JPS62295391A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
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- JPS62295391A JPS62295391A JP61138757A JP13875786A JPS62295391A JP S62295391 A JPS62295391 A JP S62295391A JP 61138757 A JP61138757 A JP 61138757A JP 13875786 A JP13875786 A JP 13875786A JP S62295391 A JPS62295391 A JP S62295391A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
この発明はディプレイ装置などに利用されるエレクトロ
ルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子に関する。
ルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子に関する。
［従来の技術］
ＥＬ素子は基本的には、図面で示すように、ガラスなど
の透明基板１上に形成されたＩｎ２Ｏ，、−８ｎＯ２膜
すなわちＩＴＯ膜などからなる透明電極２とこれｌこ対
向するＩＴＯ膜やＡｅなどからなる背面電極３との間に
、絶縁層４，５を介して発光体層６が配設されてなる積
層構造を有しており、両電極２，３間に発光体層６の発
光開始しきい値電圧以上の電圧を印加することによって
、両電極２．３の一方に形成された表示パターンが発光
体層６の固有発光色にて基板１の表面側から視認される
ように構成されている。
の透明基板１上に形成されたＩｎ２Ｏ，、−８ｎＯ２膜
すなわちＩＴＯ膜などからなる透明電極２とこれｌこ対
向するＩＴＯ膜やＡｅなどからなる背面電極３との間に
、絶縁層４，５を介して発光体層６が配設されてなる積
層構造を有しており、両電極２，３間に発光体層６の発
光開始しきい値電圧以上の電圧を印加することによって
、両電極２．３の一方に形成された表示パターンが発光
体層６の固有発光色にて基板１の表面側から視認される
ように構成されている。
ところで、上記の絶縁層４，５および発光体層６は、通
常３，０００〜６． ＯＯＯＡ程度の薄膜であり、従来
では一般的に電子ビーム蒸着法やスパッタ法などで形成
されている。
常３，０００〜６． ＯＯＯＡ程度の薄膜であり、従来
では一般的に電子ビーム蒸着法やスパッタ法などで形成
されている。
しかしながら、上記の電子ビーム蒸着法やスパッタ法に
て得られる薄膜は、膜面が均一になりにり（、かつピン
ホールが生成しやすいために成膜時に雰囲気中の水分そ
の他の不純物が膜中に混入しやすいという欠点があり、
とくにＥＬ累子の絶縁層にあっては上記欠点による影響
か大きく、その膜面での電界が不均一となって発光の均
一性が損なわれたり、低電圧でＥＬ素子の絶縁破壊を生
じる要因となっていた。
て得られる薄膜は、膜面が均一になりにり（、かつピン
ホールが生成しやすいために成膜時に雰囲気中の水分そ
の他の不純物が膜中に混入しやすいという欠点があり、
とくにＥＬ累子の絶縁層にあっては上記欠点による影響
か大きく、その膜面での電界が不均一となって発光の均
一性が損なわれたり、低電圧でＥＬ素子の絶縁破壊を生
じる要因となっていた。
この発明は、上記従来の問題点を解決すべくなされたも
のであり、発光の均一性にすぐれるとともに絶縁破壊を
生じにくぃＥＬ素子を提供することを目的としている。
のであり、発光の均一性にすぐれるとともに絶縁破壊を
生じにくぃＥＬ素子を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段〕
この発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重
ねた結果、対向する両電極と発光体層との間に介在させ
