JPS62283301A - 光導波装置及びその製造方法 - Google Patents
光導波装置及びその製造方法Info
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- JPS62283301A JPS62283301A JP12586386A JP12586386A JPS62283301A JP S62283301 A JPS62283301 A JP S62283301A JP 12586386 A JP12586386 A JP 12586386A JP 12586386 A JP12586386 A JP 12586386A JP S62283301 A JPS62283301 A JP S62283301A
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- optical waveguide
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザ光を収束させる光導波装置及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
［従来の技術］
従来、レーザ製版機やレーザプリンタ等の書き込み装置
においては、気体レーザからのレーザビームを光変調素
子（光スィッチ）を介してレンズで収束させスポット状
にして感光体上に照射し、書き込みを行っていた。この
ような従来の書き込み装置に用いられる光導波装置は気
体レーザとレンズとを組み合わせたもので、その製造方
法は、容器内にレーザとレンズとを順次組み込んで調整
するというものであった。
においては、気体レーザからのレーザビームを光変調素
子（光スィッチ）を介してレンズで収束させスポット状
にして感光体上に照射し、書き込みを行っていた。この
ような従来の書き込み装置に用いられる光導波装置は気
体レーザとレンズとを組み合わせたもので、その製造方
法は、容器内にレーザとレンズとを順次組み込んで調整
するというものであった。
［発明の解決しようとする問題点］
従来の光導波装置を用いた書き込み装置は、光信号を１
本ずつ感光体上に書き込むため書き込み速度が遅く、ま
た、レーザビームをレンズにより収束させるため、装置
が大型化し、コスト高になるという欠点を有していた。
本ずつ感光体上に書き込むため書き込み速度が遅く、ま
た、レーザビームをレンズにより収束させるため、装置
が大型化し、コスト高になるという欠点を有していた。
更に気体レーザとレンズの位置関係の調整が難しく生産
工程が複雑となるという欠点も有していた。
工程が複雑となるという欠点も有していた。
本発明は、従来の光導波装置及びその製造方法の上述の
ような欠点を解消するためになされたものであり、書き
込み動作を高速で行うことができ、形状が小型な光導波
装置及び生産が容易で生産コストが安く調整が不要な光
導波装置の製造方法を提供することを目的とする。
ような欠点を解消するためになされたものであり、書き
込み動作を高速で行うことができ、形状が小型な光導波
装置及び生産が容易で生産コストが安く調整が不要な光
導波装置の製造方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明になる光導波装置及びその製造方法は、光入射端
面に比べて光出射端面の面積が小さい角錐台状又は円錐
台状の光導波路を複数個配列し、各光導波路の光入射端
面に対応する位置に半導体レーザを設けて成ること及び
基板上に二酸化ケイ素を主成分とする微粒子層を堆積す
る第１の工程と、該微粒子層を加熱し透明なガラス層と
する第２の工程と、該ガラス層をエツチングし複数の光
導波路を形成する第３の工程と、各光導波路の光入射端
面に対応する位置に半導体レーザを固定する第４の工程
とを宥することを特徴とするものである。
面に比べて光出射端面の面積が小さい角錐台状又は円錐
台状の光導波路を複数個配列し、各光導波路の光入射端
面に対応する位置に半導体レーザを設けて成ること及び
基板上に二酸化ケイ素を主成分とする微粒子層を堆積す
る第１の工程と、該微粒子層を加熱し透明なガラス層と
する第２の工程と、該ガラス層をエツチングし複数の光
導波路を形成する第３の工程と、各光導波路の光入射端
面に対応する位置に半導体レーザを固定する第４の工程
とを宥することを特徴とするものである。
［作用］
本発明の光導波装置においては、複数個の導波路を配列
し、各導波路に半導体レーザを設けであるので、複数の
情報を同時に書き込むことができ、高速書き込みが可能
となる。また、ビームを収束するのに、レンズの代わり
に光導波路を用い、かつ気体レーザの代わりに半導体レ
ーザを用いるので、形状を小型化できる。
し、各導波路に半導体レーザを設けであるので、複数の
情報を同時に書き込むことができ、高速書き込みが可能
