JPS62295023A - 液晶の高周波交流励起方法とそれに用いる液晶電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野） 本発明は液晶を使用するための励起方法とそれに用いる
液晶電気光学装置に関する。

〔従来の技術〕

液晶に関しては、少なくともここ１０年来、多数の研究
作業がなされている。

これ等の労作は多数の文献の発生原因をなしている。

例えば、次の文献を例示する。（１）アプライド・フィ
ジックス（八ｐｐｌｉｅｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ）第１１＠
第１号、１９７６年９月、シュプリンゲル・フェルラー
ク（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｖｅｒｌａｇ）　、カー・ファ
ーレンショーン他「電界内における予傾斜ネマチック液
晶層の変形」第６７−７４頁、（２）ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡ
ｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）第４７巻第９号、１９
７６年９月、アメリカン・インスチチュート・オブ・フ
ィジックス（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ　
ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）−ｒ−ス・マツモト他、「ハイ
ブリッドアラインドネマチック液晶の電界誘導変形、新
多色液晶表示装置」第３８４２−３８４５頁。この後者
の文献には、液晶材料を含むセル容器内において、この
セルに印加された電界と液晶の誘電異方性とを組合わせ
る事によってネマチック液晶内に生じる電気的に制御さ
れた複屈折効果を取扱っている。

更に、南パリ大学の研究所で為された研究作業の各種の
結果は、第２５２６１７７号として公開された１９８２
年４月２８日出願の出願番号第８２０７３０９号フラン
ス特許出願明細書、１９８４年１０月２３日出願の出願
番号第８４１６１９２号フランス特許出願明細書、ある
いは更に１９８５年６月１８日出願の出願番号第８５０
９２２４号フランス特許出願に記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点） 現在までに提案された大多数の電気光学装置の大きな欠
点の一つは、電気的励起に対する応答時間がミリ秒を大
きく越える事である。

最近、偏光に対して液晶内でマイクロ秒での高速切替え
の可能なシステムが確かに提案されている。これはキラ
ル（ｃｈｉｒａｌ）性スメクチック物質で弱い表面定着
性（ａｎｃｒａ３ｅ）のものの強誘電性を使用するもの
に関する。この装置は雑誌フェロエレクトリックス第５
９巻第２５号（１９８４年）にエヌ・クラークとニス・
ロジャーウオール（Ｎ、ＣＬＡＩＩＫ　ａｎｄ　Ｓ几へ
ＧＥＩＩＷＡＬＬ）によって発表されている。

しかしながら、本装置は比較的短い応動時間は確保する
ものの、各種の欠点を有し、その中で、マルチプレクシ
ングによる動作の困難性、定着性の精密制御の必要性、
維持交番電界を使用する場合のセルの消費電力の問題、
等が重要である。

現在までに提案された装置の限度を老成して、この発明
は、液晶電気光学装置に数Ｍ　Ｈｚにも達し得る高周波
−電気励起を実現可能とする新方法および装置を提案す
る事を目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

多数の理論的考察と実験的確認によって、発明者等は、
この様な問題を解決する為に以下の様な電気光学的シス
テムを提案するものである。即ち、本発明では、 電極を形成すべき相対向する内面が導電被覆で被覆され
た２つの平行透明板と、これら両板の間に挿入された間
隔材と、前記２枚の板で限界された空間内のネマチック
性活性分子から成る材料とを有する液晶セルに対して、 少なくとも一方の電極被覆の所定の領域に表面のインピ
ーダンスの制御された変化を作り、両者の板に夫々設け
られた２つの電極の間に、電極に直角な電界と、インピ
ーダンスの制御された変化を示す領域において電極の方
線に対して傾斜した電界とを交互に発生させ得る様に選
定された可変周波数の励起電圧を印加するものである。

〔作用および効果］ 以下に説明する通り、この様にして得られた電気光学装
置は、２枚の板の間に、制御インピーダンス変化被覆領
域において拡散、傾斜した電界を得る事が出来、これに
よって板の間に置かれたネマチック性活性分子のネマチ
ック方向子の曲りと傾斜を得る事が出来、複屈折効果が
得られるものである。

