−28が信号READCM000に応答し
て、信号MDOTSC010を2進0とすることを
妨げる。従つて、レジスタ206−8と206−
10の右側部分の内容が出力端子に出力されるこ
とが禁止される。 最後に、セクシヨン204は、アンド・ゲート
204−30を含んでいる。このアンド・ゲート
は、遅延線タイミング回路で発生されるタイミン
グ信号DLY400010とDLY220010に
応答して、セクシヨン214のソフト・エラー再
書込制御回路をリセツトするのに使用されるリセ
ツト信号RESET010を出力する。 セクシヨン207 第2図は、アドレス・セクシヨン207の各部
分を図示している。セクシヨン207は、入力ア
ドレス・セクシヨン207−1、アドレス・デコ
ード・セクシヨン207−2、アドレス・レジス
タ・セクシヨン207−4、及びリフレツシユ・
初期設定アドレス・レジスタ入力・セクシヨン2
07−6から構成されている。 セクシヨン207−1及び207−2 入力アドレス・セクシヨン207−1は、バ
ス・アドレス信号BSAD04110とBSAD06
110を入力する1組の手動選択スイツチ・ブロ
ツク207−10を有している。このスイツチ
は、システムが全容量128kメモリ・モジユール
を有している時、256kメモリの上半分、下半分
を選択する上位バス・アドレス・ビツトを選択す
る。メモリ・モジユールが、64kチツプを用いて
構成されている時、上部スイツチは閉状態に置か
れる。これは、アドレス・ビツト4(信号BSAD
04110)を上位バス・アドレスとして選択す
る。14kチツプの場合は、他のスイツチが閉状態
とされ、アドレス・ビツト6を選択する。 メモリ・モジユールは64kチツプを使用すると
されているので、上部スイツチは閉じられ、他の
スイツチは開かれる。その結果得られる上位ビツ
ト信号BSADX6010は、最下位バス・アドレ
ス・ビツト22と21と共に、レジスタ207−12
に記憶される。アドレス・ストローブ信号
ADDSTR000が2進0とされた時、この3信
号がレジスタ270−12に入力される。このこ
とは、メモリが使用中となつた時(バス・サイク
ル又はメモリ・リクエストを受け入れた時)に起
こる。 レジスタ207−12の出力は、2対1マルチ
プレクサ(通常用いられているSN74S157)の入
力として供給される。図示されている様に、セク
シヨン214からの信号APLCNT000はイン
バータ回路207−16で反転され、信号
ALPCNT010として、セクシヨン207−1
4の選択入力端子(G0/G1)に印加される。信号
ALPCNT010が2進0の時、レジスタ207
−12の信号BSAD22210からBSADX62
10が選択されて、回路207−14のY出力端
子に出力される。信号ALPCNT010が2進1
の時、セクシヨン207−6からの信号ARAD2
1010とARADX6010が選択されて、出力
端子Y2とY3に出力され、出力端子Y1は2進
0とされる。 図示されている様に、最下位アドレスビツト信
号LSAD22210とLSAD21210は、2進
デコーダ回路207−20の入力端子に印加され
る。最下位アドレス・ビツト信号LSAD2221
0とインバータ回路207−22からの反転信号
LSAD22200はセクシヨン204と206に
供給される。上位ビツト信号LSADX6210
は、デコーダ回路207−20のゲート作動入力
端子に印加される。反転信号LSADX6200
は、インバータ回路207−31で作成され、ア
ドレス信号LSAD22210とLSAD21210
と共に、デコーダ回路207−31のゲート作動
入力端子に印加される。上位アドレス信号
LSADX6210が2進0の時、デコーダ回路は
作動する。同様に、信号LSADX6210は2進
1の時、デコーダ回路207−31は作動する。 4つのデコード出力DECOD0000から
DECOD3000は、各々、ナンドゲート207
−24から207−26の中に相異なる2つに接
続されている。0デコード信号DECOD0000
0は、0と1のアドレス・ストローブ信号を発生
するナンド・ゲート207−24と207−26
の入力に接続されている。同様に、1デコード信
号DECOD1000は、1と2の列アドレス・ス
トローブ信号を発生するナンド・ゲート207−
26と207−28の入力端子に接続されてい
る。次のデコード信号DECOD2000は、次の
2つの行アドレス・ストローブ信号を発生する2
つのナンド・ゲートの入力端子へ接続されてい
る。最後に、最後のデコード信号DECOD300
0は、3と0の行アドレス・ストローブ信号を発
生するナンド・ゲート207−30と207−2
4に接続されている。同様に、4つのデコード出
力DECOD4000からのDECOD7000は、
ナンド・ゲート207−32から207−38の
相異なる2つに接続されている。 第2図に図示されている様に、ナンド・ゲート
207−24から207−30と207−32か
ら207−38は、全て、ナンド・ゲート207
−39で発生する入力信号OVRDEC000を入
力している。初期設定信号INITMM100又はリ
フレツシユ命令信号REFCOM100が、セクシ
ヨン212又は204内の回路により2進0とさ
れた時、アンド・ゲート207−39は、信号
OVRDEC000を2進0とする。これにより、
全てのデコード信号(信号DRAST0010から
DRAST7010)を2進1とし、初期設定作動
モード期間中、8つのメモリ位置に同時に書込動
作する様に、又は、リフレツシユ・モード期間
中、リフレツシユ動作する様にしている。偶数行
アドレス・ストローブ信号DRAST0010と
DRAST2010は、偶数スタツク・ユニツト2
10−20のRAMチツプに印加される。奇数行
アドレス・ストローブDRAST1010と
DRAST3010は、奇数スタツク・ユニツト2
10−40のRAMチツプに印加される。 セクシヨン207−4 第2図に示されているアドレス・レジスタ・セ
クシヨン207−4は、第1図のバス・レシーバ
回路ブロツクを介して印加されるバス・アドレス
信号BSAD05210からBSAD20210を受
け、行アドレス・レジスタ207−40と列アド
レス・レジスタ207−41のそれぞれの入力と
している。又、第2図に図示されている様に、こ
のセクシヨンは、セクシヨン207−6から入力
を受け、リフレツシユ・アドレス・レジスタ20
7−42と書込アドレス・レジスタ207−43
のそれぞれの入力としている。レジスタ207−
40と207−41のゲート作動入力端子は、セ
クシヨン204からのメモリ・ビジー信号
MEMBUZ010に接続されている。レジスタ2
07−42と207−43のゲート作動入力端子
は、+5V電源に接続されている。行アドレス・レ
ジスタ207−40のOC入力端子は、信号
INITMM000,REFCOM000,MCASTT0
10に応答して、アンド・ゲート207−44、
インバータ回路207−46及びナンド・ゲート
207−47によつて作成されるタイミング信号
MRASCT000を入力する様に接続されてい
る。列アドレス・レジスタ207−41のOC入
力端子は、信号INTREF000とMCASTT01
0に応答しナンド・ゲート207−48、ナン
ド・ケード207−50で作成されるタイミング
信号MCASCT000を入力する様に接続されて
いる。信号INTRFE000は、信号INITMM00
0,REFCOM000,ALDCNT000を受け
て、直列に接続されたアンド・ゲート207−4
4と207−48で作成される。リフレツシユ・
アドレス・レジスタ207−42のOC入力端子
は、信号INTREF000,MCASTT010,
MCASTT010及びINITAL110に応答し
て、ナンド・ゲート207−49、ナンドゲート
207−51、インバータ回路207−45で作
成される制御信号MREFCT000を入力する様
接続されている。 アドレス・レジスタ207−40から207−
43は、各々、前述したSN74S373の様なD型透
過ラツチ回路で構成されている。第2図に示され
ている様に、各組のレジスタのそれぞれのアドレ
ス出力端子は、ワイヤード・オアを構成する様に
共通に接続されており、このアドレス信号を多重
化できる様にしている。前述した様に、この様な
多重化は、レジスタ207−40から207−4
3の出力制御(OC)入力端子へ印加されている
信号の状態を制御することにより行われる。 特に、出力制御(OC)端子は、回路207−
44から207−51で制御される所謂3状態動
作で作動する様にしている。信号MRASCT00
0,MCASCT000,MREFCT000及び
MWRTCT000の各々が2進1の時は、この信
号により、アドレス信号がレジスタのQ出力端子
に出力されることを禁止している。前述した様
に、この動作は、レジスタのフリツプフロツプの
ラツチ動作により行つている。 又、回路部207−4は、通常の4ビツト2進
全加算回路207−54を有している。この加算
回路207−54は、下位アドレス・ビツト17か
ら20を1づつ増加する様に接続されている。詳細
に説明すると、入力端子A1−A8は、信号
MADD00010からMADD03010を入力
している。2進0信号が、入力端子B1−B8に
入力されている。アンド・ゲート207−56
は、最下位アドレス信号LSAD22210と
LSAD21210、信号INTREF000及びタイ
ミング信号DLY060010の状態により、桁
上げ信号MADDUC010を発生する。 増加された出力信号MADD00111から
MADD03111は、アツダー・サム端子S1
−S8に出力され、アドレス・バツフア回路21
0−26を介して、第7図の偶数スタツクRAM
チツプに印加される。同様なことは、信号
MADD04010からMADD07010にもあ
てはまる。第7図の偶数スタツクRAMチツプ
は、アドレス・バツフア回路210−40を介し
て、アドレス信号MADD0010からMADD0
7010を入力する様に接続されている。 セクシヨン207−6 リフレツシユ及び初期設定レジスタ入力セクシ
ヨン207−6は、セクシヨン207−4のリフ
レツシユ及び書込アドレス・レジスタに印加され
るアドレス値を生成するリフレツシユ・カウンタ
及び書込アドレス・レジスタを有している。図示
