JPS62290865A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
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- JPS62290865A JPS62290865A JP13108386A JP13108386A JPS62290865A JP S62290865 A JPS62290865 A JP S62290865A JP 13108386 A JP13108386 A JP 13108386A JP 13108386 A JP13108386 A JP 13108386A JP S62290865 A JPS62290865 A JP S62290865A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は、台底やセラミックなどのコーティングに利
用して好適なイオンブレーティング装置に関するもので
ある。
用して好適なイオンブレーティング装置に関するもので
ある。
〈従来の技術）
イオンブレーティング法は、通常１０−３〜１Ｏ−５ｔ
ｏｒｒ程度の真空中で蒸着物質を熱エネルギーや運動エ
ネルギーで蒸発させ、その蒸発粒子を電気エネルギーに
よって励起してイオン状悪としてから基板に付着、堆積
させる技術で、近年高融点化合物のコーティングも可能
となったことから急速に進歩して来た。
ｏｒｒ程度の真空中で蒸着物質を熱エネルギーや運動エ
ネルギーで蒸発させ、その蒸発粒子を電気エネルギーに
よって励起してイオン状悪としてから基板に付着、堆積
させる技術で、近年高融点化合物のコーティングも可能
となったことから急速に進歩して来た。
通常のイオンブレーティングは、真空槽中のガスをプラ
ズマ化し、蒸発物質や導入ガスを励起、イオン化させて
、プラズマに対して負電圧に設定された基板に向２て衝
突させるしくみであるため、基板表面が洗浄されつつコ
ーティングが施される。
ズマ化し、蒸発物質や導入ガスを励起、イオン化させて
、プラズマに対して負電圧に設定された基板に向２て衝
突させるしくみであるため、基板表面が洗浄されつつコ
ーティングが施される。
かかるイオンブレーティング法としては、（ａ ）アー
ク放電法。
ク放電法。
（ｂ ）マグネトロンスパッタリング法。
（Ｃ）高周波励起法（Ｒ，Ｆ、法）。
（ｄ）マルティ・アーク法あるいは
（ｅ）Ｈ，Ｃ，Ｄ法（ホローカソード）等の方法が知ら
れている。
れている。
この中で（ａ ）〜（Ｃ）は（ｄ ）および（ｅ ）に
くらべてイオン化率が低い。この点とくに＜８）の）−
１，Ｃ，Ｄ法は、イオン化率が大きいという利点がある
。
くらべてイオン化率が低い。この点とくに＜８）の）−
１，Ｃ，Ｄ法は、イオン化率が大きいという利点がある
。
（発明が解決しようとする間ｍ点）
しかしながらこのＨ，Ｃ，Ｄ法は、成膜速度が０．０５
μｒ１／ｗｉｎ程度と遅いために小型の実験用あるいは
小規模の生産にしか利用できないという欠点があった。
μｒ１／ｗｉｎ程度と遅いために小型の実験用あるいは
小規模の生産にしか利用できないという欠点があった。
発明者らは、Ｈ，Ｃ，Ｄ法のイオン化率が本質的に高い
点に注目し、このＨ，Ｃ，Ｄ法を用い、しかも高成膜速
度を得る方法について種々の検討を加えた結果、高電圧
エレクトロンビームを用いて大量に物質を蒸発させ、か
かる蒸発粒子ならびに使用ガスをＨＣＤ法でイオン化さ
せることによって上記の目的が有利に達成されることの
知見を得た。
点に注目し、このＨ，Ｃ，Ｄ法を用い、しかも高成膜速
度を得る方法について種々の検討を加えた結果、高電圧
エレクトロンビームを用いて大量に物質を蒸発させ、か
かる蒸発粒子ならびに使用ガスをＨＣＤ法でイオン化さ
せることによって上記の目的が有利に達成されることの
知見を得た。
この発明は、上記の方法の実施に用いて好適なイオンブ
レーティング装置を提案することを目的とする。
レーティング装置を提案することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明の要旨構成は次のとおりである。
真空槽内に導いた被着体をサブストレイトとして、この
サブストレイト上に、蒸発、イオン化した粒子を付着、
堆積させるイオンブレーティング装置であって、物質を
蒸発させる手段としてエレクトロンビームガンを、他方