好ましくは、本発明による方法は、板の上に夫々設けら
れた２つの電極上に、周波数が交互に以下記載の特性に
よって定義される不安定限界周波数の上下に変化する励
起電圧を印加する工程を有する。ここで不安定限界周波
数を決める上記特性とは、一方の被覆の制御インピーダ
ンス変化領域上の第１の点と、同−被覆内の前記領域外
の第２の点と、他方の被覆内にあり第１の点を通過する
被■の法線上に位置する第３の点とを考えたとき、第２
の点と第３の点との間の事実上容量性の誘電体インピー
ダンスが、第３の点と第１の点との間の誘電体インピー
ダンスと第２の点と第１の点の間の被覆インピーダンス
との和に等しくなるような特性周波数を意味する。

本発明のその他の特徴、長所、目的に関しては、限定的
ではない例示を与える添附図面を参照して以下の詳細な
説明を読む事によって明確になるであろう。

〔実施例〕

先ず最初に本発明の液晶電気光学装置の製造工程を説明
する。

前述の通り本工程の第１段階は、夫々その片面に電極を
構成する導電被覆を電極の特定の領域に被覆の少なくと
も一方の表面上に制御された状態でインピーダンスの変
化を作りながら形成した２枚の平行透明板を用意する事
から成る。

引き続いて上記の様にして用意した２枚の板は、画板間
に間隔材を挿入した後、はぼ平行な配列状態に相互に近
接配置され、これ等の２枚の板と間隔材によって境され
た空間にはネマチック性の活性分子を有する液晶材料を
充填する。

好ましくは、電極被覆の少なくとも一方の表面の制御さ
れたインピーダンス変化は、電極を構成する導電性被覆
の固有インピーダンスの変化によって実現する。この固
有インピーダンスの変化を実現するには各種の実現方法
を使用し得る。

第１の実施変形例によれば、化学反応を使用する。電極
被覆の少なくとも一方の表面の制御されたインピーダン
ス変化を作る工程は次の様に為される。つまり、（１）
一方の板上に一様な導電性被覆の一様な層を被着し、次
に、（２）化学反応によって被覆を特定領域でその表面
のインピーダンスを変化させる。

更に詳細には、この第１変形例の好ましいものとして実
際に考えられる実施モートによれば、電極被覆の少なく
とも一方の表面にある制御されたインピーダンスの変化
を作る工程は：　（１）一方の板の上に錫とインジウム
の酸化物（１，ＴＯ）から成る電気的に導電性の被覆の
一様な層を被着し、次に、（２）化学反応によって被覆
の所定の領域に錫とインジウムの酸化物を少なくとも部
分的に還元する事によって実現される。錫とインジウム
の酸化物は、原理的には半導体であるが、化学的還元の
後には導電性が低下し、絶縁物にさえなる事が知られて
いる。

電極を形成する導電被膜の固有インピーダンスを変化さ
せるのにはまた、厚みの一部又は全部の機械的な蝕刻も
使用する事が出来る。この場合、電極被覆の少なくとも
一方の表面の制御されたインピーダンスの変化を作る工
程は；　（１）板の一方に一様な導電被膜の一様な層を
被着し、次に、（２）その所定の領域て被覆を機械的に
蝕刻する。

所望により、電極被覆の少なくとも一方の表面の制御さ
れたインピーダンスの変化はまた、導電性被覆の所望の
領域に被覆とは相違する導電度を有する材料の被覆層を
被着する事によって作る事も出来る。

上述した電極被覆の少なくとも一方の表面の制御された
インピーダンスの変化は、所定の領域の周辺からその中
心に向かってのインピーダンスの順次的変化でも、所定
の領域を飛越えた時にインピーダンスが患部に変化する
ものであっても良い。

所定の領域の周辺からその中心に向かってインピーダン
スが順次に変化する事を所望する場合、化学反応による
被覆表面のインピーダンス変化を使用するのが好ましい
事は当業者の容易に理解する所であろう。これに反し、
所定の領域の限界を飛越えた場合にインピーダンスの患
部な変化を得る事を希望する場合は、被覆の機成的蝕刻
又は所定の領域上でのそれの置換えを使用するのが好ま
しい。

ｚ５　を図にこの様にして得られた液晶電気光学セルを
略示する。

この第１図で、好ましくはガラス製の平行で透明な２枚
の板１１．１２を有するセルｌＯが見られる。間隔材１
３が板１１．１２の間に挿入され、これ等と協同して気
密内部チェンバを作るが、この中にはネマチック性の活
性分子を含む液晶材料１７が充填される。板１１．１２
は、その対向面に、電極を形成すべき導電的かつ透明な
被ｒｉｌ１４．１５を夫々有する。