されている様に、リフレツシユ・カウンタ回路
は、2つの直列接続された2進カウンタ207−
60と207−61を有しており、74LS393型の
集積回路で構成されている。カウンタ207−6
0は、クロツク信号RADDUC000を入力して
いる。このクロツク信号は、信号ALPHUC01
0,INITMM100,REFCOM000及び
MCASTT010を受けて、反転回路207−6
7、オア・ゲート207−66及びアンド・ゲー
ト207−65,207−68で生成される。カ
ウンタは、双方とも、セクシヨン212からクリ
ヤ信号MYCLRR010を入力する。 書込カウンタも同様に、2つの直例接続された
2進カウンタ207−62及び207−63で構
成されており、リフレツシユ・カウンタ回路から
のREFAD8010で駆動されている。カウンタ
は、双方とも、信号MYCLRR000及び
PWONLL010を受けて、ナンド・ゲート20
7−69で生成されるクリヤ信号MYCLRR11
0を入力している。 回路は、カウンタ207−63の追加段として
作動するD型フリツプフロツプ207−71を有
している。フリツプフロツプ207−71は、イ
ンバータ回路207−72からの最上位書込アド
レス・ビツト信号WRATA7010の反転信号
WRITA7100を入力する様に接続されてい
る。最初は、信号WRITA7010は2進0で、
信号WITA7100は2進1である。電源投入
時、D型フリツプフロツプ207−71は信号
MYCLRR100によりクリヤされる。信号
WRITA7010が、最初のパスの終りに2進1
に変化した時、信号WRITA7100は2進1か
ら2進0へ変化するが、フリツプフロツプ207
−71の状態には影響がない。第2パスの終了
後、信号WRITA7010は2進1に戻り、従つ
て信号WRITA7100は、フリツプフロツプ2
07−71を2進0から2進1に変化させる。こ
の時、信号MADROL000は、2進1から2進
0に変化する。信号MADROL000はセクシヨ
ン212に供給され、初期設定動作の完了を知ら
せるのに使用される。フリツプフロツプ207−
71は、プリセツト端子、D入力端子それぞれ印
加されている信号PWONLL010及び+5V信号
で作動する。又、ナンド・ゲート207−70
は、信号MYCLRR100を、セクシヨン212
からの信号PWONLL300及びPWONLL010
応答して、クリヤ入力端子に印加する。 第2図に示されている様に、セクシヨン207
−6は、2進カウンタ207−64を有してい
る。このカウンタは、書込アドレス・カウンタ2
07−63からの信号WRITA7010を入力す
る。又、ナンド・ゲート207−69からのクリ
ヤ信号MYCLRRも入力する。ここで説明してい
る様に、このカウンタは、リフレツシユ及び初期
設定回路を補い、ソフト・エラー再書込制御回路
の一部を構成している。 読出/書込制御セクシヨン208 セクシヨン208の回路の一部は、第5図に詳
細に図示されている。後述の様に回路208は、
レジスタ208−10と回路208−12から2
08−45で構成されている。レジスタ208−
10は、読出/書込命令を示す信号BSWRIT1
10及びバス・1ビツト・エラー状態を示す信号
BSYEL0110を蓄える。これらの信号は、セ
クシヨン211からの信号MYACKR010が2
進1に変化する時にラツチされる。信号
REFCOM000,INITMM000又はBSMCLR
000のいずれかが2進0に変化すると、アン
ド・ゲート208−12は、信号CLRMODを2
進1とし、レジスタ208−10を2進0状態に
クリヤする。 書込モード信号LSWRIT010及びエラー状
態信号LSYEL0010は、セクシヨン211に
入力する。読出モード信号READMM010は、
セクシヨン214からの初期設定信号INITAL0
00をも入力しているアンド・ゲート208−1
4に入力する。 アンド・ゲート208−14は、読出命令(信
号READMMが2進1)を受けて、システムが初
期設定されていない時、又は、ソフト・エラー再
書込サイクル動作を実行中でない(信号INITAL
000が2進1)時、信号READMI010を2
進1とする。信号READMI010が2進1の
時、ノア・ゲート208−40は読出命令信号
READCM000を2進0とする。アンド・ゲー
ト208−42は、信号READCM000を受け
て、信号READCM100を2進0とする。1対
のアンド・ゲート208−23及び208−25
は信号MEREAD010及びMOREAD010を
2進0とする。これらの信号は、偶数及び奇数ス
タツク・ユニツト210−20,210−40の
読出/書込制御ラインに入力される。しかし、信
号は、第7図に示されている様に、ユニツト21
0−20及び210−40中の回路により反転さ
れて、ユニツトを構成する集積回路に入力され
る。 ノア・ゲート208−40への他の入力信号
は、部分書込信号PARTWT010である。米国
特許第4185323号で説明されている様に、2サイ
クル動作が必要であるバイト書込や初期設定の様
なメモリ動作がある。同様のことは、再書込サイ
クル動作にもあてはまる。前述した様に、初期設
定や再書込動作の場合、信号INITAL000は2
進0とされる。これは、バスに入力される命令を
無効とする効果がある。スタツク・ユニツト21
0−20と210−40に印加される読出/書込
命令信号MEREAD10とMOREAD010は、
信号PARTWT010により生成される。信号
PARTWT010は、第1のサイクルの終了まで
2進1に保持され、第2のサイクルを開始させ
る。このサイクル中に、第1のサイクルと同様の
タイミング信号がセクシヨン204で生成され
る。第1のサイクル中、読出/書込命令信号は2
進0とされ、第2サイクル中、同信号は2進1と
される。信号PARTWT010は、D型フリツプ
フロツプ208−16とそれらの入力回路208
−17から208−26によつて生成される。フ
リツプフロツプ208−16がスイツチング可能
となるのは、リフレツシユ命令信号MPULSE0
10、バイト書込信号BYWRIT100と
BYWRIT200及び再書込フエイズ2信号
ALPHA2000を入力して、アンド・ゲート2
08−17,208−26,208−27,20
8−28及びナンド・ゲート208−18,20
8−19,208−20により、プリセツト入力
端子に印加されている信号PWTSET000が2
進0とされる時である。これにより、フリツプフ
ロツプ208−16は2進1に変化できる。フリ
ツプフロツプ208−16は、反転回路208−
21を介してクロツク入力端子に印加されている
信号DLYW02000により2進0状態へ変化
する。+5V信号はフリツプフロツプ206−18
のクリヤ入力端子に印加され、リセツトすること
を妨げている。同様に、上述の様に、部分書込信
号PARTWT010は、2進1とされて、上記の
動作と共に、本願発明の各ソフト・エラー再書込
動作の実行に必要な書込サイクル動作を開始する
前に、読出サイクル動作を開始させる。第1図に
示す様に、部分書込信号PARTWT010は、レ
ジスタ206−8と206−10の右側部分のG
入力端子に印加される。信号PARTWT010
は、2進1の時、EDAC回路206−12と20
6−14からの出力信号の蓄積を可能とする。 ノア・ゲート208−40に入力している他の
信号MEMNUZ000とRECOM110は、メモ
リ・サイクル動作の開始前及びリフレツシユ・サ
イクル間のそれぞれに2進1とされる。第5図か
ら分る様に、書込サイクル動作期間中、信号
WRITCTが、セクシヨン204により2進0と
されている時に、反転回路208−15で生成さ
れる信号WRITCT110は、アンド・ゲート2
08−40により、信号READCM100を2進
1へ変化させる。これにより、アンド・ゲート2
08−23及び208−24は、信号MEREAD
010及びMOREAD010を2進1とし、スタ
ツク・ユニツト210−20及び210−40が
書込サイクル動作を実行中であることを示す。こ
の時、セクシヨン212からの電源投入信号PW
5ASD000は通常2進1である。一方書込失
敗信号EWRITA000及びOWRITA000は、
エラー状態でない時、2進1である。 第5図に示されている様に、信号EWRITA0
00及びOWRITA000は、フリツプフロツプ
208−44及び208−45から出力される。
これらのフリツプフロツプは、EDAC回路206
−12及び206−14から、入力として、信号
MDIEWE010及びMDIOWE010を受けと
る。これらの信号の状態は、信号PAWTWT01
0が2進1から2進0へ変化した時に、フリツプ
フロツプ208−44及び208−45に蓄積さ
れる。フリツプフロツプ208−44及び45
は、メモリが作動中でない時(信号MEMBUZ0
00が2進1の時)やクリヤされた時(信号
BSMCLR210が2進1の時)に、ノア・ゲー
ト208−46により0にクリヤされる。 メモリ・ユニツト210−20及び210−40
(第7図) 前に述べた様に、ユニツト210−20と21
0−40の偶数ワード及び奇数ワードのスタツク
が第7図に詳細に示されている。このスタツク
は、22個の64k×1ビツトRAMチツプ4列で構成
されている。各64kチツプは2つの32、768ビツ
トの記憶素子配列で構成されている。各記憶素子
配列は、128行128列のマトリクスで構成されてお
り、256個のセンス増幅器1組に接続されてい
る。他の64kチツプ構成も、使用できる。メモ
リ・チツプとそれと共に使用されるゲート回路
は、付属基板上に配置されている。各付属基板
は、セクシヨン208からの読出/書込命令信号
をそれぞれ入力する2個の反転回路210−20
3,210−207、セクシヨン204からの行
及び列タイミング信号、及びセクシヨン207か
らの行デコード信号を入力する4個の2入力ナン
ド・ゲート(210−200から210−20
6,210−400から210−406)を含ん
でいる。チツプの端子は、本発明の理解に関連の
あるもののみ図示している。他の端子は、図示し
ていないが、通常用いられる様に接続されてい
る。詳細については、関連出願である、本願と同
じ譲渡人に譲られた、米国出願第921292号(1978