法蒸発粒子および部用ガスのイオン化を促進する手段と
してホローカソードをそなえることを特徴とするイオン
ブレーティング装置。
サブストレイト上に、蒸発、イオン化した粒子を付着、
堆積させるイオンブレーティング装置であって、物質を
蒸発させる手段としてエレクトロンビームガンを、他方
法蒸発粒子および部用ガスのイオン化を促進する手段と
してホローカソードをそなえることを特徴とするイオン
ブレーティング装置。
（実施例）
第１図に、この発明に従うイオンブレーティング装置の
好適例を模式で示す。図中番号１はカソード、２は加速
ｉｉ！、３はエレクトロンビーム。
好適例を模式で示す。図中番号１はカソード、２は加速
ｉｉ！、３はエレクトロンビーム。
（ＥＢ）４は冷却装置、そして５は偏光マグネットであ
り、電極６９巻線７およびコア８からなる。
り、電極６９巻線７およびコア８からなる。
また９は蒸気流、１０はるつぼ、１１はＮ２ガス、１２
はＨＣＤガン（ガンの中はアルゴンガスを流入）。
はＨＣＤガン（ガンの中はアルゴンガスを流入）。
１３はサブストレイトであり、いずれも真空槽〈図示省
略）内に納められている。
略）内に納められている。
この発明において、ニレクロトンビームとしてはたとえ
ば図示したような２７０＠偏向ＥＢを用いて物質を大量
に蒸発させると共に、イオン化手段としてＨＣＤガンを
用いてイオン化を促進させることによって成膜速度を向
上させるのである。
ば図示したような２７０＠偏向ＥＢを用いて物質を大量
に蒸発させると共に、イオン化手段としてＨＣＤガンを
用いてイオン化を促進させることによって成膜速度を向
上させるのである。
なおさらに大量に蒸発させたい時には９０°偏向ＥＢ（
ピアス型）も用いることも可能である。
ピアス型）も用いることも可能である。
ここにＥＢの好適電圧はＩＯＫ Ｖ〜１００ＫＶであり
、一方ＨＣＤの好適な電圧は１０〜１ｏｏｖ 、電流は
５０〜５００Ａである。
、一方ＨＣＤの好適な電圧は１０〜１ｏｏｖ 、電流は
５０〜５００Ａである。
（作 用）
この発明におけるイオンブレーティング装置では、物質
の蒸発手段として大量の物質を蒸発させ１りる圧Ｂを用
いる一方、蒸発粒子や使用ガスのイオン化手段としては
イオン化率が高いＨ，Ｃ，Ｄを利用しているので、従来
に比べ成膜速度の大幅な向上を図り得る。
の蒸発手段として大量の物質を蒸発させ１りる圧Ｂを用
いる一方、蒸発粒子や使用ガスのイオン化手段としては
イオン化率が高いＨ，Ｃ，Ｄを利用しているので、従来
に比べ成膜速度の大幅な向上を図り得る。
具体的に述べると、従来のイオンブレーティング装置の
成膜速度が０．０１〜０．０５ μｍ ／ｍｉｎ程度で
あったのに対し、この発明装置では０．５μｍ／ｍｉｎ
以上と従来に比べて１０倍以上の成膜速度が得られる。
成膜速度が０．０１〜０．０５ μｍ ／ｍｉｎ程度で
あったのに対し、この発明装置では０．５μｍ／ｍｉｎ
以上と従来に比べて１０倍以上の成膜速度が得られる。
またイオン化率についても、従来が５％程度であったの
に対し、１０％以上と大幅に向上した。
に対し、１０％以上と大幅に向上した。
次に第１図に示したイオンブレーティング装置を用いて
、実際にＴｉＮ被膜を形成させたときの成膜速度とイオ
ン化率について調べた結果を、従来例と比較してｉ［べ
ろ。
、実際にＴｉＮ被膜を形成させたときの成膜速度とイオ
ン化率について調べた結果を、従来例と比較してｉ［べ
ろ。
ＥＢの加速電圧 １０Ｋ Ｖ 、 ７００Ｊ Ａ、
１−Ｉ ＣＤ ｆ７）加速電圧５０Ｖ 、 ３００
Ａ 。
１−Ｉ ＣＤ ｆ７）加速電圧５０Ｖ 、 ３００
Ａ 。
の条件下にＴｉ Ｎ？ｌ！膜を形成させたところ、１．
５μｍ／ｎ＋ｉｎの成膜速度でイオン化率２０％を冑た
。
５μｍ／ｎ＋ｉｎの成膜速度でイオン化率２０％を冑た
。
上記の値は従来のＥＢ＋ＲＦ法による成膜速度０．０３
μＩＩｌ／ｍｉｎおよびイオン化率４％に比較してきわ
めて浸れたものである。
μＩＩｌ／ｍｉｎおよびイオン化率４％に比較してきわ
めて浸れたものである。
またエレクトロビームガンとしてピアス型（３００ＫＷ
、 ９０°偏向ＥＢ）を用い、下記の条件下に ＥＢの加速電圧 ７０Ｋ Ｖ 、 ３Ａ 。
、 ９０°偏向ＥＢ）を用い、下記の条件下に ＥＢの加速電圧 ７０Ｋ Ｖ 、 ３Ａ 。
ＨＣＤ （７）加１１１ｆ圧４０Ｖ 、 ５００Ａ
。
。