これらの？ＫＦＪｌ　４．１５は、数字３０で略示する
電源端子１接続されると、所定の値で板１１゜１２にほ
ぼ垂直な方向の電界を材料１７に加える事が出来る。

更に、第１図には、例えば蝕刻によって、被覆１５の表
面インピーダンスの制御変化を実現した領域１６が略示
されている。

電極１５は領域１６の周囲にほぼ一様な導電度を有し、
従ってほぼ一様な帯電密度を有する。従って電極１４と
１５との間への励起電圧の印加は領域１６の周辺に電極
１４．１５にほぼ垂直な一様な向きの電界を発生する。

第１図において、この電極に直角な向きの電界は矢印Ｅ
１で略示されている。

これに反し、電源装置３０が、その周波数が以下に説明
する不安定限界周波数よりも高い励起交流電圧を制御イ
ンピーダンス変化領域に相当する領域１６上に印加する
と、矢印Ｅ２で第１図に略示する様に、領域１６の周囲
に沿って広がりかつ傾斜した電界が得られる。そのため
、強い誘電異方性を有するネマチック性の活性分子を有
する材料１７を使用する事によって、セル１０内に前述
の領域１６上にネマチック方向子（ｄｉｒｅｃｔａｕｒ
）の傾斜が得られる。事実、ネマチック性の活性度を有
し強誘電異方性を有する活性分子は傾斜電界Ｅ２の方向
に従う。

その為に、例えばシアノビフェニル化合物の様な正の誘
電異方性のネマチック液晶や、負の誘電異方性のネマチ
ック液晶を使用する事が出来る。

正の誘電異方性の場合、分子軸の方向での誘電定数はこ
の軸に垂直な誘電定数よりも大きく、分子は電界の方向
に平行に向く。

反対に、負の誘電異方性の場合、分子軸の方向の誘電定
数はこの軸に直角な誘電定数よりも小さく、分子は電界
に直角に向く。

液晶分子の傾斜配列は、セルが、例えば直交する２つの
偏光子の間で観察された場合、可視複屈折効果を形成す
る。

電極を形成する被覆の一方がインピーダンスの急変を作
る為に所定の領域に蝕刻を行った本発明による液晶電気
光学装置の一方と、一方の被覆が所定の領域上の表面の
インピーダンスの勾配を定める化学的処理を行った本発
明による今一つの液晶電気光学装置によって夫々作られ
た２つの実験例について以下に説明する。

例、ｌ。

第１の一連の実験は、厚さ約７００オングストロームの
導電性の傾斜入射（６０度）の下に真空蒸着し、金被看
中に針によって作られた約８０μの平均直径の穴１６を
有する金被着被覆１５を有する第１の板１２と、シラン
ホメオトローブ（５ｉｌａｎｅ　ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｅ
）によって処理されたインジウム、錫酸化物被覆１４を
有する第２の板１１とを有する一連のセルによって行わ
れた。これらのセルにはＳＣＢ形の液晶が充填された。

これらは直交偏光子の間で観察された。

更に正確には、実験は弱い定着性（ａｎｃｒａｇｅ）の
液晶に対応し、厚さ６μ、２０μ及び６５μの間隔材１
３を夫々有する第１形セルによって行われた。弱い定着
（ａｎｃｒａｇｅ）形成具は金蒸着１５内に作られた穴
１６がたたちにはホメオトローブ（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐ
ｅ）にはならず、セルの充填後少なくとも２４時間後に
のみ生しるという事から明白である。

別の実験が強い定着（ａｎｃｒａｇｅ）形に対応するセ
ルで行われた。強定着性（ａｎｃｒａｇｅ）は金蒸着内
に作った穴１６がセル充填直後にホメオトローブ（ｈｏ
ｍｅｏｔｒｏｐｅ）　になる事から明白となる。

強定着（ａｎｃｒａｇｅ）形セルについての実験は厚さ
６μの間隔材１３に関してのみ行った。

先ず最初に、１０ＨｚからＩＭＨｚに及ぶ高範囲の各種
励起周波数の関数としての穴１６周辺の照明閾値を得る
為に、セルの電極間に加えたふ電圧を測定した。これら
の測定の結果は第３図の連続線で示されている。