年7月3日)の「巡環チツプ選択方法及び回路」
(発明者チエスター・M・ニビイ及びウイリア
ム・パネピントJr)を参照されたい。 初期設定セクシヨン212 第6図は、セクシヨン212の初期設定論理回
路を詳細に示している。図示されている様に、回
路は、電源投入レジスタ・フリツプフロツプ21
2−12、初期設定モード・フリツプフロツプ2
12−14及びクリヤ・フリツプフロツプ212
−16で構成されている。フリツプフロツプは全
てD型フリツプフロツプである。電源投入フリツ
プフロツプ212−1は、直列接続された抵抗2
12−2を介して、バス上の電源投入信号
BSPWON010を、クロツク入力端子に入力し
ている。+5V信号PWONRC010は、電源が投
入された時、直列接続された抵抗212−4を介
して、フリツプフロツプ212−1及び212−
12のクリヤ入力端子に印加される。抵抗−コン
デンサ・フイルタ網は、抵抗216−6及びコン
デンサ213−8で構成され、クリヤ入力端子に
並列に接続されている。 2進1出力信号PWONLL010は、6個の直
列接続された反転回路で構成された遅延回路21
2−10の入力に印加されている。遅延回路21
2−10の出力信号PWONLL010は、フリツ
プフロツプ212−12のD入力端子に印加され
る。信号PWONLL010が2進1に変化したの
に伴ない、信号PWONLL010が2進1となつ
た時、フリツプフロツプ212−12は信号
REFCOM210の立上りで、2進1状態へ変化
する。クリヤ・フリツプフロツプは、信号
MYPWON010及びREFCOM210に応答し
て、信号MYCLRR010を2進1へ変化させ
る。フリツプフロツプ212−12の2進1出力
信号は、初期設定モード・フリツプフロツプ21
2−14とクリヤ・フリツプフロツプ216−1
6のクロツク入力端子へ印加される。信号
MYPWON010の状態の変化は、フリツプフロ
ツプ212−14と212−16とを2進1に変
化させる。REFCOM210は、フリツプフロツ
プ212−16を2進0へクリヤする。 これらのフリツプフロツプからの2進1及び2
進0の出力信号は、遅延回路212−10で生成
される信号PWONLL300と共に、反転回路2
12−18,212−20及び212−22を介
して、セクシヨン205,207,209へ出力
される。初期設定モード・フリツプフロツプ21
2−16は、セクシヨン207の回路が信号
MADROL000を2進0とした時、2進0へ変
化する。 ソフト・エラー再書込み制御セクシヨン214 第4図は、本願発明の最適な実施例であるソフ
ト・エラー再書込み制御回路の詳細を示す図であ
る。セクシヨン214は、カウンタ・セクシヨン
214−1及びサイクル位相制御回路セクシヨン
214−2より成つている。カウンタ・セクシヨ
ン214−1は、メモリ中のすべてのロケーシヨ
ンがアクセスされるように、ソフト・エラー再書
込みサイクル動作を実行するサイクル・タイミン
グを設定する。セクシヨン214−2は、夫々の
動作の位相を定めることに使われる制御信号を発
生する。 より詳細には、カウンタ・セクシヨン214−
1は、直列に接続された3位の2進カウンタ21
4−10,214−12そして214−14、ナ
ンド・ゲート214−16及び反転回路214−
18より成つている。74LS393タイプのチツプで
構成されているカウンタ214−10〜214−
14は、信号REFCOM100に応答して、各々
のリフレツシユ・サイクルの終わりに1だけ歩進
させられる。このようにして、カウンタ動作は、
リフレツシユ・カウンタ回路と同期させられる。
カウンタの夫々の段から出力される11個のカウン
ト出力は、ナンド・ゲート214−16に印加さ
れる。このゲート214−16は、カウンタによ
り生成されたカウント値を監視すると共に、カウ
ンタの値が予じめ定められている値に達するたび
に、命令信号ALPCOM000を2進0にする。
この予じめ定められたカウントは、正規のメモリ
動作との干渉が最小となる速度でメモリからソフ
ト・エラーを排除する値となるように選択されて
いる。この速度は、2047回のリフレツシユ・サイ
クルまたはカウント後に再書込みサイクルが実行
できるような速度である。それ故、2時間の期間
以内に、発生するアルフア粒子による汚染または
その他の雑音信号による妨害効果は、512000個の
メモリ・ロケーシヨンから取り除かれる。 第4図からわかるように、反転回路214−1
8は、セツト信号ALPSET110を発生するた
めに、命令信号ALPCOM000を反転する。こ
のセツト信号ALPSET110は、2進カウンタ
214−10〜214−14のクリア入力端子及
びセクシヨン214−2のナンド・ゲート214
−21の入力端子に印加される。信号ALPSET
110が2進1にされる時、カウンタ214−1
0〜214−14は、新しいカウントの始動のた
めに、すべて2進0にされる。 第4図からわかるように、セクシヨン214−
2は、直列に接続された3個の位相制御D型フリ
ツプフロツプ214−24〜214−26、サイ
クル停止D型フリツプフロツプ、そしてそれらに
関係する入出力ゲート及び図示のように接続され
ている反転回路214−30〜214−36より
成つている。各々のフリツプフロツプ214−2
4〜214−26は、セクシヨン212の回路に
より発生された電源投入信号PWONLL010に
応答して(即ち、電源投入信号PWONLL010
が2進0の時)2進0にクリアされる。バス・ク
リア信号BSMCLR200が2進0にされる時、
サイクル停止フリツプフロツプ214−27は、
2進0の状態にリセツトされる。 初期設定動作が実行されていない時(即ち、信
号INITMM100が2進1の時)ナンド・ゲート
214−21は、2進1に設定されている信号
ALPSET110に応答して、位相1フリツプフ
ロツプ214−24を2進1に変える。このフリ
ツプフロツプ214−24は、2進1の状態にあ
る時、再書込みサイクル中のリフレツシユ部分を
定める。2進0の出力信号ALPHA1000は、サイ
クル停止フリツプフロツプ214−27のプリセ
ツト端子に印加される。このことにより、フリツ
プフロツプ214−27は、2進1の状態に変え
られる。 メモリ・ビジー信号MEMBUZ000は、リフ
レツシユ命令に応答して(即ち、信号REFCOM
110が2進1に変わる時)2進0に変えられ
る。リフレツシユ・サイクルの終り、即ち、メモ
リ・ビジー信号が2進0から2進1に変わる時、
信号ALPHA1010は、位相2フリツプフロツ
プ214−25を2進1に変える。このことによ
り、信号ALPHA2000は、2進0に変えら
れ、更に、この2進0により、位相1フリツプフ
ロツプ214−24は、アンド・ゲート214−
30を介して、2進0状態にリセツトされる。位
相2フリツプフロツプ214−25は、2進1の
状態にある時、再書込みサイクル・シーケンスの
読出し部分を定める。 2進1の出力信号ALPHA2010は、位相3
フリツプフロツプ214−26の入力端子Dに印
加される。パルス信号RRESET010が、読出
しサイクル動作の終わりに、セクシヨン204の
回路によつて発生される時、パルス信号
RRESET010の後縁によつて、フリツプフロ
ツプ214−26は、2進1状態に変えられる。
2進0出力信号ALPHA3000は、2進0に変
えられると、アンドゲート214−31を介し
て、位相2フリツプフロツプ214−25を2進
0にリセツトする。位相3フリツプフロツプ21
4−26の2進1状態は、再書込みサイクルの書
込み部分を定める。書込みサイクルの終りに、信
号ALPHA2010が2進0であるので、パルス
信号RRESET010は位相3フリツプフロツプ
214−26を2進0状態に変える。 位相2フリツプフロツプ214−25若しくは
位相3フリツプフロツプ214−26のいずれか
2進1の時、アンド・ゲート214−32に印加
されている信号ALPHA2000若しくは信号
ALPHA3000は信号ALPCNT000を2進0
にする。信号ALPCNT000が2進0にされた
時、セクシヨン207の回路は再書込みカウンタ
からアドレス信号を選択し、再書込みサイクル・
シーケンスの読出し及び書込み期間中にそれらを
デコードする。更に、信号ALPCNT000によ
つてアンド・ゲート214−33は信号INITAL
000を2進0にする。信号INITAL000が2
進0になると、セクシヨン208の回路が、再書
込みサイクルの読出し及び書込み期間中には、バ
ス命令を受け付けないようにする。 更に、信号INITMM100とREADCM000
との双方が2進1である時、アンド・ゲート21
0−38は信号INITOR000を2進1にする。
信号INITOR000と反転回路214−35によ
り反転された信号ALPCNT010との双方が2
進0にされた時、ナンド・ゲートにより、信号
MDRELB000は、2進0にされる。第1図か
らわかるように、信号MDRELB000はレジス
タ206−8と206−10の右側のセクシヨン
のOC端子に印加される。信号MDRELB000が
2進0の時、これらのレジスタの内容はレジスタ
の出力端子に出力される。位相3フリツプフロツ
プ214−26が2進0にリセツトされ、信号
ALPHA3000が2進0から1に変わると、停
止サイクルフリツプフロツプ214−27は、2
進0にされる。このことにより、セクシヨン20
7のカウンタ回路を1づつ順次に歩進させるオ
ア・ゲート214−34により発生されたアツ
プ・カウント信号状態が変化する。オア・ゲート
214−34は、また、信号REFCOM110に
応答して、リフレツシユ・サイクルの終りに歩進
信号を発生する。 動作の説明 第1図〜第7図を参照することにより、本願発
明の最適な実施例の動作が、第8図a〜第8図c
に図示されているタイミング・ダイヤグラムを用
いて説明されよう。本願発明の動作を正しく認識
するために、いかにしてリフレツシユ回路と初期
設定回路とが、リフレツシユ動作と初期設定動作
を実行するかを説明することが有用であると思わ
れる。 動作の1例を議論する前に、第9図を参照しよ
う。第9図は、夫々のメモリ読出しまたは書込み
要求の一部として、メモリ・サブシステムに供給
されるメモリ・アドレスのフオーマツトを示す。
高位桁のすなわち最上位のビツト部分は、リクエ
