JPS62296423A

JPS62296423A - パタ−ン形成方法

Info

Publication number: JPS62296423A
Application number: JP61138382A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Noda; 周一野田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1986-06-16
Filing date: 1986-06-16
Publication date: 1987-12-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明（産業上の利用分野）この発明は、Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収体微１１１１
１図形を、電気メツキ法により形成させる場合において
、Ｘ線吸収体の欠陥の低減と、Ｘ線吸収体への強度の付
与と応力緩和を期するようにしたパターン形成法に関す
る。

（従来の技術）Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収体微細図形の形成法として
は大別して（１）電気メツキ法、リフトオフ法により、Ｘ線吸収体
図形をＸＩ！露光用マスク材質上に付加させるもの、（２）予めＸＩ！露光用マスク材質上に積層させたＸ線
吸収体材質をエツチング加工し、微細図形を形成させる
もの、０２種類がある。

Ｘ線吸収体として、現在最も広く用いられている材質は
金であるが、より微細で高アスペクト比のパターンを比
較的容易に形成できるのは、電気メツキ法である。

電気メツキ法によるＸ線露光用マスクの製作法として、
ハイ　コントラスト　Ｘ−レイ　マスク　ブリバレージ
ョン　］（ｉｇｈ　ｃｏｎｔｒａｓｔ　Ｘ−ｒｔＬｙ　
ｍａｓｋ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ＋Ｔｏｓｈｉｒｏ　
Ｏｎｏ＋　Ａｋｉｒａ　Ｏｇａｗａ＋　Ｊ＋Ｖａｃ　Ｓ
ｃｉ、　ＴｅｃｈｎｏｌＢ＊（ｇ、６８　７２（１９８
４）を例にとり、以下に手順を説明する。

第２図（ａ）はＸ線露光用マスクの準備基板上において
、電子線露光によりレジストを図形化したものである。

基板材質は最下層部より下地Ｓｔウェハ１、Ｓｉ　Ｉ　
Ｎ４　／　Ｓ　１０２　／　Ｓ　１３　Ｎ４メンプラン
（Ｘ線吸収体支持膜）２、下地Ｔｉ　（金の密着層）３
、下地Ａｕ（ｉｔ気気メッキ導電層）４、ポリイミド中
間膜（電気メツキマスク用）５、電子線レソストパター
ン６により構成されている。

次に、第２図（ｂ）に示すように、電子線レソストパタ
ーン６をマスクとしてリフトオフ法によりポリイミド中
間膜５上にＴｉパターン７を形成する。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、Ｔｉパターン７をマ
スクとして０．ＲＩＥ法により、ポリイミド中間膜５を
パターニングして中間膜パターンを形成する。

次に、第２図（ｄ）に示すように、ポリイミド中間膜５
をマスクとして電気メツキ法によりＡｕパターン８を形
成する。

次に、第２図（ｅ）に示すように、ポリイミド中間膜５
、下地Ａｕ膜４、下地Ｔ１膜３のそれぞれをウェットド
ライのいずれかの方法で除去した後、第２図（ｆ）に示
すように、下地Ｓｌウェハ１をＫＤＨ溶液で除去する。

かくしてＸ線露光用マスクが完成する。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上記文献をはじめ、現状のＸ線露光用マ
スクの製作法に関する報告では、Ｘ線吸収体のパターン
製作法とバクーン欠陥との相関は大きく、電気メツキ法
によるＸ線吸収体の作成においては、多数の白欠陥（あ
るべき場所にパターンがない）が発生する。

また、Ｘ線吸収体パターンのこの白欠陥対策としては、
製作後のＸ線露光用マスクに対する修正法として、光Ｃ
ＶＤ、ＦＩＢなどを用いる方法として、種々報告されて
いるが、いずれも修正が困難であり、検査修正に多大の
時間を要するという欠点があった。

この発明は、前記従来技術がもっている間口点のうち、
多数の白欠陥が発生する点と、白欠陥の検査修正に多大
の時間を要する点について解決したパターン検査方法を
提供するものである。

（問題点ｔ−解決するための手段）この発明は、パターン形成方法において、メッキ法によ
るＡｕＸ線吸収体パターンの形成後にＡｕあるいはＡｕ
に準じたＸ線吸収特性をもつ金属膜をこのＸ、１１吸収
体パターンをもつ基板上に蒸着積層化する工程を導入し
たものである。

（作　用）この発明によれば、パターン形成方法において、以上の
ような工程を導入したので、電気メツキ法によるパター
ン欠陥管ＡｕまたはＡｕに準ずるｘｍ吸収体をもつ金属
膜でふさぎ込み、かつこの金属膜の膜厚でコントラスト
ラ大きくシ、シたがって、前記問題点を除去できる。