る絶縁層を特定の薄膜形成手段にて形成させた場合、そ
の膜面の凹凸が極めて少なく均一かつ非常に緻密な薄膜
となり、均一で美麗な発光表示が行えるとともに絶縁破
壊を生じにくいＥＬ素子が得られることを見い出し、こ
の発明をなすに至った。
ねた結果、対向する両電極と発光体層との間に介在させ
る絶縁層を特定の薄膜形成手段にて形成させた場合、そ
の膜面の凹凸が極めて少なく均一かつ非常に緻密な薄膜
となり、均一で美麗な発光表示が行えるとともに絶縁破
壊を生じにくいＥＬ素子が得られることを見い出し、こ
の発明をなすに至った。
すなわち、この発明は、少なくとも一方が透明である対
向する電極間に絶縁層を介して発光体層か配設されてな
るＥＬ素子において、上記絶縁層の少なくとも一部が光
ＣＶＤ法にて形成された絶縁膜からなることを特徴とす
るＥＬ素子に係る。
向する電極間に絶縁層を介して発光体層か配設されてな
るＥＬ素子において、上記絶縁層の少なくとも一部が光
ＣＶＤ法にて形成された絶縁膜からなることを特徴とす
るＥＬ素子に係る。
［発明の構成・作用］
ＣＶＤ法は、周知のとおり、半導体分野を始めとして各
種薄膜の形成に利用されている化学的気相成長（Ｃｈｅ
ｍｉ ｃａ ｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｓｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法の略称であって、二種以上のガス化成分をチャンバ
ー内に導き、基板上で反応させて目的とする化合物の薄
膜を成長させる方法である。そして、この発明（こおい
てＥＬ素子の絶縁層の形成に利用する前記の光ＣＶＤ法
とは、基板表面上で光照射することによってその光エネ
ルギーを利用して上記反応の励起を行うものである。な
お、ＣＶＤ法としては、光ＣＶＤ法のほか、励起手段と
して基板を高温加熱する熱ＣＶＤ法や基板表面上でプラ
ズマ照射するプラズマＣＶＤ法などがある。
種薄膜の形成に利用されている化学的気相成長（Ｃｈｅ
ｍｉ ｃａ ｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｓｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法の略称であって、二種以上のガス化成分をチャンバ
ー内に導き、基板上で反応させて目的とする化合物の薄
膜を成長させる方法である。そして、この発明（こおい
てＥＬ素子の絶縁層の形成に利用する前記の光ＣＶＤ法
とは、基板表面上で光照射することによってその光エネ
ルギーを利用して上記反応の励起を行うものである。な
お、ＣＶＤ法としては、光ＣＶＤ法のほか、励起手段と
して基板を高温加熱する熱ＣＶＤ法や基板表面上でプラ
ズマ照射するプラズマＣＶＤ法などがある。
このような光ＣＶＤ法では、エネルギー粒子による基板
および成長膜の欠陥発生やこれに基づく不純物の混入が
回心され、かつ２００ ℃程度の低温下で成膜が可能に
なるとＬ・う利点がある。
および成長膜の欠陥発生やこれに基づく不純物の混入が
回心され、かつ２００ ℃程度の低温下で成膜が可能に
なるとＬ・う利点がある。
したがって、光ＣＶＤ法にて形成される絶縁膜は、スパ
ッタ法や電子ビーム蒸着法によるものと比較してＣＶＤ
法特有の不純物の少ない極めて緻密なものになり、しか
も低温下での成膜によって結晶成長が抑制されて結晶粒
子の粗大化が防止されることから、非常に凹凸の少ない
平坦な膜面を有するものとなる。このため、絶縁層の少
なくとも一部が上記光ＣＶＤ法による絶縁膜からなるこ
の発明のＥＬ素子では、従来の如き絶縁層の欠陥部や凹
凸に起因した電界の不均一化が避けられ、駆動に際して
発光体層全体に均等な電界が印加され、局部的に過度な
電界がかかることがなく、均一で美麗な発光表示が得ら
れると羨もに、連続使用によっても絶縁破壊を生じにく
く長寿命となる。
ッタ法や電子ビーム蒸着法によるものと比較してＣＶＤ
法特有の不純物の少ない極めて緻密なものになり、しか