この図から、穴１６の周囲を照明するには、励起電圧７
００ＫＨｚ乃至Ｉ　Ｍ　Ｈｚまでの間、周波数に関係な
しに事実上一定である。電圧は厚さの関数として僅かに
変化するが、これは強い定着性（ａｎｃｒａｇｅ）の場
合は増加（約２倍）させなければならない。

実験はマロン縞（ｆｒａｎｇｅ　ｍａｒｒｏｎ）が現れ
る、即ち最大コントラストで使用して行った。これ等の
測定の結果は第３図の鎖線で略示する。マロン縞を現す
為には、同一厚さに対して周波数の増加と同時に電圧を
順次増加する必要がある事が分る。

参考写真１は無励起電圧の時の本液晶電気光学セルを示
す。

参考写真２は各種火１６の緑の照明閾値に対応する励起
電圧に対する同一セルの写真である。

最後に、参考写真３はマロン縞の発生後の同一セルの写
真を示す。

例、２゜ この第２の一連の実験に対しては、厚さ約２５０オング
ストロームの錫及びインジウムの酸化物層の導電層（Ｉ
ＴＯ）で被覆されたガラス板１１．１２を使用した。

実験用セルは以下の様にして準備した。

アセトン脱脂、蒸留水洗浄の後、乾燥した板の一つ１２
を以下の要領で変化させた。

板上に苛性カリ−３−０％水溶液の液滴を置いた。

次に厚さ約０．０１ｍｍ、幅約２ｍｍのアルミニウム箔
を錫、インジウムの酸化物導電層に接触させた。約２分
の反応の後、板を蒸溜水の下で洗浄した。これで更にエ
レクトロボジテイフなアルミニウムによる錫、インジウ
ムの酸化物の還元が行われた。次に板を被覆している錫
、インジウム酸化物層の電気抵抗が一連の点の対の場所
で測定された。

この測定の結果を第４図に略示する。

この図において、符号２０は、錫、インジウム酸化物層
へのアルミニウム箔の接触領域を略示する。電気抵抗測
定点対はＡ＋　、Ａ２　　；　Ｂ＋　、Ｂ２；Ｃ＋　、
Ｃ２；ＤＩ　、Ｄ２　　；Ｆｌ　、Ｆ２で夫々略示する
。これ等の点の対の間で測定された抵抗値は第４図中に
表示されている。電気抵抗は錫、インジウム酸化物導電
層とアルミニウム箔とか以前に行った接触領域でのレベ
ルのほぼ無限大にまて順次増加している事が確かめられ
る。換言ずれは、錫、インジウム酸化物層にこの様にし
て電気抵抗の勾配が得られる。

乾燥及び銀エナメル２１による電気的励起用の接続導線
２２の固定後、電気光学セルは以下の様に仕上げられる
。錫、インジウム酸化物層の還元によって得られた前記
の電気抵抗勾配を有する板１２と無傷の導電板１１とは
マイラー製の６μの間隔材で隔てられる。ＳＣＢ形の液
晶が板１１゜１２及び間隔材１３で区切られた気密容積
内に毛管現象によって導入される。数ボルトの程度の電
圧を印加すると試料はホメオトロピックに成る。

これを交差偏光子の間で観測する。

ＩＨｚから７ＭＨｚに及ぶ可変周波数の励起電圧を印加
する事によって、細かくは励起周波数によって０．１５
乃至０．２０ｍｍ１ｌａれた２木の細いバンドから成り
、２個の半円形で繋るハロー即ち錫、インジウム酸化物
導電層の還元の為に使用されたアルミニウム箔の形状に
ほぼ等しい形状のハローの出現が観察される。

本セルで行われた２種類の測定結果を次表に細記するが
、次表の左第１行は各種測定読取りに対応する励起周波
数を示す。

第２行は不安定域値、即ちハローの発生する値に対応す
る励起電圧の値をボルトで示したものである。

第３行は、励起周波数の関数としての不安定直線バンド
の間隔を不定単位で示すものである。

最後に、第１表の右手の第４行には、各種の励起周波数
及び励起電圧に対応するセルの拡大写真である参考写真
４〜１５の番号を示す。

第１表 上記の表と参考写真４乃至１５を眺める事によって、不
安定直線バンド間の間隔は励起周波数の増加と共に増加
する事が分る。この結果を以下に説明する。

本発明で利用する現象を説明するために、ここで第２図
を参照する。

この第２図において、電極１４．１５で被覆され、平行
に配置された２枚の透明板１１．１２から成る、第１図
に示すセルと類似のセル１０を示す。板ＩＩ、１２は間
隔材１３で隔てられている。