となる。また、ビームを収束するのに、レンズの代わり
に光導波路を用い、かつ気体レーザの代わりに半導体レ
ーザを用いるので、形状を小型化できる。
更に、基板上に複数の光導波路を形成し、各光導波路に
対応させて半導体レーザを固定するようにしたので、生
産が容易で生産コストが安く、調整が不要となるのであ
る。
対応させて半導体レーザを固定するようにしたので、生
産が容易で生産コストが安く、調整が不要となるのであ
る。
［実施例］
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明になる光導波装置の一実施例を示す一
部斜視図である０図において、シリコン製基板３の上に
は、光入射端面に比べて光出射端面の面積が小さい角錐
台状の石英ガラス製光導波路２が複数個配列されている
。この各光導波路２の光入射端面に対応する位置には半
導体レーザ１が設けられている。なお、基板３の寸法は
１例えば、幅Ｉ、 １＝ １０ｍｍ、長さＬ２ ＝１３
■、高さＨ＝Ｉｍ＋ａとし、半導体レーザ１の幅９．１
は１ｍｍ 、光導波路２の光出射端面の幅は５４ｍで
ピッチ交２は１０ｇｍとし、光導波路２の高さはｌＯ展
国に形成する。半導体レーザ１は１０個配列するものと
する。なお各半導体レーザ１には、図示しない発光変調
装置が接続されている０本光導波装置において、半導体
レーザ１で発−光されたレーザ光は基板３上に形成され
た光導波路２に導かれた光スポットを形成し、感光体ド
ラム４に書き込まれる。また、基板３は放熱板としての
作用を果たし、半導体レーザ１で発生した熱を放散させ
るので、特に放熱機構を設ける必要がない。
部斜視図である０図において、シリコン製基板３の上に
は、光入射端面に比べて光出射端面の面積が小さい角錐
台状の石英ガラス製光導波路２が複数個配列されている
。この各光導波路２の光入射端面に対応する位置には半
導体レーザ１が設けられている。なお、基板３の寸法は
１例えば、幅Ｉ、 １＝ １０ｍｍ、長さＬ２ ＝１３
■、高さＨ＝Ｉｍ＋ａとし、半導体レーザ１の幅９．１
は１ｍｍ 、光導波路２の光出射端面の幅は５４ｍで
ピッチ交２は１０ｇｍとし、光導波路２の高さはｌＯ展
国に形成する。半導体レーザ１は１０個配列するものと
する。なお各半導体レーザ１には、図示しない発光変調
装置が接続されている０本光導波装置において、半導体
レーザ１で発−光されたレーザ光は基板３上に形成され
た光導波路２に導かれた光スポットを形成し、感光体ド
ラム４に書き込まれる。また、基板３は放熱板としての
作用を果たし、半導体レーザ１で発生した熱を放散させ
るので、特に放熱機構を設ける必要がない。
第２図ないし第５図は本発明の光導波装置の゛製造方法
の一実施例を示す側面図である。
の一実施例を示す側面図である。
第２図において、シリコン製基板３上に火焔加水分解法
により二酸化ケイ素の微粒子層５を堆積する。次に、第
３図に示すよう様にこの微粒子層５を、例えば１２００
°Ｃで１時間加熱し透明なガラス層６とする。次に反応
性イオンエツチングを用いたフォトリソグラフィ法によ
り、第４図に示すように、３次元光導波路２を形成する
。この光導波路２の形状は第１図に示した光導波路２の
形状と同一の形状とする。最後に、第５図に示すように
、各光導波路２の光入射面に対応する位置に半導体レー
ザ１を固定して光導波装置を製作する。
により二酸化ケイ素の微粒子層５を堆積する。次に、第
３図に示すよう様にこの微粒子層５を、例えば１２００
°Ｃで１時間加熱し透明なガラス層６とする。次に反応
性イオンエツチングを用いたフォトリソグラフィ法によ
り、第４図に示すように、３次元光導波路２を形成する
。この光導波路２の形状は第１図に示した光導波路２の
形状と同一の形状とする。最後に、第５図に示すように
、各光導波路２の光入射面に対応する位置に半導体レー
ザ１を固定して光導波装置を製作する。
本発明の光導波装置及びその製造方法は以上の実施例に
限定されるものでなく、例えば光導波路２の形状は円錐
台状であっても良い。また、各光導波路２の表面に金等
の金属被膜を形成しても良い、この様にすることにより
、光信号の伝搬損失及び光導波路２相互間のクロストー
クが減少できる。更に、各構成要素の大きさを示す数値
も例示にすぎずその数値に限定されるものでないことは
勿論である。
限定されるものでなく、例えば光導波路２の形状は円錐
台状であっても良い。また、各光導波路２の表面に金等
の金属被膜を形成しても良い、この様にすることにより
、光信号の伝搬損失及び光導波路２相互間のクロストー
クが減少できる。更に、各構成要素の大きさを示す数値
も例示にすぎずその数値に限定されるものでないことは
勿論である。
［発明の効果］
本発明の光導波装置は、複数の光導波路を配列し、各光
導波路に対応させて半導体レーザを設けたので、書き込
み装置中に用いた場合に高速の書き込みが可能となり、