も低温下での成膜によって結晶成長が抑制されて結晶粒
子の粗大化が防止されることから、非常に凹凸の少ない
平坦な膜面を有するものとなる。このため、絶縁層の少
なくとも一部が上記光ＣＶＤ法による絶縁膜からなるこ
の発明のＥＬ素子では、従来の如き絶縁層の欠陥部や凹
凸に起因した電界の不均一化が避けられ、駆動に際して
発光体層全体に均等な電界が印加され、局部的に過度な
電界がかかることがなく、均一で美麗な発光表示が得ら
れると羨もに、連続使用によっても絶縁破壊を生じにく
く長寿命となる。
なお、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などの他のＣＶＤ
法によってもある程度は表面均一性のよい成膜が可能で
あるが、光ＣＶＤ法ではこれらよりさらにすぐれた表面
均一性が達成される利点があり、かつ他のＣＶＤ法より
も成膜に関与する因子が少なく制御容易である。このよ
うな光ＣＶＤ法による絶縁膜の形成にあたり、励起光源
とじては、低圧水銀ランプ、重水素ランプなどが使用さ
れる。
法によってもある程度は表面均一性のよい成膜が可能で
あるが、光ＣＶＤ法ではこれらよりさらにすぐれた表面
均一性が達成される利点があり、かつ他のＣＶＤ法より
も成膜に関与する因子が少なく制御容易である。このよ
うな光ＣＶＤ法による絶縁膜の形成にあたり、励起光源
とじては、低圧水銀ランプ、重水素ランプなどが使用さ
れる。
この発明のＥＬ素子における絶縁層の構成材料としては
、従来よりＥＬ素子の絶縁層材料として知られる数種の
ものを使用可能であり、たとえばＳｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ
３、Ｓ ｉ Ｏ，などがある。そして、光ＣＶＤ法にて
これらを形成する場合のンースガスは、たとえばＳ ｉ
３Ｎ、ではＳｉＨ，をＮ２で希釈したガストＮＨ，カス
、ＳｉＯ２ではＳｉＨ４をＮ２テ希釈したカスと０２ガ
ス、Ａｌ２Ｏ３ではＡ ｅ （ＣＨ３）３ カスと０２
ガスなど、化合物に応じた適宜の組成が用いられる。ま
た、絶縁層の厚さは２，５００〜５．０００λ程度とす
るのがよい。
、従来よりＥＬ素子の絶縁層材料として知られる数種の
ものを使用可能であり、たとえばＳｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ
３、Ｓ ｉ Ｏ，などがある。そして、光ＣＶＤ法にて
これらを形成する場合のンースガスは、たとえばＳ ｉ
３Ｎ、ではＳｉＨ，をＮ２で希釈したガストＮＨ，カス
、ＳｉＯ２ではＳｉＨ４をＮ２テ希釈したカスと０２ガ
ス、Ａｌ２Ｏ３ではＡ ｅ （ＣＨ３）３ カスと０２
ガスなど、化合物に応じた適宜の組成が用いられる。ま
た、絶縁層の厚さは２，５００〜５．０００λ程度とす
るのがよい。
なお、上記絶縁層は、その全体を光ＣＶＤ法による絶縁
膜にて構成することが望ましいが、場合によっては光Ｃ
ＶＤ法による絶縁膜とスパッタ法や電子ビーム蒸着法な
どの他の薄膜形成法による絶縁膜との複合膜とすること
ができる。
膜にて構成することが望ましいが、場合によっては光Ｃ
ＶＤ法による絶縁膜とスパッタ法や電子ビーム蒸着法な
どの他の薄膜形成法による絶縁膜との複合膜とすること
ができる。
一方、発光体層の構成材料としては、ＥＬ素子用として
知られる各種発光体材料がいずれも使用可能であり、通
常ではＺｎＳなどの母材に少量の発光付活剤を配合した
もの、たとえば、ＺｎＳ：ＴｂＦ３（緑色発光）、Ｚｎ
Ｓ ： ＳｍＦ３ （赤色発光）、ＺｎＳ：Ｍｎ（黄橙
色発光）、ＺｎＳ ： ＴｍＦ３（青色発光）、ＺｎＳ
： ＰｒＦ３（白色発光）、ＺｎＳ ： ＤｙＦ３（
黄色発光）などが好適に使用される。なお、発光体層の
厚さは３．０００〜６，０ＯＯＡ程度とするのがよく、
その形成手段としては電子ビーム蒸着法、スパッタ法を
始めとする種々の薄膜形成法を採用可能である。
知られる各種発光体材料がいずれも使用可能であり、通
常ではＺｎＳなどの母材に少量の発光付活剤を配合した
もの、たとえば、ＺｎＳ：ＴｂＦ３（緑色発光）、Ｚｎ