セルには液晶１７が充填されている。一方の電極１５は
抵抗変化領域１６を有する。以下の説明を容易にする為
には、領域１６の中心に向かってその周辺から抵抗が順
次に増加するものとする。

ここで電極１５上の２点ＧとＨとを考えるが、最初の点
Ｇは被覆の制御抵抗変化領域１６のほぼ中心に位置し、
第２の点Ｈは同一被覆上に、領域１６の外部に、例えば
その周囲に位置する。最後に、他方の被覆１４内に位置
し、最初の点Ｇを通過する両被覆の法線上に位置する第
３の点Ｊを考える。

第１及び第２の点ＧとＨとの間の、事実上抵抗的である
インピーダンスは、第２図にＲで表示する抵抗で略示さ
れている。

事実上容量性である第１と第３の点Ｇ、Ｊ間のインピー
ダンスは、第２図に００で表示されたキャパシタンスで
略示されている。

最後に、事実上容量性な第２と第３の点Ｈ，Ｊの間のイ
ンピーダンスは、第２図に０１で表示されたキャパシタ
ンスで略示されている。

第３の点Ｊと夫々第１の点Ｇ及び第２の点Ｈとの間のキ
ャパシタンスＣ６とＣ１とは、これらの点の対を隔てる
距離に逆比例する事は周知の所である。従って、第３の
点Ｊと第２の点Ｈとの間の誘電体インピーダンス（１／
Ｃ１）は、第３の点Ｊと第１の点Ｇとの間のＸＩ　ｇ体
インピーダンス（１／Ｃ０）よりも常に大ぎい。更に、
これらのインピーダンスは励起周波数が増加するに伴っ
て減少する。

比較的低い励起周波数に対しては、第３と７ｇ＋の点Ｇ
とＪの間のインピーダンスと第２及び第１の点ＨとＧの
間の被覆のインピータンス（Ｒ）との和は第３と第２の
点ＪとＨの間の誘電体インピ−ダンスよりも小さいであ
ろう。

この場合電荷は、電極１５上で、インピーダンス変化を
有する領域１６の存在にも拘らず、はぼ一様に分布する
。

第３の点と夫々第１及び第２の点ＧとＨとの間の誘電体
インピーダンスを高めている励起周波数は減少する。

本明細書において限界周波数と記載する周波数に対して
は、第３及び第１の点ＪとＧの間の誘電体インピーダン
スと、第１と第２の点ＧとＨの間の被覆のインピーダン
スとの和は、第２と第３の点ＪとＨの間のインピーダン
スと等しくなる。この時、被覆１５の上電荷の一様でな
い分布が得られ、この被覆の大インピーダンス領域１６
は電荷が少なくなる。

そのため、インピーダンス変化領域１６を有する板１２
の近くで、前述の等インピーダンスに対応する点Ｈのレ
ベルで電気力線は領域１６の中心に向かって傾斜する。

更に正確には、セルの厚み方向で、電界力線は板１２の
近くで領域１６の中心に向かって曲り、反対側の板１１
上にほぼ垂直に到着する様になる。

励起周波数が更に増加すると、第３０点Ｊと第１及び第
２の点ＧとＨとの間の容量性の誘電体インピーダンスの
それに対応しての低下を考慮すると、前述の不安定現象
が第１及び第２の点ＧとＨとの間で更に小さなインピー
ダンス値に対して得られ、即ち、電気抵抗の勾配のある
領域１６の中心から更に離れた第２の点の場所に対して
生じる（即ち、更に小さなインピーダンス変化に対応す
る第２の点の場所）。

換言すれば、セルの固有静電容量Ｃと電極表面の制御抵
抗Ｒとが時定数ＲＣを定め、ωＣＲＣ＝１となる様な周
期ω。による不安定限界周波数を定める事となるが、こ
こにＲはインピーダンス変化領域での単位正方形面積当
りの抵抗を示すものであり、Ｃは画板１１．１２を隔て
る距離に等しい各辺で形成された立方形で形成された板
１１゜１２間のセル要素の静電容量を示す。