ストを処理するメモリ・モジユール/制御装置を
指定するためにコード化される。アドレス・ビツ
ト4は、アクセスされている制御装置メモリの上
部半分または下部半分のどちらか(すなわち
256k)を選択するために使用される。これらの
アドレス・ビツトは、制御装置200の回路によ
り処理され、RAMチツプには供給されない。 アドレス・ビツト5〜20は、アドレスされる複
数のRAMチツプ中の22ビツトの記憶ロケーシヨ
ンを決める。 ここに詳細に説明されるように、これらの16ビ
ツトのアドレス・ビツトは、2個の8ビツトのア
ドレス入力として多重化され、ブロツク210−
16及び210−46として示されているアドレ
ス・バツフア回路を介して、第7図に示されてい
る複数のRAMチツプの夫々のアドレス入力端子
A0〜A7に印加される。 下位アドレス・ビツト21〜22は、複数のRAM
チツプのどの行をアドレスするかを決めるために
コード化される。ここで議論されるように、これ
らのビツトは、デコードされ、そして1組の行ア
ドレス・ストローブ信号(RAS信号)を発生す
るために使われる。 これらのRAS信号は、8ビツトの行アドレス
を各々のメモリ・スタツク中の複数のRAMチツ
プの所望の行へラツチする。 第8a図は、第1図に示されているセクシヨン
205のリフレツシユ回路によるリフレツシユ・
サイクル動作の実行中、必要とされる夫々のタイ
ミング信号を図式的に説明する。前に議論したよ
うに、これらの回路は米国特許第4183323号明細
書に開示された回路の形をとる。回路205は、
リフレツシユ・サイクル動作を実行する。リフレ
ツシユ・サイクル動作は、制御装置200がメモ
リ・サイクルを実行していない時、いかなるメモ
リ・サイクルのためにも待機していない時、また
はメモリ・サイクルを要求していない時、生起す
る。リフレツシユ・サイクルは、メモリ・システ
ムの全ての行/列をリフレツシユするために定め
られた4ミリ秒の時間にわたつて分配されるとい
うことが認識されよう。64KのMOSチツプの場
合、256回のサイクルが、チツプのすべてのセル
をリフレツシユするために必要である。本願発明
のシステムに於いては、1個のリフレツシユ・サ
イクルは、30+1秒のパルス幅を有するパルス信
号CORREF000により、15マイクロ秒毎に開
始させられる。信号CORREF000は、次に、
150+1秒のパルス幅を有するフアイン・リフレ
ツシユ・タイミング・パルス信号FINREF000
を発生させる。信号FINREF000は、リフレツ
シユ命令フリツプフロツプを2進1に変える。第
8図aからわかるように、結局、信号REFCOM
010は、2進1にされる。このようにして、リ
フレツシユ命令信号の反転信号REFCOM000
は、2進0に変化する。 第2図を参照することにより、信号REFCOM
000により、ナンド・ゲート207−49がリ
フレツシユ信号MREFCT000を2進0にする
ということがわかる。2進0の信号MREFCT0
00が、リフレツシユ・アドレス・レジスタ20
7−42の出力制御端子OCに印加されると、レ
ジスタ207−42は、リフレツシユ・アドレス
内容を第7図に図示されている偶スタツク・ユニ
ツト210−20と奇スタツク・ユニツト210
−40に供給する。同時に、リフレツシユ命令信
号REFCOM100により、第3図に図示されて
いるタイミング回路204は行アドレス・タイミ
ング信号MRASTE010とMRAST0010を
発生させる。この時、信号REFCOM100は最
低位桁アドレス・ビツトLSAD22の状態を無効
にする。更に、第2図からもわかるように、信号
REFCOM100が2進0である間、アンド・ゲ
ート207−39は信号OVRDEC000を2進
0にする。このことによりすべてのデコードされ
た行ストローブ信号が無効にされるので、すべて
の行アドレス・ストローブ信号DRAST0010
〜DRAST7010は2進0にされる。このこと
により、リフレツシユ・アドレス内容は、第7図
に図示されている複数のRAMチツプの夫々の行
に格納される。 この結果、第7図に示されているユニツト21
0−20と210−40に含まれている複数の
RAMチツプの各々の行は、RAMチツプのロケー
シヨン内のアドレスされた8行に対する読出し動
作が実行された結果、リフレツシユされる。即
ち、セクシヨン208からの信号MEREAD01
0とMOREAD010は、2進0であり、これら
2進0の信号により、第7図に示されている複数
のRAMチツプは、読出しサイクル動作を実行す
る。この結果、リフレツシユ命令信号REFCOM
110により第5図に示されている回路は信号
MEREAD010とMOREAD010を2進0に
保持する。この以前には、信号MEMBUZは、2
進1であり、この2進1の信号MEMBUZは信号
MEREAD010とMOREAD010を2進0に
していた。 第3図より、リフレツシユ命令信号REFCOM
100がCAS(列アドレス・ストローブ)タイ
ミング信号と信号MDOECT000及び信号
MDOOCT000の発生を禁止するということが
わかろう。このことにより、第1図に図示されて
いる出力レジスタ206−8と206−10への
情報の読出しばかりでなく、スタツク・ユニツト
210−20と210−40内のロケーシヨンへ
の情報の書込みが、禁止される。 リフレツシユ・サイクル動作の終わりはパルス
信号REFRES000の前縁により示され、信号
REFRES000はリフレツシユ命令フリツプフ
ロツプを2進0にリセツトする。このことによ
り、信号REFCOM010は、2進0にされる。
信号REFCOM010の後縁により、第2図に示
されているアンド・ゲート207−68は信号
RADDUC000を2進0から2進1にする。信
号RADDUC000により、リフレツシユ・カウ
ンタ207−60のアドレス内容は1づつ歩進さ
せられる。このアドレスの変化は、第8図aに示
される如く、信号MADDXXの変化により、リフ
レツシユ・アドレス・レジスタ207−42に転
送される。 8ビツト・カウンタ207−62は、制御装置
200が初期設定モードで動作することを可能に
するリフレツシユ・カウンタ207−60に加算
される。カウンタ207−62は、制御装置20
0が初期設定モード動作にある時(即ち、信号
INITMM010が2進1である時)、アドレスさ
れた記憶ロケーシヨンに“0”を書込むために必
要なCASアドレスを供給する。 第8b図は、メモリ初期設定セクシヨン212
の回路と第2図の書込みアドレス・カウンタ回路
による初期設定サイクル動作の実行中、必要とな
る夫々の信号を図式的に説明する。見られるよう
に、電源が投入されると、バス電源投入過渡状態
が作り出され、その結果、信号BSPWON010
は、2進1に変わる。第6図からわかるように、
この状態変化は、フリツプフロツプ212−1に
ラツチされる。即ち、フリツプフロツプ212−
1は、信号PWONLL010を2進1に変える。
信号PWONLL010は、回路212−10によ
り遅延させられた後、フリツプフロツプ212−
10を2進1に変える。第8b図からわかるよう
に、初期設定モード・フリツプフロツプ212−
14は、リフレツシユ命令信号REFCOM110
に応答して、2進1に変わる。この以前には、第
2図に図示されているフリツプフロツプ207−
71からの信号MADROL000は、信号
RWONLL300により、2進1に変えられてい
た。このことにより、初期設定モード・フリツプ
フロツプ212−14は、2進0状態にクリアさ
れていた。 リフレツシユ命令信号REFCOM110は、前
に記載された方法で発生される。第5図に図示さ
れている読出し/書込み制御セクシヨン208の
回路は、部分的書込み信号PARTWT010を2
進1に変えるということに注意しよう。即ち、ア
ンド・ゲート208−18により、信号
REFCOM110とINITMM010は、信号
PWTSET200を2進1に変える。このことに
より、フリツプフロツプ208−16は、タイミ
ング信号DLYW02000の発生と共に2進1
に変わる。 タイミング・セクシヨン204の図示されない
タイミング発生回路により発生された第8b図に
示される2つのサイクルのうちの最初のサイクル
の間、8行の記憶ロケーシヨンをリフレツシユす
る動作が実行可能となるように、2進1の信号
RARTWT010によりアンド・ゲート208−
42は信号MEREAD010とMOREAD010
を2進0に保持する。即ち、リフレツシユ命令信
号REFCOM110が2進1に変えられることに
より、タイミング発生回路は最初のサイクルのタ
イミング・パルス列を発生する。この結果、信号
DLYINN0010は、2進1に変えられる。信号
PARTWT010は2進1にとどまり、この最初
のサイクルの終わりに、信号DLYINN010は、
2進1に変えられる。このことにより、最初に発
生されたものと同じタイミング信号列が発生され
る。信号PARTWT010が2進1に変えられる
のに先立ち、信号MEREAD010とMOREAD
010は、信号MEMBUZ000とREFCOM01
0が2進1にされている故に、2進0になつてい
る。 上記に記載された如く、リフレツシユ・サイク
ル動作の間、リフレツシユ命令信号により、リフ
レツシユ・アドレス・レジスタ207−42はリ
フレツシユ・アドレス内容を奇及び偶スタツク・
ユニツト210−20と210−40に供給し、
タイミング回路204は行アドレス・タイミング
信号MRASTE010とMRASTO010を発生
し、そしてすべてのデコードされた行ストローブ
信号を2進1にする。上記に記載された結果によ
り、第7図に図示された複数のRAMチツプの8
行の記憶ロケーシヨンは、リフレツシユされる。 制御装置200が初期設定モードにあるので、
信号INITMM100は、第2図のアンド・ゲート
がリフレツシユ・サイクルの終わりにリフレツシ
ユ歩進信号RADDUC000を2進1にすること
を禁止する。それ故に、リフレツシユ・アドレ
ス・カウンタ207−60と207−61の内容
は、不変にとどまる。 第8b図からわかるように、RAS及びCAS両
タイミング信号が発生される間に、次のサイクル
が始まる。それによつて、第7図の複数のRAM
チツプの夫々の8行の記憶ロケーシヨンに2進0