（実施例）以下、この発明のパターン形成方法の実施例について図
面に基づき説明する。第１図（ａ）〜第１図（ｄ）はそ
の一実施例の工程説明図である。まず、第１図（ａ）は
基板上に電気メツキ法により、Ｘ線吸収体パターンを形
成するために、電気メッキ用レソストパターン１４を形
成したものである。

この基板は、まず、Ｓｉウェハ９上に４μｍ厚のＢＮＮ
ｉＯ２３Ｊｉｍ厚のポリイミド層１１，１００Ａ厚のＴ
ｉ層１２．３００Ａ厚のＡｕ層１３．１〜２μｍ厚のレ
ソストパターン１４が順次積層されて構成されている。

ＢＮＮｉＯ２ＸＭ吸収体支持膜として働くため、できる
限り薄い方が望ましいが強度的に充分な膜が必要である
。

また、前記ポリイミド層１１はＢＮＮｉ２Ｏ補強作用と
、ＢＮヒロックの平坦化のために有効であり１．０〜３
．０μｍの膜厚が効果的である。

Ｔｉ層１２は、Ａｕ層１３の下地への密着性強化のため
に働き、Ａｕ層１３は、電気メッキの際の導電層として
働く。Ｔｉ層１２、Ａｕ層１３０両者は成膜時の欠陥の
有無により、完成後のＸ線吸収体パターンの品質を大き
く左右するため、成膜には充分な配慮が必要であるが、
これらの成膜に際しては下地との密着性、強度を考慮す
ると、ＥＢ（電子ビーム）蒸着が好ましい。

電気メツキ用マスクとしてのレジストパターン形成には
、サラミクロンレベルで側壁の垂直な高アスペクト比の
Ｘ線吸収体を得るためには、０．ＲＩＥを用いた多層レ
ヅストプロセスが最適である。

また、第１図ら）は第１図ら）を用いて電気メツキ法に
より、０．５μｍ厚程度のＡｕパターン１５　′ｊｔＡ
ｕ層１３上層形３上たものであり、１７はＡｕＪＪ１３
中の白欠陥である。

メッキ形成されたＡｕパターン１５には、種々の欠陥が
含まれているが、これらの欠陥の発生原因は下地金属膜
の欠陥によるもの、メッキ浴中の気泡によるもの、メッ
キ浴中の微細な塵埃粒子によるものなど様々である。

次に、第１図（ｃ）に示すように第１図缶）上に、Ａｕ
あるいはＡｕに準ずるＸ線透過率をもつＴａ＋Ｗ＋Ｃｒ
などの金属膜１６をレジストパターン１４、Ａｕパター
ン１５上に蒸着積層させる。

この第１図（ｃ）に示すように、積層させた金属膜１６
により白欠陥１７を埋めることと、吸収体の膜厚増加に
よりコントラストが大きくすることが可能となる。

蒸着する金属は、第１図（ｄ）で示すようにリフトオフ
法によりレジストとともに除去する。また、蒸着する金
属膜厚は、後続するリフトオフプロセスを容易にするた
めに、２ｏｏｏＡ程度が望ましい。以降のプロセスは現
行のものと同等である。

なお、前記金属膜１６を蒸着した後に再びメッキを行な
い、よりアスペクト比の大きい吸収体パターンを得るこ
とも可能である。

（発明の効果）以上詳細に説明したように、この発明によれば、メッキ
法において形成されたＸ線吸収体のＡｕパターン上に、
Ａｕあるいはそれに阜するＸ線吸収特性をもつ金属膜を
形成したので、電気メツキ法により得られたパターン欠
陥をふさぎ込み、パターン欠陥を低減させることができ
る。

また、波及効果として、上層に積層させる金属膜の成膜
条件や材質を変えることにより、メッキ金のもつ内部応
力を緩和させたり、機械的強度を付与させることもでき
る。

さらには、Ｘ線吸収体の多層化の際に、異なった吸収特
性をもつ材質を選択すれば、多種類のＸ線源に対し同一
のｘａ；ｉｇ光用マスクが使用可能となる。

【図面の簡単な説明】第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）はこの発明のパターン
形成方法の一実施例の工程説明図、第２図（ａ）ないし
第２図（ｆ）は従来のパターン形成方法の工程説明図で
ある。９・・・Ｓｔウェハ、１０・・・ＢＮ層、１１・・・ポ
リイミド層、１２・・・Ｔｉ層、１３・・・Ａｕ層、１
４・・・レジストパターン、１５・・・Ａｕパターン、
１６・・・金１４ｍ、１７・・・白欠陥。特許出願人　沖電気工業株式会社（ｂ）（ｄ）第１図

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）メッキ法によりＸ線露光用マスクのＸ線吸収体パ
ターンを有する基板上にレジストをマスクとしてＡｕパ
ターンを形成する工程と、（ｂ）このＡｕパターン上および上記レジスト上にＡｕ
またはＡｕに準ずるＸ線透過率をもつ金属膜を被着させ
て欠陥を埋め込む工程と、よりなるパターン形成方法。