Ｓ ： ＳｍＦ３ （赤色発光）、ＺｎＳ：Ｍｎ（黄橙
色発光）、ＺｎＳ ： ＴｍＦ３（青色発光）、ＺｎＳ
： ＰｒＦ３（白色発光）、ＺｎＳ ： ＤｙＦ３（
黄色発光）などが好適に使用される。なお、発光体層の
厚さは３．０００〜６，０ＯＯＡ程度とするのがよく、
その形成手段としては電子ビーム蒸着法、スパッタ法を
始めとする種々の薄膜形成法を採用可能である。
また対向する電極としては、少なくとも表示側は発光を
透過させるためにＩＴＯ膜などからなる透明電極とする
必要があるが、非表示側の電極は上記透明電極に限らず
Ａｌなどからなる不透明電極としても差し支えない。そ
の形成手段としては発光体層と同様に既存の種々の薄膜
形成技術を採用できる。
透過させるためにＩＴＯ膜などからなる透明電極とする
必要があるが、非表示側の電極は上記透明電極に限らず
Ａｌなどからなる不透明電極としても差し支えない。そ
の形成手段としては発光体層と同様に既存の種々の薄膜
形成技術を採用できる。
なお、この発明は、図面で示す如く発光体層が一層であ
る基本的な構造のＥＬ素子以外に、たとえば発光体層が
２層以上の多層構造であるもの、対向する一方の電極が
相互間に絶縁層を介して積層された複数の電極層からな
るものなど、種々の構造のＥＬ素子に適用可能である。
る基本的な構造のＥＬ素子以外に、たとえば発光体層が
２層以上の多層構造であるもの、対向する一方の電極が
相互間に絶縁層を介して積層された複数の電極層からな
るものなど、種々の構造のＥＬ素子に適用可能である。
またその駆動方式も交流駆動方式、マトリックス駆動方
式など種々の方式を採用できる。
式など種々の方式を採用できる。
［発明の効果］
この発明に係るＥＬ素子は、対向する電極と発光体との
間に介在する絶縁層の少なくとも一部が光ＣＶＤ法にて
形成された絶縁膜からなり、この絶縁膜が水分その他の
不純物が混入しやすいピンホールなどの欠陥の少ない極
めて緻密なものであって、かつ非常に凹凸の少ない平坦
な膜面を有することから、従来のＥＬ素子の如き絶縁層
の欠陥部や凹凸に起因した電界の不均一化が避けられ、
駆動に際して発光層全体に均等な電界が印加され、均一
で美麗な発光表示が得られるとともに、発光層に局部的
に過度な電界がかかることがないため、連続使用によっ
ても絶縁破壊を生じにくく長寿命である。
間に介在する絶縁層の少なくとも一部が光ＣＶＤ法にて
形成された絶縁膜からなり、この絶縁膜が水分その他の
不純物が混入しやすいピンホールなどの欠陥の少ない極
めて緻密なものであって、かつ非常に凹凸の少ない平坦
な膜面を有することから、従来のＥＬ素子の如き絶縁層
の欠陥部や凹凸に起因した電界の不均一化が避けられ、
駆動に際して発光層全体に均等な電界が印加され、均一
で美麗な発光表示が得られるとともに、発光層に局部的
に過度な電界がかかることがないため、連続使用によっ
ても絶縁破壊を生じにくく長寿命である。
以下に、この発明を実施例に基づいて具体的に説明する
。
。
実施例１
厚さ１．１ｉｍの無アルカリガラスからなる基板の一面
にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる厚さ２．０ＯＯＸ
の透明電極を形成したのち、この透明電極上に光ＣＶＤ
法によってＳｉ３Ｎ４からなる厚さ４，０００″Ａの第
１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層上に電子ビーム
蒸着法によってＺｎＳ：ＴｂＦ３からなる厚さ５．００
０ Ｘの発光体層を形成し、さらにこの発光体層上に光
ＣＶＤ法によって厚さ４，０ＯＯＡの第２の絶縁層を形
成し、最後に第２の絶縁層上にスパッタ法によりＩＴＯ
膜からなる厚さ２，０ＯＯＡの背面電極を形成し、図面
で示す構造のＥＬ素子Ａを作製した。
にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる厚さ２．０ＯＯＸ
の透明電極を形成したのち、この透明電極上に光ＣＶＤ
法によってＳｉ３Ｎ４からなる厚さ４，０００″Ａの第