ＴｉＮ被膜を形成させたところ、５μｍ ／ｍｉｎの成
膜速度で、イオン化率１５％を１りだ。
膜速度で、イオン化率１５％を１りだ。
（発明の効果）
かくしてこの発明装置を用いれば、高いイオン化率でか
つ高成膜速度の下に、イオンブレーティングを実施する
ことができる。
つ高成膜速度の下に、イオンブレーティングを実施する
ことができる。
第１図は、この発明に従うイオンブレーティング装置の
好適例を示す模式図である。 １・・・カソード ２・・・加速電極３・・・
エレクトロンビーム ４・・・冷却装置 ５・・・偏光マグネット６
・・・電極 ７・・・巻線８・・・コア
９・・・蒸気流１０・・・るつぼ
１１・・・Ｎ２ガス１２・・・Ｈ，Ｃ，Ｄガン
１３・・・サブストレイト第１図
好適例を示す模式図である。 １・・・カソード ２・・・加速電極３・・・
エレクトロンビーム ４・・・冷却装置 ５・・・偏光マグネット６
・・・電極 ７・・・巻線８・・・コア
９・・・蒸気流１０・・・るつぼ
１１・・・Ｎ２ガス１２・・・Ｈ，Ｃ，Ｄガン
１３・・・サブストレイト第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空槽内に導いた被着体をサブストレイトとして、
このサブストレイト上に、蒸発、イオン化した粒子を付
着、堆積させるイオンブレーティング装置であつて、 物質を蒸発させる手段としてエレクトロン ビームガンを、他方該蒸発粒子および使用ガスのイオン
化を促進する手段としてホローカソードをそなえること
を特徴とするイオンブレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13108386A JPS62290865A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13108386A JPS62290865A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290865A true JPS62290865A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0258350B2 JPH0258350B2 (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=15049590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13108386A Granted JPS62290865A (ja) | 1986-06-07 | 1986-06-07 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62290865A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03224275A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-10-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体圧力センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62280357A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | Yoichi Murayama | 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 |
-
1986
- 1986-06-07 JP JP13108386A patent/JPS62290865A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62280357A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | Yoichi Murayama | 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0258350B2 (ja) | 1990-12-07 |
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