JPS6229212A - マイクロ波トランジスタバイアス回路 - Google Patents

マイクロ波トランジスタバイアス回路

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JPS6229212A
JPS6229212A JP16665185A JP16665185A JPS6229212A JP S6229212 A JPS6229212 A JP S6229212A JP 16665185 A JP16665185 A JP 16665185A JP 16665185 A JP16665185 A JP 16665185A JP S6229212 A JPS6229212 A JP S6229212A
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JP
Japan
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capacitor
circuit
short
wavelength
bias
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JP16665185A
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JPH0261161B2 (ja
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Shigenobu Aihara
相原　重信
Yasushi Ose
小瀬　泰
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波帯で使用されるトランジスタの直流
バイアス回路に関する。
９ユ下余日 〔従来の技術〕 従来、マイクロ波トランジスタのバイアス回路としては
、高インピーダンスのバイアス線路の一端をＲＦ信号線
路に接続し、他端を貫通コンデンサに接続してこの貫通
コンデンサを介してバイアスを供給していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、この回路では周波数が高くなるにつれて
２貫通コンデンサのＲＦ短絡面が一定しなかったり、損
失が生じてしまい、特だ低損失を要求される低雑音回路
や高出力回路としては細かい調整を必要としたシ、帯域
内でリップルを生ずる欠点があった。加えて、多くのバ
イアス電流を必要とする高出力回路では、高インピーダ
ンスの線路を得にくい等の欠点があった。
本発明は、上記の如き従来回路の欠点を補うべ（、ＲＦ
短絡面が一定し、かつきわめて損失のすくない短絡面を
与えることによって、使用帯域内で安定した特性を持ち
、ＲＦ回路側の損失も少なくなるようなマイクロ波トラ
ンジスタバイアス回路を提供することを目的とする。
本発明はまた。バイアス引き出し線を十分高インピーダ
ンスにしなくても済むようなマイクロ波トランジスタバ
イアス回路を提供しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では、ＲＦ信号線路から１７４波長の位置のバイ
アス線路に、導体円板を比誘電率ε、の２枚の誘電体フ
ィルムで挾んだ構造のコンデンサを介在させ、前記円板
の直径を１／２波長の実質上外τ倍とし、前記コンデン
サを収容する穴径を１波長の実質上１／ｙ７ｒ倍とした
ことを特徴とする。
〔実施例〕
次に２本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
←図は本発明の一実施例の縦断面図である。
マイクロ波帯トランジスタ５はマイクロストリ。
プ線路４に接続されている。マイクロストリップ線路４
には上下２枚に分けられたシャーシを貫いて直流バイア
ス線１が接続されておシ、この直流バイアス線１にはマ
イクロストリップ線路４よシ約１／４波長（図中、Ｌで
示す）の位置に、十分て薄く直径ｄがほぼ１／２四波長
の導体円板２を比誘電率εｒの誘電体フィルム３及び３
′で挾んだ構造のコンデンサを介在させている。このコ
ンデンサを収容する穴径りはほぼ’／シ波長である。こ
のようにして構成されたＲＦ短絡面を介して９貫通コン
デンサ、６が接続されている。
この様に構成することで円板２は径方向の先端が開放さ
れ、中心がほぼ短絡面となるのみならず。
円板２と誘電体フィルム３，３′を収容した穴そのもの
がラジアルチョークを形成するので、短絡面はよシ完全
な短絡面となる。
以上のように１円板２は中心がほぼ短絡面となるのみな
らず、その外導体となる穴径も中心で短絡面となるよう
構成されているから、極めて短絡特性の良い短絡面を提
供する。このため直流バイアス線路が多少太めで、十分
高インピーダンスのバイアス引き出し線となシ得ない場
合でも、このバイアス回路はＲＦ損失のないバイアス回
路となり、ＲＦ信号線路すなわち、マイクロストリップ
線路４に対しても影響が少なくなシ、安定で高性能のバ
イアス回路となる。しかも内導体、すなわち直流バイア
ス線１は円板２でささえられているため１機械的にも安
定な構成を与える効果もある。
〔発明の効果〕
以上説明してきたよえに９本発明によれば、使用帯域内
で安定した特性を有し、ＲＦ回路側の損失も少なくする
ことができる。また、バイアス線を十分高インピーダン
スにしなくても良いため。
バイアス電流の容量も多くとれる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の縦−断面図である。 図中、１は直流バイアス引き出し線、２はＲＦ短絡用の
導体円板、　３　、３’は誘電体フィルム、４はマイク
ロストリップ線路、５はマイクロ波トランジスタ、６は
貫通コンデンサ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、マイクロ波帯トランジスタをバイアスする回路であ
    って、ＲＦ信号線路から１／４波長の位置のバイアス線
    路に、導体円板を比誘電率ε＿ｒの２枚の誘電体フィル
    ムで挾んだ構造のコンデンサを介在させ、前記円板の直
    径を１／２波長の実質上１／√ε＿ｒ倍とし、前記コン
    デンサを収容する穴径を１波長の実質上１／√ε＿ｒ倍
    としたことを特徴とするマイクロ波トランジスタバイア
    ス回路。
JP16665185A 1985-07-30 1985-07-30 マイクロ波トランジスタバイアス回路 Granted JPS6229212A (ja)

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JPS6229212A true JPS6229212A (ja) 1987-02-07
JPH0261161B2 JPH0261161B2 (ja) 1990-12-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200263A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> アンテナ装置
JP2014011805A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Tektronix Inc バイアス・ティー及びシステム

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200263A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> アンテナ装置
JP2014011805A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Tektronix Inc バイアス・ティー及びシステム

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