情報を書込むことが可能となる。即ち、第3図か
らわかるように、初期設定信号INITMM100が
2進0にされると、タイミング信号MRASTE0
10とMRAST0010の発生が可能となる。第
8b図と第3図よりわかるように、タイミング回
路204は、この時信号REFCOM100が2進
1であるので、信号MCASTS010を発生す
る。前に記載された方法で、リフレツシユ・アド
レス・レジスタ42のリフレツシユ・アドレス内
容は、信号INITMM000が信号MREFCT00
0を2進0状態にしている故に、奇及び偶スタツ
ク・ユニツト210−20と210−40に供給
される。行アドレス信号は、信号MRASTE01
0とMRAST0010に応答して、第7図に図示
されている複数のRAMチツプの夫々の行に格納
される。 第2図からわかるように、電源投入信号
PWONLL010が2進1にされると、書込みカ
ウンタ207−62と207−63は2進0にク
リアされた。書込みカウンタの内容は、順次に、
書込みアドレス・レジスタ207−43に転送さ
れる。第2図に示されているナンド・ゲート20
7−51は、信号MCASTT010とINITAL1
10に応答して、信号MWRTCT000を2進0
にする。このことにより、書込みアドレス・レジ
スタ207−43は、その列アドレス内容をスタ
ツク・ユニツト210−20と210−40に供
給する。信号INTREF000が信号INITMM00
0により2進0にされているので、加算器207
−54は、列アドレス内容を、変えることなし
に、偶スタツク・ユニツト210−20に供給す
る。 第8b図からわかるように、部分的書込み信号
PARTWT010が2進0に変わることにより、
読出し命令信号READCM000は2進1に変わ
る。第5図からわかるように、フリツプフロツプ
208−16は、読出し命令信号REFCOMM1
10が2進0に変わつた後、タイミング信号
DLY400010に応答して、2進0に変わ
る。信号READCM000により、アンド・ゲー
ト208−42は、タイミング発生回路204か
らの書込みタイミング信号WRITCT000に応
答して、信号READCM100を2進0に変え
る。このことにより、アンド・ゲート208−2
3と208−25は順番に信号MEREAD010
とMOREAD010を2進0に変える。それ故
に、第7図に図示される複数のRAMチツプは、
偶及び奇データ・レジスタ206−8と206−
10に置換された2進0がそこに書込まれている
間、同時に選択された8つのチツプ位置に対する
書込みサイクル動作が実行できる状態にされる。
即ち、セクシヨン212からの初期設定信号
INITMM310は、第6図に示されている初期設
定モードフリツプフロツプ212−14をセツト
することにより2進1にされると、データ・イン
MUXs209−4の活性化を禁止する。この結
果、レジスタ206−8と206−10の最も左
側のセクシヨンに置数された2進0は、信号
MDOTSC010に応答して、スタツク・ユニツ
ト210−20と210−40に入力として供給
される。この時、信号MDOTSC000と
MDRELB000は、2進1であり、これらの2
進1信号は、レジスタ206−8と206−10
の中央及び最も右側のセクシヨンがその出力端子
に信号を出力することを禁止する。 書込みサイクルの終わりに、第8図bに示され
るように、信号MCASTT010は、2進0に変
わる。このことにより、第2図に図示されるアン
ド・ゲート207−68は、信号WTCAST01
0を2進0にし、信号RADDUC000を2進1
から2進0にする。このことにより、直列に接続
されたリフレツシユ及び書込みカウンタ回路20
7−60〜207−63は、カウント1づつ歩進
させられる。パルスCORREF000により指定
された次の15マイクロ秒の期間の初めに、第8b
図に示される動作シーケンスは、第2図に示され
るリフレツシユ及び書込みカウンタ回路により特
定された次のアドレス信号を用いることにより繰
り返される。 上記の動作を繰り返すことにより、ユニツト2
10−20と210−40のすべてのデコードさ
れたロケーシヨンは、“0”に初期設定される。
デコードは受け付けられないので、2進0が複数
の64KRAMチツプの8行の各々のアドレスされ
たロケーシヨンに同時に書込まれる。それ故に、
メモリ・サブシステムを初期設定するために必要
とされる総時間数が軽減される。 初期設定動作の完成は、第2図に示されるフリ
ツプフロツプ207−71を2進1に変えること
により示される。このことにより、信号
MADROL000は2進0に変えられ、この信号
MADROL000は、次に、初期設定モード・フ
リツプフロツプ212−14を2進0状態にクリ
アする。第2図からわかるように、フリツプフロ
ツプ207−71は、書込みアドレス・ビツト信
号WRITAT100が2進0から2進1状態に変
わる時(即ち、“0”から“1”に立ち上がる
時)、2進1に変わる。このことは、ビツト信号
WRITA7010が2進1から、最後のアドレス
位置が書込まれてしまつたことを示す2進の0に
変わる時、起こる。 上記のことから、どのようにして、すべてのデ
コードされたロケーシヨンがアドレスされ、そし
て2進0に初期設定されるかを知る。すべてのロ
ケーシヨンをアドレスするために、そこに供給さ
れているアドレス信号から導びかれたデコード信
号を無効にするかわりに、カウンタ207−64
は第2図に示されるリフレツシユ及び書込みアド
レス・カウンタ207−60〜207−63に直
列に接続される。このカウンタは、ここに開示さ
れた本願発明の原理に従つて、2つのユニツト2
10−20と210−40との同じロケーシヨン
をアドレスするために用いられるアドレス・ビツ
トLSAD21とLSADX6を発生する。 第8c図は、ソフト・エラー再書込みサイクル
動作を実行する本願発明の動作を説明するために
使用される。この動作は、制御装置200に付加
される論理回路の総数を最小にするように、リフ
レツシユ及び初期設定サイクル動作を拡張するこ
とにより、与えられる。初期設定モードは制御装
置を立ち上げている間のみ起こるので、ソフト・
エラー再書込みサイクルはリフレツシユ・サイク
ル動作と同期して起こる。サイクルの発生頻度は
信号ALPCOM000により定められる。この信
号が、カウンタ214−10,214−12そし
て214−14からのすべての“1”入力によ
り、2進0にされる時、2つの事が発生する。そ
の1つは、カウンタ214−10,214−12
及び214−14がリセツトされることであり、
その結果2進1に駆動された信号ALPSET11
0により、上記カウンタは2進0からカウントを
開始する。2つめは、位相1フリツプフロツプ2
14−24が、2進1にセツトされるということ
である。 第8c図からわかるように、位相1フリツプフ
ロツプ214−24を2進1にセツトすることに
より、サイクル停止フリツプフロツプ214−2
7は、2進1に変えられる。本願発明のために、
この信号はソフト・エラー再書込みサイクルの発
生とその継続時間を表示する。 位相1フリツプフロツプ214−24は正規の
リフレツシユ・サイクルが発生している間の周期
または時間幅を決定する。このサイクルは、第8
a図を参照して議論された方法で実行される。リ
フレツシユ・サイクルの終了は、メモリ・ビジー
信号MEMBUZ000を2進1にすることで示さ
れる。このことにより、位相2フリツプフロツプ
214−25は、2進1に変えられる。このこと
により、信号ALPHA2000は、位相1フリツ
プフロツプ214−24を2進0にリセツトす
る。常態では、第8c図からわかるように、リフ
レツシユ及び書込みカウンタ回路は、リフレツシ
ユ・サイクルの終わりに、歩進させられる。しか
しながら、ソフト・エラー再書込みサイクルは、
この時に実行されるので、サイクル停止フリツプ
フロツプ214−27をセツトすることにより、
アツプ・カウント信号ALPHUC010は2進1
にされる。このことにより、次に、第2図に示さ
れるアンド・ゲート207−65は、信号
INITUC000を2進1にし、信号INITUC00
0により信号RADDUC000は、2進1にされ
る。このことにより、この時、リフレツシユ及び
書込みカウンタの歩進が妨げられる。 第8c図からわかるように、位相2フリツプフ
ロツプ214−24をセツトすることにより、第
5図に示される部分的書込みフリツプフロツプ2
08−16は、2進1に変えられる。即ち、信号
ALPHA2000は、2進0に変えられた時、信
号BYWRIT010を2進1にする。ナンド・ゲ
ート208−19は、信号MPULSE010が発
生する時、信号PWTSET100を2進0にす
る。このことにより、信号PWTSET000は、
2進0にされ、この信号PWTSET000によ
り、フリツプフロツプ208−16は、2進1状
態にされる。部分的書込みフリツプフロツプ20
8−16をセツトすることは、タイミング発生回
路204が2つのタイミング信号列を発生すると
いうことを意味する。その1つは、書込みサイク
ルに続く読出しサイクルのためのものである。フ
リツプフロツプ208−16が2進1に変われ
ば、読出し命令信号MEREAD010と
MOREAD010は、2進0に変えられる。 第4図からわかるように、信号ALPCNT00
0は、位相2フリツプフロツプ214−25が2
進1に変えられる時、2進0に変えられる。この
信号により、第2図に示される多重化回路207
−14は、アドレス信号源として、信号ARAD2
1010とARADX6010をカウンタ207−
64から選択する。第2図からわかるように、最
下位桁アドレス・ビツトLSAD22は、2進0に
される。アドレス・ビツトLSAD22が2進0に
されることによりビツトLSAD22を除去して、
第2図に示されるアドレス・デコード装置を利用
出来るように1偶スタツク・ユニツト210−2
0からダブル・ワード動作を開始する。ビツト21
とX6は、データ・レジスタ206−8と206
−10に読出されるべき、スタツク・ユニツト2
10−20と210−40にあるワード・ロケー
シヨンの内容を決める。これらのビツトは、ビツ
ト22と共に、適当なデコード行アドレス・ストロ
ーブ信号を2進1にするデコード回路によりデコ