１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層上に電子ビーム
蒸着法によってＺｎＳ：ＴｂＦ３からなる厚さ５．００
０ Ｘの発光体層を形成し、さらにこの発光体層上に光
ＣＶＤ法によって厚さ４，０ＯＯＡの第２の絶縁層を形
成し、最後に第２の絶縁層上にスパッタ法によりＩＴＯ
膜からなる厚さ２，０ＯＯＡの背面電極を形成し、図面
で示す構造のＥＬ素子Ａを作製した。
なお、第１および第２の絶縁層の形成はいずれも、真空
度１．５Ｔｏｒｒ１基板温度２００°Ｃにおいて、ソー
スガスとしてＳ ｉＨ４をＮ２で１０％に希釈したガス
とＮＨ３ガスとの容量比１：２５の混合ガスを用い、そ
の供給速度を２５ｍｅ１分とするとともに、励起光源と
して低圧水銀ランプを使用し、膜成長速度１００Ｘ／分
として行った。
度１．５Ｔｏｒｒ１基板温度２００°Ｃにおいて、ソー
スガスとしてＳ ｉＨ４をＮ２で１０％に希釈したガス
とＮＨ３ガスとの容量比１：２５の混合ガスを用い、そ
の供給速度を２５ｍｅ１分とするとともに、励起光源と
して低圧水銀ランプを使用し、膜成長速度１００Ｘ／分
として行った。
実施例２
第１および第２の絶縁層を、ソースガスとしてＳｉＨ，
をＮ２で１０容量％に希釈したガスと０２ガスとの容量
比１：２の混合ガスを用い、真空度を６Ｔｏｒｒ、基板
温度を２００°Ｃ１励起光源として低圧水銀ランプを用
い、膜成長速度を５ＯＡ、／分とする条件のもとて光Ｃ
ＶＤ法にて形成した厚さ４、ｏｏｏＸのＳｉＯ□膜とし
た以外は、実施例１と同様にしてＥＬ素子Ｂを作製した
。
をＮ２で１０容量％に希釈したガスと０２ガスとの容量
比１：２の混合ガスを用い、真空度を６Ｔｏｒｒ、基板
温度を２００°Ｃ１励起光源として低圧水銀ランプを用
い、膜成長速度を５ＯＡ、／分とする条件のもとて光Ｃ
ＶＤ法にて形成した厚さ４、ｏｏｏＸのＳｉＯ□膜とし
た以外は、実施例１と同様にしてＥＬ素子Ｂを作製した
。
比較例１
第１および第２の絶縁層をともにスパッタ法によって形
成した厚さ４，０ＯＯＡのＳｉ３Ｎ、膜とした以外は、
実施例１と同様構成のＥＬ素子Ｃを作製した。
成した厚さ４，０ＯＯＡのＳｉ３Ｎ、膜とした以外は、
実施例１と同様構成のＥＬ素子Ｃを作製した。
比較例２
第１および第２の絶縁層をともに電子ビーム蒸着法によ
って形成した厚さ４，０ＯＯＡのｙ ２ ｏ 、膜とし
た以外は、実施例１と同様Ｒ１成のＥＬ素子Ｄを作製し
た。なお、絶縁層構成材料としてＹ２Ｏ。
って形成した厚さ４，０ＯＯＡのｙ ２ ｏ 、膜とし
た以外は、実施例１と同様Ｒ１成のＥＬ素子Ｄを作製し
た。なお、絶縁層構成材料としてＹ２Ｏ。
を使用したのは、電子ビーム蒸着法ではｓｌ、Ｎ４の成
膜が困難であることによる。
膜が困難であることによる。
比較例３
第１および第２の絶縁層を、ソースガスとしてＳｉＨ，
をＮ２で１０容量％に希釈したガスとＮＨ３ガスとの容
量比１：２５の混合ガスを用い、その供給速度を２５ｍ
ｅ１分、真空度を１．５Ｔｏｒｒ、基板温度を４５０
°Ｃ１膜成長速度を５０λ／分とする熱ＣＶＤ法にて形
成した厚さ４，０００＾のＳｉ３Ｎ４膜とした以外は、
実施例１と同様にしてＥＬ素子Ｅを作製した。
をＮ２で１０容量％に希釈したガスとＮＨ３ガスとの容
量比１：２５の混合ガスを用い、その供給速度を２５ｍ
ｅ１分、真空度を１．５Ｔｏｒｒ、基板温度を４５０
°Ｃ１膜成長速度を５０λ／分とする熱ＣＶＤ法にて形
成した厚さ４，０００＾のＳｉ３Ｎ４膜とした以外は、
実施例１と同様にしてＥＬ素子Ｅを作製した。
上記実施例および比較例で得られたＥＬ素子Ａ〜Ｅの各
１０個について、それぞれ両電極間に５ＫＨｚの交流パ
ルス電圧を印加して発光させ、その電圧を次第に増大さ
せることにより、発光状態および破壊特性を調べた。そ
の結果、ＥＬ素子Ｃでは、その半数が最大輝度に達する
電圧（２００Ｖ）より低い電圧（１４０Ｖ）で絶縁破壊
を起こした。
１０個について、それぞれ両電極間に５ＫＨｚの交流パ
ルス電圧を印加して発光させ、その電圧を次第に増大さ