電源装置３０によって発生された励起信号の周期ωが不
安定限界周期ω。を越すと、インピーダンス変化領域１
６の場所での電界は傾斜する。周期ωが不安定限界周期
ωＣよりも低いと、電界は１反に直角である。

この現象は、不安定直線状領域間の間隔（第２の点Ｈの
場所に相当する）が、インピーダンス変化領域１６が大
インピーダンスを示す時、励起周波数の増加と共に増加
する事を示している参考写真４〜１５が明らかにしてい
る。

結論すると、本発明による液晶電気光学装置とその使用
方法は、板に夫々設けられた２つの電極ＩＩ、１２の間
に不安定限界周波数を越える周波数の励起交番電圧を印
加する事から成り、ここにおいて、第１の点Ｇは被覆１
２の制御インピーダンス変化頭載上にあり、第２の点Ｈ
は前記領域の外に同−被覆内に有り、第３の点Ｊは別の
被覆内にあって第１の点を通過する被覆の法線上に位置
し、誘電体インピーダンス（１／Ｃｉ　）は事実上容量
性で第２及び第３の点ＨとＪとの間のものであり、第３
及び第１の点ＪとＧとの間の誘電体インピーダンス（１
／Ｃ０）と第１及び第２の点ＧとＨとの間のインピーダ
ンスとの和に等しい。

本発明の別の有利な特徴によれば、前述の不安定限界周
波数を越える周波数の励起電圧を印加すると籾に生じる
複屈折現象を押さえ為に、使用方法は好ましくは電極間
に限界周波数よりも低い周波数の制御電圧を印加する事
から成る。

事実、この様な限界周波数よりも低い周波数の抑制電圧
を印加すると、電界と分子の電媒異方性との間の結合に
より液晶分子の一様配列を行う為に、電界力線は板１１
．１２に完全に垂直となる。

不安定限界周波数以下の周波数の抑制電圧の印加は、当
然複屈折効果を非常に速く防止するし、全ての場合、単
に励起電圧が遮断される場合に比較して非常に速く、後
者の場合は複屈折効果の抑制は分子の曲り弾性に関係す
る時定数に依存している。

当然、電極の特定位置が、例えば完全な蝕刻によって得
られる様な無限大のインピーダンスを有する場合、励起
限界周波数はゼロである。この場合、電極法線に対して
傾斜した電界を得る為には電極間に直流電圧を印加すれ
ばよい。所定の領域のレベルでの仮定的なインピーダン
ス無限大の場合、限界周波数ゼロの対策としては、低い
周波数の抑制電圧を印加する事は出来ない。複屈折作用
防止のためには励起交流電圧の停止を行う必要がある。

本発明による液晶電気光学セルを使用してアルファニュ
ーメリック文字を表示するのには、セルの一方の電極１
５上に表面のインピーダンス変化を生じる一連の場所を
作ればよく、これが表示すべきアルファニューメリック
文字を再生するが、これは例えば第５図に略示する様に
、電極のこれ等の場所の各々に点又は線のマトリックス
の蝕刻を行って実現できる。

傾斜作用はセルの厚みに等しい幅で現れるので、これ等
の点又は線のマトリックスはセルの厚さと同等の横ピッ
チを持たせる。従って、第５図の表現は寸法割合いを正
確に表してはおらず、電極１４と１５を隔てるセルの厚
みは、実際には、上述した通り場所１９に蝕刻された点
又は線のビッヂの大ぎさの程度である。

不安定限界周波数を越え、閾値よりも他界振幅の励起電
圧がセルの端子に印加されると、これが制御インピーダ
ンス変化を有する励起された場所＋９で定められたアル
ファニューメリック文字を表示する。

表示されたこの文字を消すには、前述の場所に不安定限
界周波数以下の周波数の励起電圧を印加するが、あるい
は励起電圧を停止すれば良い。

同一電気光学装置によって各種のアルファニューメリッ
ク文字を表示出来る様にするには、電極１５を分雛され
た複数個の電極に分割し、これ等の場所に励起電圧を選
択的に印加すればよい。