ードされる。 更に、信号ALPCNT010は、位相2フリツ
プフロツプ214−25が2進1に変えられる
時、2進1に変えられる。この信号により、第3
図に示されるタイミング回路204は、読出しサ
イクル動作の間、スタツク・ユニツト210−2
0と210−40双方を循環するタイミング信号
を発生するようにされる。即ち、信号ALPCNT
010は、信号RASINH010を2進0にする。
このことにより、順次に、ナンド・ゲート204
−8と204−14は、信号ERASIH000と
ORASIH000を2進1にし、これらの信号
ERASIH000とORASIH000により、タイミ
ング信号MRASTE010とMRAST0010
は、偶及び奇スタツク・ユニツト210−20と
210−40に供給される。そのうえ、ナンド・
ゲート204−11と204−15により、タイ
ミング信号MDOECT010とMDOOCT010
は、次々と、偶及び奇レジスタ206−8と20
6−10に供給される。 読出し動作は、カウンタ207−64ばかりで
なくリフレツシユ及び書込みアドレス・カウンタ
により決められた1組のロケーシヨンに対して実
行される。即ち、前に記載された方法で、リフレ
ツシユ及び書込みアドレス・カウンタ207−6
0〜207−63のアドレスの内容は、リフレツ
シユ・アドレス及び書込みアドレス・レジスタ2
07−42と207−43に夫々供給される。 第2図からわかるように、アンド・ゲート20
7−48が信号INTREF200を2進0にするこ
とにより、信号ALPCNT000は、行アドレス
信号の記憶を可能にする。このことにより、ナン
ド・ゲート207−49は、信号MREFCT00
0を2進0にし、この信号MREFCT000によ
り、リフレツシユ・アドレス・レジスタ207−
42のアドレス内容は、偶及び奇スタツク・ユニ
ツト210−20と210−40に供給される。
行アドレス信号は、デコーダ回路207−20と
207−31からの出力により指定された、第7
図に示される複数のRAMチツプの中にある、1
組の行に格納される。前に記載されたように、ア
ドレス信号は、行アドレス・タイミング信号
MRASTT010に応答して発生された偶及び奇
行アドレス・ストローブ信号MRASTE010及
びMRASTO010に応答して、格納される。 同様な方法で、書込みアドレス・レジスタ20
7−43のアドレス内容を表わす列アドレス信号
は、すべてのRAMチツプの中に格納される。も
つと詳細には、タイミング発生回路204からの
信号MCASTT010と信号INITAL110によ
り、第2図に示されているナンド・ゲート207
−51は、信号MWRTCT000を2進0にす
る。このことにより、書込みアドレス・レジスタ
207−43は、そのアドレス内容をスタツク・
ユニツト210−20と210−40に供給す
る。これらの信号は、列アドレス信号MCASTS
010に応答して、第7図に示される複数の
RAMチツプに格納される。 位相2フリツプフロツプ214−25を切換え
ることにより、部分的書込みフリツプフロツプ2
08−16は、2進1状態に変わる。このことに
より、信号READCM000が2進0に変えら
れ、読出し動作サイクルが決められる。信号
READCM000は、この時、2進0であり、こ
の信号READCM000により、信号MEREAD0
10とMOREAD010は、2進0にされる。そ
れ故、選択された1組の行に関する複数のRAM
チツプは、読出し動作が実行できるようにされ、
そこに於いて、それらの内容は、信号MDOECT
0010とMDOOCT0010夫々により既に活
性化された偶及び奇データ・レジスタ206−8
と206−10に読出される。この時、読出し命
令信号READCM000は、信号MDRELB000
を2進1に保持する。このことにより、レジスタ
206−8と206−10の最も右側のセクシヨ
ンの内容が、その出力端子に出力されることが禁
止される。そのうえ、読出し命令信号READCM
000により、回路204は信号MDOTSC10
0を2進0にし、信号MDOTSC010を2進1
にする。このことにより、レジスタ206−8と
206−10の最も左側のセクシヨンの内容が、
その入力端子に供給されることが禁止される。こ
の時、読出されたワード内容は、レジスタ206
−8と206−10の中央のセクシヨンに格納さ
れ、EDAC(エラー検出及び訂正)回路206−
12と206−14に供給される。 読出しサイクル動作の間、1組のロケーシヨン
から読出されたワードは、EDAC回路210−1
2と210−14に含まれるエラー検出回路によ
り、エラーがあるかどうかチエツクされる。ワー
ドの中にあるいかなる1ビツト・エラーも、
EDAC回路210−12と210−14に含まれ
ているエラー訂正回路により訂正される。信号
PARTWT010が2進1であるから、訂正され
たワードは、第8c図に示される信号MCASTT
010の次の発生により決められた期間内に、レ
ジスタの最も右側のセクシヨンに置数され、再び
スタツク・ユニツト210−20と210−40
に書き戻される。 1ワード中に1ビツト以上のエラーが発生した
ことが検出されれば、EDAC回路206−12と
206−14のうちの1つは、信号MDIEWE0
10または信号MDIOWE010を2進1状態に
する。このことにより、順次、第5図に示される
偶書込み阻止フリツプフロツプ208−44また
は奇書込み阻止フリツプフロツプ208−45
は、部分的書込み信号が2進0から2進1状態に
変わる時、2進1状態にセツトされる。ここに説
明されたように、本来の情報のエラー状態は保護
され、書込み動作は阻止される。 タイミング発生器204が信号RESET010
を発生すると、位相3フリツプフロツプ214−
26は、2進1状態の信号ALPHA2010によ
り、2進1にされる。第8c図からわかるよう
に、位相2フリツプフロツプ214−25は、第
4図に示されるアンド・ゲート214−31によ
り、2進0にリセツトされる。位相3フリツプフ
ロツプ214−26が切換えられることにより、
書込みサイクル動作を実行するために必要とされ
る第2のタイミング信号列が発生させられる。信
号ALPUC010が未だに2進1であるので(即
ち、サイクル停止フリツプフロツプ214−27
が未だに2進1であるので)、リフレツシユ、書
込み及びデコード・アドレス・カウンタ207−
60〜207−64のカウントは、信号
RADDUC000により禁止されている。この故
に、書込み動作は、スタツク・ユニツト210−
20と210−40中の同じ1組のロケーシヨン
に対して、実行される。今、記載された方法によ
り、同じ行及び列のアドレス信号は、アドレス・
ビツト信号ARAD21010とARADX6010
により指定された、複数のRAMチツプの中にあ
る、2行に格納される。 第4図から簡単にわかるように、信号
ALPCNT000とALPCNT010の状態は、位
相3フリツプフロツプ214−26が2進1に変
えられていることにより、前と同じ状態にとどま
る。それ故に、リフレツシユ・アドレス・レジス
タ207−42の行アドレス内容は、スタツク・
ユニツト210−20と210−40に供給さ
れ、先行する読出しサイクル動作の間に、信号
MRASTT010に応答してアドレスされた、複
数のRAMチツプの中にある、同じ2行に格納さ
れる。 同様の方法で、書込みアドレス・レジスタ20
7−43の列アドレス内容は、スタツク・ユニツ
ト210−20と210−40に供給され、信号
MCRSTT010に応答して、第7図に示される
複数のRAMチツプに格納される。 第8c図からわかるように、書込みサイクル
間、タイミング発生回路204が同じタイミング
信号列を繰り返し発生することにより、アドレス
された1組のロケーシヨンの内容は、レジスタ2
06−8と206−10に読出される。この時、
部分的書込み信号PARTWT010は、2進0で
ある。即ち、部分的書込みフリツプフロツプ20
8−16は、信号ALPHA2000が、この時、
2進1であるので、タイミング信号DLYW02
00に応答して、2進0にリセツトされる。 読出し命令信号READCM000と信号
ALPCNT010が、2進1であるから、第4図
に示されるナンド・ゲート214−39は、信号
MDRELB000を2進0にする。このことによ
り、レジスタ206−8と206−10の最も右
側のセクシヨンに保持されている訂正された1組
のワードの内容がその出力端子に出力されること
が可能となる。この時、信号READCM000と
ALPCNT000は、信号MDOTSC100と
MDOTSC010を2進1にする。このことによ
り、レジスタ206−8と206−10の最も左
側のセクシヨンと中央のセクシヨンが、この期間
内に、その出力端子に信号を供給することが禁止
される。 それ故に、前以つてレジスタ206−8と20
6−10の最も右側のセクシヨンに読出された内
容は、1組のアドレスされたロケーシヨンに書込
まれる。 それ故に、読出された1ワードもしくは2ワー
ド中に発生したいかなる1ビツト・エラーも、シ
ステム中に含まれているエラー検出及びエラー訂
正回路を用いることにより訂正されよう。このよ
うに、いかなるエラーも、アクセスされた1組の
ワードから除去されるから、ソフト・エラーが訂
正不能なダブル・エラーにならないようにされ
る。 しかしながら、ダブル・エラー状態が検出され
ると、その発生状態は、格納され、書込み動作
は、阻止される。即ち、そのような状態が発生し
た場合、信号EWRITA000と信号OWRITA0
00のうちの1つ、または両方は、2進0にされ
る。このようにして、アンド・ゲート208−2
3またはアンド・ゲート208−25は、信号
MEREAD010またはMOREAD010のうち
の該当する1つを2進0にする。このようにし
て、順次、訂正不能なワードがアドレスされた1
組のロケーシヨンのうちの該当する1つへ書込ま
れることが禁止される。既に記載したように、こ
のことにより、エラー状態は、訂正不能なワード
のままに残される。 第8c図からわかるように、位相3フリツプフ
ロツプ214−26を2進0状態にリセツトする
ことにより、サイクル停止フリツプフロツプ21
4−27は、2進0にリセツトされる。これは、
ソフト・エラー再書込みサイクル動作の終わりを