形状も小型化できる。また、本発明の製造方法において
は、エツチング法により光導波路を形成し、該光導波路
に半導体レーザを設けるようにしたので、生産が容易で
生産コストを安く調整を不要とできる。
導波路に対応させて半導体レーザを設けたので、書き込
み装置中に用いた場合に高速の書き込みが可能となり、
形状も小型化できる。また、本発明の製造方法において
は、エツチング法により光導波路を形成し、該光導波路
に半導体レーザを設けるようにしたので、生産が容易で
生産コストを安く調整を不要とできる。
第１図は本発明の光導波装置の一実施例を示す一部斜視
図、第２図ないし第５図は本発明の光導波装置あ製造方
法の一実施例を示す側面図及び一部斜視図である。 １−ｍ−半導体レーザ、 ２−ｍ−光導波路、３−ｍ
−基板、 ４−ｍ−感光体ドラム、５−ｍ−微粒
子層、 ６−−−ガラス層。
図、第２図ないし第５図は本発明の光導波装置あ製造方
法の一実施例を示す側面図及び一部斜視図である。 １−ｍ−半導体レーザ、 ２−ｍ−光導波路、３−ｍ
−基板、 ４−ｍ−感光体ドラム、５−ｍ−微粒
子層、 ６−−−ガラス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）光入射端面に比べて光出射端面の面積が小さい角
錐台状又は円錐台状の光導波路を複数個配列し、各光導
波路の光入射端面に対応する位置に半導体レーザを設け
て成ることを特徴とする光導波装置。 （２）各光導波路は一平面内に配列されている特許請求
の範囲第１項記載の光導波装置。 （ａ）光導波路は石英ガラスにより形成される特許請求
の範囲第１項記載の光導波装置。 （４）各光導波路はその表面に金属被膜が形成されてい
る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項記
載の光導波装置。 （５）基板上に二酸化ケイ素を主成分とする微粒子層を
堆積する第１の工程と、該微粒子層を加熱し透明なガラ
ス層とする第２の工程と、該ガラス層をエッチングし複
数の光導波路を形成する第３の工程と、各光導波路の光
入射端面に対応する位置に半導体レーザを固定する第４
の工程とを有することを特徴とする光導波装置の製造方
法。 （６）基板としてシリコン基板を用いる特許請求の範囲
第５項記載の光導波装置の製造方法。 （７）ガラス層をエッチングする方法はフォトリソグラ
フィ法である特許請求の範囲第６項又は第７項記載の光
導波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586386A JPS62283301A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光導波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586386A JPS62283301A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光導波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283301A true JPS62283301A (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=14920799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12586386A Pending JPS62283301A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光導波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62283301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118104A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Brother Ind Ltd | ビーム整形素子 |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12586386A patent/JPS62283301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118104A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Brother Ind Ltd | ビーム整形素子 |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
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