実際には、不安定限界周波数を越える周波数を有し、閾
値以上の振幅を有する励起電圧を受取る電極の場所に置
かれた領域１６のみに光が現れる。

電極１５の各種励起場所乃至領域は各種の限界周波数を
持ち得るが、これは励起周波数を制御する事によって選
択的な表示を可能とする。

第６図に、水平及び垂直な電極に夫々有利な、本発明に
よるセルの７Ｍ、極に夫々印加される励起電圧の例を略
示した。

第６図では、インピーダンス制御変化領域１６に印加す
る励起電圧は電極に夫々印加された２つの低周波信号の
重ね合わせによって形成でき、その位相ずれか高周波成
分を作る事を示している。

第６図に示す信号は非限定的な表示例を示す丈のもので
ある。

勿論、本発明は前述した実施例のみに限定されるもので
はなく、その精神にもとすく全ての変形例にも及ぶもの
である。

複屈折効果は不安定限界周波数以上の励起周波数で現れ
ること、及び、不安定限界周波数以下の励起周波数によ
って防止される事は前述の所である。この場合は板１１
．１２に対して直交する偏光子に対応している。非直交
偏光子を使用して、あるいは又負の誘電異方性の液晶を
使用して、反対の装置を得る事も出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電気光学セルの略式ヱ：（親図、
第２図は複屈折効果を得る為の本セルに適用する本発明
による方法を略示する説明用ｔ’＋視図親図３図は、複
数枚の写真１，２．３に示される第１実施例によるセル
の各種変形例に対する照明閾値に対応する励起周波数の
関数としての励起電圧の値を示す図、第４図は本発明に
よる製造工程によって得られた電極被覆を略示する平面
図、第５図は本発明による電気光学セルの一例を示す斜
視図、第６図は本発明による装置の励起モートを略示す
る線図、である。 図中、１１．・１２は平行透明板、１３は間隔材、１４
．１５は電極被覆、１６は所定領域、１７は液晶材料、
３０は電諒装置を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、相対向した内面に導電性被覆を施して電極（１４、
   １５）を形成した２つの平行な透明板（１１、１２）と
   、両板の間に介装された間隔材（１３）と、前記板で限
   界された空間内のネマチック性活性分子を有する材料（
   １７）とから成る液晶セルに対し、 その選定された領域（１６）上で電極の少なくとも一方
   の表面インピーダンスの制御された変化を作り、 板（１１、１２）に夫々設けられた電極（１４、１５）
   間に、電極に直角な電界とインピーダンスの制御された
   変化を示す領域（１６）のレベルで電極の法線に対して
   傾斜した電界とを交互に発生し得る様に選定された可変
   周波数の励起電圧を印加する、 事を特徴とする励起方法。 ２、電極の被覆の少なくとも一方（１５）の表面のイン
   ピーダンスの制御変化を、電極を形成する導電性被覆の
   固有インピーダンスの変化で作る事を特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の方法。 ３、電極被覆の少なくとも一方の表面のインピーダンス
   の制御変化を形成する工程が、 一方の板（１２）の上に一様な導電性被覆の一様な層（
   １５）を被着する工程と、次いで、化学反応によってそ
   の特定領域（１６）の被覆の表面インピーダンスを変化
   させる工程、 との各工程でなされる事を特徴とする特許請求の範囲第
   １項又は第２項に記載の方法。 ４、電極被覆に少なくとも一方の表面インピーダンスの
   制御変化を作る為の工程が、 一方の板（１２）の上に錫とインジウムの酸化物の電気
   伝導被覆の一様な層（１５）を被覆する工程と、 被覆の所定の領域（１６）で錫とインジウムの酸化物の
   少なくとも一部の還元を化学反応によって行う工程、 との各工程で成る事を特徴とする特許請求の範囲第３項
   に記載の方法。 ５、電極被覆の少なくとも一方の表面のインピーダンス
   の制御変化を作る工程が、 一方の板（１２）の上の導電被覆の一様な層（１５）を
   被着する工程と、 その所定の領域（１６）上の被覆を機械的に蝕刻する工
   程、 との各工程から成る事を特徴とする特許請求の範囲第２
   項に記載の方法。 ６、電極の被覆の少なくとも一方の表面のインピーダン
   ス制御変化が、導電性被覆の所定の領域（１６）に被覆