意味する。前に議論されたように、位相3フリツ
プフロツプ214−26は、タイミング回路20
4からの信号RRESET010に応答して、2進
0にリセツトされる。 サイクル停止フリツプフロツプ214−27が
リセツトされると、オア・ゲート214−34
は、アツプ・カウント信号ALPHUC010を2
進1から2進0に変える。第8c図からわかるよ
うに、このことにより、デコード・アドレス・カ
ウンタ207−64及び読出しアドレス及び書込
みアドレス・カウンタ207−60〜207−6
3は、1だけカウント・アツプされる。即ち、信
号ALPHUC010により、カウント信号
RADDUC000は、2進1から2進0に変わ
る。この結果、ソフト・エラー再書込みサイクル
の終わりにカウンターは、更新される。 本願発明の教えに従つて、カウンタ214−1
0,214−12そして214−14は、リフレ
ツシユ・サイクルと同期して動作し続ける。次の
2047個のリフレツシユ・サイクルの発生に追随し
て、ナンド・ゲート214−16は、再び、再書
込み命令信号ALPCOM000を2進0にする。
この信号ALPCOM000は、次のソフト・エラ
ー再書込みサイクルの始まりを示している。最大
計数値2048(即ち、211−1)より1だけ小さい
奇数に設定されたカウンタに同期して、この信号
はアドレス値シーケンスを選択する。このアドレ
ス値シーケンスは、スタツク・ユニツト210−
20と210−40のすべてのロケーシヨンを選
択するリフレツシユ、書込み及びデコード・アド
レス・カウンタ207−60〜207−64に格
納されている。 上記のことは、カウンタ214−10,214
−12そして214−14のかわりに4ビツト2
進カウンタが使用されている装置を例として考え
ることによつて、たやすく理解されよう。この装
置に於いては、再書込み命令信号は、最大カウン
ト16(24)より1だけ小さい、すべての15(24
1)カウント毎に2進0にされる。例として、メ
モリのワード・サイズは、32ビツトであり、すべ
てのカウンタは、2進0にリセツトされているも
のとする。32の2進アドレツシング能力を持たせ
るために、リフレツシユ・アドレス・カウンタ
は、5ビツト2進カウンタである。このカウンタ
は、次のような連続なアドレス値を発生するだろ
う:0、1、2、……12、13、14、……28、29、
30、31 0、1、2、……10、11、12、13、14、……
25、26、27、28、29、……etc。 ソフト・エラー再書込みサイクルが始められた
時、4ビツト2進カウンタによつて決められたロ
ケーシヨンのアドレスを指定するカウント・シー
ケンスは、次の通りである: 0、15、30、13、28、11、26、9、24、7、
22、5、20、3、18、1、16、31、14、29、12、
27、8、23、6、21、4、19、2、17、0。 上記のことから、リフレツシユ・カウンタ・ア
ドレスの最初のパスの間、ソフト・エラー再書込
みサイクルは、アドレス値15を持つロケーシヨン
で起こるということがわかる。リフレツシユ・カ
ウンタ・アドレスの次のパスに於いては(即ち、
次の15カウントの後)、ソフト・エラー再書込み
サイクルは、アドレス値30を持つロケーシヨンで
起こる。このことは、既に、記載された如く続
く。カウンタを自由に走らせ、もつて、カウント
値15のすべての発生を検出することにより、ソフ
ト・エラー再書込みサイクルを、不連続な形態
で、すべてのロケーシヨンに対して、実行でき
る。 本発明の教えに従つて、再書込みカウンタ21
4−10,214−12及び214−14の現実
のサイズは、正規のメモリ動作への妨害が最小に
なるように、なお、そのうえ必要なエラー・プロ
テクシヨンを持つように選択されている。 上記のことから、いかに本発明の装置が、アル
フア粒子の汚染とシステムへの他の妨害から、メ
モリ・システムを保護するかということが理解さ
れるであろう。このことは、わずかの回路を付加
するだけで実行できる。 多くの変形が、本発明の教えから免脱すること
なく、本発明の装置に対してなされてもよいとい
うことが理解されよう。例えば、再書込み制御セ
クシヨン・カウンタの段数を、正規のメモリ動作
との干渉を最小にすることが要求された時は、増
加または減少させてもよい。もし、必要ならば、
カウンタは、バス10を介して、プログラムされ
たカウント値を受け取るように接続されてもよ
い。即ち、カウンタは、カウント値が、再書込み
が始められる時点を表わす値に達し、カウンタが
所定の値にリセツトされるまで、各々のリフレツ
シユ命令信号に応答して、1づつ減少させられる
所定値に設定されてもよい。 各々の再書込み期間中、リフレツシユ・サイク
ルの実行を省略するようなその他の変更が、再書
込み制御セクシヨンに対してなされてもよい。し
かしながら、リフレツシユ・サイクルは、簡単で
容易な故に、含まれていた。そのうえ、当業者に
よつて、本発明の装置は、異なるタイプのリフレ
ツシユ回路やエラー検出及び訂正回路、もちろん
異なるタイプのメモリ機構やMOSチツプと共に
用いられてもよい。 本発明は、特許請求の範囲に載され、幾つかの
実施例に示された本発明の精神から逸脱すること
なく、若干の変更を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の装置を組込んだダイナミツ
ク・メモリ・システムのブロツク・ダイアグラム
である。第2図は第1図のブロツク207の回路
をより詳細に表わしたものである。第3図は第1
図のブロツク204のダイミング回路をより詳細
に表わしたものである。第4図はこの発明のブロ
ツク214の回路をより詳細に表わしたものであ
る。第5図はブロツク208の書込み/読出し制
御回路をより詳細に表わしたものである。第6図
はブロツク212の回路をより詳細に表わしたも
のである。第7図はブロツク210−10及び2
10−40のチツプをより詳細に表わしたもので
ある。第8a図、第8b図、第8c図はそれぞれは
この発明の動作を説明するために用いられるタイ
ミング・ダイアグラムである。第9図は各メモリ
の読出しまたは書込みリクエストの1部として制
御装置200に加えられるメモリ・アドレスのフ
オーマツトを示すものである。 200……制御装置、204……タイミングセ
クシヨン、205……リフレツシユ制御セクシヨ
ン、206……データ制御セクシヨン、207…
…アドレスセクシヨン、208……読出し/書込
み制御セクシヨン、209……データ入力セクシ
ヨン、210……メモリ・モジユール、211…
…バス制御回路セクシヨン、211……メモリ初
期設定回路セクシヨン、213……バス駆動/受
信回路セクシヨン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (i) それぞれが複数ビツトからなる複数のデ
    ータセルがアドレス可能な行および列に排列さ
    れてなるダイナミツク・メモリ、 (ii) リフレツシユ命令信号を周期的に発生する手
    段、 (iii) 行(または列)アドレスの最も大きな値を表
    わす容量を持つており、各リフレツシユ命令信
    号によつて付勢されて1ずつ歩進するアドレス
    用の第1のカウンタ、 (iv) リフレツシユ命令信号に応答して第1のカウ
    ンタによつて示されているアドレスの行(また
    は列)にあるデータセルをリフレツシユするた
    めのリフレツシユ手段、 (v) 受け取つたデータワード内の単一ビツトエラ
    ーを検出し訂正するためのエラー検出・訂正手
    段、 を具備したソフトエラー再書込み制御システムを
    有するダイナミツク・メモリ・システムにおい
    て、 (a) 列(または行)アドレスの最も大きな値を表
    わす容量を持つており、第1のカウンタが予め
    定めたカウント値に達したとき付勢されて1ず
    つ歩進するアドレス用の第2のカウンタ、 (b) 各リフレツシユ命令信号によつて付勢されて
    1ずつ歩進し、且つ、予め定めたカウント値に
    達したとき再書込み信号を発生する第3のカウ
    ンタ、 (c) 再書込み信号に応答して、 第1および第2のカウンタによつて表わさ
    れている結合アドレスのデータセルからデー
    タを読み出し、 そのようなデータをエラー検出・訂正手段
    に供給し、および エラー検出・訂正手段によつて取り出され
    た訂正されたデータを、それが読み出された
    同じデータセルに、再書込み するための再書込み制御手段 を備えたことを特徴とするもの。 2 第3のカウンタが再書込み制御信号によつて
    リセツトされることを特徴とする特許請求の範囲
    第1記載のソフトエラー再書込み制御システムを
    有するダイナミツク・メモリ・システム。 3 前記第3のカウンタの前記予め定めたカウン
    ト値が数kであり、第1および第2のカウンタの
    結合アドレスによつてアドレスすることが可能な
    データセルの全数がjであり、そしてj/k比が
    無理数であることを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載のソフトエラー再書込み制御システムを
    有するダイナミツク・メモリ・システム。 4 前記第1、第2および第3のカウンタが2進
    カウンタであり、前記第3のカウンタの前記予め
    定めたカウント値が2n−1(但しnは整数)で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
    のソフトエラー再書込み制御システムを有するダ
    イナミツク・メモリ・システム。
JP56114532A 1980-07-25 1981-07-23 Dynamic memory system with software error rewriting control system Granted JPS5782300A (en)

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US06/172,485 US4369510A (en) 1980-07-25 1980-07-25 Soft error rewrite control system