せることにより、発光状態および破壊特性を調べた。そ
の結果、ＥＬ素子Ｃでは、その半数が最大輝度に達する
電圧（２００Ｖ）より低い電圧（１４０Ｖ）で絶縁破壊
を起こした。
またＥＬ素子りでは、低電圧での絶縁破壊は生じなかっ
たが、基板表面の発光面中に多数の輝斑ができ、いずれ
も不均一な発光表示となった。さらにＥＬ素子Ｅでは、
低電圧での絶縁破壊は生じなかったが、発光面中に明暗
差が認められた。これに対して、この発明のＥＬ素子Ａ
、Ｂは、いずれも低電圧での絶縁破壊を生じず、しかも
基板表面の発光面が極めて均一で明暗差のない美麗なも
のとなった。
たが、基板表面の発光面中に多数の輝斑ができ、いずれ
も不均一な発光表示となった。さらにＥＬ素子Ｅでは、
低電圧での絶縁破壊は生じなかったが、発光面中に明暗
差が認められた。これに対して、この発明のＥＬ素子Ａ
、Ｂは、いずれも低電圧での絶縁破壊を生じず、しかも
基板表面の発光面が極めて均一で明暗差のない美麗なも
のとなった。
一方、上記ＥＬ素子Ａ、Ｂ、Ｅの各１０個を５ＫＨｚの
交流パルス電圧を印加し、２４０Ｖの定電圧下で継続発
光させたところ、ＥＬ素子Ｅでは平均６００時間で絶縁
破壊を生じたのに対し、この発明のＥＬ素子Ａ、Ｂはい
ずれも１，０００時間でも絶縁破壊を生じず極めて長寿
命であることが判った。
交流パルス電圧を印加し、２４０Ｖの定電圧下で継続発
光させたところ、ＥＬ素子Ｅでは平均６００時間で絶縁
破壊を生じたのに対し、この発明のＥＬ素子Ａ、Ｂはい
ずれも１，０００時間でも絶縁破壊を生じず極めて長寿
命であることが判った。
図面はエレクトロルミネッセンス素子の基本的構造を示
す断面図である。
す断面図である。
Claims (1)
- （１）少なくとも一方が透明である対向する電極間に
絶縁層を介して発光体層が配設されてなるエレクトロル
ミネツセンス素子において、上記絶縁層の少なくとも一
部が光ＣＶＤ法にて形成された絶縁膜からなることを特
徴とするエレクトロルミネツセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138757A JPS62295391A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138757A JPS62295391A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295391A true JPS62295391A (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=15229471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61138757A Pending JPS62295391A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62295391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2005063850A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Ran Technical Service Kk | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61138757A patent/JPS62295391A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2005063850A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Ran Technical Service Kk | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
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