   の導電度とは異なる導電度を有する材料の被覆層を被着
   して作られる事を特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 ７、電極被覆の少なくとも一方の表面のインピーダンス
   制御変化が所定領域の周辺からその中心に向かってのイ
   ンピーダンスの順次変化に相当する事を特徴とする特許
   請求の範囲第１項から第６項までの内の任意一項に記載
   の方法。 ８、電極被覆の少なくとも一方の表面インピーダンスの
   制御変化が所定領域（１６）の限界を飛越した時のイン
   ピーダンスの急変に対応する事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項から第６項までの内の任意１項に記載の方法
   。 ９、板（１１、１２）上に夫々設けられた２つの電極（
   １４、１５）の間に周波数が交互に不安定限界周波数よ
   りも高く及び低くなる励起交番電圧を印加する工程を含
   み、前記不安定限界周波数を、一方の電極被覆の制御イ
   ンピーダンス変化領域（１６）上の第１の点（Ｇ）と、
   同一被覆上の領域外の第２の点（Ｈ）と、他方の電極被
   覆上に位置し第１の点を通る前記一方の被覆の法線上に
   ある第３の点（Ｊ）とを考慮したときに、第２の点（Ｈ
   ）と第３の点（Ｊ）との間の事実上容量性の誘電体イン
   ピーダンス（１／Ｃ＿１）が、第３の点（Ｊ）と第１の
   点（Ｇ）の間の誘電体インピーダンス（１／Ｃ＿０）と
   第２の点（Ｈ）と第１の点（Ｇ）との間のインピーダン
   ス（Ｒ）との和に等しい時の周波数とする事を特徴とす
   る特許請求の範囲第１項から第８項までの内の任意１項
   に記載の方法。 １０、インピーダンス制御変化領域上に印加する励起電
   圧を、移相によって高周波を生じるように、両電極に夫
   々印加された２つの低周波信号の重ね合せで形成する事
   を特徴とする特許請求の範囲第１項から第９項までの任
   意１項に記載の方法。 １１、インピーダンスの制御変化を示す電極の各領域乃
   至場所が相異なる限界周波数を有し、これによって励起
   周波数を制御する事によって選択的表示を可能にした事
   を特徴とする特許請求の範囲第１項から第１０項までの
   任意１項の記載の方法。 １２、２つの電極に周期ω＿ｃが次の式、 ω＿ｃＲＣ＝１ （ただし、Ｒはインピーダンス制御変化領域での平方抵
   抗、Ｃは２つの透明板を隔てる距離と等しい長さの辺の
   立方体の形のネマチック分子の複合セルの部分静電容量
   ） で表される不安定限界周波数よりも高い、及び低い周波
   数の励起交番電圧を印加する事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項から第１１項に記載の方法。 １３、夫々の一方の表面に電極を形成する導電被覆（１
   ５）を夫々被覆した２枚の透明平行板（１１、１２）と
   、これら板の間に介装された間隔材（１３）と、２枚の
   板（１１、１２）と間隔材（１３）とで限界された空間
   に充填されたネマチック性の活性分子を含む材料（１７
   ）とを有し、導電被覆の少なくとも一方には所定の領域
   （１６）に表面のインピーダンスの制御された変化が存
   在し、更に、板（１１、１２）上に夫々設けられた電極
   （１４、１５）間に電極に垂直な電界と制御された変化
   を示す領域（１６）で電極の法線に対して傾斜した電界
   とを交互に発生する様に選定された周波数可変の励起電
   圧を印加する装置（３０）を有して成る液晶電気光学装
   置。 １４、ネマチック状活性分子が強い正の誘電異方性を有
   する事を特徴とする特許請求の範囲第１３項に記載の電
   気光学装置。 １５、ネマチック状活性分子がシアノビフェニール（ｃ
   ｙａｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ）属の物質である事を特徴と
   する特許請求の範囲第１４項に記載の電気光学装置。 １６、ネマチック状活性分子が強い負の誘電異方性を有
   する事を特徴とする特許請求の範囲第１３項に記載の電
   気光学装置。 １７、インピーダンスの制御変化を示す領域（１６）が
   電極を形成する被覆の絶縁された場所に分布されている
   事を特徴とする特許請求の範囲第１３項から第１６項ま
   での内の任意１項に記載の電気光学装置。