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JPS6230665B2 true JPS6230665B2 (ja) 1987-07-03

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FR (1) FR2487561B1 (ja)
IT (1) IT1171392B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649756U (ja) * 1987-07-09 1989-01-19

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4493081A (en) * 1981-06-26 1985-01-08 Computer Automation, Inc. Dynamic memory with error correction on refresh
US4535455A (en) * 1983-03-11 1985-08-13 At&T Bell Laboratories Correction and monitoring of transient errors in a memory system
US4542454A (en) * 1983-03-30 1985-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for controlling access to a memory
FR2552916B1 (fr) * 1983-09-29 1988-06-10 Thomas Alain File d'attente asynchrone a empilement de registres
US4604750A (en) * 1983-11-07 1986-08-05 Digital Equipment Corporation Pipeline error correction
JPS61123957A (ja) * 1984-11-21 1986-06-11 Nec Corp 記憶装置
JPH0194600A (ja) * 1987-10-07 1989-04-13 Fujitsu Ltd メモリ管理方式
US4965717A (en) * 1988-12-09 1990-10-23 Tandem Computers Incorporated Multiple processor system having shared memory with private-write capability
US5473770A (en) * 1993-03-02 1995-12-05 Tandem Computers Incorporated Fault-tolerant computer system with hidden local memory refresh
US5495491A (en) * 1993-03-05 1996-02-27 Motorola, Inc. System using a memory controller controlling an error correction means to detect and correct memory errors when and over a time interval indicated by registers in the memory controller
US6065146A (en) * 1996-10-21 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Error correcting memory
US6085271A (en) * 1998-04-13 2000-07-04 Sandcraft, Inc. System bus arbitrator for facilitating multiple transactions in a computer system
US6701480B1 (en) * 2000-03-08 2004-03-02 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method for providing error check and correction in memory systems
US9459960B2 (en) 2005-06-03 2016-10-04 Rambus Inc. Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation
US7831882B2 (en) 2005-06-03 2010-11-09 Rambus Inc. Memory system with error detection and retry modes of operation
US7562285B2 (en) 2006-01-11 2009-07-14 Rambus Inc. Unidirectional error code transfer for a bidirectional data link
US20070271495A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Ian Shaeffer System to detect and identify errors in control information, read data and/or write data
US8352805B2 (en) 2006-05-18 2013-01-08 Rambus Inc. Memory error detection
JP4791912B2 (ja) * 2006-08-31 2011-10-12 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性記憶システム
US8429470B2 (en) * 2010-03-10 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Memory devices, testing systems and methods
US8347154B2 (en) * 2010-09-21 2013-01-01 International Business Machines Corporation Use of hashing function to distinguish random and repeat errors in a memory system
KR101178562B1 (ko) * 2010-11-02 2012-09-03 에스케이하이닉스 주식회사 커맨드 제어회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 커맨드 제어방법
KR101873526B1 (ko) * 2011-06-09 2018-07-02 삼성전자주식회사 에러 정정회로를 구비한 온 칩 데이터 스크러빙 장치 및 방법
CN111819547A (zh) 2018-03-26 2020-10-23 拉姆伯斯公司 命令/地址通道错误检测

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072853A (en) * 1976-09-29 1978-02-07 Honeywell Information Systems Inc. Apparatus and method for storing parity encoded data from a plurality of input/output sources
JPS5381036A (en) * 1976-12-27 1978-07-18 Hitachi Ltd Error correction-detection system
US4183096A (en) * 1978-05-25 1980-01-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Self checking dynamic memory system
US4185323A (en) * 1978-07-20 1980-01-22 Honeywell Information Systems Inc. Dynamic memory system which includes apparatus for performing refresh operations in parallel with normal memory operations
US4216541A (en) * 1978-10-05 1980-08-05 Intel Magnetics Inc. Error repairing method and apparatus for bubble memories
US4255808A (en) * 1979-04-19 1981-03-10 Sperry Corporation Hard or soft cell failure differentiator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649756U (ja) * 1987-07-09 1989-01-19

Also Published As

Publication number Publication date
FR2487561B1 (fr) 1990-02-16
CA1168364A (en) 1984-05-29
AU7231281A (en) 1982-01-28
AU546314B2 (en) 1985-08-29
FR2487561A1 (fr) 1982-01-29
US4369510A (en) 1983-01-18
DE3128729A1 (de) 1982-03-11
DE3128729C2 (de) 1985-03-07
IT1171392B (it) 1987-06-10
IT8148909A0 (it) 1981-07-15
JPS5782300A (en) 1982-05-22

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